本發(fā)明提供了一種電子級多晶硅的制備方法。該制備方法包括：將三氯氫硅液體和/或氯硅烷液體進行提純，得到三氯氫硅，氯硅烷液體包括三氯氫硅；及采用氫氣與三氯氫硅進行還原反應，得到電子級多晶硅，提純步驟包括：對三氯氫硅液體和/或氯硅烷液體進行第一精餾過程，得到三氯氫硅粗產品；將三氯氫硅粗產品與絡合劑發(fā)生絡合反應，以使三氯氫硅粗產品中的雜質轉化為絡合物，得到中間產物，其中雜質包括B、P和Fe、Al組成的組分中的一種或多種；及將中間產物進行第二精餾過程，以去除絡合物，得到三氯氫硅。將純度較高的三氯氫硅原料與氫氣發(fā)生還原反應，得到電子級多晶硅。上述制備方法的工藝流程成熟簡單，具有能耗低、產品質量穩(wěn)定等優(yōu)點。公開/公告號：CN108467042A 申請/專利權人：中國恩菲工程技術有限公司