姚志明段寶軍 宋顧周 嚴(yán)維鵬 馬繼明 韓長(zhǎng)材 宋巖

(西北核技術(shù)研究所,強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安 710024)

(2016年10月24日收到;2016年11月22日收到修改稿)

ST 401塑料閃爍體的脈沖中子相對(duì)光產(chǎn)額評(píng)估方法?

姚志明?段寶軍 宋顧周 嚴(yán)維鵬 馬繼明 韓長(zhǎng)材 宋巖

(西北核技術(shù)研究所,強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安 710024)

(2016年10月24日收到;2016年11月22日收到修改稿)

介紹了脈沖中子在ST401塑料閃爍體上的相對(duì)光產(chǎn)額評(píng)估方法.采用Geant4蒙特卡羅軟件模擬X射線和中子在閃爍體中的輸運(yùn)行為,記錄產(chǎn)生的全部帶電粒子類型和能量,由公式計(jì)算得到相對(duì)光產(chǎn)額.給出了不同能量的單個(gè)中子和單個(gè)X射線入射到1 mm,3 mm,5 mm,1 cm,2 cm,3 cm,5 cm厚ST 401的平均相對(duì)光產(chǎn)額.在0.3 M eV脈沖X射線源和14 M eV脈沖中子源上開(kāi)展驗(yàn)證實(shí)驗(yàn),采用相同的圖像測(cè)量系統(tǒng)記錄相對(duì)光產(chǎn)額,給出了單個(gè)中子與X射線的平均相對(duì)光產(chǎn)額比值.模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相對(duì)誤差小于10%.結(jié)果可以為寬能譜脈沖中子束圖像測(cè)量系統(tǒng)的量程安排提供依據(jù).

脈沖射線測(cè)量,ST401塑料閃爍體,相對(duì)光產(chǎn)額,Geant4

1 引 言

ST 401塑料閃爍體[1]是脈沖中子束圖像測(cè)量系統(tǒng)[2,3]中的重要組成部分,其作用是將中子圖像轉(zhuǎn)換成熒光圖像,再由像增強(qiáng)器和電荷耦合器件(CCD)相機(jī)組成的光學(xué)記錄系統(tǒng)進(jìn)行拍攝.由于脈沖中子產(chǎn)額是在一定范圍內(nèi)變化的,需要對(duì)圖像測(cè)量系統(tǒng)靈敏度進(jìn)行預(yù)估,依據(jù)塑料閃爍體的相對(duì)光產(chǎn)額,調(diào)整像增強(qiáng)器和CCD相機(jī)的增益為合適的大小,使CCD相機(jī)獲得合適曝光量的圖像.文獻(xiàn)[4,5]的工作中由于當(dāng)時(shí)沒(méi)有可用的脈沖中子面源,采用脈沖X射線源進(jìn)行標(biāo)定,并建立了14.85 M eV恒流中子與0.3 M eV脈沖X射線之間的相對(duì)光產(chǎn)額轉(zhuǎn)換關(guān)系.然而,寬能譜脈沖中子束能譜范圍約為0.01—16MeV,僅有14.85MeV中子與X射線的相對(duì)光產(chǎn)額轉(zhuǎn)換關(guān)系是不夠的.本文基于蒙特卡羅模擬建立了一種相對(duì)光產(chǎn)額評(píng)估方法,給出了閃爍體對(duì)不同能量中子和0.3 M eV X射線之間的相對(duì)光產(chǎn)額轉(zhuǎn)換關(guān)系.此外,可用于圖像測(cè)量系統(tǒng)標(biāo)定的高產(chǎn)額脈沖中子面源已建成[6],盡管使用成本較高,尚不能滿足大量的系統(tǒng)標(biāo)定需求,然而通過(guò)少量實(shí)驗(yàn)采用圖像測(cè)量系統(tǒng)直接標(biāo)定脈沖中子與脈沖X射線的相對(duì)光產(chǎn)額轉(zhuǎn)換關(guān)系已成為可能,本文介紹了相關(guān)實(shí)驗(yàn)工作,對(duì)給出的相對(duì)光產(chǎn)額評(píng)估方法進(jìn)行了驗(yàn)證.

2 相對(duì)光產(chǎn)額評(píng)估方法

ST401塑料閃爍體由聚苯乙烯作基質(zhì),加對(duì)聯(lián)三苯作為閃爍物質(zhì),主要由C,H兩種元素組成.中子入射到ST401上的反應(yīng)機(jī)制包括:1)與H原子發(fā)生彈性散射產(chǎn)生質(zhì)子(p);2)被C原子俘獲釋放α,Be,B,C等帶電粒子,或者釋放γ射線產(chǎn)生e?.帶電粒子沉積能量發(fā)光,不同粒子的相對(duì)光產(chǎn)額與能量的關(guān)系由(1)—(6)式描述[7].X射線入射到ST 401上發(fā)生光電效應(yīng)、康普頓散射產(chǎn)生e?,相對(duì)光產(chǎn)額由(6)式描述.

其中,Ep,Eα,EBe,EB,EC,Ee?是各帶電離子的能量,單位為M eV;L(Ep),L(Eα),L(EBe), L(EB),L(EC),L(Ee?)分別是各帶電粒子在閃爍體中的相對(duì)光產(chǎn)額,單位為MeVee(electron energy equivalent),含義是1 M eV e?入射到ST 401上能量全部沉積的發(fā)光總量計(jì)為1MeVee.

Geant4軟件[8]是高能物理協(xié)會(huì)開(kāi)發(fā)的蒙特卡羅通用程序包,涵蓋了γ射線、e?、中子(n)和p等多種粒子的物理過(guò)程.γ射線與X射線的區(qū)別僅為產(chǎn)生機(jī)制不同,它們?cè)陂W爍體中的光產(chǎn)額是一致的,本文無(wú)需對(duì)兩者進(jìn)行區(qū)分.Geant4軟件中有光子輸運(yùn)模塊,光子產(chǎn)額的精確計(jì)算建立在已知沉積能量與光子產(chǎn)額的轉(zhuǎn)換系數(shù)的基礎(chǔ)上,該轉(zhuǎn)換系數(shù)是未知的.因而本文通過(guò)模擬單個(gè)X射線或中子在ST 401中的輸運(yùn)過(guò)程,并記錄產(chǎn)生的每個(gè)帶電粒子的類型和能量E0,由公式計(jì)算得到相對(duì)光產(chǎn)額.部分帶電粒子的射程較長(zhǎng),能量沒(méi)有全部沉積在閃爍體內(nèi)部,以能量E1逃出閃爍體.由E0計(jì)算得到的光產(chǎn)額L(E0)與E1計(jì)算得到的光產(chǎn)額L(E1)相減為帶電粒子在閃爍體中的相對(duì)光產(chǎn)額L,由(7)式描述:

單個(gè)中子或X射線的輸運(yùn)行為具有隨機(jī)性,相對(duì)光產(chǎn)額也具有隨機(jī)性,需要模擬大量的粒子輸運(yùn)行為,得到單個(gè)粒子相對(duì)光產(chǎn)額的平均值.

3 模擬計(jì)算

Geant4軟件采用模塊化設(shè)計(jì),由不同模塊分別實(shí)現(xiàn)探測(cè)器幾何結(jié)構(gòu)定義、粒子與物質(zhì)作用過(guò)程描述、粒子產(chǎn)生和粒子信息記錄.模擬程序參數(shù)設(shè)置為:1)DetectorConstruction類中設(shè)置ST 401塑料閃爍體的材料、幾何尺寸和位置,C, H原子個(gè)數(shù)比為1:1.1,密度為1.05 g/cm3,尺寸為20 cm×20 cm×h,閃爍體厚度h取值為1 mm, 3 mm,5 mm,1 cm,2 cm,3 cm,5 cm,閃爍體放在距離射線源2 m處,射線源與閃爍體之間由空氣填充;2)軟件中有多種物理過(guò)程列表,主函數(shù)調(diào)用了QGSP_BIC_HP,其中包括光電效應(yīng)、康普頓散射等X射線與物質(zhì)作用的全部物理過(guò)程,對(duì)于能量低于20M eV的中子,QGSP_BIC_HP采用的是高精度中子彈性碰撞和非彈性碰撞模型,與其他物理模型相比,可以更精確地模擬中子輸運(yùn)過(guò)程;3)PrimaryGeneratorAction類中設(shè)置射線源參數(shù),粒子類型分別為X射線和中子,X射線能量為0.3 MeV和0.75 MeV,中子能量如表1所列,射線源為2 cm×2 cm大小的面源,沿著垂直于閃爍體的方向均勻發(fā)射,每種射線能量下發(fā)射106個(gè)粒子; 4)SteppingAction類中記錄粒子信息,如果粒子是閃爍體中新產(chǎn)生的帶電粒子,在newpar文件中記錄粒子類型和能量,如果帶電粒子逃出閃爍體,在outpar文件中記錄粒子類型和能量.

由(1)—(6)式計(jì)算每個(gè)新產(chǎn)生帶電粒子的相對(duì)光產(chǎn)額和每個(gè)逃出帶電粒子的相對(duì)光產(chǎn)額,代入(7)式,可得106個(gè)粒子入射的總光產(chǎn)額,進(jìn)而得到單個(gè)粒子的平均相對(duì)光產(chǎn)額.圖1是X射線的計(jì)算結(jié)果.5 mm厚閃爍體具有較好的分辨率和較高的光產(chǎn)額,在脈沖中子束圖像測(cè)量中應(yīng)用最為廣泛,表1列出了不同能量中子與0.3 M eV X射線在5 mm厚ST 401中的相對(duì)光產(chǎn)額比值詳細(xì)數(shù)據(jù).其他厚度閃爍體的相對(duì)光產(chǎn)額以曲線形式給出,如圖3所示.

圖1 0.3 M eV與0.75 M eV X射線相對(duì)光產(chǎn)額Fig.1.Light output of 0.3 M eV and 0.75 M eV X-ray.

圖2 2.5 M eV與14 M eV中子相對(duì)光產(chǎn)額Fig.2.Light output of 2.5 M eV and 14 M eV neutron.

圖1和圖2表明X射線和中子的相對(duì)光產(chǎn)額隨閃爍體厚度的增加近似為線性增加.圖3表明中子的相對(duì)光產(chǎn)額不隨能量的增大而線性增加.這是由中子的反應(yīng)截面和帶電粒子沉積能量過(guò)程共同作用的結(jié)果.以1 mm閃爍體為例,隨著中子能量增大,反應(yīng)截面增大,產(chǎn)生的帶電粒子能量增大,逃出閃爍體的帶電粒子個(gè)數(shù)增多.當(dāng)中子能量小于8 MeV時(shí),反應(yīng)截面和帶電粒子能量的提高占主要作用,相對(duì)光產(chǎn)額逐漸增大;當(dāng)中子能量高于8 MeV時(shí),逃出閃爍體的帶電粒子數(shù)增多占主要作用,相對(duì)光產(chǎn)額逐漸減小.此外,圖3中低能端0.1 MeV和0.2 MeV中子的相對(duì)光產(chǎn)額出現(xiàn)跳變.原因是(1)式中質(zhì)子能量適用范圍為Ep≥0.1 MeV,Ep＜0.1 MeV的相對(duì)光產(chǎn)額計(jì)算公式未見(jiàn)報(bào)道,而能量低于0.2 MeV的中子會(huì)產(chǎn)生大量Ep＜0.1 MeV的質(zhì)子,造成計(jì)算結(jié)果失真, 0.01—0.2 M eV能量范圍內(nèi)的中子相對(duì)光產(chǎn)額評(píng)估仍是一項(xiàng)待解決的問(wèn)題.計(jì)算表明,0.3 MeV以上能量的中子產(chǎn)生的Ep＜0.1 MeV質(zhì)子引入的相對(duì)光產(chǎn)額誤差小于5%,在脈沖中子束圖像測(cè)量中能夠滿足精度要求.

圖3 中子相對(duì)光產(chǎn)額隨能量的變化Fig.3.Light ou tput of neu tron vs.energy.

表1 中子與X射線在5 mm厚ST 401中的相對(duì)光產(chǎn)額比值Tab le 1.Ratio of neutron light output to X-ray in 5 mm thick ST 401.

4 標(biāo)定實(shí)驗(yàn)

4.1 脈沖X射線標(biāo)定

脈沖X射線標(biāo)定實(shí)驗(yàn)在西北核技術(shù)研究所“晨光號(hào)”加速器[9]上進(jìn)行.脈沖X射線等效單能為0.3 M eV,焦斑尺寸約為1.2 mm,距離源2 m處可以看作均勻面源,采用熱釋光劑量探測(cè)器測(cè)量閃爍體處的輻照劑量.實(shí)驗(yàn)布局如圖4所示:以激光經(jīng)緯儀和射線源中心為基準(zhǔn)建立基準(zhǔn)光軸,使閃爍體中心和反射鏡中心與基準(zhǔn)光軸重合.脈沖中子面源的中子產(chǎn)額仍偏低,且實(shí)驗(yàn)發(fā)次有限,僅對(duì)1 cm以上厚度的閃爍體進(jìn)行標(biāo)定.采用GCO-23型遠(yuǎn)心成像鏡頭減小離軸圖像的畸變.Andor公司DH734型增強(qiáng)電荷耦合器件(ICCD)相機(jī)拍攝閃爍體發(fā)光圖像(圖5).暗箱由3 mm厚鋁材料經(jīng)表面發(fā)黑處理制成,可以屏蔽電磁干擾并減弱箱內(nèi)漫反射光的干擾.屏蔽體是10 cm厚的鉛墻,使X射線衰減4個(gè)量級(jí),避免ICCD相機(jī)受到X射線的直接輻照.為了減小可見(jiàn)光在反射鏡和閃爍體出光面之間的多次反射,在200 mm×200 mm的閃爍體表面黏貼了吸光黑紙,僅在出光面保留4.5 cm×4.5 cm的區(qū)域出光,反射鏡距離閃爍體最小距離為14 cm.發(fā)光圖像中心500×500的像素區(qū)域的灰度平均值,扣除無(wú)射線照射時(shí)本底圖像灰度,得到相機(jī)對(duì)X射線的響應(yīng),如表2所列.

圖4 標(biāo)定實(shí)驗(yàn)布局Fig.4.Layou t of calibration experim ent.

圖5 脈沖X射線激發(fā)閃爍體發(fā)光圖像(500×500像素)Fig.5.Flash im age of scintillator irradiated by pu lsed X-ray.

4.2 脈沖中子標(biāo)定

脈沖中子標(biāo)定實(shí)驗(yàn)在中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心的神光-III主機(jī)上進(jìn)行.實(shí)驗(yàn)布局與脈沖X射線標(biāo)定實(shí)驗(yàn)相同.閃爍體處14 MeV中子照射劑量為106個(gè)/cm2量級(jí).中子照射劑量由激光聚變研究中心采用銅活化法[10]監(jiān)測(cè).復(fù)合屏蔽體由15 cm鐵+10 cm聚乙烯+10 cm鉛材料組成,作用分別為慢化14 MeV中子,吸收低能中子和吸收次級(jí)射線,使14 M eV中子衰減3個(gè)量級(jí).圖像記錄和數(shù)據(jù)處理方法與脈沖X射線實(shí)驗(yàn)相同,結(jié)果如表2所列.

表2 標(biāo)定實(shí)驗(yàn)結(jié)果Tab le 2.Resu lts of calibration experim ent.

5 分析討論

由標(biāo)定實(shí)驗(yàn)結(jié)果計(jì)算可得單個(gè)14 M eV中子與0.3 M eV X射線的相對(duì)光產(chǎn)額比值,如表3所列.蒙特卡羅方法計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)測(cè)量值相對(duì)誤差小于10%.

實(shí)驗(yàn)測(cè)量相對(duì)光產(chǎn)額比值的不確定度來(lái)源主要包括兩方面:一是脈沖中子個(gè)數(shù)監(jiān)測(cè)的不確定度為5%[10],脈沖X射線劑量監(jiān)測(cè)的不確定度為4.1%[5];二是脈沖X射線并不是理想單能,具有一定的能譜分布,引入的不確定度為5%[4].合成不確定度為8.17%.模擬計(jì)算相對(duì)光產(chǎn)額比值的不確定度來(lái)源主要包括三方面:一是帶電粒子相對(duì)光產(chǎn)額計(jì)算公式不確定度為5%[11];二是Ep＜0.1M eV的低能質(zhì)子引入的不確定度為5%;三是蒙特卡羅軟件提供的數(shù)據(jù)庫(kù)截面引入的不確定度.

鑒于實(shí)驗(yàn)測(cè)量不確定度較大且蒙特卡羅軟件的數(shù)據(jù)庫(kù)截面引入的不確定度不易評(píng)估,本文給出的相對(duì)光產(chǎn)額評(píng)估方法需要更多的比較驗(yàn)證.表3給出了不同文獻(xiàn)的實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果.文獻(xiàn)給出的是由光電倍增管測(cè)得的靈敏度,相對(duì)靈敏度比值與相對(duì)光產(chǎn)額比值均無(wú)量綱,均可反映單個(gè)中子和X射線入射到閃爍體上光產(chǎn)額的相對(duì)強(qiáng)弱.文獻(xiàn)[4,5]中的單位能量的相對(duì)靈敏度需要乘以粒子能量進(jìn)行轉(zhuǎn)換.模擬結(jié)果與文獻(xiàn)[4,5,12]的實(shí)驗(yàn)結(jié)果平均相對(duì)誤差為22.16%,最大相對(duì)誤差為43.71%.文獻(xiàn)[13]的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬結(jié)果相差2倍以上,10 mm閃爍體結(jié)果比文獻(xiàn)[12]中9 mm的結(jié)果高3倍,該文獻(xiàn)中未提及屏蔽措施,分析認(rèn)為是空間散射中子和散射γ射線的干擾造成了數(shù)據(jù)失真.

表3 中子/X射線相對(duì)光產(chǎn)額比值對(duì)比Tab le 3.Com parison of experim ental and sim u lation resu lts.

6 結(jié) 論

本文給出了一種脈沖中子入射到ST401塑料閃爍體相對(duì)光產(chǎn)額的評(píng)估方法,該方法的計(jì)算結(jié)果與驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)相對(duì)誤差小于10%,與文獻(xiàn)結(jié)果相對(duì)誤差小于44%.寬能譜脈沖中子束圖像測(cè)量系統(tǒng)的圖像灰度為量程的10%—90%時(shí)視為曝光量合適,可同時(shí)確保圖像具有較高的對(duì)比度并防止信息丟失.如果安排系統(tǒng)曝光量為量程的60%,按最大相對(duì)誤差計(jì)算,實(shí)際獲取的圖像灰度為量程的34%—86%.本文的理論方法可以作為寬能譜脈沖中子束圖像測(cè)量系統(tǒng)的量程安排依據(jù).

[1]Li B J,Zhu X B,Wang L Z,Tang Z K 2014 Nucl.Electron.Detect.Technol.34 1520(in Chinese)[李波均,朱學(xué)彬,王立宗,唐章奎2014核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)34 1520]

[2]Liu Q Z 1994 Pu lsed Radiation Field D iagnostic Technique(Beijing:Science Press)pp553–559(in Chinese) [劉慶兆1994脈沖輻射場(chǎng)診斷技術(shù)(北京:科學(xué)出版社)第553—559頁(yè)]

[3]X ie H W,Zhang J H,Zhang F Q,Li L B,Qi JM,Chen J C,Chen D Y 2013 Process Report on China Nuclear Science&Technology Harbin Sep tem ber 2013 p46(in Chinese)[謝紅衛(wèi),張建華,章法強(qiáng),李林波,祁建敏,陳進(jìn)川,陳定陽(yáng)2013中國(guó)核科學(xué)技術(shù)進(jìn)展報(bào)告 哈爾濱 2013年9月 第46頁(yè)]

[4]Song G Z,X ie H W,W ang K L,Zhu H Q,Zhang Z H 2007 Exp.Res.30 33(in Chinese)[宋顧周,謝紅衛(wèi),王奎祿,朱宏權(quán),張占宏2007試驗(yàn)與研究30 33]

[5]Song G Z,X ie H W,W ang K L,Zhu H Q 2008 Nucl. Electron.Detect.Technol.28 845(in Chinese)[宋顧周,謝紅衛(wèi),王奎祿,朱宏權(quán)2008核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)28 845]

[6]Zheng W G,W ei X F,Zhu Q H 2016 High Power Laser and Particle Beam s 28 019901(in Chinese)[鄭萬(wàn)國(guó),魏曉峰,朱啟華2016強(qiáng)激光與粒子束28 019901]

[7]Gohil M,Banerjee K,Bhattacharya S 2012 Nucl.Instrum.M eth.Phys.Res.A 664 304

[8]W right D H 2014 http://geant4 web.cern.ch/geant4/ UserDocum entation/UserGuides/ForApp licationDeveloper/htm l/index.H tm l[2016-10-23]

[9]Su Z F,Yang H L,Zhang P F,Lai D G,Guo J M,Ren SQ,W ang Q 2014 Acta Phys.Sin.63 106801(in Chinese)[蘇兆鋒,楊海亮,張鵬飛,來(lái)定國(guó),郭建明,任書慶,王強(qiáng)2014物理學(xué)報(bào)63 106801]

[10]Song Z F,Tang Q,Chen JB,Liu Z J,Zhan X Y,Deng C B 2015 High Power Laser and Particle Beam s 27 112005 (in Chinese)[宋仔峰,唐琦,陳家斌,劉中杰,詹夏宇,鄧才波2015強(qiáng)激光與粒子束27 112005]

[11]Cecil R A,Anderson B D,M adey R 1979 Nucl.Instrum. M eth.161 439

[12]Hu M C,Liu J,Li Z B,Fu Y C,Li R R,Tang P D, Zhang J H,Huang Y,Feng J H,Guo H S 2011 Chin. J.Sci.Instrum.32 174(in Chinese)[胡孟春,劉建,李忠寶,甫躍成,李如榮,唐登攀,張建華,黃雁,馮璟華,郭洪生2011儀器儀表學(xué)報(bào)32 174]

[13]Han H L 2005 Annual Report of China Academ y of Engineering Physics M ianyang Decem ber 2005 p48(in Chinese)[韓惠林 2005中國(guó)工程物理研究院科技年報(bào) 綿陽(yáng)2005年12月 第48頁(yè)]

A m ethod of evaluating the relative ligh t y ield o f ST 401 irrad iated by pu lsed neu tron?

Yao Zhi-M ing?Duan Bao-Jun Song Gu-Zhou Yan Wei-Peng Ma Ji-M ing Han Chang-Cai Song Yan

(State K ey Laboratory of Intense Pu lsed Rad iation Sim u lation and Effect,Northw est Institu te of Nuclear Technology, X i’an 710024,China)
(Received 24 October 2016;revised m anuscript received 22 Novem ber 2016)

High speed im aging technique is an eff ectivem ethod to test the inform ation about pulsed neutron source.Im aging system is usually com posed of a pinhole,a scintillator,an im age intensifier and a charge-coup led device(CCD)cam era. ST 401 p lastic scintillator isw idely used to convert the neutron image into visible light image since it has features of high conversion effi ciency and fast tim e response.W hen testing a pu lsed neutron source of w ide energy spectrum,we shou ld evaluate the light yields of ST 401 irradiated by neutrons w ith diff erent energies and m ake the CCD cam era exposed to the light app ropriately.A 0.3 M eV pu lsed X-ray source is often used to calibrate the imaging system because of its low cost than the D-T fusion neutron source.In thiswork,am ethod of evaluating the relative light yield of ST 401 irradiated by 0.1–16 M eV neutron to 0.3 M eV X-ray is proposed.

Geant4Monte Carlo software is used to simulate the transport performances of neutrons and X-rays.The software package can simulate the transport process of photons.But the conversion factor of ray energy deposition into photons is unknown.It is diffi cult to calculate the number of photons generated in ST 401 accurately.In this article,we calculate the relative light yield according to the energy of charged particles produced in ST 401.Firstly,all in formation about the particle type,energy deposition,kinetic energy is m onitored on event-by-event basis in GEANT 4.Second ly,the com p lete history of the tracks is then used to calcu late the light output from the scintillator according to the neutron response functions.Third ly,the light output caused by charged particles going out of ST 401 is deducted.Ratios of average light yield of 1 mm,3 mm,5 mm,1 cm,2 cm,3 cm,5 cm thick ST 401 irradiated by 0.1–16 M eV neutron to 0.3M eV X-ray are given.To confi rm the correctness of the simu lated resu lt,validation experiment is carried out on IVA pu lsed X-ray source and SGIII pulsed neutron source.The simulated ratio of average light yield of ST 401 irradiated by one single 14 M eV neutron to 0.3 M eV X-ray has a discrepancy of less than 10%com pared w ith the m easured value. Com pared w ith the results of experiment conducted on a constant current source,the simulated results have amaximum discrepancy of less than 44%.If CCD cam era exposure 10%–90%of the full scale,the im age w ill have high contrast and inform ation loss can be avoided.According to the simulated results and the neutron yield,exposure can be easily set to be 60%of the fu ll scale by ad justing the gain of the image intensifier.Assume that the simulated results have a 44% discrepancy,the actual exposure w ill be in a range of 34%–86%of the fu ll scale.Underexposure and overexposure can be avoided by presetting the imaging system sensitivity approp riately based on the simulated results.It im p lies that the m ethod proposed is eff ective in predicting the im aging system response to pulsed neutron w ith w ide energy spectrum.

pulsed ray detection,ST 401 plastic scintillator,relative light yield,Geant4PACS:24.10.Lx,29.40.–n,29.40.M c

10.7498/aps.66.062401

:24.10.Lx,29.40.–n,29.40.M c DOI:10.7498/aps.66.062401

?國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61171013)資助的課題.

?通信作者.E-m ail:yaozhim ing@nint.ac.cn

*Pro ject supported by the National Natural Science Foundation of China(G rant No.61171013).

?Corresponding author.E-m ail:yaozhim ing@nint.ac.cn