唐濤

隨著市場經濟體制的日益完善，企業(yè)間的競爭日趨激烈，這種競爭表面上體現(xiàn)在企業(yè)的產品和服務上，但實質上卻是企業(yè)技術進步水平的競爭，企業(yè)技術創(chuàng)新能力的競爭。企業(yè)技術水平的競爭主要體現(xiàn)在企業(yè)研發(fā)能力的強弱上，這時候企業(yè)研發(fā)中心的地位日益重要，這在高新技術企業(yè)中表現(xiàn)尤為突出。西安衛(wèi)光科技有限公司作為國內大功率半導體器件的專業(yè)化定點生產企業(yè)，自公司成立起就注重技術創(chuàng)新，其技術水平始終處于國內領先地位。為了持續(xù)領跑行業(yè)，大力發(fā)展新型功率器件，2016年初，衛(wèi)光科技專門成立了器件研究中心，主要進行功率場效應晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和新型半導體功率器件的設計和工藝研究。器件研究中心自成立以來，堅持創(chuàng)新不放松，在新品研制、新技術開發(fā)等方面取得了驕人的成績，有力推動了衛(wèi)光科技的可持續(xù)發(fā)展。

衛(wèi)光科技器件研究中心在創(chuàng)建初期，針對全體人員知識結構現(xiàn)狀做出了優(yōu)化學習的決定，全體人員去西安電子科技大學進行VDMOS（垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管）設計方面的培訓。通過此次培訓，系統(tǒng)地了解了VDMOS的設計知識，進而能夠獨立完成器件設計。在企業(yè)內部，創(chuàng)建了互相學習法，每周每人自學一部分內容并進行講解，大家提問、討論，以達到共同進步的目的。此方法使全體研發(fā)人員獲益匪淺，同時也提高了學習效率，普及了VDMOS、IGBT、二極管等各方面的知識。經過不斷學習，解決了研究中心知識結構紊亂的情況，實現(xiàn)了研究人員知識結構梯度發(fā)展，有效地適應了公司對于科研人員的技術要求，為企業(yè)技術進步奠定了理論知識基礎。

研究中心在解決了知識結構不合理的狀況后，以公司院士工作站為技術支撐，進行了寬禁帶半導體器件的理論研究、碳化硅肖特基二極管和碳化硅功率場效應晶體管的設計和研發(fā)，實現(xiàn)了寬禁帶半導體功率器件的設計和工藝技術的成功攻關。同時先后建立了完善的計算機仿真設計技術平臺，以計算機工藝仿真和器件仿真為主要手段，結合工藝改進，優(yōu)化設計模型，提升整體設計手段；建成了功率場效應晶體管的結構設計、電性能設計、熱設計和可靠性設計平臺；建立了齊全、完備、能有效指導產品研發(fā)的文件資料體系。這一系列計算機技術平臺的建立，為公司VDMOS產品的后期研發(fā)、試驗提供了精確的技術指標和實驗數(shù)據庫，大大減少了公司后期產品量化的費用支出，提升了公司在半導體器件領域的核心競爭力。中心先后研制出的200V/9A、60V/50A和200V/18A 的VDMOS產品都通過了可靠性試驗考核，產品質量等級達到超特軍級，具有很高的市場競爭力，目前已經開始批量生產。

基于衛(wèi)光科技器件研究中心的不斷創(chuàng)新發(fā)展，陸續(xù)掌握了多項先進工藝技術，并在工藝技術創(chuàng)新發(fā)展過程中獲得了一項發(fā)明專利和三項實用新型專利授權，更是兩次榮獲陜西省科學技術三等獎。

辛勤的耕耘，獲得豐碩的成果，器件研究中心面對日新月異的半導體功率器件技術發(fā)展，緊跟技術潮流，開拓創(chuàng)新，爭做企業(yè)進步的推動者。后期，研究中心將進一步拓展自主可控VDMOS產品門類，打造衛(wèi)光品牌，創(chuàng)造新的輝煌。