劉立起

(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津300220)

第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵(GaAs)材料可以分為半絕緣和半導(dǎo)體兩大類。半絕緣砷化鎵材料主要制作 MESFET、HEMT和HBT結(jié)構(gòu)的集成電路，主要用于手機(jī)、雷達(dá)、衛(wèi)星電視廣播、微波及毫米波通信、超高速計(jì)算機(jī)及光纖通信等領(lǐng)域。半導(dǎo)體砷化鎵材料主要應(yīng)用于半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）、光通信有源器件（LD）、可見(jiàn)光激光器、近紅外激光器、量子阱大功率激光器和高效太陽(yáng)能電池。

近年來(lái)隨手機(jī)、無(wú)線通信、LED照明和LED背光應(yīng)用市場(chǎng)快速擴(kuò)大，促進(jìn)了國(guó)內(nèi)砷化鎵襯底材料產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展。但是為了砷化鎵產(chǎn)業(yè)擴(kuò)大，就必須解決砷化鎵多晶料合成的產(chǎn)量問(wèn)題。由于砷化鎵是二元化合物，砷的蒸汽壓高，并且鎵、砷容易氧化，使得合成砷化鎵多晶就很不容易。砷化鎵多晶合成有4種：(1)水平布里奇曼法；（2）低壓氧化硼液封砷注入合成法；（3）高壓氧化硼液封直接合成法；（4）高壓無(wú)液封砷化鎵多晶合成法。最后一種是中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十六研究所獨(dú)創(chuàng)的合成方法。隨著本所摻硅半導(dǎo)體VB法GaAs單晶和GaAs液相外延（LPE）用砷化鎵多晶產(chǎn)品規(guī)模的擴(kuò)大，原有的單臺(tái)臥式合成爐的產(chǎn)量已經(jīng)不能滿足生產(chǎn)的需要，同時(shí)，原有合成爐在使用過(guò)程中也暴露出許多設(shè)計(jì)上的缺陷，這些缺陷造成砷化鎵多晶合成操作和設(shè)備維護(hù)不易實(shí)現(xiàn)。在充分研究了原有的臥式合成爐的結(jié)構(gòu)和原理基礎(chǔ)上，根據(jù)現(xiàn)有高壓無(wú)液封砷化鎵多晶合成工藝要求，同時(shí)結(jié)合工藝操作人員對(duì)爐體改進(jìn)設(shè)想，設(shè)計(jì)和制造出立式GaAs多晶合成爐。新型合成爐的密封結(jié)構(gòu)、傳感器位置、進(jìn)排氣口徑、爐體的清潔等方面與原臥式合成爐相比都進(jìn)行了改進(jìn)。進(jìn)而提升了爐體的可靠性、操作簡(jiǎn)便性和工藝可重復(fù)性。在保證了合成料的一致性的同時(shí)，極大地提高了合成料的產(chǎn)量。

1 臥式合成爐的缺陷分析

1.1 空間結(jié)構(gòu)的缺陷

原臥式合成爐爐體是前后平面機(jī)構(gòu)，側(cè)面為圓柱形結(jié)構(gòu)，銅電極位于爐體后平面上，通過(guò)直角石墨電極板與石墨加熱器鏈接。圓柱形底面造成石墨系統(tǒng)放置不平穩(wěn)，與電極板絕緣不能可靠保證。銅電極在多次合成過(guò)程中容易沉積砷揮發(fā)物，降低銅電極與爐體的絕緣。爐體側(cè)面進(jìn)、排氣口高壓密封距離石墨系統(tǒng)太近，密封結(jié)構(gòu)容易砷沉積，同時(shí)合成時(shí)溫度也較高，造成了爐體密封高壓不可靠性。因爐體這種結(jié)構(gòu)，造成改變合成坩堝尺寸、增大合成投料量不可執(zhí)行。

1.2 工藝過(guò)程的缺陷

爐體的測(cè)溫?zé)犭娕嘉挥谑到y(tǒng)軸心正下方，測(cè)溫點(diǎn)選擇在坩堝的底部，測(cè)溫桿高度遠(yuǎn)高于石墨底座。造成了爐體的清潔和石墨系統(tǒng)的拆、裝不便，熱偶在清潔爐體和裝料過(guò)程中也很容易被損壞。熱電偶的安裝不良，會(huì)造成爐體的密封性不好和干擾檢測(cè)溫度的真實(shí)性。從而降低工藝可重復(fù)性、穩(wěn)定性。

1.3 操作缺陷

合成時(shí)采用陶瓷熱解氮化硼坩堝，這種坩堝非常脆，在垂直坩堝壁的方向受很小力，就會(huì)造成坩堝壁的損壞，但順坩堝壁的方向可以承受較大力。操作人員通過(guò)雙手的食指、中指和拇指捏住坩堝上壁，順坩堝壁的方向雙手均勻用力裝、取砷化鎵料，很好保證氮化硼坩堝不受損。原爐體結(jié)構(gòu)和原有石墨系統(tǒng)造成裝取向上提起空間小（見(jiàn)圖1），同時(shí)要求坩堝向外平移。造成坩堝損壞的幾率非常大，也使裝、取砷化鎵料變得不容易。

圖1 原臥式GaAs多晶合成爐照片

為消除原合成爐存在以上缺陷，我們?cè)O(shè)計(jì)了一種立式合成爐，并且增加了爐體直徑和高度，其加熱器和坩堝同樣豎直放置（見(jiàn)圖2）。為以后合成工藝中增加投料量、增加合成料的高度留出了冗量。上爐體可整體升降，這樣爐體清潔變得容易了，石墨系統(tǒng)的安裝和裝、取合成料也變得簡(jiǎn)單了。

圖2 新立式GaAs多晶合成爐照片

2 合成爐的機(jī)械設(shè)計(jì)

2.1 爐體的機(jī)械設(shè)計(jì)

爐體按照Ⅱ類壓力容器設(shè)計(jì)，材質(zhì)0Cr18Ni9（304），爐體外形為鐘罩形式，爐體頂部和爐體側(cè)壁為整體結(jié)構(gòu)，爐體內(nèi)部拋光，爐體內(nèi)部容積準(zhǔn)300 mm×400 mm，爐體下口與底盤(pán)之間用法蘭連接，底盤(pán)平面上預(yù)留加熱電極孔一對(duì)、控溫?zé)崤伎滓粋€(gè)、坩堝底部測(cè)溫孔一個(gè)、充/放氣共用孔一個(gè)。

爐體的升降采用推拉桿形式，使?fàn)t體平滑升降，當(dāng)?shù)竭_(dá)適合高度時(shí)爐體可以在水平面上根據(jù)需要左右扭轉(zhuǎn)，使得工藝人員在加裝GaAs料和加熱器等操作時(shí)得心應(yīng)手。

爐體下部留有抽真空管路，考慮防止砷沉淀物堵塞管路，真空泵和爐體之間加裝高壓截至閥，并能實(shí)現(xiàn)控制抽氣速率，在截止閥外設(shè)計(jì)有裝熱偶真空規(guī)管的安裝孔。在高壓截止閥與爐體之間的管路上，加裝安全閥、充氣孔、放氣孔和壓力表。

2.2 爐體的設(shè)計(jì)參數(shù)

爐體工作最大壓力9.8MPa，爐體采用水冷方式進(jìn)行冷卻，正常使用時(shí)，爐體外壁溫度不超過(guò)100℃；爐體內(nèi)部最高工作溫度≤1 400℃。

真空壓力范圍101 325～1 Pa；

微啟式安全閥，啟動(dòng)點(diǎn)≥8.0 MPa安全啟動(dòng)；

壓力表表盤(pán)準(zhǔn)150 mm，量程：0～16 MPa，精度：0.05 MPa；

充氣限流閥充氣速率控制0.3MPa/m in；

要求爐體和電極冷卻水套耐壓壓力0.5 MPa；

每個(gè)冷卻支路安裝水流量計(jì)，流量可調(diào)；

水壓表0～1.0 MPa，回水溫度低于50℃；

爐體漏氣速率：＜0.025MPa/h；

爐體真空度要求：＜10 Pa。

上爐體升降速率350 mm/m in，行程500mm。

3 設(shè)備的電氣設(shè)計(jì)

電氣控制原理框圖見(jiàn)圖3。

圖3 電氣控制原理框圖

本控溫系統(tǒng)除了保證高精度的控制外，屬于典型傳統(tǒng)的控溫系統(tǒng)。

3.1 加熱電路的設(shè)計(jì)

加熱電源的基本參數(shù)：輸出直流電壓60 V，電流700 A。變壓器100 kVA。顯示電壓表0～80 V，電流表0～800 A。輸出電纜選用400mm2毛絲線塑膠電纜，所有測(cè)控儀表均選用國(guó)產(chǎn)宇電公司儀表，加熱器選用國(guó)產(chǎn)宇電AL-808P表進(jìn)行溫度設(shè)定及控制，該儀表具備手動(dòng)/自動(dòng)無(wú)擾動(dòng)切換功能、自整定功能（AT）及全新的精細(xì)控制功能。在7.0 MPa條件下最高加熱溫度1300℃±2℃。加熱器采用石墨加熱器，設(shè)有測(cè)溫及控溫2個(gè)熱電偶，利用控溫?zé)犭娕紝?shí)現(xiàn)閉環(huán)控制，而測(cè)溫?zé)犭娕贾黄鸬揭粋€(gè)溫度檢測(cè)作用。極端情況下（如控溫?zé)犭娕荚谏a(chǎn)過(guò)程中間發(fā)生斷偶等意外問(wèn)題時(shí)）測(cè)溫?zé)犭娕纪耆梢酝瓿蒅aAs多晶合成的任務(wù)。

3.2 冷卻系統(tǒng)及報(bào)警設(shè)計(jì)

六套冷卻水流量計(jì)控制冷卻水的流量，他們分別對(duì)合成爐外壁、爐體底盤(pán)上部、爐體底盤(pán)下部、一對(duì)加熱電極、直流電源變壓器、直流電源電極進(jìn)行冷卻。冷卻系統(tǒng)的報(bào)警采用水壓報(bào)警控制，爐體水冷卻設(shè)有渦輪式水流量計(jì)進(jìn)行信號(hào)回傳，變壓器電源水冷單獨(dú)設(shè)一路水源，串聯(lián)浮子流量計(jì)進(jìn)行設(shè)定及控制。直流輸出電纜不加水冷。爐體及加熱電極水冷水流量傳感器前級(jí)要加裝機(jī)械式水壓表，以便于對(duì)前級(jí)主管路水壓進(jìn)行觀察。水流量欠壓報(bào)警設(shè)兩級(jí)報(bào)警：水流量下下限報(bào)警時(shí)主電源將無(wú)法啟動(dòng)，水流量下限報(bào)警時(shí)可能設(shè)備處于運(yùn)行狀態(tài)，此時(shí)報(bào)警只提醒工藝人員對(duì)水流量進(jìn)行適當(dāng)調(diào)節(jié)。特別說(shuō)明：該設(shè)備是特種高壓設(shè)備，為安全起見(jiàn)不設(shè)報(bào)警消除開(kāi)關(guān)！

3.3 真空和高壓系統(tǒng)及報(bào)警設(shè)計(jì)

真空系統(tǒng)采用機(jī)械泵抽空，并用高壓球閥隔離。用真空壓力變送器測(cè)量真空度。正負(fù)壓檢測(cè)采用壓力變送器進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量數(shù)據(jù)與二次儀表中的設(shè)定值進(jìn)行對(duì)比判斷，異常情況時(shí)發(fā)出聲、光報(bào)警，同時(shí)在高壓管路中增加機(jī)械壓力表和高壓安全閥，作為第二高壓監(jiān)測(cè)點(diǎn)進(jìn)行監(jiān)測(cè)和第三層安全防護(hù)，確保正常工作時(shí)不發(fā)生意外。

3.4 其它及安全電路的設(shè)計(jì)

爐蓋升降部分采用螺旋升降機(jī)構(gòu)，通過(guò)光軸及連接支架，實(shí)現(xiàn)爐蓋升降，并可旋轉(zhuǎn)＞90°，便于裝料、取料、及加熱器的安裝、維修等。爐體升降采用點(diǎn)動(dòng)式按鈕，行程上、下限有保護(hù)開(kāi)關(guān)進(jìn)行限位鎖定。

4 產(chǎn)品質(zhì)量分析

從2010年9月至2011年3月完成從設(shè)計(jì)到安裝和調(diào)試。合成爐體外形借鑒德國(guó)引進(jìn)的Linn公司VGF爐，爐體升降借鑒美國(guó)引進(jìn)的Linton公司的常壓?jiǎn)尉t，爐體的電極部分的絕緣和密封借鑒Melbourne單晶爐電極結(jié)構(gòu)，安全閥、壓力表和抽真空管路連接借鑒1985年我所制造的高壓砷化鎵單晶爐。綜合以上爐體優(yōu)點(diǎn)創(chuàng)新設(shè)計(jì)出新的砷化鎵合成爐爐體。委托天津市南洋兄弟石化設(shè)備有限公司制作耐壓9.8 MPa爐體。電氣部分采用Linton公司100 kV·A變壓器，設(shè)計(jì)控溫電路實(shí)現(xiàn)對(duì)爐體石墨加熱器溫度的控制。增加爐體溫度報(bào)警、抽真空控制等電路。

2011年4月開(kāi)始裝料通過(guò)20爐體工藝調(diào)整實(shí)驗(yàn)，同時(shí)改進(jìn)了試用過(guò)程中電極高壓密封、熱偶的密封結(jié)構(gòu)。也穩(wěn)定了砷化鎵多晶合成工藝。至2011年11月20日，已運(yùn)行合成323爐，合成砷化鎵質(zhì)量達(dá)到原合成爐水平，產(chǎn)量提高50%以上。新合成爐優(yōu)點(diǎn)：（1）爐體由臥式改為立式，電極從加熱器側(cè)連接變?yōu)闋t體底部，合成時(shí)電極不易沉積砷。（2）裝、取料時(shí)，電極、熱偶、加熱器完全暴露在視覺(jué)范圍之內(nèi)操作起來(lái)方便可行，沒(méi)有造成無(wú)意間損壞的擔(dān)心。（3）爐體石墨保溫罩放置穩(wěn)固可靠，有利于石墨系統(tǒng)的絕緣。（4）爐體充氣針閥優(yōu)于原爐體的充氣控制閥。（5）電氣控制的設(shè)計(jì)更加完善，操作簡(jiǎn)便，故障率極低。

5 討 論

整個(gè)設(shè)備由三部分組成：主體設(shè)備部分、電源部分、控制柜部分。占用場(chǎng)地相對(duì)較小，適合各種工作場(chǎng)地安裝使用。整體造價(jià)低廉適合各種大中小型企業(yè)購(gòu)買(mǎi)。

設(shè)備全圖見(jiàn)圖4

圖4 砷化鎵多晶合成設(shè)備全圖

該設(shè)備最大的優(yōu)點(diǎn)是工作面較低，裝、取料過(guò)程操作非常方便，加熱體、測(cè)溫?zé)崤?、保溫結(jié)構(gòu)等它們之間相對(duì)位置合理，所以工藝人員在操作工程中得心應(yīng)手，幾乎不可能造成因誤操作而損壞，從而保證了工藝過(guò)程的安全性、重復(fù)性和可靠性，質(zhì)量得以保證；產(chǎn)量得以增加；經(jīng)濟(jì)效益得以提高。

從控制方面講由于選用了可靠的溫控儀表，整個(gè)生產(chǎn)工藝過(guò)程可以用程序段進(jìn)行自動(dòng)控制，全過(guò)程無(wú)需人為管理。操作簡(jiǎn)單無(wú)需培訓(xùn)，各種參數(shù)顯示清晰明了，是一臺(tái)非常實(shí)用的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)設(shè)備。