ICP—OES分析合金觸點(diǎn)成分
2015-10-21 20:01鄭巧玲
科技與企業(yè) 2015年3期
鄭巧玲
【摘要】本方法采用稀硝酸（1：1）在低溫（120℃）條件下對(duì)樣品進(jìn)行濕法消解，采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（ICP-AES/OES）來(lái)同時(shí)快速測(cè)定銀鎳合金觸點(diǎn)、銀氧化鎘觸點(diǎn)材料中鎳、鎘及其雜質(zhì)元素的測(cè)定。方法通過(guò)消解方法選擇、分析條件優(yōu)化等措施建立快速、準(zhǔn)確的合金觸點(diǎn)成分分析方法。
【關(guān)鍵詞】iCAP6300電感耦合等離子體發(fā)射光譜（ICP-OES）；觸點(diǎn)（電觸頭）；快速分析
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