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水浴法制備摻雜氧化鋅納米材料的研究

2013-12-26 05:46:54沈耀國(guó)
科學(xué)時(shí)代·上半月 2013年12期
關(guān)鍵詞:水熱法溶膠凝膠

【摘 要】本文概述了ZnO金屬元素和非金屬元素的摻雜,制備出薄膜、粉末或者納米棒,分別從XRD、吸收光譜和光致發(fā)光等方面進(jìn)行了表征。

【關(guān)鍵詞】ZnO摻雜;溶膠-凝膠;水熱法

1.引言

氧化鋅(ZnO)是一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有六角纖維鋅礦結(jié)構(gòu)。由于是直接帶隙,電子躍遷率大,適合作為光電發(fā)射器件;也可以用在紫外激光、光致發(fā)光和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。而摻雜的氧化鋅材料具有新的光電特性,摻雜的種類(lèi)很多,本文介紹金屬摻雜和非金屬元素?fù)诫s。

2.金屬元素的摻雜

采用溶膠-凝膠法在玻璃基底上制備了ZnO:Li薄膜[1]。以乙酸鋅、無(wú)水乙醇、乙醇胺、和氯化鋰為前驅(qū)體,制備摻雜元素的膠體,用勻膠機(jī)旋涂在拋光并且清洗干凈的石英玻璃襯底上,得到不同厚度的薄膜。采用XRD表征,薄膜厚度越厚,薄膜的(002)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)越強(qiáng),歸因于晶粒生長(zhǎng)受襯底晶格失配和晶格缺陷的影響較小。分光光度計(jì)測(cè)量的吸收譜表明,薄膜越厚,平均透射率下降,紫外光區(qū)的吸收邊往長(zhǎng)波方向移動(dòng);這是因?yàn)?,薄膜越厚,晶粒粒徑越大,越容易產(chǎn)生光學(xué)散射和帶隙變窄。熒光光譜表明,薄膜層數(shù)越多,發(fā)光峰強(qiáng)度呈現(xiàn)增強(qiáng)的趨勢(shì),普遍認(rèn)為禁帶寬度的變小有利于帶間躍遷和激子復(fù)合。另外薄膜在六層時(shí),方阻最小。

改變退火溫度,對(duì)ZnO:Li薄膜特性進(jìn)行了深入的研究[2],退火溫度在4500C ~5500C時(shí),制備的薄膜擇優(yōu)生長(zhǎng)性強(qiáng),光學(xué)透過(guò)率在90%以上,電阻率較小。隨退火溫度的提高,減少了內(nèi)部缺陷,加強(qiáng)了晶粒C軸的擇優(yōu)生長(zhǎng),提高了結(jié)晶質(zhì)量;而光線受不同晶向的散射變?nèi)?,透過(guò)率得到提高。

采用水熱法結(jié)合溶膠.凝膠法在SiO2:基片上制備了不同AI含量摻雜的ZnO納米棒陣列[3].通過(guò)x射線衍射儀(XRD),電子掃描顯微鏡(SEM),透射光譜和光致發(fā)光光譜儀(PL)等測(cè)量手段,分析了薄膜樣品的微結(jié)構(gòu)、表面形貌、透射及光致發(fā)光特性。結(jié)果表明,制備出的薄膜具有良好的結(jié)晶質(zhì)量和明顯的沿(002)方向擇優(yōu)取向生長(zhǎng)。透射譜分析顯示,樣品的吸收邊隨Al含量的增加出現(xiàn)明顯的紅移現(xiàn)象。PL譜分析表明,摻雜Al以后,薄膜出現(xiàn)強(qiáng)的橙紅光發(fā)射光譜帶,通過(guò)譜線擬合,發(fā)現(xiàn)在可見(jiàn)光波段的缺陷發(fā)光主要是位于能量為1.92eV和2.15 eV的紅光及黃光發(fā)射,主要發(fā)光機(jī)理為zn缺陷發(fā)射。

采用水熱法制備了Co摻雜ZnO粉晶[4],研究了水熱時(shí)間t(t=2,3,6 h)對(duì)其微結(jié)構(gòu)、形貌和磁性的影響。結(jié)果表明:隨水熱時(shí)間增加,Co摻雜ZnO晶胞參數(shù)和微應(yīng)變減小,均具有六方柱形貌。水熱時(shí)間為2 h時(shí)顯示弱鐵磁性,合成時(shí)間為3 h時(shí)具有最強(qiáng)的鐵磁特性,六方納米柱形狀明顯變長(zhǎng),結(jié)晶性能最好。水熱時(shí)間為6 h時(shí)顯示為順磁性,六方納米柱形貌有“融化”趨勢(shì)。相對(duì)于未摻雜ZnO,Co摻雜有利于單一ZnO相的形成。

采用簡(jiǎn)單的濕化學(xué)法在ITO玻璃襯底上直接生長(zhǎng)了納米棒團(tuán)簇結(jié)構(gòu)的 Co摻雜ZnO薄膜,研究表明此法成本低廉、收益高、重復(fù)性良好,是制備Co摻雜ZnO磁性納米晶體的好方法[5]。Co摻雜ZnO樣品的結(jié)構(gòu)采用XRD和SEM進(jìn)行了分析。XRD結(jié)果表明摻雜的ZnO是六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)。SEM結(jié)果表明摻雜樣品是由Zn0納米棒團(tuán)簇結(jié)構(gòu)組成,且團(tuán)簇的密度隨著Co摻雜濃度的增大而增大。薄膜的光致發(fā)光光譜結(jié)果表明Co摻雜導(dǎo)致ZnO薄膜的帶隙發(fā)生紅移。

采用溫和的水熱法、三種不同的礦化劑成功合成了稀土銪( Eu )摻雜的氧化鋅( ZnO)樣品[6],并利用XRD 、SEM、TEM和XPS對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了表征和分析。結(jié)果表明:稀土Eu離子以+3價(jià)成功地?fù)饺说絑nO晶格中.并且采用不同礦化劑可以得到不同形貌的ZnO材料,三種礦化劑生長(zhǎng)的ZnO的形貌分別為納米棒、納米針和納米片。

3.非金屬元素的摻雜

以硝酸鋅為鋅源,氨水為沉淀劑,殼聚糖為添加劑,通過(guò)溶膠一凝膠法制備出粒度小、形貌分布均勻、氮摻雜量高的膚色氮摻雜納米、ZnO晶體[7],研究了殼聚糖對(duì)產(chǎn)品微觀結(jié)構(gòu)及性能的影響.采用SEM、TEM、XRD和IR等手段對(duì)產(chǎn)品微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,對(duì)其抗菌性能進(jìn)行了評(píng)價(jià).結(jié)果表明:添加殼聚糖有利于凝膠的快速形成,而且可通過(guò)殼聚糖的添加量有效控制納米晶體的大小、形貌以及氮摻雜量,最終得到平均粒徑為30 nm的球形氮摻雜納米ZnO晶體,晶相與標(biāo)準(zhǔn)立方相ZnO衍射峰完全一致,沒(méi)有其他雜相出現(xiàn),顏色為均勻的紅色.和普通的納米ZnO晶體相比,抑菌結(jié)果顯示合成的氮摻雜納米ZnO晶體對(duì)大腸桿菌具有優(yōu)良的抗菌性。

4.結(jié)束語(yǔ)

本文介紹了采用溶膠-凝膠法在玻璃基底上制備了ZnO:Li薄膜、在SiO:基片上制備了不同AI含量摻雜的ZnO納米棒陣列、采用水熱法制備了Co摻雜ZnO粉晶、采用簡(jiǎn)單的濕化學(xué)法在ITO玻璃襯底上直接生長(zhǎng)了納米棒團(tuán)簇結(jié)構(gòu)的Co摻雜ZnO薄膜,并且簡(jiǎn)述了其摻雜特性;并且概述了氮摻雜量高的膚色氮摻雜納米、ZnO晶體。

參考文獻(xiàn):

[1]陳新華,胡躍輝,張效華等.溶膠-凝膠法制備Li摻雜ZnO納米薄膜及其表征[J].真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào),2013,33(5):397-401.

[2]李建昌,李永寬,姜永輝.退火溫度對(duì)LI摻雜ZnO電特性影響[J].東北大學(xué)學(xué)報(bào), 2012,33(8) :1174-1178.

[3]丁瓊瓊,方慶清,王偉娜等.水熱法輔助溶膠凝膠法制備Al∶ZnO納米棒陣列及發(fā)光性能研究[J].人工晶體學(xué)報(bào),2012,41(6):1566-1571.

[4]王古平,楊建成,王成.水熱時(shí)間對(duì)Co摻雜ZnO微結(jié)構(gòu)與磁性的影響[J].臺(tái)州學(xué)院學(xué)報(bào),2012,34(6):1-6.

[5]王愛(ài)華,姬曉旭,呂林霞.濕化學(xué)法合成Co摻雜ZnO薄膜的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性[J].低溫物理學(xué)報(bào),2012,34(2):134-137.

[6]周曉光.礦化劑輔助水熱法生長(zhǎng)Eu摻雜ZnO材料研究[J].吉林師范大學(xué)學(xué)報(bào),2012,(3):50-54.

[7]李建國(guó),蔣向東,王繼珉等. 溶膠一凝膠法制備氮摻雜納米ZnO及其抗菌性能研究[J]. 印染助劑,2012,29(1):23-26.

作者簡(jiǎn)介:

沈耀國(guó)(1979-),男,講師,閩江學(xué)院物理學(xué)與電子信息工程系。

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