黃正峰, 王 敏, 李雪筠, 魯迎春, 倪天明

(1.合肥工業(yè)大學(xué) 電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院,安徽 合肥 230601; 2.安徽工程大學(xué) 電氣工程學(xué)院,安徽 蕪湖 241000)

0 引 言

隨著空間技術(shù)和集成電路的高速發(fā)展,微處理器已廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域,在太空輻射環(huán)境中,存在著大量的中子、α粒子等高能粒子[1-2]。當(dāng)集成電路遭到高能粒子轟擊時(shí)很容易發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn) (single event upset,SEU)和單粒子瞬態(tài) (single event transient,SET)[3],導(dǎo)致芯片功能發(fā)生錯(cuò)誤[4],從而造成嚴(yán)重的后果。

三模冗余(triple modular redundancy,TMR)系統(tǒng)是最簡單有效的抗單粒子容錯(cuò)技術(shù)。3個(gè)模塊同時(shí)執(zhí)行相同的操作,以多數(shù)相同的輸出作為表決系統(tǒng)的正確輸出,通常稱為“三中取二”。3個(gè)模塊中只要不同時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤,就能掩蔽掉故障模塊的錯(cuò)誤,保證系統(tǒng)正確的輸出。因?yàn)?個(gè)模塊是互相獨(dú)立的,2個(gè)模塊同時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)誤是極小概率事件,所以可以大大提高系統(tǒng)的可靠性。但隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工藝尺寸的日益減小,芯片中的延遲功耗對集成電路的影響日益突出。因此需要對傳統(tǒng)的三模冗余結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡化,既要保證其抗單粒子翻轉(zhuǎn)的能力,又能降低延遲、功耗和面積開銷。三模冗余結(jié)構(gòu)分為主、從兩級,主級是3個(gè)同構(gòu)的D鎖存器,從級是多數(shù)表決器(Voter)。本文中所有TMR鎖存器主級結(jié)構(gòu)相同,從級表決器的結(jié)構(gòu)有差異。利用Hspice仿真工具對相關(guān)TMR鎖存器的延遲、功耗和面積開銷進(jìn)行測量,并且進(jìn)行對比分析,綜合評估性能。

1 三模冗余鎖存器容錯(cuò)技術(shù)

1.1 三模冗余鎖存器結(jié)構(gòu)

TMR容錯(cuò)技術(shù)基于多數(shù)表決思想,即認(rèn)為“多數(shù)者的意見是正確的”,具體的結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 基本三模冗余鎖存器

圖1中,M1、M2、M3是3個(gè)相同的模塊,同時(shí)執(zhí)行相同的操作,以多數(shù)相同的輸出作為表決系統(tǒng)的正確輸出,通常稱為“三中取二”,則只要三模冗余主級3個(gè)模塊中不同時(shí)發(fā)生錯(cuò)誤,就能掩蔽掉故障模塊的錯(cuò)誤,保證系統(tǒng)正確的輸出。

本文將三模冗余鎖存器分為主、從兩級,在圖1中,M1、M2、M3表示三模冗余鎖存器的主級；表決器表示三模冗余鎖存器的從級。本文分別對三模冗余鎖存器的主從兩級進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析。

1.1.1 三模冗余鎖存器主級

三模冗余鎖存器主級如圖2所示,由圖2可知,本文中三模冗余主級是3個(gè)同構(gòu)的D鎖存器,輸入信號(hào)同時(shí)經(jīng)過鎖存器主級產(chǎn)生3個(gè)反向信號(hào),再同時(shí)進(jìn)入多數(shù)表決器。

圖2 三模冗余鎖存器主級

1.1.2 三模冗余鎖存器從級

三模冗余鎖存器主級有3個(gè)輸出,對應(yīng)的表決器有3個(gè)輸入,假設(shè)3個(gè)輸入分別為A、B、C,輸出為F,則根據(jù)表決器的“三中取二”原理,其真值見表1所列。

表1 表決器的真值

由表1可以推出此表決器輸出公式為:

F=AB+BC+AC

(1)

1.2 三模冗余系統(tǒng)的可靠性

三模冗余系統(tǒng)可以正常工作的條件是:三模都正常,或三模中有任意兩模正常,因此三模冗余系統(tǒng)的可靠度RT為[5]:

(2)

其中,Rv、Rm分別表示表決器和模塊的可靠度(假設(shè)表決器的可靠度為1,且各模塊可靠度相同),已經(jīng)證明,各功能模塊有相同的可靠度時(shí)整個(gè)系統(tǒng)的可靠性最大[6]。

此時(shí)三模冗余的可靠度RT為:

(3)

2 三模冗余鎖存器工作原理

三模冗余系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖3所示。其工作原理是3個(gè)模塊同時(shí)對輸入信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算處理,并將運(yùn)算結(jié)果送往多數(shù)表決器。因此,一個(gè)模塊發(fā)生故障并不影響系統(tǒng)的正常工作,只有兩個(gè)模塊同時(shí)發(fā)生故障時(shí),輸出結(jié)果才會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤。

圖3 TMR鎖存器

3 表決器結(jié)構(gòu)

本文列舉的11種三模冗余鎖存器主級全部是由3個(gè)同構(gòu)的D鎖存器構(gòu)成,從級是由不同類型的表決器構(gòu)成,下面分析11種不同的表決器結(jié)構(gòu)。

3.1 傳統(tǒng)表決器

3.1.1 表決器1

由表決器邏輯表達(dá)式(1)式可知[7],在門級上可以設(shè)計(jì)出由二輸入“與”門和三輸入“或”門構(gòu)成的表決器1是由26個(gè)晶體管構(gòu)成，結(jié)構(gòu)如圖4所示。

圖4 表決器1

3.1.2 表決器2

由表達(dá)式F=AB+BC+AC=((AB)′(BC)′(AC)′)′可推出由二輸入“與非”門和三輸入“與非”門構(gòu)成的同向表決器2,該表決器由18個(gè)晶體管構(gòu)成,結(jié)構(gòu)如圖5所示。

圖5 表決器2

3.2 晶體管級的表決器

晶體管級的表決器是由PMOS管和NMOS管組合構(gòu)成,在本文的1.1節(jié)中介紹了“三中取二”表決器的邏輯表達(dá)式是F=AB+BC+AC,由于本文介紹的三模冗余鎖存器主級輸入輸出是反向的,要使整體鎖存器輸入輸出同向,則從級表決器也要是反向，因此可以直接寫出反向“三中取二”表決器邏輯表達(dá)式F=A′B′+B′C′+C′A′,從而可以推導(dǎo)出表決器中P型網(wǎng)絡(luò)的邏輯表達(dá)式為：

FP=A′B′+B′C′+C′A′。

N型網(wǎng)絡(luò)的邏輯表達(dá)式為：

FN=(AB+BC+CA)′。

從而可以得到與之相對應(yīng)的P型和N型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)圖。同時(shí)本文又分別對P型和N型網(wǎng)絡(luò)的邏輯表達(dá)式進(jìn)行其他形式的化簡,最終得到3種P型網(wǎng)絡(luò)圖和3種N型網(wǎng)絡(luò)圖。

本文對上述不同的晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)行自由組合,因此產(chǎn)生3*3=9種不同的表決器結(jié)構(gòu),如圖6所示。9種不同的晶體管級表決器結(jié)構(gòu)中,P1+N1型[8]、P1+N3型、P3+N1型3個(gè)表決器都由12個(gè)晶體管構(gòu)成,P1+N2型、P2+N1型、P2+N3型、P3+N2型4個(gè)表決器由11個(gè)晶體管構(gòu)成,P2+N2型表決器由10個(gè)晶體管構(gòu)成。由此可以推斷,由P2+N2型表決器構(gòu)成的三模冗余鎖存器的面積開銷應(yīng)該是最小的。

圖6 自由組合過的晶體管級表決器示意圖

從圖6可以看出,P1+N1型、 P1+N2型、 P1+N3型、P2+N3型、P3+N3型5個(gè)表決器根據(jù)輸入類型的不同,可能會(huì)經(jīng)過2個(gè)或3個(gè)晶體管的延遲。以P1+N1型表決器結(jié)構(gòu)為例,當(dāng)輸入ABC為000時(shí),輸入值是經(jīng)過3個(gè)晶體管的延遲才能到達(dá)輸出,當(dāng)輸入ABC為011時(shí),輸入值是經(jīng)過2個(gè)N型晶體管的延遲到達(dá)輸出。但P2+N1型、P2+N2型、P3+N1型、 P3+N2型4個(gè)表決器輸入到輸出都只經(jīng)過2個(gè)晶體管的延遲,同時(shí),在這4個(gè)結(jié)構(gòu)之中,晶體管又分為串聯(lián)和并聯(lián)2種類型,2個(gè)并聯(lián)的晶體管相當(dāng)于增大了寬長比,延遲就會(huì)更大。因此可以得出,P2+N2型表決器結(jié)構(gòu)的延遲是最小的,且由P2+N2型表決器構(gòu)成的TMR鎖存器性能最優(yōu)。

4 三模冗余鎖存器的仿真與分析

因?yàn)檩斎隓通過3個(gè)相同的D鎖存器后輸出反向信號(hào),為了保證TMR鎖存器輸出Q與輸入D為同向信號(hào),所以以下列舉的鎖存器中表決器都必須保持輸入輸出為反向。下面將上述列舉的11種表決器結(jié)構(gòu)與TMR鎖存器主級進(jìn)行連接,并使用Hspice仿真工具對這11種鎖存器結(jié)構(gòu)進(jìn)行故障注入測試和功耗、延遲以及面積開銷測試。

4.1 門級三模冗余鎖存器

4.1.1 TMR1鎖存器

TMR1鎖存器從級是表決器1(結(jié)構(gòu)如圖4所示),由于該表決器同向,為了保證三模冗余鎖存器的輸入D與輸出Q同向,可以將表決器中的“或”門改為“或非”門,此時(shí)表決器減少了2個(gè)晶體管。TMR1鎖存器共由48個(gè)晶體管構(gòu)成。結(jié)構(gòu)如圖7所示。

圖7 TMR1鎖存器

為了驗(yàn)證三模冗余鎖存器的容錯(cuò)性能以及測試其延遲和功耗,從而計(jì)算出鎖存器的面積開銷和功耗延遲積(power delay product,PDP)。本文在PTM(predictive technology model) 45 nm工藝模型下[9],利用Hspice仿真工具,仿真環(huán)境設(shè)定為:電源電壓1 V、溫度25 ℃、時(shí)鐘頻率約167 MHz,采用雙指數(shù)電流源模型模擬粒子轟擊產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖。

應(yīng)用Hspice進(jìn)行仿真得到的波形圖如圖8所示。

圖8 TMR1仿真波形圖

從圖8可以看出,在結(jié)構(gòu)主級中,輸入信號(hào)D經(jīng)過一個(gè)反相器,輸出3個(gè)反向信號(hào)A、B、C,再經(jīng)過一個(gè)反向表決器,則得到與輸入信號(hào)D同向的輸出信號(hào)F。從圖8可以看出,當(dāng)輸入信號(hào)D為高電平1時(shí),A、B、C信號(hào)此時(shí)為低電平0,輸出信號(hào)F為1。同樣地,當(dāng)輸入信號(hào)為0時(shí),輸出信號(hào)也為0。

本文在節(jié)點(diǎn)A的10 ns處進(jìn)行故障注入[10],從波形圖可以看出,輸出端Q并未受到影響，TMR鎖存器完全容忍SEU。

4.1.2 TMR2鎖存器

TMR2鎖存器從級由表決器2構(gòu)成(結(jié)構(gòu)如圖5所示),與TMR1鎖存器一樣,本結(jié)構(gòu)的表決器也是同向的,因此將最后的三輸入與非門改成了與門,此時(shí)增加了2個(gè)晶體管,共有44個(gè)晶體管。

該TMR2鎖存器與TMR1鎖存器波形圖是一樣的,也在10 ns時(shí)節(jié)點(diǎn)A處進(jìn)行故障注入,能完全容忍SEU。

4.2 晶體管級三模冗余鎖存器

由于都是三模冗余鎖存器,本文中鎖存器的主級都是一樣的,從級是不同的表決器,相對應(yīng)的節(jié)點(diǎn)都是與圖8相同的波形。

晶體管級三模冗余主級和傳統(tǒng)三模冗余鎖存器的主級一致,從級是由圖6所示的各種表決器構(gòu)成的。按表決器的順序分別記為TMR3～TMR11鎖存器。與4.1節(jié)一致,在相同仿真條件下,對所有的鎖存器進(jìn)行Hspice仿真。

以下是各種TMR鎖存器的仿真結(jié)果對比，見表2所列。

表2中，UST表示面積開銷，UST、PDP的計(jì)算公式[11]如下：

由表2性能對比可知,在11種三模冗余表決器中,TMR7鎖存器在延遲、功耗以及面積開銷等性能上的指標(biāo)都是最優(yōu)的,由此也驗(yàn)證了3.2節(jié)中的理論分析,P2+N2型表決器的性能最優(yōu)。

表2 TMR鎖存器性能對比

5 結(jié) 論

本文對11種TMR鎖存器進(jìn)行了綜合分析,介紹了三模冗余鎖存器的構(gòu)成、表決器的多種結(jié)構(gòu)及思路來源,利用Hspice仿真工具測得各鎖存器節(jié)點(diǎn)波形圖、延遲和功耗；并且通過UST計(jì)算公式計(jì)算出TMR鎖存器面積開銷,通過PDP公式計(jì)算出功耗延遲積。經(jīng)過綜合對比發(fā)現(xiàn),TMR7鎖存器(使用P2+N2型表決器)的綜合性能最優(yōu)。