劉正堂 程彥杰 馬 輝

(中國(guó)洛陽(yáng)電子裝備試驗(yàn)中心 洛陽(yáng) 471003)

基于超寬帶天線的陷波頻段可控性分析*

劉正堂 程彥杰 馬 輝

(中國(guó)洛陽(yáng)電子裝備試驗(yàn)中心 洛陽(yáng) 471003)

設(shè)計(jì)了一種具有雙陷波特性的超寬帶單極子天線,在天線中加入兩個(gè)“U”形縫隙結(jié)構(gòu),分別在3.3GHz～3.6GHz和5.15GHz～5.825GHz兩個(gè)頻段處產(chǎn)生陷波,并用傳輸線等效模型對(duì)陷波產(chǎn)生的原因進(jìn)行了分析。在陷波縫隙處加入三個(gè)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu),對(duì)陷波頻段進(jìn)行控制。分析了開(kāi)關(guān)狀態(tài)的變化對(duì)等效電路的影響,對(duì)不同開(kāi)關(guān)狀態(tài)的超寬帶天線進(jìn)行制作并測(cè)試。結(jié)果表明,天線可以在無(wú)陷波、3.5GHz單一陷波、5.5GHz單一陷波和雙陷波四種工作狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。

超寬帶天線; 雙陷波; U型縫隙; 等效電路; 陷波頻段可控

Class Number TN82

1 引言

無(wú)線通信在20世紀(jì)90年代的蓬勃發(fā)展,促使天線朝著小型化、寬頻帶、多頻帶以及集成化等方向發(fā)展,天線的研究也隨著通信需求的改變而不斷變化。作為寬頻帶研究的一個(gè)重要方向,超寬帶UWB(Ultra-wideband)技術(shù)因其低成本、低功耗、高速率等優(yōu)點(diǎn),受到越來(lái)越多的關(guān)注。對(duì)于3.1GHz～10.6GHz的UWB系統(tǒng),其覆蓋的頻帶范圍很寬,與5.15GHz～5.875GHz的無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)和3.4GHz～3.6GHz的全球微波互聯(lián)接入(WIMAX)的干擾不可避免,尤其是在非視距環(huán)境下,UWB與WLAN的互擾會(huì)十分嚴(yán)重。在通信系統(tǒng)的天線端,解決這種干擾成本低、操作簡(jiǎn)單,具有十分重要的研究?jī)r(jià)值[1]。

近幾年提出了一種解決超寬帶通信干擾的新方法,即在通信中易干擾的頻段處使得超寬帶天線產(chǎn)生較大的反射系數(shù),產(chǎn)生所謂的“陷波”[2]特性。這可以使得天線在陷波頻段內(nèi)的輻射增益很低,避免了超寬帶技術(shù)與其它通信協(xié)議之間的干擾。但是當(dāng)天線的工作環(huán)境發(fā)生變化,其它無(wú)線協(xié)議的干擾較小或消失時(shí),加入的陷波頻段將使得超寬帶天線整體的工作頻段變窄,這就造成了頻率資源的浪費(fèi)。如何避免頻段干擾的同時(shí),盡量提高系統(tǒng)的頻帶利用率,是陷波天線設(shè)計(jì)中的一個(gè)難題。

陷波超寬帶天線有許多種結(jié)構(gòu),其中單極子天線形式最為常見(jiàn)。產(chǎn)生陷波的結(jié)構(gòu)也有多種形式,例如在輻射貼片上加載縫隙結(jié)構(gòu)[3～5],改變接地板的結(jié)構(gòu)[6],或者在貼片上添加匹配枝節(jié)[7～8]等,使天線在特定頻段內(nèi)產(chǎn)生較大的反射系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)陷波特性。本文設(shè)計(jì)了具有雙陷波特性的超寬帶天線,在5.5GHz和3.5GHz兩個(gè)頻率處產(chǎn)生陷波抑制,并提出陷波頻段的可控設(shè)計(jì)方法,提高了系統(tǒng)整體的通信效率。

2 天線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

天線從本質(zhì)上來(lái)說(shuō),是電磁能量的轉(zhuǎn)換設(shè)備,天線上的電流分布決定了天線的輻射特性。如果需要在某一頻段產(chǎn)生陷波阻帶,就應(yīng)該在合適的區(qū)域干擾電流的正常流向,破壞原有電流的分布。從電流分布以及電流對(duì)天線輻射的作用來(lái)看,在電流的密集處加入縫隙或金屬支節(jié)結(jié)構(gòu),產(chǎn)生電流的駐波狀態(tài),可以在特定頻率處產(chǎn)生有效的頻率阻斷。對(duì)于單極子超寬帶天線來(lái)說(shuō),電流主要分布在饋線和貼片的邊緣處。本文設(shè)計(jì)的第一個(gè)陷波頻段為5GHz～6GHz,單極子超寬帶天線在5.5GHz的電流分布如圖1所示。

圖1 5.5GHz處天線表面的電流密度分布

從圖1(a)表面電流的幅度值來(lái)看,貼片的邊緣和饋線附近電流最大,且電流分布較為集中,可以在這些位置進(jìn)行相應(yīng)的陷波結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);從圖1(b)電流密度矢量圖上看,電流主要沿著垂直于接地板方向傳播,加入的陷波結(jié)構(gòu)應(yīng)該對(duì)電流的流向產(chǎn)生阻礙。所以本文在接地板上加入一個(gè)與電流流向垂直的“U”形縫隙,在5GHz～6GHz頻段上產(chǎn)生頻率的阻斷效果,如圖2(a)所示。

圖2 單極子超寬帶天線的陷波結(jié)構(gòu)示意圖

對(duì)于3.5GHz處的陷波結(jié)構(gòu),本文采用縮比原理進(jìn)行設(shè)計(jì)。按照5GHz～6GHz的陷波結(jié)構(gòu)進(jìn)行相應(yīng)的放大,就可以得到相似的輻射特性,設(shè)計(jì)的陷波結(jié)構(gòu)如圖2(b)所示。

雙陷波超寬帶天線的整體結(jié)構(gòu)如圖3所示。天線整體的尺寸為30mm×18mm×1mm,厚度h=1mm,并用微帶線饋電的方式對(duì)天線進(jìn)行饋電。為了保證超寬帶天線通帶內(nèi)的輻射特性,對(duì)天線原有結(jié)構(gòu)的改變應(yīng)該盡可能少。天線的正面嵌入兩條半波長(zhǎng)“U”形縫隙結(jié)構(gòu),可以分別在5.5GHz和3.5GHz左右產(chǎn)生陷波頻段。天線的背面加入兩條很窄的縫隙結(jié)構(gòu),目的是構(gòu)成阻抗的調(diào)節(jié)單元,抵消正面“U”形縫隙帶來(lái)的阻抗變化;同時(shí)加入窄縫隙可以使得接地板與輻射貼片的底部呈現(xiàn)相反的趨勢(shì),減少天線的遠(yuǎn)場(chǎng)對(duì)頻率的依賴性[9]。

圖3 單極子陷波天線示意圖(單位:mm)

“U”形縫隙的總長(zhǎng)度近似為陷波頻率處介質(zhì)波長(zhǎng)的一半,計(jì)算公式如式(1):

(1)

其中εe為等效介電常數(shù),fbotched為設(shè)計(jì)的陷波頻率,a2及b2的取值原理相同。

雙陷波單極子天線是對(duì)原有超寬帶天線的改進(jìn),超寬帶天線的參數(shù)已經(jīng)在圖3中給出,陷波結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵參數(shù)取值如表1所示。

表1 陷波結(jié)構(gòu)參數(shù)取值(單位:mm)

3 天線的陷波特性分析

陷波超寬帶天線設(shè)計(jì)時(shí)一般在天線中加入特定的結(jié)構(gòu),如縫隙或金屬支節(jié)等,這部分結(jié)構(gòu)產(chǎn)生類似濾波器的作用,在設(shè)計(jì)的頻段處產(chǎn)生頻率阻斷。對(duì)天線在不同頻率處的阻抗進(jìn)行計(jì)算,對(duì)不同工作狀態(tài)的阻抗特點(diǎn)進(jìn)行分析,從傳輸線理論方面說(shuō)明陷波產(chǎn)生的原因。圖4為雙陷波超寬帶天線在不同頻率處的阻抗曲線。

圖4 單極子雙陷波天線在不同頻率處的阻抗曲線

根據(jù)阻抗的變化曲線,可以得到單極子天線在不同頻率處的阻抗大小,其中3.5GHz處的阻抗為3.93～j6.63Ω,5.5GHz處的阻抗為4.19～j13.5Ω?？梢钥闯?天線在陷波頻率處的阻抗實(shí)部和虛部都很接近于零?；诖?可以定性的給出加入兩個(gè)半波長(zhǎng)“U”形縫隙單極子天線的等效電路,如圖5所示。

圖5 單極子形式的雙陷波天線等效電路

天線諧振時(shí)整體的阻抗值很小,可以認(rèn)為電路出現(xiàn)串聯(lián)諧振的阻抗特性;考慮到陷波縫隙的長(zhǎng)度為四分之一波長(zhǎng),根據(jù)阻抗變換關(guān)系,兩個(gè)“U”形縫隙應(yīng)該等效作為L(zhǎng)C并聯(lián)諧振電路進(jìn)行分析,并且LC電路與天線回路相距四分之一波長(zhǎng),如圖5所示。當(dāng)天線工作在陷波頻率3.5GHz或5.5GHz處時(shí),LC電路發(fā)生并聯(lián)諧振狀態(tài)。根據(jù)微波傳輸線理論,經(jīng)過(guò)四分之一波長(zhǎng)阻抗變化后,天線回路中產(chǎn)生短路狀態(tài),天線整體的阻抗達(dá)到最小值。阻抗變化公式[10]如下:

(2)

(3)

其中,Z(d)為對(duì)應(yīng)位置d的阻抗,β為相移常數(shù),Γ(d)為對(duì)應(yīng)位置的回波損耗。對(duì)應(yīng)d=λ/4時(shí),Z(λ/4)=Z02/ZL。即當(dāng)在陷波頻率處發(fā)生并聯(lián)諧振時(shí)ZL=∞,經(jīng)過(guò)四分之一波長(zhǎng)支節(jié)變化到天線回路中為短路,天線在該頻率處近似發(fā)生全發(fā)射,即達(dá)到了陷波的目的。

4 陷波頻段可控性設(shè)計(jì)與分析

對(duì)陷波頻段進(jìn)行可控設(shè)計(jì)時(shí),開(kāi)關(guān)作為控制元件,其性能的好壞對(duì)能否有效實(shí)現(xiàn)可控設(shè)計(jì)關(guān)系很大。開(kāi)關(guān)元件需要滿足以下幾個(gè)條件:開(kāi)關(guān)的尺寸要小;開(kāi)關(guān)的適用頻帶要寬;開(kāi)關(guān)要具有很高的隔離度和很低的插入損耗。本文采用文獻(xiàn)[11～12]介紹的懸臂梁式MEMS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu),對(duì)開(kāi)關(guān)的插入損耗和隔離度進(jìn)行仿真,驗(yàn)證開(kāi)關(guān)的相關(guān)特性。懸臂式RF-MEMS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖6所示。

圖6 懸臂梁式MEMS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖

開(kāi)關(guān)的底部為硅材料組成的介質(zhì)基板,基板上部為由金屬和縫隙構(gòu)成的共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu),開(kāi)關(guān)的上電極是由金(Au)材料構(gòu)成的導(dǎo)電薄膜,下電極上覆蓋氮化硅材料,開(kāi)關(guān)的尺寸為200μm×400μm。射頻信號(hào)通過(guò)共面波導(dǎo)饋電的方式接入。當(dāng)不受外力時(shí)開(kāi)關(guān)呈現(xiàn)開(kāi)路狀態(tài),信號(hào)不能通過(guò);當(dāng)受到靜電力的吸引時(shí),開(kāi)關(guān)上部的薄膜結(jié)構(gòu)向下彎曲,信號(hào)沿著薄膜組成的懸臂梁傳導(dǎo)到射頻輸入端。

為了檢驗(yàn)MEMS開(kāi)關(guān)在不同頻率處的隔離度和插入損耗,對(duì)開(kāi)關(guān)加入激勵(lì)電壓前后的回波損耗進(jìn)行測(cè)試,其仿真結(jié)果如圖7所示。從圖中可以看出,開(kāi)關(guān)未加激勵(lì)電壓時(shí),MEMS開(kāi)關(guān)處于開(kāi)路狀態(tài),此時(shí)3GHz～z10GHz頻段內(nèi)開(kāi)關(guān)的雙端口回波損耗S12均大于-1.5dB,說(shuō)明開(kāi)關(guān)的隔離度效果良好;當(dāng)開(kāi)關(guān)加入激勵(lì)電壓后,MEMS開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài),在3GHz～10GHz頻段內(nèi)開(kāi)關(guān)的雙端口回波損耗S12均小于-13dB,說(shuō)明開(kāi)關(guān)的插入損耗很小,滿足可控開(kāi)關(guān)的要求。因?yàn)镽F-MEMS開(kāi)關(guān)的實(shí)際制作有一定的復(fù)雜度,需要特定的設(shè)備和制作環(huán)境,限于實(shí)驗(yàn)室條件,本文采用開(kāi)關(guān)的等效模型代替開(kāi)關(guān)進(jìn)行相應(yīng)的仿真或制作。

陷波頻段的產(chǎn)生,主要是通過(guò)在天線的電流密集處加入特定的金屬支節(jié)或縫隙結(jié)構(gòu),干擾電流的正常輻射,達(dá)到頻率的阻斷效果。如果要實(shí)現(xiàn)陷波頻段的變化,就應(yīng)該對(duì)加入陷波結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。該陷波結(jié)構(gòu)為兩個(gè)半波長(zhǎng)“U”形縫隙,當(dāng)天線工作在陷波頻率3.5GHz或5.5GHz處時(shí),在“U”形縫隙的邊緣處產(chǎn)生電流的駐波狀態(tài)。從電流分布角度來(lái)說(shuō),開(kāi)關(guān)的位置應(yīng)該位于縫隙上。從陷波原理等效電路來(lái)看,天線工作在陷波頻率3.5GHz或5.5GHz時(shí),縫隙結(jié)構(gòu)等效在天線回路中并聯(lián)LC諧振電路,并且天線中發(fā)生全反射。加入開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)后,可以利用開(kāi)關(guān)狀態(tài)的變化,控制陷波頻段的產(chǎn)生。

圖8 可控雙陷波天線示意圖

圖9 天線工作在3.5GHz的等效電路

圖10 天線工作在5.5GHz的等效電路

圖8表示的是加入三個(gè)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)的單極子雙陷波天線示意圖。開(kāi)關(guān)的位置如圖所示,開(kāi)關(guān)1位于縫隙1的中間位置,開(kāi)關(guān)2、3對(duì)稱分布在縫隙2的兩邊,并且間距8mm。加入開(kāi)關(guān)后的天線等效電路如圖9和圖10所示。

圖9表示的是雙陷波天線工作在5.5GHz時(shí)的等效電路示意圖。當(dāng)開(kāi)關(guān)1與開(kāi)關(guān)2、3斷開(kāi)時(shí),天線在5.5GHz產(chǎn)生陷波效應(yīng),如圖9(a)所示。“U”形縫隙相當(dāng)于在天線回路中并聯(lián)LC電路,諧振時(shí)支節(jié)呈現(xiàn)開(kāi)路狀態(tài);經(jīng)過(guò)四分之一波長(zhǎng)支節(jié)阻抗變換后,等效在天線回路中加入短路線。輸入的射頻信號(hào)在“U”形縫隙處發(fā)生全反射,即形成陷波頻段。當(dāng)開(kāi)關(guān)1閉合后,“U”形縫隙被直接短路到天線回路中,如圖9(b)所示。此時(shí)LC并聯(lián)諧振呈現(xiàn)開(kāi)路狀態(tài),支節(jié)的阻抗變換作用消失,天線在5.5GHz恢復(fù)正常工作。圖10表示的是雙陷波天線工作在3.5GHz時(shí)的等效電路示意圖,可以按照相似的原理進(jìn)行分析。

為了檢驗(yàn)加入開(kāi)關(guān)后天線特性的變化,制作出天線實(shí)物進(jìn)行實(shí)際測(cè)試。采用開(kāi)路縫隙或短路支節(jié)結(jié)構(gòu)來(lái)代替開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)或閉合狀態(tài),得到天線的三種不同狀態(tài)如圖11所示。

圖11 單極子陷波可控天線實(shí)物圖

圖11中天線(a)在上方的U形縫隙中加入兩個(gè)短路支節(jié),該天線可以在5.5GHz左右產(chǎn)生陷波頻段;天線(b)在下方的U形縫隙中加入一個(gè)短路支節(jié),該天線可以在3.5GHz左右產(chǎn)生陷波頻段;天線(c)的兩個(gè)U形縫隙中均加入短路支節(jié),該天線縫隙的陷波作用消失,恢復(fù)原有的超寬帶特性,在3.1GHz～10.6GHz內(nèi)沒(méi)有陷波頻段。這三種不同形式天線的回波損耗測(cè)試曲線如圖12所示。

圖12 陷波可控天線的回波損耗測(cè)試曲線

從圖12中可以看出,天線a整體的工作頻帶為2.95GHz～10.9GHz,并且在4.8GHz～6.2GHz范圍內(nèi)產(chǎn)生陷波頻段,阻帶范圍比預(yù)期的阻帶范圍略大,誤差可能是由制作精度造成的。天線b整體的工作頻帶為2.82GHz～10.8GHz,并且存在阻帶3.14GHz～4.15GHz,與設(shè)計(jì)的阻帶范圍基本吻合。天線c呈現(xiàn)超寬帶的頻帶范圍,整體工作頻帶覆蓋3.05GHz～11GHz。由此可以得到陷波可控天線的不同工作帶寬,如表2所示。

表2 不同開(kāi)關(guān)狀態(tài)的單極子天線及其帶寬特性

從表2中帶寬數(shù)據(jù)可以證明,雙陷波天線加入開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)后,通過(guò)開(kāi)關(guān)的狀態(tài)變化,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)兩個(gè)阻帶的控制。雙陷波超寬帶天線的工作帶寬可以在無(wú)陷波、3.5GHz單一陷波、5.5GHz單一陷波和雙陷波之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,達(dá)到了可控陷波的目的。

5 結(jié)語(yǔ)

本文在超寬帶天線的陷波頻段的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一種雙陷波超寬帶單極子天線,通過(guò)在UWB天線上引入兩個(gè)縫隙結(jié)構(gòu),分別在3.3GHz～3.6GHz和5.15GHz～5.825GHz兩個(gè)頻段處產(chǎn)生陷波。采用傳輸線理論對(duì)陷波產(chǎn)生的原因進(jìn)行了闡述。在下方的“U”形縫隙中間位置以及兩個(gè)“U”形縫隙的相鄰位置加入三個(gè)開(kāi)關(guān)。分析了開(kāi)關(guān)狀態(tài)的變化對(duì)等效電路的影響,對(duì)不同開(kāi)關(guān)狀態(tài)的超寬帶天線進(jìn)行制作并測(cè)試。經(jīng)過(guò)測(cè)試結(jié)果表明,天線可以在無(wú)陷波、3.5GHz單一陷波、5.5GHz單一陷波和雙陷波四種工作狀態(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,達(dá)到了陷波頻段可控的目的。

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Reconfiguration Analysis for Notched Bands Based on Ultra-wideband Antenna

LIU Zhengtang CHENG Yanjie MA Hui

(Luoyang Electronic Equipment Test Center, Luoyang 471003)

A novel planar ultra-wideband antenna with dual band-notched characteristics is proposed. Two U-shaped slots are embedded into the radiating patch, to obtain the notched bands at frequency of 3.5GHz and 5.5GHz, and the cause of notched band is analyzed with the transmission line model theory. Three switches are embedded into the notched slot to reconfigure the notched band. The influence from the states of the switches changed has been analyzed according to equivalent circuits evolving from the transition-line theory. The measured results show that the UWB antennas have the ability to transition within the four working states which comprise no notched band, 3.5GHz single notched band, 5.5GHz single notched band and both notched bands, providing clear evidence for the achievement of the band-notched characteristics reconfiguration.

ultra-wideband antenna, dual notched bands, U-shaped slot, equivalent electro circuits, reconfiguration for notched bands

2014年5月5日,

2014年6月16日 作者簡(jiǎn)介:劉正堂,男,碩士,工程師,研究方向:電子對(duì)抗。程彥杰,男,碩士,工程師,研究方向:雷達(dá)對(duì)抗與仿真。馬輝,男,碩士,工程師,研究方向:通信對(duì)抗。

TN82

10.3969/j.issn1672-9730.2014.11.017