毛佩林
(江西省建筑材料工業(yè)科學(xué)研究設(shè)計院, 江西 南昌 330001)
國內(nèi)外有關(guān)PLA結(jié)晶性能的研究多集中在PLA的結(jié)晶性能和熔融雙峰的特性,而對PLA結(jié)晶動力學(xué)以及其結(jié)晶速率緩慢的問題沒有進行深入的研究探討。有研究報道了PLA在幾種無機納米粒條件下的結(jié)晶動力學(xué),但對制約PLA結(jié)晶速率的因素沒有進行進一步的探討。PLA結(jié)晶速率慢主要是由于其成核速率慢和其球晶生長速率慢導(dǎo)致的。對于純PLA,生長速率慢是制約其結(jié)晶速率的主要原因,故可以通過加入增塑劑來提高PLA的分子鏈段運動能,進而提高球晶生長速率和結(jié)晶度[1~3]。在PLA加工時加入有機成核劑熔融在PLA基體中并分散均勻,可以在實現(xiàn)成核的前提下不影響PLA基體的性能。對于增塑劑與成核劑共同作用的PLA體系,增塑劑的加入一方面使PLA分子鏈段的運動能力得到提高,可以規(guī)整排列參與成核或結(jié)晶,這有利于提高成核速率或球晶生成速率[4~5];另一方面PLA晶核會被增塑劑對晶核的溶劑化效應(yīng)破壞,這就降低PLA自身或在成核劑作用下的成核速率[6]。
本課題主要研究成核劑(滑石粉)和增塑劑對PLA結(jié)晶效果的影響因素。主要通過偏光顯微鏡和DSC來研究PLA/Talc、PLA/PEG和PLA/Talc/PEG復(fù)合材料的等溫結(jié)晶動力學(xué),同時也研究PLA結(jié)晶性能與力學(xué)性能的關(guān)系。通過等溫結(jié)晶動力學(xué)研究成核劑、增塑劑和等溫結(jié)晶溫度對球晶成核速率和生長速率的影響。
聚乳酸,MW=1.5×105,美國Nature Works公司;聚乙二醇,PEG-1000,常州佳華化工有限公司;滑石粉,工業(yè)級,常州卓邦化工有限公司。
WT2000IFY型電子天平,常州萬泰天平機械有限公司;GZX-9070B型電熱恒溫鼓風(fēng)干燥箱,上海上邁電子儀器有限公司;DZF-6020型真空干燥箱,上海慧泰儀器有限公司;SUYUAN-70DSC4000型密煉機,常州溯源橡塑科技有限公司;XLBD350×350×2型平板硫化機,常州第一橡塑設(shè)備廠;ECLIPSE 50i POL型差示掃描量熱儀,Perkin Elmer公司;ECLIPSE 50i POL型熱臺偏光顯微鏡,日本尼康公司。
將PLA置于80℃恒溫干燥箱中干燥5~6 h,聚乙二醇(PEG-1000)或滑石粉(Talc)置于真空干燥烘箱中充分干燥,再按一定的配比加入到密煉機中熔融混合,溫度設(shè)為180℃,轉(zhuǎn)速為80 r/min,充分密煉6 min后取出即得樣品。
1.3.1 PLA/PEG 復(fù)合材料制備
試樣中加入PEG含量分別為2.5%、5%、7.5%、10%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),具體配比見表1。
表1 PLA/PEG復(fù)合材料配方
1.3.2 PLA/Talc復(fù)合材料的制備
試樣中加入滑石粉含量分別為1%、2%、3%、4%(質(zhì)量分?jǐn)?shù)),具體配比見表2。
表2 PLA/Talc復(fù)合材料配方
準(zhǔn)備好的試樣分別標(biāo)記為PLA-1%Talc、PLA-2%Talc、PLA-3%Talc、PLA-4%Talc。
1.3.3 PLA/Talc/PEG復(fù)合材料的制備
設(shè)計樣品的具體配方見表3,如PTa2PEG5表示Talc含量為2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))、PEG含量為5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))的PLA共混物。
表3 PLA/Talc/PEG復(fù)合材料配方
2.1.1 PLA的POM圖分析
(1)球晶形貌
如圖1為純PLA在122.5℃恒溫拍攝的POM圖,圖片間隔時間為7.5 min。從圖上可以明顯看出純PLA的球晶少而且模糊,球晶尺寸隨著結(jié)晶時間延長而變大,球晶輪廓不夠清晰,但仍能明顯看出是十字消光圖像球晶狀。當(dāng)結(jié)晶時間為30 min時,球晶直徑達(dá)到 30 μm。
圖1 為PLA在122.5℃下的POM圖(200倍)
(2)球晶生長速率分析
為了計算純PLA樣品的球晶生長速率,本實驗選取不同結(jié)晶溫度下POM照片中的三個球晶進行連續(xù)跟蹤并測量其球晶直徑,并計算其球晶生長速率。圖2所示的是在120℃下純PLA樣品的球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系。從圖中可以看出,球晶直徑與結(jié)晶時間成線性關(guān)系,其斜率即為此溫度下的PLA樣品的球晶生長速率。從圖中可進一步看出,雖然三個球晶的晶核形成時間各有差異,但球晶生長速率非常接近,約為0.023 7 μm/s,表明樣品中球晶生速率不受晶核形成速度的影響。
圖2 純PLA在120℃時球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系
圖3所示的是不同結(jié)晶溫度時純PLA樣品的球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系。當(dāng)結(jié)晶溫度高于125℃時,純PLA樣品難以成核;當(dāng)結(jié)晶溫度低于117.5℃時,POM視場中球晶數(shù)量過多,無法跟蹤測量球晶的直徑變化。從圖中可以看出,在不同的結(jié)晶溫度下PLA樣品的球晶直徑與結(jié)晶時間均保持良好的線性關(guān)系。從它們的斜率可以出,隨著結(jié)晶溫度的升高,PLA樣品的球晶生長速率越大,說明其結(jié)晶速率越快。當(dāng)結(jié)晶溫度為125℃時,PLA的球晶生長速率達(dá)到0.025 9 μm/s。
圖3 純PLA同含量不同溫度球晶直徑跟時間的關(guān)系
2.1.2 PLA/PEG 的POM圖分析
(1)球晶形貌
如圖4所示的是PLA/5%PEG共混物在100℃下的等溫結(jié)晶偏光顯微照片,從圖中可以很清晰地看到PEG改性PLA共混物的球晶生長過程,在偏光下球晶的黑十字消光現(xiàn)象明顯,晶粒密度較低,球晶生長完善,球晶尺寸較大,這主要是因為純PLA分子間作用力強,分子鏈運動能力弱,PEG改性PLA后,增大了PLA鏈段運動的自由體積,提高了分子鏈段遷移能力,使其規(guī)整排列參與到結(jié)晶,故能形成較為完善的球晶,隨著時間的推移,要有更多聚乳酸分子參與結(jié)晶,從而球晶尺寸越來越大,直至相互交錯在一起無法繼續(xù)生長[7]。而純PLA明顯不夠清晰與完整,這就是因為純PLA分子間作用力強,相比圖1,可以看出,PEG能夠明顯改善PLA的結(jié)晶狀況。
圖4 PLA/5%PEG共混物在100℃下的POM圖(200倍)
(2)球晶生長速率分析
圖5為添加7.5%PEG的PLA共混物在偏光顯微鏡下得出的球晶尺寸同時間的線性關(guān)系圖。該樣也是在不同溫度下任選三個球晶跟蹤測量觀察的,可以看出,三個球晶的生長速率也是比較接近的,約為0.046 8 μm/s,相比圖2明顯看出其斜率要比純PLA的大,即提高了球晶生長速率,但成核速度無明顯影響,另外球晶尺寸也相對長的更大,也驗證了前面的理論。
圖5 7.5%PEG的PLA共混物球晶尺寸同時間關(guān)系
圖6是含PEG的PLA共混物在115℃得出的同溫不同含量的四條球晶尺寸對時間關(guān)系的折線圖(分別為含PEG2.5%、5%、7.5%和10%四種含量)。當(dāng)PEG含量分別為2.5%、5%、7.5%和10%時,其對應(yīng)球晶斜率分別為 0.025 6 μm/s、0.042 7 μm/s、0.061 6 μm/s和0.043 8 μm/s。由圖可以看出,當(dāng)含量從2.5%增加到7.5%時,斜率也隨之增加,也即球晶生長速率增加,當(dāng)含量增加到10%時,斜率又變小,由此可以看出,7.5%含量的PEG/PLA共混物球晶生長的最快。
圖6 PEG同溫度不同含量生球晶直徑跟時間的關(guān)系
圖7是2.5%PEG同含量不同溫度下得出的球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系折線圖。由圖7可以看出,球晶直徑與時間成良好的線性關(guān)系。圖7總共有7個溫度,分別為 102.5℃、105℃、107.5℃、110℃、112.5℃、115℃和117.5℃,其對應(yīng)球晶生長速率為0.011 μm/s、0.016 2 μm/s、0.019 7 μm/s、0.020 2 μm/s、0.022 7 μm/s、0.025 6 μm/s 和 0.026 5 μm/s,可以看出球晶生長速率越來越大。當(dāng)溫度低于102.5℃時,球晶長得比較密而且小,難以跟蹤測量其球晶直徑;當(dāng)溫度高于117.5℃時,樣品難以結(jié)晶,或者球晶邊界不清晰,長不完全,難以測量??傊?,添加了PEG后,增大了PLA鏈段運動的自由體積,提高了分子鏈段遷移能力,使其規(guī)整排列參與到結(jié)晶,故能形成較為完善的球晶,同時明顯增加了結(jié)晶速率。
2.1.3 PLA/Talc的POM圖分析
(1)球晶形貌
如圖8表示Talc含量為1%時,PLA共混物在110℃的偏光顯微照片。從圖中可以看出PLA/Talc共混物呈現(xiàn)典型的黑十字消光圖形,說明形成的是球晶形態(tài)。PLA/Talc共混物在110℃等溫結(jié)晶的偏光圖片顯示,所形成的晶粒的密度很大,球晶尺寸很小,這是因為在110℃下,Talc異相成核作用明顯,PLA成核速度快,形成的成核場所較多,一定的時間內(nèi)PLA分子鏈在Talc上著附外延生長;另外,由于PLA/Talc共混物所形成的球晶很小,可能無法單層平鋪,導(dǎo)致有多層重疊生長,而使最后偏光顯示球晶界面不清晰。
圖7 2.5%PEG同含量不同溫度下的球晶直徑跟時間的關(guān)系
圖8 為PLA/1%Talc共混物在110℃的POM圖(放大200倍)
(2)球晶生長速率分析
如圖9為添加含2%Talc的PLA球晶直徑對時間的關(guān)系折線圖。從圖9中可以看出,同一樣品在120℃下觀察的三個球晶折線圖的斜率非常接近,雖然成核時間和成核速率不一樣,但不影響生長速率,都大約0.019 3 μm/s。相比純PLA,明顯加了滑石粉的PLA的生長速率要小,這主要是由于加入滑石粉,使得核場較多,成核速度加快,球晶尺寸變小而且球晶長得很密,使得球晶生長速率降低。
圖9 含2%Talc的PLA球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系
圖10為含1%Talc的PLA在不同溫度下測得的球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系折線圖。分別測110℃、112.5℃、115℃和117.5℃四個溫度,其對應(yīng)斜率為0.007 μm/s、0.007 7 μm/s、0.009 6 μm/s、0.012 2 μm/s,斜率越來越大,表明球晶生長速率也越來越大,但是它成核時間越來越長,成核速度也越來越慢。一般情況下,通過在PLA熔體中加入一些雜質(zhì),這里為Talc,使其成為晶核,從而增加晶核的形成速率和生成密度,就可以加快PLA結(jié)晶速率,從而達(dá)到提高PLA的結(jié)晶度和結(jié)晶溫度[8]。
圖10 含1%Talc PLA在不同溫度下球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系
2.1.4 PLA/Talc/PEG 的POM圖分析
(1)球晶形貌
如圖11所示為1%Talc、5%PEG與PLA共混并在112.5℃下拍攝的POM球晶生長圖(放大200倍)。圖中每相鄰兩張圖的時間間隔為6 min,當(dāng)結(jié)晶時間為36 min左右時,球晶尺寸可以達(dá)到50 μm 左右。PEG改性PLA后,增大了PLA鏈段運動的自由體積,提高了分子鏈段遷移能力,使其規(guī)整排列參與到結(jié)晶,故能形成較為完善的球晶,而加入talc能夠增加晶核的形成速率和生成密度,就可以加快PLA結(jié)晶速率,下圖也能夠很好地體現(xiàn)出來。
圖11 為PLA/Talc/PEG共混物在112.5℃下拍攝的POM圖(放大200倍)
(2)球晶生長速率分析
如圖12為含1%talc和5%PEG的PLA共混物的球晶直徑對時間關(guān)系的折線圖,該圖為此共混物在120℃下得出的。我們對其中任意三個球晶進行跟蹤觀察并測量其直徑尺寸,很明顯同個樣品中的球晶斜率非常接近,也即生長速率相當(dāng)近似,大約為0.033 4 μm/s。從圖中還可看出,球晶直徑與時間成良好的線性關(guān)系。雖然三個球晶的晶核形成時間各有差異,但球晶生長速率非常接近,表明樣品中球晶生速率不受晶核形成速度的影響。
圖12 含1%talc和5%PEG的PLA共混物的球晶直徑與結(jié)晶時間的關(guān)系
2.2.1 PEG對PLA等溫結(jié)晶行為的影響
圖13所示的是PEG含量為5%時PLA/PEG共混物在不同溫度下的等溫結(jié)晶曲線。從圖中可以看出,在90℃時,PEG改性后的PLA共混物等溫結(jié)晶時間較長,隨著結(jié)晶溫度的逐漸升高,結(jié)晶速率提高,但結(jié)晶溫度在105℃后,結(jié)晶速率又減慢,結(jié)晶時間變長,不同含量的PLA/PEG共混物都有此現(xiàn)象[9]。
圖13 PLA/5%PEG共混物的等溫結(jié)晶曲線
圖14為PLA/PEG共混物的半結(jié)晶時間(t1/2)與結(jié)晶溫度(TC)的關(guān)系,可以看出,PLA/PEG共混物的半結(jié)晶時間都隨結(jié)晶溫度的升高先減小后增大,其中,PLA/5%PEG共混物在105℃時t1/2最短,結(jié)晶速率最快。這是由于隨著TC的提高,PLA分子鏈的運動能力增強,從而提高了球晶的生長速率;但是隨著結(jié)晶溫度進一步提高到110℃時,PLA分子鏈段熱運動加強,使得PLA晶片對PLA鏈段的約束力減弱,降低了PLA球晶的生長速率, PLA半結(jié)晶時間延長。
圖14 PLA/PEG共混物的半結(jié)晶時間t1/2與結(jié)晶溫度的關(guān)系
2.2.2 Talc對PLA等溫結(jié)晶行為的影響
圖15為滑石粉添加含量分別為1%、2%、3%和4%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))時,PLA/Talc共混物在不同溫度(95℃、100℃、105℃、110℃、115℃)下的等溫結(jié)晶DSC曲線。從圖15中可以明顯看出,在溫度為95℃時PLA/Talc共混物的等溫結(jié)晶峰型比較窄,結(jié)晶速率在此溫度時較快,隨著Tc的提高,結(jié)晶峰型逐漸變寬,可見PLA/Talc共混物的結(jié)晶所需時間變長,結(jié)晶速率變慢,但PLA/Talc共混物的結(jié)晶度逐漸增大,說明在較高的Tc下PLA分子鏈運動受熱運動的影響而過于激烈,使PLA分子鏈不易規(guī)整排列參與結(jié)晶;同時也說明PLA/Talc共混物的等溫結(jié)晶行為強烈依賴于Tc的變化。在相同的Tc下(如95℃),隨著Talc含量的增加,PLA/Talc共混物等溫結(jié)晶時結(jié)晶放熱峰的位置逐漸向低溫偏移,結(jié)晶峰型變窄,結(jié)晶放熱焓也隨之增加,這說明Talc加入到PLA基體后,在PLA/Talc體系中起到了異相成核的作用,所提高的PLA成核場所逐漸增多,有利于PLA分子鏈圍繞Talc有序排列凝聚過程的發(fā)生,導(dǎo)致PLA分子鏈更容易參與結(jié)晶,PLA/Talc共混物的結(jié)晶能力增強,因此隨著Talc含量的增加,引起PLA/Talc復(fù)合體系的結(jié)晶放熱峰位置在低溫出現(xiàn),結(jié)晶速度加快,異相成核作用明顯且逐漸增強[10]。對圖15中的標(biāo)準(zhǔn)化熱流曲線進行積分,得到PLA/Talc共混物等溫結(jié)晶的相對結(jié)晶度隨時間的變化關(guān)系,如圖16所示。
圖15 不同含量PLA/Talc共混物的等溫結(jié)晶DSC曲線
如圖16所示為添加不同含量的Talc時,PLA/Talc共混物在不同溫度下的相對結(jié)晶度對時間的關(guān)系曲線。由圖16可以看出,在相同的Talc含量下,達(dá)到一定的相對結(jié)晶程度,在95℃時等溫結(jié)晶的PLA/Talc共混物所需的結(jié)晶時間最短,隨著Tc的提高,PLA/Talc共混物的結(jié)晶速率逐步降低,結(jié)晶時間逐漸增大。
Avrami方程的一般形式為:
取上述方程的對數(shù)形式:
其中,Xt為結(jié)晶度,K指包括成核速率參數(shù)和生長速率參數(shù)的復(fù)合速率常數(shù),n為Avrami指數(shù),與成核機理和生長方式有關(guān)的參數(shù),等于生長空間維數(shù)和成核過程的時間維數(shù)之和,不同成核方式和生長類型的Avrami指數(shù)不同,一般情況下,對于一維生長(針狀晶體),異相成核n為1、均相成核為2;對于二維生長(片狀晶體),異相成核n為2、均相成核為3;對于三維生長(球晶),異相成核n為3、均相成核為4[11]。
圖16 不同含量的PLA/Talc共混物相對結(jié)晶度與結(jié)晶時間的關(guān)系
根據(jù)上式作出 lg[-ln(1-Xt)]對lgt的關(guān)系曲線,從曲線線性捏合的斜率和截距可以分別得到n和lgK,以 lg[-ln(1-Xt)]對=lgt作圖,可以得到圖17。
圖17 PLA/2%Talc共混物的等溫結(jié)晶log[-ln(1-Xt)]對logt的關(guān)系曲線
如圖17表示Talc含量為2%時,PLA/Talc共混物在不同溫度下等溫結(jié)晶log[-ln(1-Xt)]與logt的關(guān)系曲線??梢詮膱D17中看出,PLA/Talc共混物的log[-ln(1-Xt)]與logt在開始階段具有良好的線性關(guān)系,到后期階段直線發(fā)生偏離,出現(xiàn)非線性關(guān)系,后期的非線性關(guān)系說明PLA/Talc共混物除了存在主結(jié)晶階段,還存在二次結(jié)晶階段,引起二次結(jié)晶的原因主要是由于:一方面PLA球晶內(nèi)部的結(jié)構(gòu)調(diào)整使結(jié)晶進一步完善;另一方面PLA球晶表面未接觸部分的繼續(xù)生長。對開始階段線性關(guān)系良好的部分進行線性捏合,可以分別從斜率和截距部分得到PLA/Talc共混物的Avrami指數(shù)n和lgK值。
如表4中列出了4種PLA/Talc共混物在不同溫度下等溫結(jié)晶的結(jié)晶參數(shù)(Xt、n、lgK、t1/2、tmax),其中t1/2表示結(jié)晶完善程度達(dá)到一半的時間、tmax為結(jié)晶峰值所對應(yīng)的結(jié)晶時間。從表4中可以看出,隨著等溫結(jié)晶溫度的提高,PLA/Talc共混物的logK值都隨之減小,表明結(jié)晶速率逐漸下降;并且PLA/Talc復(fù)合體系的半結(jié)晶時間t1/2和tmax也隨著Tc的提高而縮短,充分說明了PLA/Talc復(fù)合體系的等溫結(jié)晶速率隨著Tc的提高而下降。表中4種共混物的Avram指數(shù)n在2.01~2.44之間,變化范圍較小,說明PLA/Talc復(fù)合體系成核機理和生長方式并沒有改變。在同一等溫結(jié)晶溫度下(例如105℃),隨著Talc添加含量的增加,PLA/Talc共混物的Xt有增大的趨勢,表明隨著Talc含量的增加,異相成核作用增強。
表4 PLA/Talc共混物的等溫結(jié)晶參數(shù)
(1)PEG能改善PLA的結(jié)晶性能,PEG能減小PLA分子鏈作用力,類似于增塑劑的作用效果,使PLA分子鏈運動能力增強,有利于規(guī)整排列參與到結(jié)晶;在等溫結(jié)晶過程中,PLA/PEG共混物的t1/2都隨Tc的升高先減小后增大,在105℃時,PLA/5%PEG共混物t1/2最短,t1/2為6 min,結(jié)晶速率最快;Tc提高到110℃,t1/2延長到11 min。
(2)PEG可以提高PLA結(jié)晶溫度區(qū)間,隨著PEG含量的增加,促使PLA的Tc逐漸在高溫出現(xiàn),PEG的含量由2.5%增加到12.5%,Tc提高了7℃,但PEG含量達(dá)到12.5%時,由于PEG對晶核的溶劑化效應(yīng)破壞形成的PLA晶核,會降低PLA的結(jié)晶度,由24%降到18%。
(3)采用Talc作為PLA的成核劑是一種有效的成核劑,Talc能改善PLA共混物的等溫結(jié)晶行為,隨著Talc含量的增加,結(jié)晶速率提高, PLA共混物等溫結(jié)晶的Avrami指數(shù)n在 2.01~2.44左右;隨著Tc的提高,PLA/Talc共混物的結(jié)晶速率變慢,但共混物的結(jié)晶度增大。
(4)純PLA在降溫冷卻結(jié)晶過程中,無結(jié)晶峰出現(xiàn),而Talc作為PLA的成核劑使PLA共混物出現(xiàn)明顯的結(jié)晶峰,充分說明Talc是有效的成核劑;隨著Talc含量的增加,PLA共混物的Tc向高溫偏移,結(jié)晶度提高,Talc異相成核作用變強。
(5)Talc起到了異相成核作用,增加了PLA共混物的成核密度,成核速率較快,PLA在Talc外延附著生長,所形成的球晶尺寸小。
(6)PTaPEG共混物在1℃/min時Tc為109.63℃,結(jié)晶度為30.80%,隨著降溫速率的增加,PTaPEG共混物的Tc向低溫偏移,結(jié)晶度減小,結(jié)晶速率提高。
(7)在降溫速率為1℃/min時,PPEG5共混物的Tc為90.34℃,結(jié)晶度為20.91%,但結(jié)晶速率慢;在PEG含量不變的情況下(5%),Talc的加入,使PLA的Tc向高溫偏移,結(jié)晶度提高,結(jié)晶峰型變窄,t1/2縮短,結(jié)晶速率提高,主要是由于Talc的存在,在高溫區(qū)較早地形成了PLA的成核場所,增加了晶核密度,使PLA分子鏈Talc外延附著生長。