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半電波暗室3 m法輻射騷擾測試的實驗

2014-09-07 01:57:32胡文濤李金龍上海市計量測試技術研究院
上海計量測試 2014年3期
關鍵詞:電偶極子遠場場強

胡文濤 李金龍 / 上海市計量測試技術研究院

0 引言

電磁兼容的輻射騷擾測試對測試場地的要求非常嚴格,標準GB 9254-2008規(guī)定了輻射騷擾測試應該在開闊試驗場(OATS)進行。實測中,一般采用半電波暗室(SAC)作為OATS的替代場地,電子電器設備、工科醫(yī)設備和信息技術設備的輻射騷擾測試都可以在SAC中進行[1-2]。對于頻率在1 GHz以下的輻射騷擾測試,一般采用10 m法,即接收天線與受試設備的距離為10 m,然而很多企業(yè)和實驗室由于受資金或技術條件的限制,只能修建3 m法的SAC進行產(chǎn)品的輻射騷擾測試。根據(jù)GB 9254-2008規(guī)定,當用3 m法測試時,為了判斷受試設備的輻射是否滿足限值要求,可以用20 dB/10倍距離的反比因子將測試數(shù)據(jù)歸一化到10 m測試距離上。然而,在工程測試中,電磁輻射相當復雜,電場強度不僅與距離有關,還受其他因素影響[3-5],如:SAC的屏蔽性能、接收天線與金屬地板間的互偶以及接收天線的近場效應等。本文探討3 m SAC的實際使用價值。

1 理論分析

實測中受試設備具有復雜的電路,分析其輻射電場需要知道電流分布,然后對該電流分布進行積分運算[6-7]。顯然,得到受試設備的電流分布和進行復雜的積分運算都極其復雜,本文研究電偶極子輻射電場,因為其模型相對簡單,并且在距離足夠遠處,其輻射場強與實際天線的輻射場強相似。電偶極子在自由空間距離 r處產(chǎn)生的電場矢量為

L — 電偶極子的長度;

r — 觀察點到電偶極子的徑向距離;

θ — 徑向直線與Z坐標的夾角;

圖1 電偶極子在(r、θ)處產(chǎn)生的電場

式(1)和式(2)包含有1/r2和1/r3項,當r足夠大,即觀察點距離電偶極子很遠時,1/r2和1/r3相對于1/r只能起到支配作用,該距離就是遠場與近場的邊界。因此,只要滿足遠場條件,接收天線處的電場矢量就可以簡化為

由此可以得出結(jié)論,當滿足遠場條件r時,電場強度與r成反比,換算成對數(shù)形式就得到20 dB/10倍距離的反比因子。但遠場邊界的一個通用標準是三個波長(3λ),利用3 m法進行1 GHz以下輻射騷擾測試時, 30~300 MHz并未處于遠場區(qū)域,因此使用20 dB/10倍距離的反比因子進行換算只是一種近似處理方法。

SAC存在金屬反射地面,會反射受試設備輻射出的電磁波,接收天線接收的電場不僅有直達電場矢量 ,還有金屬地面反射電場矢量 ,圖2是金屬地面上方h1處垂直放置的電偶極子電場輻射示意圖,接收天線處的總電場由式(4)給出。

圖2 SAC中電偶極子電場輻射示意

將式(4)與式(3)比較可以得出結(jié)論,由于SAC中存在金屬反射地面,接收天線處的電場變得更加復雜,式(3)中成立的電場強度與r成反比的關系不能適用于式(4),即不能將SAC中3 m法輻射騷擾測試所獲得的電場強度直接用20 dB/10倍距離的反比因子推算至10 m處的電場強度。

2 實驗驗證

實驗在10 mSAC中展開,利用雙錐對數(shù)周期天線產(chǎn)生輻射電磁場,可以得到穩(wěn)定的場強,方便后續(xù)的數(shù)據(jù)分析。雙錐對數(shù)周期天線放置于離金屬地面80 cm高度處,以符合GB 9254-2008關于臺式受試設備需要放置于高度為80 cm的非金屬桌子上的規(guī)定。接收天線分別在距離雙錐對數(shù)周期天線水平距離3 m和10 m處測得電場強度,測試中接收天線高度需要在1 m和4 m范圍內(nèi)升降,測得最大電場強度。最后,得到3 m距離測得的電場強度與10 m距離測得的電場強度之差,將該值與根據(jù)20 dB/10倍距離的反比因子獲得的10.45 dB差值進行比較,如圖3所示。可以得出結(jié)論:不同的天線極化方式獲得的場強差值相差很大;不同頻率處的場強差值也不相同,并且沒有穩(wěn)定的變化趨勢;一些特別頻率處的差值嚴重偏離10.45 dB。

圖3 3 m法與10 m法測得場強差值

3 結(jié)語

由于GB 9254-2008中給出的20 dB/10倍距離的反比因子只是一種近似轉(zhuǎn)換關系,與實際測量結(jié)果的差別較大,因此,不建議利用3 m法進行輻射騷擾測試。3 m法輻射騷擾測試仍然能正確地反映距離受試設備3 m處的場強值,所以利用3 m SAC進行受試設備的EMC整改還是可行的,而且在工程實踐中確實有廠商為了節(jié)約成本,在3 m SAC中進行產(chǎn)品的EMC整改。

[1]闞潤田, 陶洪波, 王文儉. 半電波暗室3/10米法輻射場強換算的研究[J]. 電波科學學報, 2009, 24(3):579-581.

[2]扈羅全, 陸全榮. 半電波暗室不同測試距離輻射場強的換算模型[J]. 中國電子科學研究院學報, 2010, 5(3):282-285.

[3]Sugiura A, Shinozuka T, Nishikata A. Correction Factors for Normalized Site Attenuation[J]. IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 1992,34(4).

[4]吳冬燕. EMC實驗室的構(gòu)建與檢測優(yōu)化[D]. 蘇州大學, 2009.

[5]J. David Gavenda. Near-field corrections to site attenuation[J]. IEEE Transactions on Electro- magnetic Compatibility, 1994,36(3).

[6]C.R. Paul and S.A. Nasar, Introduction to Electromagnetic Fields[M].McGraw-Hill, NY,1987.

[7]保羅. 電磁兼容導論[M]. 聞映紅, 譯. 北京:機械工業(yè)出版社,2006.

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