一種氮氧化物氣體傳感器元件的制備方法

申請(專利)號:201210400849.9

公開(公告)日:2013-03-27

申請(專利權)人:天津大學

本發(fā)明公開了一種氮氧化物氣體傳感器元件的制備方法，步驟為:(1)對n型單面拋光的單晶硅片進行清洗;(2)采用雙槽電化學腐蝕法在硅片的拋光表面制備孔徑尺寸在50～200 nm的硅基孔洞有序多孔硅，腐蝕液為6% ～8% 的氫氟酸水溶液，施加的腐蝕電流密度為115～135 mA/cm2，腐蝕時間為5～25 min;(3)再將多孔硅置于超高真空對靶磁控濺射設備的真空室，制備基于硅基孔洞有序多孔硅的氮氧化物氣體傳感器元件。本發(fā)明的制備方法簡單，靈活可調(diào)，工藝條件較少，易于控制;提供了一種可在室溫及極低濃度(0.1×10－6)下具有高靈敏度、高選擇性、快速響應/恢復特性、重復性好的氮氧化物氣體傳感器元件。

一種超高光譜分辨率氣體中波紅外光譜測量系統(tǒng)

申請(專利)號:201310059699.4

公開(公告)日:2013-05-08

申請(專利權)人:浙江大學

摘要:本發(fā)明公開了一種超高光譜分辨率氣體中波紅外光譜測量系統(tǒng)。它由無縱模寬帶中波紅外激光源、氣體吸收池和超高分辨率的光譜儀構成;無縱模寬帶中波紅外激光源經(jīng)由光學系統(tǒng)在空間上直接入射到氣體吸收池，并從氣體吸收池出射后入射到超高分辨率的光譜儀后獲得待測量的氣體吸收光譜。采用無縱模寬帶中波紅外激光源使得入射光源具有光譜成分連續(xù)、在不同激光脈沖之間光譜穩(wěn)定的特點，使得超高分辨率光譜儀的光譜測量不會受到模式跳變的影響。因此，本發(fā)明具有極高光譜分辨率的同時，能測量氣體吸收光譜的微弱變化，適用于痕量氣體的測量。

硅烷尾氣處理裝置以及方法

申請(專利)號:201110347328.7

公開(公告)日:2013-05-08

申請(專利權)人:無錫華潤華晶微電子有限公司

摘要:本發(fā)明涉及硅烷尾氣處理裝置及其處理方法。該硅烷尾氣處理裝置具備燃燒筒，所述燃燒筒具備:進氣口，用于通入以硅烷氣體為主要成分的硅烷尾氣;第一反應氣體通入口，用于通入第一反應氣體;第二反應氣體通入口，用于通入第二反應氣體;排氣口，用于排出所述硅烷氣體與所述第一反應氣體和第二反應氣體反應之后的氣體，其中，上述第一反應氣體通入口和上述第二反應氣體通入口分開設置，并且上述第一反應氣體通入口設置在比上述第二反應氣體通入口更靠近進氣口的位置。另外，還設置有氣體流速降低裝置。利用本發(fā)明的硅烷尾氣處理裝置及其方法能夠?qū)柰槲矚膺M行完全處理，提高工藝的安全性。

一種制備六氟乙烷的方法

申請(專利)號:201110392480.7

公開(公告)日:2013-06-05

申請(專利權)人:中化藍天集團有限公司浙江藍天環(huán)保高科技股份有限公司

摘要:本發(fā)明公開了一種以一氯五氟乙烷為原料制備六氟乙烷的方法，在Cr催化劑、Cr-Mg催化劑、Cr-Al催化劑或Cr-Mg-Al催化劑作用下，一氯五氟乙烷氣體流與氟化氫氣體流進行氣相反應生成六氟乙烷。本發(fā)明使用的一氯五氟乙烷氣體流可以含有5%以下雜質(zhì)。本發(fā)明公開的制備方法具有操作簡便、易于工業(yè)化應用、選擇性高和轉(zhuǎn)化率高等優(yōu)點。

一種氣體分離膜的制備方法

申請(專利)號:201310167130.X

公開(公告)日:2013-07-24

申請(專利權)人:哈爾濱工業(yè)大學

摘要:一種氣體分離膜的制備方法，它涉及一種高分子分離膜的制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有方法制備的氣體分離膜存在對CO2滲透性能低的問題。方法:一、混合;二、刮涂成膜;三、浸泡干燥，即得到氣體分離膜。本發(fā)明優(yōu)點:本發(fā)明制備的氣體分離膜對CO2滲透性能為273～409 bar(1 bar=0.1 MPa)。本發(fā)明主要用于制備氣體分離膜。