梁晉潔 高寧 李玉紅

1) (蘭州大學核科學與技術學院, 蘭州 730000)

2) (中國科學院近代物理研究所, 蘭州 730000)

3) (中國科學院大學核科學與技術學院, 北京 100049)

在材料輻照損傷過程中, 間隙型位錯環(huán)的形成及動力學行為嚴重影響材料在輻照條件下的服役行為.在常用的以體心立方鐵為基的合金材料中, 1/2 〈111〉 和 〈100〉 是兩種主要的位錯環(huán), 其對輻照損傷的影響一直都是核材料領域研究的熱點之一.在之前的研究中, 人們對{111}面與單個1/2 〈111〉 位錯環(huán)的相互作用進行了深入研究, 發(fā)現(xiàn)表面對位錯環(huán)性質(zhì)確實有重要的影響.采用分子動力學方法, 在原子尺度詳細研究了另一個重要的表面鐵{100}面對 〈100〉 間隙型位錯環(huán)動力學過程的影響.模擬發(fā)現(xiàn)位錯環(huán)伯格斯矢量與表面法線方向的關系、距表面的深度、位錯環(huán)之間的相互作用以及溫度等, 都對位錯環(huán)與表面的相互作用產(chǎn)生重要影響, 其中, 表面作用下的伯格斯矢量的演化以及 〈100〉 位錯環(huán)在此過程中的一維運動首次被發(fā)現(xiàn).基于這些模擬結(jié)果, 就 〈100〉 位錯環(huán)對表面輻照損傷結(jié)構(gòu)的影響進行詳細地研究, 給出 〈100〉 位錯環(huán)對表面凹凸結(jié)構(gòu)的貢獻, 這些結(jié)果為理解輻照過程中材料表面的演化提供一種可能的解釋.

1 引 言

載能粒子與物質(zhì)相互作用中, 當粒子傳遞給材料中的原子能量超過其離位閾能時, 原子會離開其原來的晶格點陣位置, 形成間隙子同時留下空位缺陷, 在實際輻照環(huán)境中, 大量的載能粒子與物質(zhì)相互作用會形成過飽和的間隙子和空位, 它們或者發(fā)生湮滅, 或者被其他缺陷捕獲, 或者同類型缺陷之間相互作用, 形成團簇等缺陷.間隙子團簇主要形成間隙型位錯環(huán), 其伯格斯矢量不在慣習面內(nèi), 因此, 其性質(zhì)與常見的剪切位錯環(huán)不同; 而空位的團簇, 可以形成空洞、空位型位錯環(huán)和堆垛層錯等.除此之外, 輻照還會誘發(fā)沉積相等缺陷, 造成輻照損傷, 嚴重影響材料的服役性能, 其中位錯環(huán)是輻照損傷的主要缺陷之一.目前核裂變、核聚變以及加速器驅(qū)動核廢料嬗變系統(tǒng)均以體心立方(BCC)鐵(Fe)基合金作為結(jié)構(gòu)材料, 因此, 研究Fe中的輻照損傷缺陷對于核能用結(jié)構(gòu)材料的選擇具有重要意義.

Fe中常見的間隙型位錯環(huán)按照其伯格斯矢量的不同, 主要有兩種1/2 〈111〉 和 〈100〉[1,2], 理論上,Fe中1/2 〈111〉 位錯環(huán)在低溫時穩(wěn)定, 高溫時以〈100〉位錯環(huán)為主[3].在經(jīng)過輻照后的Fe薄膜中,溫度高于 400 ℃ 時, 以 〈100〉 位錯環(huán)為主[4?6].然而, 室溫下Fe樣品透射電鏡觀察結(jié)果顯示, 存在1/2 〈111〉 和 〈100〉 混合態(tài)[2,7], 溫度升高到 300 ℃ 時,位錯環(huán)將自發(fā)地從1/2 〈111〉 轉(zhuǎn)變?yōu)?〈100〉 伯格斯矢量[8].對于位錯環(huán)的研究, 萬發(fā)榮研究組[9?12]做了細致深入的工作, 他們用透射電子顯微鏡表征了不同位錯環(huán)的微觀結(jié)構(gòu)并闡述了對應的演化過程, 并詳細研究不同溫度、合金元素及氫氦存在時對位錯環(huán)結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的影響.除了位錯環(huán)本身結(jié)構(gòu)和性質(zhì)外, 在BCC金屬中, 位錯環(huán)與外部應力場的相互作用[13]一直是研究熱點, 如位錯環(huán)在拉壓應力場下的演化過程[14], 應力場下的有氦泡擠出位錯環(huán)形成過程[15], 界面應力場對位錯環(huán)形成的影響[16]以及由雙氦泡形成的應力場對位錯環(huán)演化的影響[17]等, 這些均表明位錯環(huán)的形成和演化受到應力場的影響.除了上述可能的應力場之外, 當表面存在時,由于表面效應/應力的影響, 棱柱位錯環(huán)容易被自由表面所吸收[18].Terentyev等[19]的研究表明：〈100〉位錯環(huán)的遷移能高于1/2 〈111〉 環(huán), 所以 〈100〉位錯環(huán)更穩(wěn)定.分子動力學模擬同樣表明, 1/2〈111〉的棱柱狀位錯環(huán)的遷移勢壘低于0.1 eV, 具有較強的擴散性, 可以沿著伯格斯矢量方向快速的做一維擴散運動[20,21].這些研究表明1/2 〈111〉 較〈100〉位錯環(huán)更容易與自由表面發(fā)生相互作用.Fikar等[22?24]對 1/2 〈111〉 與自由表面的相互作用已經(jīng)做了較為系統(tǒng)的研究, 并對 〈100〉 和1/2〈111〉位錯環(huán)能量與深度的關系也做了研究, 但目前尚無研究自由表面是如何影響Fe中 〈100〉 位錯環(huán)移動的, 考慮到 〈100〉 位錯環(huán)與1/2 〈111〉 位錯環(huán)的不同,同樣需要開展相應的研究揭示此種位錯環(huán)與表面的相互作用及對輻照損傷性能的影響, 因此, 本文利用分子動力學方法, 研究單晶Fe中的 〈100〉 位錯環(huán)與自由表面在原子尺度上的相互作用過程.

2 計算方法

2.1 計算模型

根據(jù)本文的研究目的, 計算模型主要包含表面及表面下間隙型位錯環(huán).位錯環(huán)為間隙型位錯環(huán),伯格斯矢量為 〈100〉 , 慣習面為{100}, 初始狀態(tài)設定為伯格斯矢量垂直于慣習面, 位錯環(huán)半徑為1 nm.根據(jù)伯格斯矢量的方向以及表面對位錯環(huán)影響的大小, 選擇{100}表面為主要與 〈100〉 位錯環(huán)相互作用并能揭示表面效應的微觀缺陷結(jié)構(gòu); 在模型的構(gòu)建中, BCC Fe基體大小定義為20 nm ×17.1 nm × 17.1 nm, 厚度為20 nm, 為更清晰地反映表面與位錯環(huán)的相互作用, 上下兩個表面設定為真空自由表面.因此, 根據(jù)位錯環(huán)伯格斯矢量與表面法線的關系, 建立的計算模型主要包括伯格斯矢量與表面法線平行(圖1(a))和垂直(圖1(b))兩種情況; 根據(jù)是否有不少于兩個具有相互作用的位錯環(huán)以影響位錯環(huán)與表面的相互作用, 計算模型分為單個位錯環(huán)與表面的相互作用和兩個不同伯格斯矢量取向的位錯環(huán)與表面相互作用的微觀結(jié)構(gòu)(圖1(c)).除了考慮伯格斯矢量方向和位錯環(huán)數(shù)目的影響, 也對不同深度的位錯環(huán)與表面相互作用過程進行了模擬, 具體的深度距離(d )定義如下：對于伯格斯矢量與表面法線平行的結(jié)構(gòu), 位錯環(huán)與表面的距離d定義為位錯環(huán)所在的平面與表面的距離; 對于伯格斯矢量與表面法線垂直的結(jié)構(gòu), 距離參數(shù)d定義為位錯環(huán)靠近表面最近的結(jié)構(gòu)單元到表面的距離.因此, 這兩種距離的定義本質(zhì)上都是定義為位錯環(huán)與表面開始相互作用的深度, 考慮到原子尺度的模擬, d主要取值為2 nm和4 nm.這些模型的建立, 可以讓本文研究接近實際情況的表面相互作用過程.

圖1 〈100〉 間隙型位錯環(huán)與表面相互作用計算模型示意圖 (a)和(b)單個位錯環(huán)與表面的相互作用模型, 其中位錯環(huán)伯格斯矢量分別平行(a)和垂直(b)于表面法線方向; (c)兩個不同的具有相互作用的伯格斯矢量的 〈100〉 位錯環(huán)與表面相互作用的微觀模型; 圖中位錯環(huán)和表面原子的顏色根據(jù)其勢能Epot大小確定, 如圖中的能量顏色棒表示, 在表面之外為真空層, 以模擬表面與位錯環(huán)的相互作用過程Fig.1.Schematic of interaction between 〈100〉 loop(s) with {100} surface：(a) and (b) Interaction between a single 〈100〉 loop with surface with Burgers vector parallel (a) or perpendicular (b) to the normal line of surface; (c) interaction between two interacting〈100〉loops and {100} surface.The atoms in loops and surface are colored by their potential energies Epot as marked by the color bar in the Fig.1.

2.2 原子尺度模擬方法

本文原子尺度計算主要應用分子動力學方法完成, 其核心算法在于求解基于牛頓運動定律的粒子運動方程：

其中, Fi(t) 為粒子i所受的力; mi為粒子i的質(zhì)量;ai(t)為粒子i的加速度; U為勢能函數(shù), 其梯度負值為粒子所受的力; vi為粒子i的速度; ri為粒子i的位置矢量.

在計算過程中, 對建立的模型采用三維周期性邊界條件, 首先對建立的包含表面及位錯環(huán)的計算胞進行分子靜力學弛豫, 使系統(tǒng)達到局部能量最小態(tài), 也就是表面及位錯環(huán)在0 K條件下達到位置平衡, 這些計算都是通過分子靜力學方法完成, 在此基礎上, 以分子靜力學得到的結(jié)構(gòu)進行分子動力學模擬.根據(jù)研究目的, 在分子動力學模擬過程中,時間步長設定為1 fs (即10—15s), 模擬溫度為300,450, 600, 750, 950, 1200 K, 系綜為保持粒子數(shù)、體積和溫度為常數(shù)的NVT系綜.需要注意的是,這些模擬針對的是形成后的缺陷與表面的相互作用, 對應的是輻照后缺陷在給定溫度下的動力學過程, 因此, 設定的溫度為輻照后的退火溫度.根據(jù)實際動力學過程, 如果在給定的溫度下, 位錯環(huán)與表面相互作用后被表面吸收, 則無需再進行后續(xù)更高溫度的模擬; 對于每一個溫度點, 模擬的總時間為 5 ns (5 × 10—9s), 在弛豫過程中, 采用 Ovito的DXA方法[25]對系統(tǒng)中的位錯信息進行分析表征, 并對表面形貌做相應的表征.在模擬過程中,采用Ackland?2004 Fe勢函數(shù)[26]描述原子之間的相互作用.

3 計算模擬結(jié)果與討論

3.1 單個位錯環(huán)與表面的相互作用

3.1.1 伯格斯矢量方向的影響

圖 ?2 〈100〉 位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線方向, 300 K時位錯環(huán)的演化過程 (a)?(c)位錯環(huán)向表面運動過程示意圖;(d)(g)位錯環(huán)與表面發(fā)生反應過程; (h)位錯環(huán)最終被表面吸收后的狀態(tài)Fig.2.Evolution of a 〈100〉 dislocation loop at 300 K with its Burgers vector along the normal direction of surface of {100}.The motion processes of loop are shown in panel (a) to (c) before its interaction with surface, which are shown in panel (d) to (g).Panel (h) is the final state after the absorption of loop by surface.

對于相同深度的位錯環(huán), 例如d = 2 nm系統(tǒng)、模擬溫度為300 K的條件下, 當 〈100〉 位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線方向時, 隨著模擬時間的增加, 在原子熱漲落過程中, 〈100〉 位錯環(huán)的慣習面由平行于系統(tǒng)表面開始逐漸發(fā)生變化, 當時間達到10 ps后(圖2(a)), 位錯環(huán)慣習面開始偏轉(zhuǎn), 同時向表面方向緩慢移動; 當模擬時間達26 ps時(圖2(b)), 位錯環(huán)偏轉(zhuǎn)更加顯著, 經(jīng)過對慣習面原子結(jié)構(gòu)分析, 可以發(fā)現(xiàn)慣習面已經(jīng)發(fā)生變化, 由(100)開始向(110)轉(zhuǎn)變; 經(jīng)過位錯環(huán)慣習面的旋轉(zhuǎn), 位錯環(huán)質(zhì)心沿著伯格斯矢量方向運動, 也就是〈100〉位錯環(huán)繼續(xù)向表面偏移, 在此狀態(tài)下, 位錯環(huán)與表面的相互作用導致系統(tǒng)表面形貌開始發(fā)生微小變化; 經(jīng)過223.8 ps后(圖2(c)), 位錯環(huán)一端到達表面; 在與表面直接發(fā)生反應后(圖2(d)), 位錯環(huán)部分單元伯格斯矢量由 〈100〉 逐漸分解為3個1/2 〈111〉 位錯段, 因此, 表面與 〈100〉 位錯環(huán)的相互作用, 導致在靠近表面的局部區(qū)域發(fā)生嚴重的塑性形變, 形成位錯環(huán)部分分解; 隨著表面與 〈100〉 位錯環(huán)的相互作用的加深, 更多的 〈100〉 位錯環(huán)單元在表面作用下發(fā)生位錯分解(圖2(e)), 形成 〈100〉 和1/2 〈111〉 位錯線共存的位錯網(wǎng)絡, 彼此相互作用;隨著模擬時間的增加(圖2(f)—(h)), 〈100〉 片段逐漸減少, 1/2 〈111〉 片段占比越來越多, 最后全部轉(zhuǎn)變?yōu)?/2 〈111〉 位錯線逸出表面, 導致逸出處的表面形貌發(fā)生顯著形變, 凹凸不平.

當 〈100〉 位錯環(huán)伯格斯矢量垂直于表面法線方向時, 模擬溫度和深度同樣設定為300 K和2 nm,經(jīng)過充分弛豫發(fā)現(xiàn)當模擬時間達224 ps時(圖3(a)),位錯環(huán)的狀態(tài)幾乎沒有發(fā)生變化; 再經(jīng)過653.6 ps長時間的弛豫(圖3(b)), 〈100〉 位錯環(huán)僅發(fā)生微小形變和位移, 并未向表面移動.相比于位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線的情況, 在相同條件下,{100}表面對垂直于表面的 〈100〉 位錯環(huán)影響比較微弱, 因此, 伯格斯矢量垂直于表面的 〈100〉 位錯環(huán)在給定條件下與其在材料內(nèi)部(遠離表面)的動力學行為相同.當系統(tǒng)模擬溫度升高時, 〈100〉 位錯環(huán)在更高的熱漲落和表面效應影響下, 也會發(fā)生各種動力學行為演化, 最終被表面吸收, 具體細節(jié)在3.2節(jié)中詳細展開.

經(jīng)過分析對比這些結(jié)果可以發(fā)現(xiàn), 在其他條件相同的情況下, 位錯環(huán)伯格斯矢量的方向平行或垂直于表面, 對位錯環(huán)動力學性質(zhì)及表面結(jié)構(gòu)具有重要的影響.對于系統(tǒng)表面, 前人研究早已表明表面的形成會產(chǎn)生相應的應力場[27], 同時, 本文的間隙型位錯環(huán)伯格斯矢量方向平行于表面法線, 相比于垂直于表面法線方向, 同樣存在著較強的應力場分布, 因此, 相對于在材料內(nèi)部, 由于表面應力的存在, 〈100〉 位錯環(huán)在靠近表面和內(nèi)部兩個方向上受到的應力場分布具有非對稱性, 這決定了當位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線方向時, 位錯環(huán)與表面發(fā)生的強相互作用導致了如上所述的結(jié)果.

圖3 〈100〉 位錯環(huán)伯格斯矢量垂直于表面法線方向時不同溫度下位錯環(huán)的演化過程 (a)溫度為300 K, 模擬時間為224 ps;(b)溫度為300 K、模擬時間653.6 ps; (c)溫度為585 K, 模擬時間為1731.4 ps; (d)溫度為740 K, 模擬時間為523.9 ps; (e)溫度為970 K, 模擬時間為822.5 ps; (f)溫度為1220 K, 模擬時間為129.9 ps; (g)溫度為1220 K, 模擬時間為139.9 ps; (h)溫度為1220 K,模擬時間為149.9 psFig.3.Evolution of a 〈100〉 dislocation loop at different temperatures with its Burgers vector perpendicular to the normal direc?tion of {100} surface.The results simulated at 300 K are shown in (a) and (b) with simulation time up to 224 ps and 653.6 ps, re?spectively.The results simulated at 585 K, 740 K and 970 K are shown in (c) to (e) with simulation time up to 1731.4 ps, 523.9 ps,822.5 ps, respectively.The results at 1220 K with simulation time up to 129.9 ps, 139.9 ps, 149.9 ps are shown in (f) to (h), respect?ively.

對位錯環(huán)被表面吸收過程中的動力學分析可以發(fā)現(xiàn), 除了表面的應力場影響位錯環(huán)的演化外,沒有其他的位錯環(huán)或位錯線與 〈100〉 位錯環(huán)相互作用, 而位錯環(huán)本身的伯格斯矢量由 〈100〉 變?yōu)?/2〈111〉, 因此可以得到：表面效應的存在使得 〈100〉位錯環(huán)在沒有與外部其他位錯環(huán)或位錯線發(fā)生位錯反應的條件下, 發(fā)生伯格斯矢量的演化, 由高能態(tài)向低能態(tài)發(fā)生跳躍.除了伯格斯矢量的演化外,慣習面也在此過程中發(fā)生變化, 從(100)向(110)旋轉(zhuǎn), 正是這種旋轉(zhuǎn), 導致位錯環(huán)質(zhì)心在原子尺度的位移, 也就是位錯環(huán)發(fā)生一維擴散運動.根據(jù)圖2, 可以得到圖4所示的300 K下 〈100〉 位錯環(huán)的質(zhì)心隨著時間演化的運動速率.對于本文的相互作用, 圖4非常明確地表明了其定向的一維運動.因此, 相對于在體材料中或伯格斯矢量垂直于表面法線方向的位錯環(huán), 本文確認了在給定的條件下(如, 位錯環(huán)靠近表面, 伯格斯矢量平行于表面法線方向), 〈100〉 位錯環(huán)可以發(fā)生沿著伯格斯矢量的一維運動.

圖4 〈100〉 位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線方向時,不同溫度下位錯環(huán)的位置演化Fig.4.Position of a 〈100〉 dislocation loop with increasing the simulation time.The Burgers vector of loop is parallel to the normal direction of {100} surface.

3.1.2 溫度的影響

除了300 K模擬溫度外, 本文對系統(tǒng)也進行了其他溫度條件下的弛豫.圖4為 〈100〉 位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線方向時不同溫度下位錯環(huán)的演化.當位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線,模擬溫度為300 K時, 位錯環(huán)慣習面開始發(fā)生偏轉(zhuǎn), 大約在160 ps后位錯環(huán)開始與表面接觸, 并隨后逸出表面; 當溫度為600 K, 位錯環(huán)迅速沿伯格斯矢量方向運動, 與表面接觸發(fā)生反應, 17 ps左右位錯環(huán)已經(jīng)逸出表面.從這些結(jié)果可以清晰地看出, 溫度越高, 位錯運動翻越的有效勢壘降低, 導致位錯運動加速, 使得位錯環(huán)逸出時間越短.從開始運動到與表面接觸及被表面吸收的時間, 300 K所需的時間是600 K的9.5倍.顯然, 溫度升高大大加快了位錯環(huán)向表面的移動速率.同時, 需要注意的是, 當位錯環(huán)運動大約0.8 nm后, 與表面的相互作用導致了位錯環(huán)完全被吸收, 考慮到位錯環(huán)最初時的深度, 可以推斷出表面在其深度1—1.5 nm處, 與位錯環(huán)的反應可以快速發(fā)生, 造成表面輻照損傷.

當位錯環(huán)伯格斯矢量垂直于表面法線時, 如圖3所示, 雖然300 K下, 〈100〉 位錯環(huán)經(jīng)過長時間的弛豫, 其狀態(tài)基本維持不變, 但當溫度升高至600 K時, 位錯環(huán)也開始發(fā)生演化, 經(jīng)過1731.4 ps后, 位錯環(huán)的質(zhì)心位置仍未向表面移動, 但是其慣習面由(010)逐漸開始偏轉(zhuǎn); 當溫度升至750 K時, 再經(jīng)過523.9 ps弛豫, 位錯環(huán)依然未向表面移動, 但慣習面偏轉(zhuǎn)角度進一步增大; 溫度升至1200 K時, 位錯環(huán)性質(zhì)發(fā)生突變, 由 〈100〉 位錯環(huán)演變?yōu)?/2 〈111〉 位錯環(huán), 之后快速被表面吸收, 形成凹凸不平的表面.

根據(jù)上述分析可以發(fā)現(xiàn), 溫度的升高可以使〈100〉位錯環(huán)更快地越過相應的能量勢壘, 使其慣習面發(fā)生旋轉(zhuǎn)、一維運動及位錯環(huán)伯格斯矢量分解, 到位錯環(huán)整體性質(zhì)變化和被表面吸收等過程的速率更高, 因此, 高溫輻照條件下, 間隙型位錯環(huán)可能造成更大的表面粗糙度.

3.1.3 位錯環(huán)深度的影響

相比于位錯環(huán)深度d = 2 nm條件下的位錯環(huán)演化, 當位錯環(huán)處于距離表面更深的位置時, 其與表面的相互作用也隨之發(fā)生變化.例如, 〈100〉 位錯環(huán)伯格斯矢量平行于表面法線方向時, 當初始位置d = 4 nm, 溫度設定為300 K時, 經(jīng)過125 ps弛豫, 位錯環(huán)始終未有明顯變化, 再經(jīng)過1200 ps弛豫, 位錯環(huán)狀態(tài)與之前保持一致, 表明位錯環(huán)離表面距離4 nm時, 位錯環(huán)比較穩(wěn)定, 不易移動, 表面效應不明顯; 當溫度升至600 K, 經(jīng)過195.6 ps到達接近2 nm的初始位置, 再經(jīng)過19 ps已完全逸出表面, 動力學過程與上面的計算結(jié)果相符合,因此, 當溫度升高至600 K時, 在熱漲落與表面效應耦合作用下, 位錯環(huán)的動力學狀態(tài)才會發(fā)生改變.根據(jù)之前的研究[6,8]可以發(fā)現(xiàn)只有 〈100〉 位錯環(huán)沿伯格斯矢量方向的應力場與已存在的應力場之間發(fā)生的相互作用達到一定的閾值, 或者與其他外場耦合相互作用達到此閾值, 才能使得 〈100〉 位錯環(huán)以一定的概率越過相應的勢壘, 導致其動力學過程的演化.

3.2 雙位錯環(huán)與表面的相互作用

在實際輻照實驗過程中, 靠近材料表面的位錯環(huán), 不僅僅有單個位錯的情形, 還有兩個或者多個位錯環(huán)一起形成或到達表面的情形, 為了對后一種情況進行理解, 本文選擇兩個位錯環(huán)存在相互作用的情形, 模擬在這種條件下位錯環(huán)與表面的相互作用過程.之所以選擇兩個位錯環(huán)的情形, 主要考慮當多個位錯環(huán)存在時, 它們之間的相互作用也是遵循位錯反應規(guī)律, 與兩個位錯環(huán)的情形相比, 沒有影響物理機制的情況發(fā)生, 并且兩個位錯環(huán)之間的相互作用, 更容易清晰地表明這種相互作用對位錯環(huán)與表面之間相互作用的影響.

如第2節(jié)模型和方法部分的闡述, 兩個半徑相同且伯格斯矢量相互垂直的位錯環(huán), 在未到達表面時, 位錯環(huán)之間存在相互作用, 主要是由于二者的應力場發(fā)生疊加, 導致兩者的伯格斯矢量和慣習面均發(fā)生相應的演化：經(jīng)過分子靜力學弛豫后(圖5(a)—(c)), 當系統(tǒng)溫度升高至300 K時, 兩個位錯環(huán)隨即開始反應, 與表面平行的位錯環(huán)性質(zhì)發(fā)生驟變,由 〈100〉 位錯環(huán)變?yōu)?/2 〈111〉 位錯環(huán), 并快速與垂直的位錯環(huán)發(fā)生位錯反應, 經(jīng)過30 ps的反應過程,平行位錯環(huán)與垂直位錯環(huán)合二為一, 只剩垂直方向的位錯環(huán), 但慣習面為(010); 隨著反應時間的增加, 位錯環(huán)的性質(zhì)不斷發(fā)生變化, 部分變?yōu)?/2〈111〉, 并逐漸向表面方向移動, 在300 K下經(jīng)過1180 ps仍未到達表面; 當溫度提高至600 K, 雖然慣習面在不斷發(fā)生變化, 但經(jīng)過1226.9 ps同樣未到達表面, 直至溫度提高到900 K時(圖5(d)—(h)), 才與表面發(fā)生直接反應, 歷經(jīng)128.1 ps逸出表面, 造成表面的凹凸不平.

對以上結(jié)果分析可以清晰地看到, 當存在位錯環(huán)之間的相互作用時, 其應力場之間的相互疊加,不僅影響位錯環(huán)本身的性質(zhì), 也影響位錯環(huán)與表面的相互作用.尤其值得注意的是, 當兩個位錯環(huán)[100]和[010]相互反應時, 其反應過程并沒有遵循經(jīng)典的伯格斯矢量守恒法則, 二者發(fā)生如下反應：[100] + [010] → [010], 形成較大的位錯環(huán), 再與表面相互作用, 造成表面更嚴重的形貌變化, 如第3.3節(jié)所述.

3.3 位錯環(huán)對表面形貌演化的影響

圖5 伯格斯矢量相互垂直的雙位錯環(huán)的演化過程 (a)?(c)模擬溫度為300 K, 模擬時間分別為10 ps, 20 ps, 30 ps; (d)?(h)模擬溫度為900 K, 模擬時間分別為98.5 ps, 108.4 ps, 118.3 ps, 128.1 ps, 138 psFig.5.Evolution of two 〈100〉 dislocation loops at 300 K and 900 K with Burgers vector perpendicular to each other The results obtained at 300 K are shown (a) to (c) with simulation time up to 10 ps, 20 ps, 30 ps, respectively.The results obtained at 900 K are shown (d) to (h) with simulation time up to 98.5 ps, 108.4 ps, 118.3 ps, 128.1 ps, 138 ps, respectively.

當位錯環(huán)與表面相互作用結(jié)束后, 由于位錯環(huán)被表面捕獲吸收, 造成在材料內(nèi)部的物質(zhì)質(zhì)量轉(zhuǎn)移, 形成原子島, 導致材料表面發(fā)生形貌變化, 形成凹凸不平的結(jié)構(gòu).以伯格斯矢量平行于表面法線方向的 〈100〉 位錯環(huán)在300 K下與材料表面相互作用后的結(jié)果為例(如圖6所示), 可以清楚地看到二者反應結(jié)束后, 在位錯環(huán)被吸收的位置表面發(fā)生形變, 形成突起, 產(chǎn)生輪廓清晰的原子島, 造成表面形貌的變化.值得注意的是, 這種由表面吸收位錯環(huán)造成的表面形貌的變化, 是實驗觀測到輻照后材料凹凸不平的原因之一, 還有其他的因素, 如濺射、空洞的形成及惰性氣體的起泡等過程, 都可能造成表面形貌發(fā)生變化, 因此, 需要根據(jù)實際情況對實驗結(jié)果分析.根據(jù)位錯環(huán)與表面的相互作用過程, 也可以推測出在靠近表面的納米層內(nèi), 單個自由位錯環(huán)基本不會存在, 它們或者被吸收, 或者形成具有較高的遷移能的位錯網(wǎng)絡而存在于材料內(nèi)部.對于這種形貌的變化, 同樣可能會影響材料的服役性能, 尤其是位錯環(huán)定向的吸收造成材料在伯格斯矢量方向長度增加, 為輻照蠕變提供了一種可能的途徑, 因此, 在未來抗輻照材料的研發(fā)中, 這種表面與位錯環(huán)的相互作用對輻照效應的影響, 同樣需要考慮在內(nèi).

圖6 伯格斯矢量平行于表面法線方向的 〈100〉 位錯環(huán)與表面相互作用后的表面形貌Fig.6.Surface morphology of {100} plane after its absorp?tion of a 〈100〉 dislocation loop with its Burgers vector along the normal direction of {100} surface.

4 結(jié) 論

利用原子尺度的分子靜力學和分子動力學模擬方法, 本文研究了輻照形成的 〈100〉 間隙型位錯環(huán)與材料表面的相互作用過程及這種作用對材料表面形貌的影響.研究發(fā)現(xiàn), 〈100〉 位錯環(huán)在材料表面附近時, 會受到表面的影響, 與表面發(fā)生相互作用, 位錯環(huán)的伯格斯矢量方向、距離表面的距離、溫度以及是否有其他位錯環(huán)與之相互作用, 都是影響這種作用的因素.其中, 伯格斯矢量平行于表面法線方向的位錯環(huán)易于被表面吸收, 而垂直于表面法線的位錯環(huán), 只有在溫度較高時, 才能越過能量勢壘, 被表面吸收; 位錯環(huán)距離表面越近, 二者之間的相互作用越強, 高溫對二者的相互作用也有明顯的促進作用.當位錯環(huán)與表面反應后, 表面形貌發(fā)生變化, 形成凹凸不平的原子島, 是輻照蠕變的貢獻因素之一, 在未來抗輻照材料研發(fā)中需要考慮這些因素對輻照效應的影響.

本研究揭示了原子尺度 〈100〉 位錯環(huán)與表面的相互作用過程, 與之前的1/2 〈111〉 位錯環(huán)與表面的相互作用, 既有相同之處, 也有新發(fā)現(xiàn), 尤其是〈100〉位錯環(huán)在表面作用下的定向運動, 位錯環(huán)慣習面旋轉(zhuǎn)和伯格斯矢量從 〈100〉 到1/2 〈111〉 的跳躍.以這些研究為基礎, 在未來工作中, 需要更進一步研究多個 〈100〉 或1/2 〈111〉 位錯環(huán)及可能的混合位錯與表面的相互作用, 以及對表面性能的影響, 特別是把這些結(jié)果引入到速率理論中, 給出位錯環(huán)與表面相互作用對輻照效應的影響, 使計算結(jié)果推廣到更大的應用尺度.

感謝中國科學院近代物理研究所王志光研究員的討論.