聶宜文,張興業(yè),宋延林
(中國科學(xué)院 化學(xué)研究所 綠色印刷重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100190)
銀納米粒子因其在光學(xué)、電磁學(xué)和生物相容性等方面的優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)在很多領(lǐng)域中得到應(yīng)用,諸如生物檢 測(cè)[1]、疾 病 免 疫[2]、抗 菌 材 料[3]、光 學(xué) 器件[4]、催 化 材 料[5,6]、表 面 增 強(qiáng) 拉 曼 光 譜(SERS)[7]、數(shù) 據(jù) 存 儲(chǔ)[8]、3D 打 ?。?],以 及 噴 墨 打?。?0]等。
銀納米粒子的粒徑和單分散性對(duì)其實(shí)際應(yīng)用產(chǎn)生重要影響[11]。因此人們發(fā)展各種方法合成粒徑可控和單分散性更好的銀納米粒子。在已有的合成 方 法 中,化 學(xué) 還 原 法[12-15]、微 乳 液 法[16-18]、多元醇法[19-21]等,由于操作簡(jiǎn)單、成本較低和容易放大等特點(diǎn)而備受關(guān)注。
盡管人們?cè)阢y納米粒子的合成上進(jìn)行了很多嘗試,但在較高的溶液濃度下大規(guī)模合成單分散的銀納米粒子仍然存在很大挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的合成方法多以硝酸銀作為前驅(qū)體,而此合成體系中銀離子濃度過高,導(dǎo)致成核不均,粒徑單分散性較差[20]。近年來也有利用氯化銀、溴化銀等作為前驅(qū)體的報(bào)道[22,23],但是合成的銀納米粒子濃度較低,且形貌各異。本文以氧化銀、鹵化銀等作為前驅(qū)體,水合肼為還原劑,在水相反應(yīng)溶液中,常溫條件下制備了高濃度(1mol/L)的不同粒徑的單分散性銀納米粒子。特別地,這些前驅(qū)體通過可逆反應(yīng),可勻速地向體系中釋放銀離子,克服了傳統(tǒng)體系中以硝酸銀為前驅(qū)體造成銀納米粒子成核速率過快、高濃度下制備的銀納米粒子單分散性差等缺點(diǎn)。通過改變前驅(qū)體,可以選擇性地制備粒徑不同的單分散性銀納米粒子。
硝酸銀(分析純,國藥集團(tuán)),聚乙烯吡咯烷酮(PVP ,Aldrich公司),水合肼(化學(xué)純,Aldrich公司),氯化鈉(分析純,國藥集團(tuán)),溴化鈉(分析純,國藥集團(tuán)),碘化鈉(分析純,Aldrich公司),氫氧化鈉(分析純,國藥集團(tuán)),無水乙醇(分析純,國藥集團(tuán)),丙酮(分析純,國藥集團(tuán)),水(超純水,自制)。
紫外-可見分光光度計(jì)(U4100,日本 Hitachi),場(chǎng) 發(fā) 射 掃描電子 顯 微 鏡(JSM-7500 ,日 本JEOL),X 射線-光電子能譜儀(XPS,ESCALAB 220i-XL),X 射 線-粉 末 衍 射 儀(XRD,RigakuD/max-2500),噴墨打印機(jī)(Epson C110,Epson中國),高速離心機(jī)(HC-3518,安徽中科中佳科學(xué)儀器有限公司),超純水制備機(jī)(Milli-Q academic,美國 Millipore),RFID讀寫測(cè)試儀(DLC-6890,深圳市德力森科技有限公司)。
將100mL 1.0mol/L的硝酸銀溶液快速加入到含有與硝酸銀同等質(zhì)量的PVP(Mw為6×104g·mol-1)的燒杯中,磁力攪拌使其充分溶解。將100ml的1.0mol/L的 NaX(X 為 Cl、Br、I、OH)溶液緩慢加入到上述溶液中,磁力攪拌20 min。磁力攪拌下加入5mL質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50%的水合肼溶液,室溫下反應(yīng)2h。反應(yīng)結(jié)束后,將反應(yīng)液倒入1000mL燒杯中,加入600mL丙酮,用玻璃棒攪拌混勻,此時(shí)溶液由原來的灰色變?yōu)榘导t色?;旌先芤涸?000rpm條件下離心5min,然后將離心沉淀的銀納米粒子重新分散到200 mL水中。如此反復(fù)兩次,以洗去多余的PVP和其它雜質(zhì)。銀納米粒子經(jīng)離心后在丙酮的封存下貯存,待用。
化學(xué)還原法制備銀納米粒子通常是在穩(wěn)定劑的保護(hù)下,用還原劑還原反應(yīng)前驅(qū)體,得到銀納米粒子。其中,前驅(qū)體的選擇早期大多為CH3COOAg等含銀的化合物,此前驅(qū)體適用于有機(jī)相中經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)制備銀。此類方法需要高溫加熱,并需要相轉(zhuǎn)移催化劑將制備的銀納米粒子從有機(jī)相轉(zhuǎn)移到水相,方法較為繁瑣,且易產(chǎn)生環(huán)境污染。在水相體系制備銀納米粒子,前驅(qū)體大多選用硝酸銀,由于反應(yīng)體系中銀離子濃度較高,導(dǎo)致成核過快,最終合成的銀納米粒子單分散性較差,且粒徑不可控。
為克服上述銀納米粒子合成方法的局限,本文發(fā)展了一種方法簡(jiǎn)單、環(huán)境友好、在較高濃度下粒徑可控地合成單分散性銀納米粒子的方法。通過改變制備體系中的前驅(qū)體,即在穩(wěn)定劑的保護(hù)下,在硝酸銀溶液中加入鹵素離子、氫氧根離子等與銀離子結(jié)合能力強(qiáng)的陰離子,可以迅速得到大量納米級(jí)的氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀晶核。通過晶核生長,得到銀化合物的納米粒子。以此作為反應(yīng)的前驅(qū)體,即使在較高的合成濃度下,氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀等納米粒子也可以緩慢地釋放銀離子與還原劑反應(yīng),達(dá)到均勻成核的目的,最終得到單分散性的銀納米粒子產(chǎn)物。
為了考察不同前驅(qū)體對(duì)銀納米粒子的平均粒徑的影響,我們?cè)?mol/L的高濃度硝酸銀溶液中,加入鹵素或氫氧根等陰離子,以生成的氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀作為前驅(qū)體,水合肼為還原劑,制備得到銀納米粒子為產(chǎn)物。如圖1所示,氯化銀作為前驅(qū)體制備的銀納米粒子的平均粒徑約為150nm,以溴化銀、碘化銀和氧化銀為前驅(qū)體制備的銀納米粒子的平均粒徑分別為100 nm、60nm、40nm。顯然,不同前驅(qū)體對(duì)產(chǎn)物銀納米粒子的平均粒徑有明顯影響。按照前驅(qū)體氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀的依次改變,所制備的銀納米粒子產(chǎn)物的粒徑依次減小,原因是不同前驅(qū)體在水相體系中釋放銀離子的能力不同。氯化銀的離子積常數(shù)Ksp=1.8×10-10;溴化銀的離子積常數(shù)Ksp=5.0×10-13;碘化銀的離子積常數(shù)Ksp=8.3×10-17;氧化銀離子積常數(shù)Ksp=6.3×10-50[24]。釋放銀離子的能力由強(qiáng)到弱依次為氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀。前驅(qū)體釋放銀離子的能力越強(qiáng),反應(yīng)體系中成核速度越快,最終形成的粒子粒徑相對(duì)較大。
圖1 a)AgCl,b)AgBr,c)AgI,d)Ag2O,e)AgNO3 作為前驅(qū)體合成的銀納米粒子的SEM 照片SEM images of silver nanoparticles synthesized from a)AgCl,b)AgBr,c)AgI,d)Ag2O,e)AgNO3as precursors
銀納米粒子的形成過程可以分為三個(gè)階段:Ⅰ是銀原子濃度的增大期,Ⅱ是晶核的形成期,Ⅲ是晶核的生長期,如圖2(a)。隨著反應(yīng)過程的進(jìn)行,還原生成的銀原子的濃度不斷升高。當(dāng)銀原子的濃度大于最小晶核濃度cmin,便開始生成晶核;隨著體系中銀原子濃度的增大,晶核的形成速度不斷加快,達(dá)到一個(gè)最大值cmax。如果此時(shí)體系中銀原子的濃度過大,大于cmax時(shí),晶核便會(huì)快速聚集形成不規(guī)則的納米結(jié)構(gòu);隨著體系中銀原子的濃度減小,當(dāng)體系中銀原子濃度重新下降到cmin時(shí),即進(jìn)入晶核的生長過程;隨著反應(yīng)的進(jìn)行,晶核不斷吸附體系中新還原的銀原子,導(dǎo)致粒徑不斷增大,生長成為納米粒子[25]。
在傳統(tǒng)的硝酸銀為前驅(qū)體的反應(yīng)體系,反應(yīng)過程如圖2(b)所示。如果用水合肼等強(qiáng)還原劑,由于反應(yīng)體系中銀離子過多,會(huì)在瞬間發(fā)生還原反應(yīng),生成過多的晶核,當(dāng)其濃度大于晶核的最大值cmax,晶核過快的聚集會(huì)產(chǎn)生大量粒徑不均的銀納米粒子。如果利用較弱的還原劑,如葡萄糖等,則需要加熱反應(yīng),反應(yīng)時(shí)間較長。而利用氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀作為前驅(qū)體的反應(yīng)體系,如圖2(c),前驅(qū)體本身為均勻分布的納米粒子,在整個(gè)過程中釋放銀離子的速率都比較均勻,晶核的成核及生長過程比較穩(wěn)定,即使用水合肼這樣的強(qiáng)還原劑,仍然可以得到單分散性好、形貌均一、規(guī)則的銀納米粒子。通過改變前驅(qū)體的種類,可以選擇性地制備各種粒徑的銀納米粒子。由于水合肼有強(qiáng)還原性,反應(yīng)在常溫下即可進(jìn)行,且反應(yīng)為水相體系,節(jié)能環(huán)保。
圖2 (a)在晶核形成和生長過程中濃度與時(shí)間關(guān)系圖;(b)AgNO3為前驅(qū)體的銀納米粒子形成過程;(c)AgX(X=Cl、Br、I、O)為前驅(qū)體的銀納米粒子形成過程(a)The relationship of the concentration with time during the formation and growth of crystalnucleus,(b)the formation schematics of sliver nanoparticles with AgNO3and(c)AgX(X=Cl,Br,I,O)as precursors
為了考察所制備的銀納米粒子的粒徑及單分散性,對(duì)所得的銀納米粒子進(jìn)行了紫外吸收光譜表征。根據(jù) Mie氏理論[26],納米粒子的紫外吸收光譜的形狀和位置要?dú)w因于其表面等離子體效應(yīng),與納米粒子的形狀、大小和分散性密切相關(guān)。如圖3所示,五種前驅(qū)體的紫外吸收峰位依次為462nm、449nm、421nm、414nm和427 nm。其中,通過氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀等前驅(qū)體制備的銀納米粒子的吸收峰位依次藍(lán)移,說明其平均粒徑逐漸變小,這與電鏡圖中所反映的銀納米粒子粒徑變化相符。以這四種前驅(qū)體制備的銀納米粒子的紫外-可見吸收曲線的對(duì)稱性都非常好,半峰寬都較窄,說明銀納米粒子形貌較規(guī)整,粒徑分布較窄,單分散性良好。與之形成鮮明對(duì)比的是,以硝酸銀為前驅(qū)體制備的銀納米粒子的紫外吸收峰對(duì)稱性較差,并且半峰寬很寬,在波長400nm至1000nm之間都一直保持很高的吸收率,說明粒子形貌不規(guī)則,粒徑分布很寬。這進(jìn)一步驗(yàn)證了上文所述的銀納米粒子生長機(jī)理。
圖3 以不同前驅(qū)體制備的銀納米粒子的紫外-可見吸收光譜圖UV-Vis spectra of silver nanoparticles synthesized with different precursors
相較之下,氧化銀作為前驅(qū)體制備的銀納米粒子尺寸較小,更適合制備適用于噴墨打印的導(dǎo)電墨水。我們以氧化銀為前驅(qū)體的反應(yīng)體系為研究對(duì)象,對(duì)合成的銀納米粒子進(jìn)行了XRD和XPS表征。
為了確認(rèn)所合成納米粒子的晶型,利用X射線粉末衍射儀對(duì)合成的銀納米粒子進(jìn)行了表征,其反射吸收峰如圖4所示。合成納米粒子的111面的反射峰為38.2°,200面的反射峰為44.4°,220面的反射峰為64.7°,311 面的反射峰為77.7°,222面的反射峰為81.4°,這與之前的關(guān)于銀納米粒子 的 晶 型 結(jié) 構(gòu) 報(bào) 道 相 一 致。38.2°、44.4°、64.7°、77.7°和81.4°處的反射峰分別代表了納米粒子111、200、220、311和222晶面的布拉格反射峰位置。從以上XRD的表征結(jié)果可以確定,合成的銀納米粒子為面心立方的多晶結(jié)構(gòu)[27]。
圖4 合成銀納米粒子的XRD譜圖XRD spectrum of silver nanoparticles
為了確認(rèn)合成的納米粒子中的化學(xué)成分,我們還利用光電子能譜儀對(duì)合成的銀納米粒子組成進(jìn)行了表征。如圖5所示。除了C、N、O、Ag元素外,沒有檢測(cè)到其他元素的吸收峰,說明合成的銀納米粒子的純度較高。從Ag3d的結(jié)合能譜圖可以看出,Ag3d5/2和Ag3d3/2的結(jié)合能分別處于367.92eV和373.87eV的位置,這與塊狀金屬銀相一致,其結(jié)合能為368eV和374eV[28]。譜圖中較窄的峰形也說明此體系中只有一種價(jià)態(tài)的銀存在,為零價(jià)的單質(zhì)銀。
圖5 合成的銀納米粒子的XPS結(jié)合能譜圖XPS binding energy spectra of silver nanoparticles
在以氧化銀為前驅(qū)體制備銀納米粒子的基礎(chǔ)上,我們制備了固體含量約為15%的銀納米粒子導(dǎo)電墨水。并利用此墨水,在紙基材和PET基材上進(jìn)行了 RFID(Radio Frequency Identification,射頻識(shí)別)標(biāo)簽天線的噴墨打印制備,如圖6a)所示。經(jīng)過燒結(jié)后處理,將其與芯片進(jìn)行封裝,如圖6b)所示。經(jīng)檢測(cè),所制備的RFID標(biāo)簽可以達(dá)到6米的響應(yīng)距離,完全滿足RFID標(biāo)簽的技術(shù)要求。
圖6 a)利用噴墨打印在紙質(zhì)基材及PET基材上制備RFID天線;b)帶芯片的RFID天線a)RFID antennas prepared on paper and PET substrates by ink-jet printing,b)RFID antennas with chips
利用氯化銀、溴化銀、碘化銀、氧化銀為前驅(qū)體,水合肼為還原劑,PVP為穩(wěn)定劑的水相反應(yīng)體系,在室溫下可控制備了粒徑為40nm~150nm的單分散性銀納米粒子。較之于傳統(tǒng)的直接還原硝酸銀的方法,這種方法具有快速、溫和、產(chǎn)物粒徑可控、單分散性好以及可高濃度合成等諸多優(yōu)點(diǎn)。XRD和XPS的表征結(jié)果顯示,所合成的銀納米粒子為面心立方結(jié)構(gòu),并且純度較高,可以應(yīng)用于噴墨打印RFID天線等印刷電子相關(guān)領(lǐng)域。本文的合成方法具有綠色環(huán)保、節(jié)能高效的優(yōu)點(diǎn),對(duì)單分散性銀納米粒子的大規(guī)模合成具有重要意義。
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