專利名稱:一種用于場(chǎng)發(fā)射的二氧化鈦納米尖陣列薄膜的制備方法

專利申請(qǐng)?zhí)?201210488574.9

公開號(hào):CN102995091A

申請(qǐng)日:2012.11.26 公開日:2013.03.27

申請(qǐng)人:北京大學(xué)

本發(fā)明提供了一種用于場(chǎng)發(fā)射的二氧化鈦納米尖陣列薄膜的制備方法.其步驟主要包括:首先將擺洗好的鈦片進(jìn)行第一次陽極氧化,完畢之后,利用超聲去掉附著在鈦片上的二氧化鈦納米管薄膜;然后,將鈦片重新裝入電極,進(jìn)行第二次陽極氧化,完畢之后,取出鈦片進(jìn)行擺洗;最后即可獲得二氧化鈦納米尖陣列薄膜.本發(fā)明的方法實(shí)現(xiàn)了適合于場(chǎng)發(fā)射的二氧化鈦納米尖陣列的制備.與傳統(tǒng)的微電子場(chǎng)發(fā)射針尖陣列相比,本發(fā)明方法簡(jiǎn)單,制備參數(shù)容易控制,且陣列的尖端比較尖銳,有利于場(chǎng)發(fā)射的獲得.并且,經(jīng)高溫退火后的二氧化鈦納米尖陣列薄膜,具有更低的開啟與閾值場(chǎng)強(qiáng),特別是在450 ℃下退火的樣品具有最小的開啟與閾值場(chǎng)強(qiáng),場(chǎng)發(fā)射性能明顯提高.