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一種基于HMSIW的雙頻段縫隙天線設(shè)計(jì)

2019-01-10 02:09董湘龍耿鴻健
自動(dòng)化與儀表 2018年12期
關(guān)鍵詞:基片頻點(diǎn)波導(dǎo)

董湘龍 ,張 文 ,耿鴻健 ,黃 旻

(1.核工業(yè)二三〇研究所,長(zhǎng)沙 410007;2.陸軍步兵學(xué)院二大隊(duì),南昌 330103;3.深圳市沃土科技有限公司,深圳518109)

波導(dǎo)縫隙陣列天線因其結(jié)構(gòu)緊湊、饋電網(wǎng)絡(luò)與輻射一體化,且具有高增益、窄波束、超低副瓣等特性,在雷達(dá)和通信系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛;但其尺寸相對(duì)較大,加工成本高,且不易與微波毫米波平面電路集成,極大地限制其實(shí)際應(yīng)用。微帶天線具有平面電路結(jié)構(gòu),易與微波毫米波電路集成,加工設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便;但其傳輸損耗大,功率容量小,也不適于全面推廣[1-2]。而半?;刹▽?dǎo)HMSIW(half-mode substrate integrated waveguide)卻很好地克服這些缺陷[3-4];HMSIW不僅繼承了波導(dǎo)的低損耗、高Q值、大功率容量的優(yōu)點(diǎn),而且保留了基片集成波導(dǎo)SIW(substrate integrated waveguide)低輪廓、易集成、低成本及高可靠性的優(yōu)勢(shì)?;贖MSIW的縫隙陣列天線,相比于微帶、SIW等傳輸線天線,具有更低的插損,且相對(duì)于SIW其尺寸縮減近50%,便于微波毫米波電路系統(tǒng)高集成、小型化的發(fā)展[5]。

本文通過(guò)等效電路模型分析HMSIW單條橫向縫隙的諧振特性,推導(dǎo)起諧振設(shè)計(jì)公式,并將其應(yīng)用于HMSIW雙頻縫隙諧振天線的結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì),利用HFSS進(jìn)行了仿真優(yōu)化,在頻點(diǎn)5.60 GHz和7.90 GHz實(shí)現(xiàn)高增益的輻射特性。

1 天線結(jié)構(gòu)與理論

1.1 基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)

如圖1所示,基片集成波導(dǎo)內(nèi)部傳輸?shù)闹髂門E10模,其傳播常數(shù)及輻射損耗由w、s、d決定?;刹▽?dǎo)可以等效為傳統(tǒng)的介質(zhì)填充矩形波導(dǎo),所以對(duì)SIW的分析就可以用等效的介質(zhì)填充矩形波導(dǎo)來(lái)替代。

圖1 基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)示意Fig.1 Schematic diagram of substrate integrated waveguide structure

基片集成波導(dǎo)和矩形波導(dǎo)之間的等效關(guān)系式表示如下[6-7]:

其中:

1.2 半模基片集成波導(dǎo)縫隙天線理論與設(shè)計(jì)

HMSIW的傳播特性與矩形波導(dǎo)相近,根據(jù)式(1)和式(2)可確定工作在TE10半膜基片集成波導(dǎo)的寬度WHMSIW,通過(guò)矩形波導(dǎo)某一模式波型的等效阻抗公式(3)來(lái)計(jì)算相應(yīng)寬度的HMSIW的等效阻抗:

對(duì)于SIW和矩形波導(dǎo)傳輸?shù)闹髂DJ絋E10,其等效阻抗計(jì)算公式為

式中:Zc為該模式的特性阻抗;h和W分別為矩形波導(dǎo)的高和寬;η=377/εr()1/2為波阻抗;λ為工作波長(zhǎng)[7]。

設(shè)計(jì)的基于HMSIW的諧振頻率為5.6 GHz和7.9 GHz,雙頻段縫隙天線的結(jié)構(gòu)如圖2所示,波導(dǎo)諧振腔是由上下表面金屬覆銅的介質(zhì)基板構(gòu)成,一側(cè)邊開放,而另一側(cè)邊則是均勻排列的金屬化通孔。該天線選用h=1 mm厚度的Rogers 5880介質(zhì)基板,其相對(duì)介電常數(shù)(εr)為 2.2,損耗切角(tanδ)為0.001。

圖2 HMSIW雙頻縫隙天線結(jié)構(gòu)示意Fig.2 HMSIW dual-band antenna structure diagram

HMSIW的主要傳輸模式為TE模電磁波,電磁波在其內(nèi)部的場(chǎng)分布與傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)、SIW中TE模式分布類似。因此可利用波導(dǎo)等效電路模型來(lái)研究HMSIW縫隙陣列天線的諧振特性。HMSIW縫隙陣列天線由一系列蝕刻的縫隙單元組成,通過(guò)分析其單元傳輸性能,推導(dǎo)出雙頻諧振縫隙天線結(jié)構(gòu)的初始參數(shù),利用HFSS仿真對(duì)結(jié)構(gòu)優(yōu)化,進(jìn)而獲得天線的最優(yōu)結(jié)構(gòu)尺寸參數(shù)。HMSIW單個(gè)橫向縫隙輻射單元結(jié)構(gòu)示意圖及其相應(yīng)等效電路傳輸線模型如圖3所示。圖中R0為HMSIW傳輸線的特性阻抗[8]。

圖3 HMSIW縫隙單元結(jié)構(gòu)及其等效電路模型Fig.3 HMSIW slot unit structureand its equivalent circuit model

圖3的等效電路模型左側(cè)為電磁波信號(hào)的輸入端,右側(cè)則為輸出端,左、右兩端口的阻抗匹配,等效傳輸線模型的電壓與電流可用下式表示:

式中:A、C是等效傳輸模型兩端電磁波信號(hào)的輸入與輸出增幅系數(shù);B是信號(hào)的回?fù)p系數(shù)。式(5)滿足以下邊界條件:

式(5)代入式(6)后,可得:

歸一化阻抗簡(jiǎn)化為

式中,當(dāng)Z/R0為實(shí)數(shù)時(shí),HMSIW橫向縫隙單元結(jié)構(gòu)為諧振狀態(tài),可向空間輻射電磁能量。此外,HMSIW橫向縫隙單元結(jié)構(gòu)的歸一化阻抗可用散射S參數(shù)表示,即:

HMSIW橫向縫隙單元結(jié)構(gòu)的自阻抗為(不考慮各縫隙間互耦):

式中:Zai為輻射縫隙的阻抗;Ii為模式電流;vsi為橫跨縫隙的模式電壓;函數(shù) fi、K可寫為

式中:ti、li分別為第個(gè)橫向縫隙的寬度、 長(zhǎng)度;kx、kz為HMSIW中電磁波在x、z方向傳播波數(shù);kli為橫向縫隙單元結(jié)構(gòu)中電磁波的傳播波數(shù)。由于TE0.5,0為 HMSIW 的傳輸主模,則 kx=π/[2(w-xw)],kli=π/[2(li-xli)],xw、xli分別表示在 HMSIW 與橫向縫隙單元結(jié)構(gòu)中x方向電場(chǎng)最大位置。

基于式(9)和式(10)可推得 HMSIW雙頻諧振縫隙天線的初始結(jié)構(gòu)參數(shù),并利用仿真軟件HFSS進(jìn)行仿真優(yōu)化,最后所得的優(yōu)化后結(jié)構(gòu)參數(shù)如表1所示。

表1 HMSIW雙頻縫隙天線結(jié)構(gòu)參數(shù)(mm)Tab.1 HMSIW dual-frequency slot antenna structure parameters(mm)

圖4為HMSIW四元雙頻諧振縫隙天線反射系數(shù)仿真結(jié)果。從圖中可以看出,縫隙天線可同時(shí)工作于諧振頻點(diǎn)5.6 GHz和7.9 GHz,其相應(yīng)的反射系數(shù)分別為-17.9 dB和-26.1 dB。

圖4 雙頻縫隙天線反射系數(shù)的仿真結(jié)果Fig.4 Simulation results of reflection coefficient of dual-frequency slot antenna

2 實(shí)驗(yàn)測(cè)試

天線E、H面的歸一化輻射方向圖仿真結(jié)果如圖5所示,在頻點(diǎn)5.6 GHz,天線在E面具有全向輻射特性,且H面方向圖關(guān)于xoz面對(duì)稱;在7.9 GHz,其E、H面輻射方向則為定向輻射,E、H面的方向圖關(guān)于yoz面近似對(duì)稱,且其輻射主瓣在垂直方向。

圖5 天線的輻射仿真方向圖Fig.5 Antenna radiation simulation pattern

為驗(yàn)證設(shè)計(jì)方法的有效性與仿真結(jié)果的正確性,針對(duì)上述例子,利用PCB工藝對(duì)設(shè)計(jì)的HMSIW雙頻諧振縫隙天線進(jìn)行加工,其實(shí)物如圖6所示。

圖6 HMSIW四元雙頻縫隙天線Fig.6 HMSIW quaternary dual-frequency slot antenna

測(cè)試結(jié)果如圖7所示。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,測(cè)試與仿真結(jié)果基本吻合,雙頻諧振縫隙天線可工作于頻點(diǎn) 5.51 GHz和 7.74 GHz, 其對(duì)應(yīng)的頻率帶寬 (S11<-10 dB)分別為55 MHz和50 MHz。對(duì)比仿真數(shù)據(jù),天線的諧振頻點(diǎn)均向低頻方向發(fā)生頻移。圖8為天線在諧振頻點(diǎn)E、H面歸一化輻射方向圖的測(cè)試結(jié)果,從圖可知,在諧振頻點(diǎn)的測(cè)試輻射方向圖與圖5中的仿真結(jié)果基本一致。

圖7 天線的測(cè)試結(jié)果Fig.7 Antenna test result

圖8 天線測(cè)試方向圖Fig.8 Antenna test pattern

表2為天線在諧振頻點(diǎn)增益的仿真與測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比,由表中可知,雙頻諧振縫隙天線增益的測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果存在約1 dB左右的損耗差異。

表2 HMSIW四元雙頻縫隙諧振天線增益Tab.2 HMSIW quaternary dual-frequency slot resonance antenna gain

3 結(jié)語(yǔ)

雙頻縫隙諧振天線工作于C波段,損耗低,增益均高于5.9 dBi,利于研制高增益天線。其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊,僅由HMSIW和橫向縫隙構(gòu)成,在PCB板上即可實(shí)現(xiàn),易于與其他電路集成,成本低。

仿真與測(cè)試結(jié)果的整體趨勢(shì)吻合,但存在一定差異,這可能是由天線自身的導(dǎo)體損耗、介質(zhì)材料損耗及轉(zhuǎn)換阻抗失配等因素共同引起的,有待改良設(shè)計(jì)。

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