王巨巖(蘭州石化公司設(shè)備維修公司儀表一車間,甘肅 蘭州 730060)
劉宗昂(蘭州石化煉油廠汽油加氫裝置,甘肅 蘭州 730060)
高穩(wěn)定度可編程電壓基準(zhǔn)的設(shè)計(jì)
王巨巖(蘭州石化公司設(shè)備維修公司儀表一車間,甘肅 蘭州 730060)
劉宗昂(蘭州石化煉油廠汽油加氫裝置,甘肅 蘭州 730060)
AD669是美國AD公司生產(chǎn)的16位分辨率、電壓輸出型數(shù)模轉(zhuǎn)換器。本文介紹了基于美國AD公司的16位高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換器AD669的電壓基準(zhǔn)的設(shè)計(jì)。
數(shù)模轉(zhuǎn)換器;AD669;電壓基準(zhǔn)
AD669是美國AD公司生產(chǎn)的16位分辨率、電壓輸出型數(shù)模轉(zhuǎn)換器。AD669的片內(nèi)集成精密輸出放大器提供模擬電壓輸出,具有片內(nèi)集成的精密掩埋齊納二極管基準(zhǔn)和雙緩沖鎖存器。AD669的數(shù)字量輸入是并行16位,雙緩沖鎖存器結(jié)構(gòu)可以消除數(shù)據(jù)畸變,在多路DAC系統(tǒng)中,可以同時輸出多個模擬量。芯片的控制信號與TTL/LSTTL/CMOS兼容。AD669的電壓最大輸出范圍是-10V~+10V,模擬量輸出建立時間短,具有良好的輸出電壓長期穩(wěn)定性,非常適合用于高精度高穩(wěn)定度數(shù)控電壓基準(zhǔn)的設(shè)計(jì)。
AD669具有如下特點(diǎn):
1、16位分辨率;
2、片內(nèi)集成輸出緩沖放大器;
3、片內(nèi)集成高穩(wěn)定度掩埋齊納二極管基準(zhǔn);
4、片內(nèi)10V基準(zhǔn)
5、單極性輸出0~+10V;
6、雙極性輸出-10V~+10V;
7、具有雙緩沖輸入鎖存器;
8、并行16位輸入;
9、與微處理器兼容。
AD669有28個管腳,采用DIP,Cerdip和SOIC三種封裝形式,其排列順序如圖1所示,各管腳的功能是:
VEE:模擬電源-15V
VCC:模擬電源+15V
VLL:數(shù)字電源+5V
DGND:數(shù)字地
AGND:模擬地
圖1.AD669管腳配置
L1:第一級鎖存器鎖存信號
CS:第一級鎖存器選通信號
LDAC:第二級鎖存器鎖存信號
VOUT:模擬電壓輸出端
SPAN/BIP OFFSET:單/雙極性選擇端
REF IN:基準(zhǔn)輸入
REF OUT:基準(zhǔn)輸出
DB8~DB15:高8位數(shù)字量
DB0~DB7:低8位數(shù)字量
2AD669的結(jié)構(gòu)和原理
AD669由兩個16位數(shù)據(jù)鎖存器,一個16位D/A轉(zhuǎn)換器,+ 10V基準(zhǔn)和輸出放大器組成。轉(zhuǎn)換器的兩個16位數(shù)據(jù)鎖存器可以分別控制,使用時有較大的靈活性,內(nèi)部集成的輸出放大器可以直接輸出電壓基準(zhǔn),其結(jié)構(gòu)如圖2所示。
AD669可以使用內(nèi)部基準(zhǔn),也可以使用外接基準(zhǔn)。其內(nèi)部+10V基準(zhǔn)是經(jīng)過激光調(diào)整的低噪聲掩埋齊納二極管基準(zhǔn),誤差小于±2%。當(dāng)使用AD669內(nèi)部基準(zhǔn)時,增益漂移為15ppm/° C~25ppm/°C,如果需要實(shí)現(xiàn)長期穩(wěn)定性好的模擬量電壓輸出,應(yīng)考慮外接高精度低溫度漂移的電壓基準(zhǔn)作為轉(zhuǎn)換電壓基準(zhǔn)。
圖2.AD669功能框圖
AD669可以輸出單極性模擬電壓,也可以輸出雙極性模擬電壓,在設(shè)計(jì)中可以根據(jù)需要通過管腳配置。在設(shè)計(jì)直流電源的遠(yuǎn)程可編程基準(zhǔn)時,通常設(shè)計(jì)為單極性輸出模式,其模擬輸出電壓是0~+10V。
AD669的數(shù)字量輸入采用兩級16位數(shù)據(jù)鎖存器結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)保證模擬量輸出值的穩(wěn)定輸出??刂菩盘朇S和L1控制第一級鎖存器讀取和鎖存出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上的16位數(shù)字量,當(dāng)CS和L1同時為低電平時,16位數(shù)字量寫入第一級鎖存器,當(dāng)CS和L1中的任何一個為高電平時,第一級鎖存器鎖存讀入的16位數(shù)字量。第二級鎖存器的控制和啟動數(shù)模轉(zhuǎn)換由LDAC控制,當(dāng)LDAC為高電平時,16位數(shù)字量寫入第二級鎖存器,同時啟動模數(shù)轉(zhuǎn)換,在25腳(Vout)輸出模擬量,當(dāng)LDAC變?yōu)榈碗娖綍r,第二級鎖存器鎖存16位數(shù)字量,其時序圖如圖3a所示,真值表見表1。為消除數(shù)字量畸變,第一級鎖存器和第二級鎖存器的操作間隔至少應(yīng)有100ns的間隔。由于第一級鎖存器和第二級鎖存器的控制信號相互獨(dú)立,可以有效地提高芯片的抗干擾能力,各控制信號的操作周期見表2。
圖3.AD669的控制時序
表1.真值表
表2.信號周期
AT89C51是8位數(shù)據(jù)總線,而AD669是16位并行數(shù)字量輸入,因此在設(shè)計(jì)數(shù)模轉(zhuǎn)換接口電路時可考慮使用數(shù)據(jù)鎖存器,利用AD669的兩級數(shù)據(jù)鎖存器結(jié)構(gòu),將16位數(shù)字量寫入AD669,從而實(shí)現(xiàn)16位分辨率的數(shù)模轉(zhuǎn)換。電路原理如圖4所示。
圖4.模數(shù)轉(zhuǎn)換原理圖
圖中鎖存器74HC573鎖存AT89C51第一次寫出的高8位數(shù)字量,當(dāng)AT89C51寫出低8位數(shù)字量時,與74HC573的輸出組成16位數(shù)字量。同時控制AD669片選端CS和第一級鎖存器使能端L1的信號CS669為低電平,使16位數(shù)字量同時寫入AD669的第一級鎖存器,當(dāng)CS669變?yōu)楦唠娖綍r,第一級鎖存器鎖存16位數(shù)字量??刂菩盘朠16由低電平變?yōu)楦唠娖綍r,第一級鎖存器中的16位數(shù)字量寫入第二級鎖存器,隨后進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換,在25腳輸出模擬量??刂菩盘朠16由高電平變?yōu)榈碗娖綍r,數(shù)字量被鎖存于AD669的第二級鎖存器。AD688是高精度、高穩(wěn)定度、低溫度漂移的+10V電壓基準(zhǔn),其輸出噪聲低于6 μVP-P(0.1Hz~10Hz),輸出長期穩(wěn)定度典型值為15ppm/1000小時。為AD669提供+10V轉(zhuǎn)換基準(zhǔn)。W1為模擬量輸出調(diào)零電位器,W2為滿量程調(diào)節(jié)電位器。
匯編語言程序設(shè)計(jì)如下:
VOLTAGE_W: ;DAC子程序,輸出+5.0000V
CLR P1.6 ;禁止DAC輸出
MOV A,#80H ;高8位數(shù)字量
MOV DPTR,#5FFDH ;寫入74HC573地址并鎖存
MOVX@DPTR,A
MOV A,#00H ;寫低8位數(shù)字量
MOV DPTR,#0DFFFH;AD669第一級鎖存器操作
MOVX@DPTR,A ;地址,16位數(shù)字量寫入
SETB P1.6 ;16位數(shù)字量寫入AD669第二級
;鎖存器,同時完成數(shù)模轉(zhuǎn)換
CLR P1.6 ;AD669第二級鎖存器鎖存
;16位數(shù)字量
RET
基于AD669的可編程電壓基準(zhǔn)具有高精度、高分辨率、高穩(wěn)定度的性能和較低的溫度系數(shù),作為設(shè)備的遠(yuǎn)程控制基準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)了對電壓基準(zhǔn)的高精度調(diào)節(jié)。經(jīng)測試,其作為遠(yuǎn)程控制調(diào)節(jié)基準(zhǔn)的模擬量輸出在+0.125V~+10V范圍內(nèi),其長期穩(wěn)定度好于5×10-5,其它性能參數(shù)為:①0-+10V編程可調(diào);②長期穩(wěn)定度好于4×10-5;③非線性誤差2×10-4;④增益誤差1×10-5;⑤重復(fù)誤差5×10-5;⑥輸出電流0-+10mA。圖5為模糊量輸出為1.68V時的長期趨勢圖,其長期穩(wěn)定度為2×10-5
圖5.模糊量輸出為1.68V的長期趨勢圖
[1]萬福君,潘松峰等.單片微機(jī)原理系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用.合肥:中國科技大學(xué)出版社,2001.
[2]AD669 Data Sheet,Analog Device Inc,1998.
[3]何立民.單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù).北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2002.