尚云艷,郭鵬江,夏志明
(1.西京學(xué)院a.理學(xué)院;b.科研處;2.西北大學(xué) 數(shù)學(xué)學(xué)院,西安 710123)
統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制(SPC)已在制造業(yè)得到了廣泛應(yīng)用,相關(guān)研究已比較成熟,其目的是用來(lái)監(jiān)控生產(chǎn)過(guò)程,檢測(cè)異常波動(dòng),尋找并消除產(chǎn)生異常波動(dòng)的原因??刂茍D是實(shí)施過(guò)程監(jiān)控的有效工具,它的使用基于一個(gè)重要的假設(shè),即過(guò)程受控時(shí)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)是獨(dú)立且服從正態(tài)分布的。但是實(shí)際數(shù)據(jù)通常表現(xiàn)出某種程度的自相關(guān)性[1],如宏觀經(jīng)濟(jì)、金融數(shù)據(jù)等均表現(xiàn)出不同程度的相關(guān)性。在違背獨(dú)立性假設(shè)的情況下,如果在原始數(shù)據(jù)上直接應(yīng)用傳統(tǒng)控制圖,則會(huì)使得控制圖的誤報(bào)率增加。為更有效地監(jiān)控生產(chǎn)過(guò)程,眾多學(xué)者提出殘差控制圖,即先擬合自相關(guān)過(guò)程的時(shí)間序列模型,再利用擬合模型的殘差相互獨(dú)立且服從正態(tài)分布的特性,以傳統(tǒng)控制圖直接監(jiān)控殘差序列值。
傳統(tǒng)控制圖對(duì)中小漂移檢測(cè)的靈敏性參差不齊,因此,為提高中小漂移的檢測(cè)效能,Roberts(1959)[2]提出了指數(shù)加權(quán)移動(dòng)平均(EWMA)控制圖,EWMA控制圖的特點(diǎn)是利用了歷史數(shù)據(jù),且該控制圖可以對(duì)不同階段的數(shù)據(jù)取不同的權(quán)重,距今越近的數(shù)據(jù)權(quán)重越大,距今越遠(yuǎn)的數(shù)據(jù)權(quán)重越小,它主要檢測(cè)統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制中的微小波動(dòng)。
Zhang(1997)[3]定義了檢測(cè)能力指數(shù),將其應(yīng)用于廣義平穩(wěn)隨機(jī)過(guò)程模型,通過(guò)蒙特卡洛模擬,與傳統(tǒng)控制圖相比較,在調(diào)整廣義平穩(wěn)隨機(jī)過(guò)程模型的參數(shù)條件下,殘差控制圖對(duì)中小漂移的檢測(cè)效能得到提升;張志雷(2012)[4]基于同樣的思想將信噪比指標(biāo)應(yīng)用于自相關(guān)控制圖,通過(guò)蒙特卡洛模擬,與傳統(tǒng)控制圖方法相比較,在調(diào)整ARMA模型參數(shù)的條件下,自相關(guān)控制圖對(duì)中小漂移的檢測(cè)效能同樣得到提升。
目前還沒(méi)有把過(guò)程檢測(cè)能力指數(shù)思想與EWMA殘差控制圖方法相結(jié)合的研究,因此,本文在尚云艷等(2015)[5]的基礎(chǔ)上將檢測(cè)能力指數(shù)應(yīng)用于基于二階自相關(guān)過(guò)程(AR(2))的EWMA殘差控制圖,根據(jù)EWMA殘差控制圖檢測(cè)能力的強(qiáng)弱,調(diào)整AR(2)模型的參數(shù),運(yùn)用蒙特卡羅模擬方法將其與傳統(tǒng)殘差控制圖和自相關(guān)殘差控制圖進(jìn)行比較分析其性能。
由王振龍(2010)[6]可知 AR(2)模型:
其中,Xt(X0=0)是零均值化的序列變量值(t=1,2,…),φ1,φ2是模型參數(shù),且滿足約束:φ1+φ2<1,
是隨機(jī)誤差項(xiàng)。一般地,通常對(duì)模型做以下假設(shè):
假設(shè)2:自變量序列Xt只與Xt-1,Xt-2有關(guān),與Xt-3,…,Xt-p(p>2)無(wú)關(guān),也與隨機(jī)誤差項(xiàng)εt不相關(guān),即Cov(εt,Xt-k)=0 ,k=1,2,…。并且,如果E(Xt)=0 ,則過(guò)程受控;若E(Xt)=δσε(當(dāng)δ≠0時(shí)),則過(guò)程失控。
將參數(shù)估計(jì)值φ1、φ2代入模型(1)計(jì)算殘差,即:
且依據(jù)自相關(guān)過(guò)程可知:
殘差序列的自協(xié)方差函數(shù)為(k=1,2,...):
根據(jù)尚云艷等(2015)[5]假設(shè)均值隨時(shí)間變化,則自相關(guān)序列滿足:
假設(shè)t=0和t=1時(shí)刻均值從0漂移δσx,則殘差序列:
若假設(shè)過(guò)程均值不再發(fā)生變化,則殘差序列可以統(tǒng)一用式(4)表示:
由上述分析可見,當(dāng)過(guò)程均值發(fā)生漂移以后,第一個(gè)時(shí)刻殘差的均值為δσx,但是自相關(guān)過(guò)程很快作出反應(yīng),第二個(gè)時(shí)刻殘差的均值變?yōu)棣摩襵(1-φ1),第三個(gè)時(shí)刻殘差的均值變?yōu)棣摩襵(1-φ1-φ2)。當(dāng)自相關(guān)參數(shù)φ1+φ2→1時(shí),隨后的殘差與過(guò)程剛發(fā)生偏移時(shí)的殘差相比會(huì)變得非常小,而難于檢測(cè)出過(guò)程的偏移。由式(4)可知,當(dāng)φ1+φ2為負(fù)或者為正且取值較小時(shí),均值的變化對(duì)殘差的影響增強(qiáng)了,即在該條件下,殘差控制圖的靈敏度將有所提高。
Zhang(1997)[3]給出過(guò)程檢測(cè)能力指數(shù)的定義:
f(t)是殘差控制圖在過(guò)程均值發(fā)生漂移δσε時(shí)(即t時(shí)刻)檢測(cè)能力大小的一種度量,f(t)的值只取決于參數(shù)φ1、φ2、ρ1、ρ2的大小,與均值漂移δσε大小無(wú)關(guān)。當(dāng)f(t)>1時(shí),殘差控制圖在t時(shí)刻的檢測(cè)能力指數(shù)比傳統(tǒng)控制圖在t時(shí)刻的檢測(cè)能力指數(shù)強(qiáng),即表明殘差控制圖在t時(shí)刻的檢測(cè)能力增強(qiáng);反之,當(dāng)f(t)<1時(shí),表明殘差控制圖在t時(shí)刻的檢測(cè)能力減弱。
對(duì)AR(2)過(guò)程,當(dāng)φ1+φ2或者φ2-φ1→1,1-φ1ρ1-φ2ρ2→0時(shí),f(t)→∞,即AR(2)過(guò)程不平穩(wěn)時(shí),f(t)的值將會(huì)變得比較大,表明該時(shí)刻檢測(cè)漂移的能力比較強(qiáng);對(duì)AR(1)過(guò)程,當(dāng) |φ1|→1,φ2=0時(shí),f(t)→∞ ,即AR(1)模型平穩(wěn)時(shí),t時(shí)刻的過(guò)程檢測(cè)能力很強(qiáng)。
特別地,當(dāng)φ1=φ2=0時(shí),有f(t)=1,表明{Xt}是一獨(dú)立的變量序列(反之亦成立),此時(shí)殘差控制圖和傳統(tǒng)均值控制圖的檢測(cè)能力相同。
根據(jù)Zhang(1997)[3]定理1:對(duì)于平穩(wěn)過(guò)程AR(2):
對(duì)式(3)采用指數(shù)加權(quán)移動(dòng)平均法得到統(tǒng)計(jì)量Zt,t=0,1,2,…,即:
若模型(1)開始時(shí)受控,則統(tǒng)計(jì)量Z0的期望為0,E(Z0)=δσx(δ=0);若模型(1)開始時(shí)失控,則統(tǒng)計(jì)量Z1的期望和方差分別是E(Z1)=δ(1-φ1)σx(δ≠0),E(Z2)=δ(1-根據(jù)式(5)可得,當(dāng)t>1,...時(shí),該過(guò)程的檢測(cè)能力指數(shù)f(t)=
綜上所述,基于AR(2)模型的EWMA殘差控制圖控制線為:
其中,k為控制線系數(shù)。
一般地,對(duì)于控制圖的比較,都是在相同條件下比較,即在受控平均運(yùn)行長(zhǎng)度相同的情況下,比較失控平均運(yùn)行長(zhǎng)度。如果平均運(yùn)行長(zhǎng)度越短,說(shuō)明控制圖性能越好,越長(zhǎng)則越說(shuō)明該控制圖的性能越不好。
運(yùn)用Matlab軟件給出一個(gè)滿足模型(1)的AR(2)平穩(wěn)過(guò)程,通過(guò)給定不同參數(shù)值,作10000次模擬運(yùn)算,獲得在不同漂移大小下各控制圖的ARL值,具體結(jié)果見表1。
表1 不同參數(shù)φ1,φ2、δ下的控制圖的ARL對(duì)比
當(dāng)過(guò)程參數(shù)不同時(shí),為便于比較,記φ1=1.5,φ2=-0.7為過(guò)程I,φ1=1.5,φ2=-0.95為過(guò)程II,根據(jù)式(2)過(guò)程I和過(guò)程II的一、二階自相關(guān)系數(shù)結(jié)果均大于0,過(guò)程I的參數(shù)滿足φ1+φ2-φ22>0,有f(t)=0.5951<1;過(guò)程II的參數(shù)滿足φ1+φ2-φ22<0,有f(t)=2.5554>1,即過(guò)程均值發(fā)生漂移時(shí),過(guò)程I的檢測(cè)能力比過(guò)程II弱。從表1也可以看出,在過(guò)程均值發(fā)生0.5σε漂移時(shí),過(guò)程I的自相關(guān)殘差控制圖和EWMA殘差控制圖的失控ARL分別是258.5369和224.7687,均大于過(guò)程II的34.5419和22.6026。同樣的,記φ1=-0.1,φ2=0.4為過(guò)程III,φ1=-0.5,φ2=0.4 為過(guò)程IV,過(guò)程III和過(guò)程IV的一階自相關(guān)系數(shù)均小于0,但是當(dāng)過(guò)程均值發(fā)生漂移時(shí),過(guò)程IV的失控ARL均小于過(guò)程III的失控ARL??梢姰?dāng)參數(shù)滿足φ1+φ2-φ22<0,傳統(tǒng)殘差控制圖、自相關(guān)殘差控制圖和EWMA殘差控制圖的靈敏度均有所提高。
當(dāng)過(guò)程參數(shù)相同時(shí),且參數(shù)滿足φ1+φ2-φ22<0,自相關(guān)殘差控制圖與傳統(tǒng)殘差控制圖相比較:自相關(guān)殘差控制圖檢測(cè)性能好,比如當(dāng)φ1=1.5,φ2=-0.95,δ=0.5時(shí),自相關(guān)殘差控制圖的平均運(yùn)行長(zhǎng)度ARL=34.5419是傳統(tǒng)殘差控制圖ARL=157.8806五分之一;EWMA殘差控制圖與傳統(tǒng)殘差控制圖相比較:EWMA殘差控制圖檢測(cè)性能好,比如當(dāng)φ1=1.5,φ2=-0.95,δ=0.5時(shí),EWMA殘差控制圖的平均運(yùn)行長(zhǎng)度ARL=22.6026是傳統(tǒng)殘差控制圖ARL=157.8806的七分之一;自相關(guān)殘差控制圖與EWMA殘差控制圖相比較:當(dāng)φ1=1.5,φ2=-0.95,δ=2.0 ,EWMA殘差控制圖的ARL=3.0517較自相關(guān)殘差控制圖的ARL=3.0732小,可見,雖然差距不是很明顯,但EWMA殘差控制圖可以提高對(duì)中小漂移的檢測(cè)效率。
但是當(dāng)φ1+φ2-φ22>0時(shí),自相關(guān)殘差控制圖和EWMA殘差控制圖的檢測(cè)效率較傳統(tǒng)殘差控制圖逐漸變?nèi)酰磦鹘y(tǒng)殘差控制圖不受參數(shù)取值的影響,其表現(xiàn)結(jié)果都一致的好,而當(dāng)φ1+φ2-φ22>0時(shí),自相關(guān)殘差控制圖和EWMA殘差控制圖檢測(cè)效率偏慢。
在實(shí)際生產(chǎn)中,數(shù)據(jù)都是存在自相關(guān)性的,那么殘差必會(huì)受到相關(guān)系數(shù)的干擾。這時(shí)如果使用傳統(tǒng)殘差控制圖檢測(cè)時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生更多的虛發(fā)警報(bào),而自相關(guān)殘差控制圖和EWMA殘差控制圖是考慮到相關(guān)系數(shù)對(duì)均值漂移值的影響進(jìn)行的檢驗(yàn)。根據(jù)表1,當(dāng)φ1+φ2-φ22<0時(shí),自相關(guān)殘差控制圖和EWMA殘差控制圖,檢測(cè)效果一致的好;同時(shí),無(wú)論φ1+φ2-φ22<0和φ1+φ2-φ22>0時(shí),EWMA殘差控制圖都要比自相關(guān)殘差控制圖效果還要好。
本文通過(guò)自相關(guān)過(guò)程的EWMA殘差控制圖的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)?zāi)M,證明了該控制圖提高了針對(duì)自相關(guān)過(guò)程發(fā)生中小漂移檢測(cè)的靈敏度;雖然之前在AR(1)上討論EWMA控制圖對(duì)中小漂移檢測(cè)效率很高,但是并沒(méi)有系統(tǒng)給出自相關(guān)過(guò)程的檢測(cè)漂移能力強(qiáng)弱的判斷方法。綜上所述,本文提出的方法應(yīng)用到實(shí)踐,可以提高檢測(cè)效率帶來(lái)實(shí)際的經(jīng)濟(jì)效益,為了進(jìn)一步提高檢測(cè)效率,還可以考慮基于似然比統(tǒng)計(jì)量的控制圖。