楊志源 張海敬 孫媛媛

摘 ?要：石墨烯由于具有優(yōu)異的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用前景而備受關(guān)注，石墨烯納米帶具有自旋極化的邊界態(tài)，在自旋電子學(xué)領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價值，因此，石墨烯納米帶的制備具有重要的研究意義。該文對目前關(guān)于石墨烯納米帶的制備方法進(jìn)行了總結(jié)，并對這些制備方法做了對比分析。

關(guān)鍵詞：石墨烯納米帶 ?制備方法 ?上而下 ?自下而上

中圖分類號：O469 ? 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1672-3791（2019）12（c）-0001-05

Abstract： Graphene attract much attentions for its excellent properties and good prospects of application. Graphene nanoribbons with spin polarized edge states， has potential applications in the spintronic devices. Thus， the preparation of graphene nanoribbons is significance. In this paper， the preparation methods of graphene nanoribbons are summarized and disscussed.

Key Words： Graphene nanoribbons; Preparation methods; Top-down; Bottom-up

石墨烯，一種碳原子以sp2雜化軌道組成的六角形蜂巢結(jié)構(gòu)的二維碳納米材料，具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)和力學(xué)特性，在材料學(xué)、能源和生物醫(yī)學(xué)等方面具有廣泛的應(yīng)用前景[1，2]。

石墨烯納米帶為寬度小于100nm的一維石墨烯，在邊界限域效應(yīng)下成為半導(dǎo)體[3]。鋸齒型的石墨烯納米帶具有自旋極化的邊界態(tài)，在自旋電子學(xué)領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價值而備受關(guān)注。由此可見，石墨烯納米帶的制備及其磁性研究具有重要的意義。石墨烯納米帶的制備方法可分為兩大類，分別為自上而下法和自下而上法，如圖1所示。自上而下法，通常以碳納米管或石墨烯為原材料制備獲得石墨烯納米帶。自下而上法，以含有碳元素的氣體或有機(jī)物為原材料生長獲得石墨烯納米帶。該文分別從這兩個角度，對目前石墨烯納米帶的制備方法進(jìn)行總結(jié)與對比分析。

1 ?自上而下法制備石墨烯納米帶

1.1 氧化切割法

2009年，Kosynkin等人提出采用H2SO4與KMnO4的混合液氧化切割多壁碳納米管，可制備獲得氧化石墨烯納米帶，該種方法獲得的石墨烯納米帶在邊緣和表面鍵和了大量的氧官能團(tuán)[5]。采用該方法裂解單壁碳納米管制備單層石墨烯納米帶的研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯納米帶與碳管纏繞在一起很難分離。2010年，Higginbotham等人對氧化切割法的實驗條件進(jìn)行了詳細(xì)的研究，通過對酸的濃度、反應(yīng)時間與溫度等條件的調(diào)控來改變碳納米管的剪開程度，闡明了氧化劑、反應(yīng)時間與溫度對多壁碳納米管剪開程度的影響[6]。基于以上研究，2015年Sahu等人通過調(diào)控氧化切割的反應(yīng)時間制備獲得，含有孔洞直徑約為30～50nm的多孔氧化石墨烯納米帶（見圖2）[7]。采用氧化切割法制備石墨烯納米帶，具有過程簡單、成本低廉、獲得石墨烯納米帶尺寸相對均勻等優(yōu)點。由于在氧化切割過程中在其表面和邊界鍵和了大量的氧官能團(tuán)，在去氧過程中又會引入一些缺陷，導(dǎo)致其性能變差，在應(yīng)用上受到一定限制。

1.2 高溫高壓蒸汽裂解法

高溫蒸汽裂解碳納米管制備石墨烯納米帶的實驗方法，是基于1985年Yang等人提出的固態(tài)碳基可以與熱蒸汽反應(yīng)生成氣態(tài)燃料，即C+H2O=C（O）+H2[8]。2011年，Han等人提出采用高溫高壓水蒸氣可在氧化石墨烯中刻蝕產(chǎn)生孔洞，制備獲得多孔氧化石墨烯[9]。2013年，Zhuang等人以碳納米管為原料采用高溫高壓水蒸氣裂解多壁碳納米管，制備獲得石墨烯納米帶，如圖3所示[10]。在高溫高壓狀態(tài)下，碳納米管中的碳原子與水蒸氣反應(yīng)生成一氧化碳，從而達(dá)到裂解碳管獲得石墨烯納米帶的目的。2018年Hu等人提出，采用水與低濃度硫酸的混合高壓蒸汽裂解碳納米管，可獲得溶解性更好、更加平展的石墨烯納米帶[11]。采用高溫高壓蒸氣裂解碳管制備的石墨烯納米帶，相對于氧化切割法含有的氧官能團(tuán)和缺陷相對較少，并且該方法具有工藝簡單、環(huán)保、高效等優(yōu)點。

1.3 金屬納米顆粒催化法

金屬納米顆粒催化法，利用磁控濺射或化學(xué)沉積將金屬納米顆粒分散到石墨烯或碳納米管的表面，在納米顆粒（Fe、Co、Ni等）的催化作用下，氣體與碳納米管中的碳原子反應(yīng)，將碳納米管裂解產(chǎn)生石墨烯納米帶[12]。2008年，Datta等人用熱激發(fā)的Fe納米顆粒為催化劑，使得石墨烯中的碳原子與氫氣反應(yīng)生成甲烷氣體，可獲得長達(dá)微米級的邊界[13]。2009年，Campos等人提出用熱激發(fā)的Ni納米顆粒的催化作用下，石墨烯中的碳與氫的反應(yīng)生成甲烷氣體，如圖4所示，可制備獲得邊界多沿鋸齒型、寬度小于10nm的石墨烯納米帶[14]。2009年，Sch?ffel等人以鈷納米顆粒為催化劑，多層石墨烯中的碳原子與氫氣反應(yīng)，獲得邊界沿扶手椅型的石墨烯納米帶[15]。金屬納米顆粒催化法制備石墨烯納米帶，由于不需要任何氧化劑制備獲得石墨烯納米帶缺陷相對較少。然而，由于金屬納米顆粒的運動具有無規(guī)則性，導(dǎo)致產(chǎn)生的納米帶寬度不均勻。

1.4 等離子體刻蝕法

2009年，Bai等人提出以硅納米線作為石墨烯的物理防護(hù)掩膜，采用氧氣等離子體刻蝕，可制備獲得寬度在10nm以下的石墨烯納米帶[16]。通過調(diào)控納米線的直徑和蝕刻條件，可以很好地控制產(chǎn)生石墨烯納米帶的寬度。2009年，Jiao等人用Ar氣等離子體刻蝕刻蝕沉積在硅底襯上并以聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）為掩膜的碳納米管，得到邊緣光滑的石墨烯納米帶，如圖5所示[17]。PMMA具有相對較低的粘稠度和良好的濕潤性能使其在多壁碳納米管表面形成保護(hù)層，使碳納米管快速的縱向分裂，可通過改變碳納米管來調(diào)控石墨烯納米帶的層數(shù)和寬度。2010年，Xie等人提出采用氫氣等離子體在300℃下刻蝕石墨烯納米帶，可獲得寬度低于5nm、邊界鍵和氫鍵的石墨烯納米帶[18]。

采用等離子體刻蝕法制備石墨烯納米帶，多以石墨烯或碳納米管為原材料，在模板的保護(hù)下進(jìn)行等離體子刻蝕。該方法制備石墨烯納米帶，實驗方法相對簡單、產(chǎn)量較高，然而其邊界同樣含有缺陷。

2 ?自下而上法制備石墨烯納米帶

2.1 化學(xué)氣相沉積法

化學(xué)氣相沉積法，利用氣態(tài)的先驅(qū)反應(yīng)物，通過化學(xué)反應(yīng)使得氣態(tài)前驅(qū)體中的某些成分分解在基體上形成薄膜。采用化學(xué)氣相沉積法可高產(chǎn)量制備石墨烯納米帶。 2008年，Campos等人以乙醇溶解FeCp2與C4H4S的混合物作為前驅(qū)體，采用化學(xué)氣相沉積法制備獲得高結(jié)晶的石墨烯帶[19]。2009年，Wei等人首先在硅襯底上生長獲得硫化鋅納米帶，然后以甲烷為碳源在硫化鋅納米帶上制備獲得石墨烯納米帶[20]。2011年，Pan等人提出一種基于化學(xué)氣相沉積的褶皺工程法，來制備取向相對較好的石墨烯納米帶（圖6）[21]。首先，以具有納米褶皺的銅箔為沉底，采用化學(xué)氣相沉積法以甲烷為碳源制備獲得石墨烯。然后，將褶皺石墨烯轉(zhuǎn)移到SiO2/Si的襯底上，采用等離子體刻蝕去除部分石墨烯，獲得石墨烯納米帶。該方法制備獲得的石墨烯納米帶多數(shù)寬度在10nm以下，其寬度、長度一致性較好，具有帶隙。

化學(xué)氣相沉積法能夠?qū)崿F(xiàn)石墨烯納米帶的大批量生產(chǎn)，通過調(diào)控沉積時間和碳源能夠制得不同層數(shù)的石墨烯納米帶。該方法制備獲得的石墨烯納米帶多具有開放性邊緣，適合研究石墨烯納米帶的電子性質(zhì)。

2.2 有機(jī)合成法

有機(jī)合成法制備的石墨烯納米帶，具有很好的邊界取向、其長度和帶寬一致性較好。2010年Cai等人提出，以10，10-dibromo-9，9-bianthryl為前驅(qū)體，在Au沉底上生長獲得沿扶手椅邊界、兩邊界之間含有7個碳原子的石墨烯納米帶（見圖7）;采用tetraphenyl-triphenylene 為前驅(qū)體，可制備獲得V型的石墨烯納米帶[22]。2011年，Dossel等人以聚苯乙烯為前驅(qū)體通過利用FeCl3進(jìn)行氧化脫氫環(huán)化反應(yīng)，合成結(jié)構(gòu)完美的石墨烯納米帶[4]。該方法制備的石墨烯納米帶長度可達(dá)40nm且溶解性好，易于進(jìn)行制備電子器件的實際應(yīng)用。2016年，Nguyen等人同樣采用脫氫環(huán)化反應(yīng)，以10，10′-dibromo-9，9′-bisanthracene為前驅(qū)體在Au沉底上合成了邊界沿扶手型、部分邊界摻S的石墨烯納米帶[23]。2016年Yang等人報道了以2，6-dialkynyl-p-phenylene為前驅(qū)體，制備獲得溶解性好、帶寬僅為0.5nm的窄石墨烯納米帶[24]。

有機(jī)合成法制備獲得的石墨烯納米帶，多具有很好的取向性，能夠精確控制納米帶的帶寬。然而，有機(jī)合成法不可避免地存在著產(chǎn)量低、制作過程復(fù)雜的問題，因此，盡管有機(jī)合成法獲得的石墨烯納米帶性能優(yōu)良，但由于產(chǎn)量較低難以投入實際應(yīng)用。

3 ?結(jié)語

該文對石墨烯納米帶的制備方法進(jìn)行了總結(jié)與對比分析。石墨烯納米帶的制備方法大致分為兩大類，分別為自上而下法和自下而上法。自上而下法，通常以石墨烯或碳納米管為原材料，通過氧化切割、高壓蒸汽裂解、金屬催化、等離子刻蝕等方法制備獲得石墨烯納米帶。自下而上法，以含有碳元素的氣體或有機(jī)物為原材料制備獲得石墨烯納米帶，化學(xué)氣相沉積法、有機(jī)合成法等。自上而下法制備的石墨烯納米帶，產(chǎn)量相對較高，然而通常含有很多缺陷，導(dǎo)致性能不好、限制了其在自旋電子學(xué)中的實際應(yīng)用。自下而上法制備石墨烯納米帶，通常能夠精確控制石墨烯納米帶的邊界、寬度及長度，然而通常實驗方法比較復(fù)雜、制備成本較高、且產(chǎn)量較低，難以投入實際應(yīng)用。綜上可見，石墨烯納米帶制備對于其在自旋電子學(xué)中的應(yīng)用具有重要意義，高產(chǎn)量制備邊界、寬度及長度可控的石墨烯納米帶還有待于深入研究。

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