李娟++馮國(guó)林
DOI:10.16660/j.cnki.1674-098X.2017.25.073
摘 要:本文建立基于pin型結(jié)構(gòu)非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池,采用數(shù)值模擬的方法,通過(guò)模擬分析表明,在電池的p/i、i/n界面插入緩沖層可以得到電池轉(zhuǎn)化效率為7.474%,比沒(méi)有緩沖層電池提高0.305%。
關(guān)鍵詞:非晶硅 緩沖層 轉(zhuǎn)化效率
中圖分類(lèi)號(hào):O469 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1674-098X(2017)09(a)-0073-02
由于非晶硅材料的原子結(jié)構(gòu)是一種共價(jià)無(wú)規(guī)的網(wǎng)絡(luò)原子結(jié)構(gòu),不受周期性結(jié)構(gòu)的約束,具有短程有序、長(zhǎng)程無(wú)序的結(jié)構(gòu)。無(wú)序結(jié)構(gòu)導(dǎo)致多種結(jié)構(gòu)缺陷和微空洞的形成,這就使得非晶態(tài)半導(dǎo)體材料能隙深處具有缺陷定域態(tài),這些定域態(tài)提高使載流子復(fù)合率。對(duì)于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池界面缺陷是不可避免,在p/i、i/n界面存在的晶格失配,這樣就會(huì)使自由載流子復(fù)合幾率提高,從而影響電池的性能。在制備材料的過(guò)程中,從材料1到材料2總會(huì)有一個(gè)過(guò)渡區(qū),材料帶隙和電子親和勢(shì)的漸變對(duì)提高電池短路電流和填充因子有非常顯著的作用。
1 物理模型和數(shù)值方法
1.1 物理模型
建立一個(gè)單結(jié)pin非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池,其結(jié)構(gòu)為:TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/背電極。模擬計(jì)算插入緩沖層對(duì)電池性能的影響,模擬的過(guò)程取緩沖層的厚度為4nm。模擬時(shí)采用標(biāo)準(zhǔn)的太陽(yáng)光譜AM1.5(100mW/cm2)從電池左側(cè)入射,設(shè)入射光在前、背電極表面的反射率在理想情況下分別為0和1,載流子通過(guò)復(fù)合中心的間接復(fù)合機(jī)制采用SRH模型[1]。在我們計(jì)算中左右電極界面的電子空穴界面復(fù)合速率都設(shè)定1×107cm/s。電池的工作溫度為300K[2]。
1.2 AMPS原理
AMPS-1D程序主要運(yùn)用Newton-Raphson方法和邊界條件求解相互關(guān)聯(lián)的非線性微分一維泊松方程和電子、空穴連續(xù)性方程,通過(guò)數(shù)值計(jì)算分析電池中載流子產(chǎn)生、符合和輸運(yùn)性質(zhì)等各種工作參數(shù)。
模擬中各層半導(dǎo)體材料是a-Si:H,其原子結(jié)構(gòu)特征是長(zhǎng)程無(wú)序、短程有序的無(wú)規(guī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),存在大量懸掛鍵。無(wú)序的結(jié)構(gòu)使價(jià)帶和導(dǎo)帶邊向帶隙延伸出定域化的帶尾態(tài),在帶隙中部形成了由結(jié)構(gòu)缺陷引起的缺陷態(tài)。廣泛采用a-Si:H能帶分布是Mott-Davis能帶模型[3],表明了能帶邊和帶隙的電子態(tài)密度隨能量的分布狀況。
由懸掛鍵和鍵畸變引起價(jià)帶尾態(tài)和導(dǎo)帶尾態(tài)可俘獲載流子,對(duì)載流子起陷阱作用。帶尾態(tài)密度近似于指數(shù)分布:
(1)
(2)
式中,EA,ED分別為導(dǎo)帶尾、價(jià)帶尾特征能量;EV,EC分別為價(jià)帶、導(dǎo)帶遷移率邊。
1.3 模型參數(shù)設(shè)置
模型中各參數(shù)設(shè)置如表1所示。
2 數(shù)值模擬與結(jié)果分析
2.1 在p/i、i/n界面插入緩沖層對(duì)電池效率的影響
對(duì)于異質(zhì)結(jié),由于結(jié)兩邊材料的帶隙寬度的不同,能帶在界面處是不連續(xù)的,有尖峰的出現(xiàn),分別稱為導(dǎo)帶和價(jià)帶的帶結(jié)。帶結(jié)是影響異質(zhì)結(jié)性能極為重要的參數(shù)。在載流子輸運(yùn)過(guò)程中由于存在勢(shì)壘使載流子有效收集遇到困難,本文在p/i、i/n界面分別加入帶隙為1.72eV和1.68eV的納米硅a-Si:H緩沖層,通過(guò)調(diào)節(jié)材料的內(nèi)部參數(shù)使其帶結(jié)盡可能降低,這樣緩沖層可以起到一個(gè)帶隙過(guò)渡的作用,使勢(shì)壘降低,從而使電子有效地被收集,電池效率變大。
從圖1可以看出加入緩沖層后界面的帶明顯降低,結(jié)果表明,插入緩沖層后,電池的性能有明顯的改善。這是因?yàn)榫彌_層主要改善晶格失配的作用,從圖1可看出勢(shì)壘降低,這樣減少載流子在界面的復(fù)合。此外,摻入的緩沖層減小界面電勢(shì),從而增加活性層的電場(chǎng),增加載流子收集。通過(guò)優(yōu)化得到7.474%的轉(zhuǎn)化效率。
2.2 插入緩沖層厚度對(duì)電池效率的影響
計(jì)算結(jié)果如圖2所示,電池效率隨緩沖層厚度從1nm逐漸增加到7nm過(guò)程中在減小,隨短路電流在減小,F(xiàn)F和VOC沒(méi)有變化的情況下導(dǎo)致電池的效率減小。
3 結(jié)語(yǔ)
通過(guò)對(duì)電池優(yōu)化模擬的結(jié)果分析可以得到:在p/i、i/n界面插入緩沖層電池轉(zhuǎn)化效率為7.474%,比沒(méi)有緩沖層電池提高0.305%;緩沖層的厚度對(duì)電池的開(kāi)路電壓和填充因子幾乎沒(méi)有影響,對(duì)短路電流影響很小,進(jìn)而對(duì)電池的效率影響也很小。
參考文獻(xiàn)
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