曹雄斐,楊維明,張瑞,謝綽,姜曉楠
(湖北大學(xué)計(jì)算機(jī)與信息工程學(xué)院,湖北 武漢430062)
隨著現(xiàn)代無(wú)線通信系統(tǒng)的迅猛發(fā)展,對(duì)功率放大器的輸出功率、帶寬、效率、線性度和可靠性等方面都有了更高要求[1-2].作為無(wú)線通信系統(tǒng)的核心組件,微波功率放大器已成為業(yè)界研究的熱點(diǎn).其中輸出功率、功率附加效率(PAE)和線性度成為微波功率放大器急需解決的關(guān)鍵性能指標(biāo).
橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)的溝道區(qū)域利用橫向擴(kuò)散,利用內(nèi)置電場(chǎng),增強(qiáng)跨導(dǎo),減少載流子的穿越時(shí)間,在源極端沉積P+,使源極和襯底連接在一起,可以有效消除耦合線,和襯底接在一起,有效地增強(qiáng)了散熱.因此,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)功率管具有增益高、輸出功率大以及良好的線性度較高的性?xún)r(jià)比和高可靠性等特點(diǎn),在高功率放大器設(shè)計(jì)中顯示出較大的應(yīng)用潛力[3].已有的關(guān)于LDMOS的功率放大器設(shè)計(jì),一般是基于理論計(jì)算和少量輔助軟件進(jìn)行的,其設(shè)計(jì)周期較長(zhǎng).本文中利用Smith圓圖和ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真,提供一種用ADS軟件快速設(shè)計(jì)射頻功率放大器的方法,從而縮短設(shè)計(jì)周期[4-5].
本文中設(shè)計(jì)一個(gè)可用于WCDMA基站的功率放大器,其目標(biāo)參數(shù)為:工作頻率1 960MHz,輸出功率3.5W,功率附加效率大于45%,功率增益大于17dB,IMD3小于-26dBc.
1.1 靜態(tài)工作點(diǎn)確定與偏置網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì) 基于上述指標(biāo),本文中選擇飛思卡爾公司生產(chǎn)的功率管MW6S004N.它的性能參數(shù)能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)指標(biāo).對(duì)于被選定的器件,在靜態(tài)工作點(diǎn)不同時(shí),它的大信號(hào)和小信號(hào)特性是不同的;在不同的工作頻率下,器件的特性也不一樣.所以,根據(jù)所需要的工作頻率確定適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn)十分重要.通常情況下,器件生產(chǎn)廠家給出功放管漏極工作電壓和電流,但是沒(méi)有給出柵極電壓.因此需要通過(guò)仿真或?qū)嶋H測(cè)試獲得柵極電壓,如圖1所示.
通過(guò)圖1可以確定柵極電壓VGS=2.77V,于是確定了靜態(tài)工作點(diǎn)(VDS=28V,VGS=2.77V),工作電流IDS=0.05A.
選擇了靜態(tài)工作點(diǎn)后,下一步需要設(shè)計(jì)合適的偏置網(wǎng)絡(luò),使功率放大器的工作電壓和工作電流接近需要的值.偏置電路對(duì)S參數(shù)、輸入輸出端匹配性能有一定影響,設(shè)計(jì)時(shí)選擇一個(gè)對(duì)電路參數(shù)影響最小的偏置網(wǎng)絡(luò).為了使靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)整更加方便,同時(shí)也為了減少高頻噪聲對(duì)電路性能的影響,本文中的漏極電壓和柵極電壓分別由兩個(gè)電源提供電能,即采用雙電源供電.本功放直流偏置電路由一段1/4工作波長(zhǎng)的高阻抗線和集總參數(shù)的高頻旁路電容所組成.高阻抗線的特征阻抗一般選擇為100Ω,對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生很高的阻抗,等同于射頻開(kāi)路.該偏置網(wǎng)絡(luò)如圖2所示.
圖1 LDMOS靜態(tài)仿真輸出特性曲線
圖2 放大器偏置網(wǎng)絡(luò)
1.2 負(fù)載牽引和源牽引匹配法 如圖3所示,輸入輸出的端口匹配,首先找出輸入輸出匹配點(diǎn),匹配點(diǎn)一般通過(guò)源牽引和負(fù)載牽引的方法找出.負(fù)載牽引測(cè)試,是放大器在大信號(hào)電平激勵(lì)下,通過(guò)連續(xù)變換負(fù)載測(cè)試輸出功率,然后在史密斯阻抗圓圖上畫(huà)出等功率和等效率曲線.但是負(fù)載牽引在實(shí)際的應(yīng)用中卻受到多方面的限制.首先,測(cè)試系統(tǒng)初建時(shí)校準(zhǔn)工作量很大,且系統(tǒng)價(jià)格十分昂貴;其次,一般的負(fù)載牽引測(cè)試系統(tǒng)只考慮了基波的負(fù)載阻抗,但是諧波的負(fù)載阻抗也對(duì)電路的性能產(chǎn)生較大的影響;再次,非線性電路的諧波特性和交調(diào)特性無(wú)法通過(guò)負(fù)載牽引測(cè)試數(shù)據(jù)充分體現(xiàn).本文中使用仿真軟件提供的功能能夠較好地克服上述缺點(diǎn)[6-7],能夠較為方便地找到最大輸出功率時(shí)的最佳負(fù)載阻抗.綜合考慮輸出功率和效率,從圖3中可選擇5.937+j*4.630為最佳負(fù)載阻抗,然后進(jìn)行匹配.
如圖4所示,本文中設(shè)計(jì)的微帶線的襯底材料選用聚四氟乙烯,微帶線介質(zhì)基片的相對(duì)介電常數(shù)為2.55,介質(zhì)基片厚0.8mm,微帶線的損耗角正切為0.001.本文中使用ADS提供的Smith chart工具進(jìn)行匹配.微波晶體管的輸入、輸出阻抗隨頻率的變化而變化.如果Q值比較高,只能在工作頻率附近實(shí)現(xiàn)較好的匹配.因此,本文中選Q=1,能在較寬工作頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)較好的匹配.首先串聯(lián)一段微帶線使點(diǎn)沿阻抗圓順時(shí)針移動(dòng),ADS的史密斯圓圖工具將算出特征阻抗和電長(zhǎng)度;接著并聯(lián)一段微帶線,微帶線將沿著導(dǎo)納圓向下移動(dòng).重復(fù)前面的步驟,一直到接近要匹配的點(diǎn)時(shí),串聯(lián)了一個(gè)電容.此電容一方面參與了匹配,另一方面抑制了直流信號(hào)的干擾.然后運(yùn)用ADS中提供的Linecacl工具,將Smith圓圖工具的理想微帶線通過(guò)計(jì)算轉(zhuǎn)化為更貼近實(shí)際的微帶線,并對(duì)微帶線進(jìn)行優(yōu)化.
優(yōu)化的步驟:1)在原理圖中加入OPTIM控件:首先用Random進(jìn)行初步優(yōu)化,再利用Gradient進(jìn)行局部?jī)?yōu)化[8].2)加入優(yōu)化目標(biāo)GOAL控件:GOAL的設(shè)置如下,優(yōu)化目標(biāo)所依賴(lài)的變量設(shè)置為頻率,范圍為1.86~2.06GHz,優(yōu)化目標(biāo)的名稱(chēng)為Max(S11-S33)=-100dB、Max(S22-S44)=-100dB,即希望現(xiàn)實(shí)的匹配電路性能上更接近理想的匹配電路,1、2代表理想端口,3、4代表實(shí)際端口.經(jīng)過(guò)多次優(yōu)化將電路確定下來(lái).
圖3 負(fù)載牽引仿真原理與仿真結(jié)果
圖4 負(fù)載匹配原理與匹配電網(wǎng)絡(luò)
采用源牽引法可獲得最佳源阻抗,源牽引法匹配過(guò)程與負(fù)載牽引法類(lèi)似,牽引結(jié)果如圖5所示.從圖中可以得到最好的源阻抗2.386-j*7.0,然后采用與負(fù)載匹配網(wǎng)絡(luò)類(lèi)似的方法獲得源匹配網(wǎng)絡(luò).
圖5 源牽引仿真結(jié)果
1.3 諧波平衡仿真 在射頻電路設(shè)計(jì)中,需要得到電路的穩(wěn)態(tài)響應(yīng).若選用SPICE模擬器,需要經(jīng)過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的模擬才能使電路的響應(yīng)穩(wěn)定下來(lái).如果選用諧波平衡法,則能很快穩(wěn)定.在諧波平衡仿真器中,非線性子網(wǎng)絡(luò)在時(shí)域中描述,線性子網(wǎng)絡(luò)在頻域中描述,非線性電路中的寄生參量如引線電感、封裝產(chǎn)生的寄生電容等元件計(jì)入到線性子網(wǎng)絡(luò)中.可以直接用頻域分析計(jì)算從節(jié)點(diǎn)流入線性元件的電流,而非線性子網(wǎng)絡(luò)的時(shí)域方程需要通過(guò)廣義的傅里葉變換從時(shí)域轉(zhuǎn)換到頻域.這樣,可以得到從所有節(jié)點(diǎn)流出的所有頻率電流的頻域表示式.它的核心思想是:找一組端口電壓,使線性子網(wǎng)絡(luò)方程和非線性子網(wǎng)絡(luò)方程給出相同的電流.實(shí)質(zhì)是采用恰當(dāng)?shù)姆椒ㄇ蠼馑⒌闹C波平衡方程[9].
如圖6所示,為了使仿真更接近實(shí)際,仿真電路在微帶線寬窄不一致的地方加入了MTaper元件,添加的時(shí)候需要注意MTaper的方向.在節(jié)點(diǎn)上連接3個(gè)器件的地方加入Mtee元件,在拐角的地方加上Corn元件,在連接4個(gè)元件的節(jié)點(diǎn)上加入Mcroso元件.
圖6 LDMOS功率放大器仿真原理圖
圖6 LDMOS功率放大器仿真原理圖
經(jīng)過(guò)多次仿真后得到如圖7所示的最終結(jié)果:在1 960MHz,Vds=28V,Vgs=2.77V時(shí),P1dB=36.379dBm,PAE=49.131,Gain=18.379,基本滿(mǎn)足了設(shè)計(jì)要求.此外,本文中還進(jìn)行了雙音仿真,仿真電路如圖8所示.
圖7 放大器仿真結(jié)果
圖8 雙音仿真電路與仿真結(jié)果
輸入雙音信號(hào)頻率間隔10kHz,雙音信號(hào)輸入功率13dBm,仿真得到信號(hào)輸出功率28.968dBm,三階交調(diào)IMD3為-25.822dBc,五階交調(diào)IMD5為-49.505dBc.因?yàn)榻徽{(diào)失真的產(chǎn)物所在的頻率與輸入頻率比較接近,所以很難用濾波器濾除.m6、m7兩個(gè)三階交調(diào)產(chǎn)生的產(chǎn)物不一樣,m9、m10兩個(gè)五階交調(diào)的產(chǎn)物也不一樣,這主要是由偏置網(wǎng)絡(luò)和匹配網(wǎng)絡(luò)阻抗變化以及有源器件自身的自熱效應(yīng)產(chǎn)生.
Momentum是ADS的三維平面電磁仿真器,在仿真時(shí)能使用矩量法計(jì)算出準(zhǔn)確的EM模型.在設(shè)計(jì)射頻電路時(shí),版圖的布局對(duì)電路性能十分重要.版圖在布局的時(shí)候通常引入一些不希望出現(xiàn)的因素,如:寄生和耦合,這些因素的出現(xiàn)使電路的性能出現(xiàn)退化.所以,在完成原理圖設(shè)計(jì)和版圖布局后,進(jìn)行版圖級(jí)的電磁場(chǎng)仿真對(duì)于成功的設(shè)計(jì)十分重要.Momentum仿真產(chǎn)生S參數(shù),這些參數(shù)又可以用來(lái)產(chǎn)生與SPICE兼容的電路形式.所以,可以將Momentum仿真后的結(jié)果和器件的SPICE模型進(jìn)行協(xié)同仿真.
首先將設(shè)計(jì)好的原理圖通過(guò)ADS中的轉(zhuǎn)換功能將圖中的器件轉(zhuǎn)換到layout版圖中,電容的封裝使用muRata公司自帶的封裝.地線與信號(hào)線需要有一定的距離,增多接地過(guò)孔用來(lái)降低電磁干擾.在layout版圖中將分立元件全部刪去,并建立節(jié)點(diǎn),將電源和端口都加上,再調(diào)用RF-Mode仿真模式,最后生成layout component.然后在新建的原理圖中導(dǎo)入新生成的layout component,如圖9(a)所示.并加入分立器件、晶體管、仿真控件等.最后運(yùn)行聯(lián)合仿真,得到如圖9(b)所示的結(jié)果.
圖9 LDMOS功率放大器版圖及其仿真結(jié)果
從圖中可以看出,與原理圖仿真曲線基本一致.在1 960MHz處,Vds=28V,Vgs=28V,P1dB=35.935dBm,PAE=47.927,Gain=17.935,基本滿(mǎn)足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求.協(xié)同仿真結(jié)果比原理圖仿真結(jié)果略有惡化,這是因?yàn)槁?lián)合仿真考慮了器件間的耦合和寄生效應(yīng),這些效應(yīng)也產(chǎn)生了不小的損耗.
從以上仿真結(jié)果分析得知,LDMOS功率放大器輸出電路阻抗匹配較好,在1 960MHz處,Vds=28V,Vgs=2.77V,P1dB=35.935dBm,PAE=47.927,Gain=17.935,基本滿(mǎn)足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求.輸出匹配網(wǎng)路端口與晶體管負(fù)載牽引的輸出阻抗值接近,輸入匹配網(wǎng)路端口與晶體管源牽引的輸入阻抗值接近,能更好的完成阻抗匹配.因此,采用負(fù)載牽引和源牽引仿真法,結(jié)合ADS對(duì)目標(biāo)進(jìn)行優(yōu)化,減少了調(diào)試成本,縮短了周期,對(duì)晶體管的匹配網(wǎng)絡(luò)的實(shí)現(xiàn)取得了很好的效果.另一方面,采用諧波平衡方法可加快仿真的速度,采用版圖協(xié)同仿真方法可提高仿真結(jié)果的準(zhǔn)確性.
[1]Atanaskovic A,Males-Ilic N,Milovanovic B.Linearization of power amplifier by second harmonics and forth-order nonlinear signals[J].Microwave and Optical Technology Letters,2013,55:425-430.
[2]Mark P,Gajadharsing John R,Burghartz Joachim N.Theory and design of an ultra-linear square-law approximated LDMOS power amplifier in class-AB operation[J].IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques,2002,50(9):2176-2184.
[3]Song Ki-Jae,Lee Jong-Chul,Lee Byungje,et al.High-efficiency class-C power amplifier[J].Microwave and Optical Technology Letters,2004,40:164-167.
[4]Mury Thian,Vincent Fusco.Design strategies for dual-band class-E power amplifier using composite right/lefthanded transmission lines[J].Microwave and Optical Technology Letters,2007,49:2784-2788.
[5]Li Mingyu,He Songbai,Li Xiaodong.Complex radial basis function networks trained by QR-Decomposition recursive least square algorithms applied in behavioral modeling of nonlinear power amplifiers[EB/OL].2009.http://www.interscience.wiley.com.
[6]Bengtsson O,Vestling L,Olsson J.Investigation of SOI-LDMOS for RF-Power applications using computational load pull[J].IEEE Transaction on Electron Devices,2009,56:505-511.
[7]鮑景富,郭偉,李源.WCDMA線性功率放大器設(shè)計(jì)[J].電子科技大學(xué)學(xué)報(bào),2008,37(1):1-3.
[8]郭瀟菲,劉鳳蓮,王傳敏.微波功率放大器晶體管匹配電路設(shè)計(jì)[J].微波學(xué)報(bào),2009,25(5):67-69.
[9]南敬昌,梁立明,劉影.基于 ADS微波功率放大器設(shè)計(jì)與仿真[J].計(jì)算機(jī)仿真,2010,27:327-330.