張依依 沈叢

近日，有消息稱，臺(tái)積電在2納米先進(jìn)制程研發(fā)上取得重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極（GAA）技術(shù)。

利用成熟的特色工藝追求更;先進(jìn)的制程，一直是臺(tái)積電和三星等芯片廠商致力的方向。此前，三星表示將在3納米率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，表達(dá)了其取得全球芯片代工龍頭地位的野心。此次臺(tái)積電在2納米制程研發(fā)上取得重大突破，凸顯了其強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，也讓兩大芯片代工巨頭的競(jìng)爭(zhēng)加劇。

角逐更先進(jìn)制程

目前芯片尺寸的縮小能夠帶來集成度的提升，在增強(qiáng)產(chǎn)品的性能的同時(shí)，也能夠降低產(chǎn)品的成本。

摩爾定律誕生之后，芯片的尺寸越來越小，企業(yè)不斷摸索新的工藝和材料，使得半導(dǎo)體產(chǎn)品能夠不斷更新迭代。半導(dǎo)體行業(yè)專家莫大康告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者，目前芯片尺寸的縮小能夠帶來集成度的提升，在增強(qiáng)產(chǎn)品的性能的同時(shí)，也能夠降低產(chǎn)品的成本。

臺(tái)積電和三星是芯片代工領(lǐng)域的佼佼者。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，今年第二季度，臺(tái)積電拿下了51.5%的芯片代工份額，高居榜首，三星則以約19%的份額緊隨其后。中國(guó)電子專用設(shè)備協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)金存忠指出，臺(tái)積電在7納米量產(chǎn)的制程上領(lǐng)先于三星。對(duì)此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)周鵬給出了更具體的信息：臺(tái)積電早在2018年4月就宣布實(shí)現(xiàn)7納米制程量產(chǎn)，獲得了蘋果、華為海思、AMD、高通等客戶的大量7納米訂單。而三星在2018年10月宣布其7納米工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，制程的落后導(dǎo)致大量客戶訂單流失。

在先進(jìn)制程領(lǐng)域，臺(tái)積電和三星不斷展開角逐。以5納米制程為例，臺(tái)積電拿下了今年下半年蘋果即將推出的四款iPhone新機(jī)處理器的全部訂單。金存忠告訴記者，預(yù)計(jì)臺(tái)積電今年5納米可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但三星暫時(shí)還無法做到。然而，面對(duì)臺(tái)積電拿下大量5納米的訂單，三星依舊不甘落后，宣布將此前的7納米制程芯片基地改造為5納米制程生產(chǎn)基地，為第三方廠家提供芯片代工服務(wù)，試圖用“急沖”5納米的方式追趕臺(tái)積電。據(jù)悉，目前三星已獲得部分高通5G芯片代工訂單，將采用5納米制程生產(chǎn)芯片。

在更先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電和三星依舊“你追我趕”。周鵬介紹，三星在更先進(jìn)制程的研發(fā)上投人了大量資金，同時(shí)也對(duì)芯片的工藝路線圖作出了調(diào)整，將跳過4納米工藝，由5納米直接上升至3納米，并在3納米工藝中率先宣布將使用GAA技術(shù)。三星還基于納米片制造出了MBCFET（多橋式一溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管），可顯著增強(qiáng)晶體管的性能，以取代FinFET晶體管技術(shù)。

莫大康告訴記者，盡管臺(tái)積電在GAA架構(gòu)的開發(fā)上落后于三星，但臺(tái)積電計(jì)劃在3納米制程中仍采用FinFET技術(shù)，為的是在減少生產(chǎn)工具的變更保持其成本結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的同時(shí)，也能減少客戶的設(shè)計(jì)變更，降低其生產(chǎn)成本。周鵬表示，臺(tái)積電多年前已開始謀劃3納米工藝，并計(jì)劃于2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在下一個(gè)節(jié)點(diǎn)2納米上，臺(tái)積電似乎更領(lǐng)先一步，此次他們?cè)?納米先進(jìn)制程的研發(fā)上取得重大突破已說明了這點(diǎn)。據(jù)悉，臺(tái)積電宣布將在中國(guó)臺(tái);灣的南方科技園建廠，啟動(dòng)2納米工藝的研發(fā)工作，預(yù)計(jì)最快在2024年投產(chǎn)。而三星在2納米制程的研發(fā)上目前鮮有消息對(duì)外披露。

臺(tái)積電“一馬當(dāng)先”？

在摩爾定律的“指揮棒”下，晶團(tuán)代工在更先進(jìn)制程方面的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。

在摩爾定律的“指揮棒”下，晶圓代工在更先進(jìn)制程方面的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。周鵬告訴記者，在先進(jìn)制程方面，三大芯片代工巨頭臺(tái)積電、三星和英特爾處于第一陣營(yíng)。英特爾有計(jì)劃在2021年推出7納米（相當(dāng)于5納米），但目前仍主要堅(jiān)守在10納米節(jié)點(diǎn)，希望將10納米做到“極致”。因此目前7納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)的戰(zhàn)場(chǎng)就只剩下臺(tái)積電和三星，呈現(xiàn)絕對(duì)的寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局。本次臺(tái)積電在2納米先進(jìn)制程研發(fā)上有了重大突破，意味著臺(tái)積電在更先進(jìn)制程方面暫時(shí)處于領(lǐng)先地位。那么，臺(tái)積電因何能在更先進(jìn)制程上“一馬當(dāng)先”呢？

莫大康介紹，其實(shí)臺(tái)積電并不是“一個(gè)人在戰(zhàn)斗”，臺(tái)積電能夠“超前”在2納米技術(shù)上獲得突破，得益于其背后有著龐大的群體在支持。據(jù)悉，臺(tái)積電始終強(qiáng)調(diào)，在做代工的同時(shí)時(shí)刻保持中立態(tài)度，不會(huì)與客戶爭(zhēng)搶訂單，同時(shí)也能夠真正做到把客戶的利益放在第一位。因此臺(tái)積電長(zhǎng)期以來能夠與客戶建立良好的關(guān)系，使得與臺(tái)積電無利益沖突的客戶群（蘋果、賽靈思、英偉達(dá)等）數(shù)量非常龐大。芯片在進(jìn)人3納米制程后，現(xiàn)有的很多技術(shù)難以滿足需求，作為代工廠的臺(tái)積電也不例外，需要從器件的架構(gòu)、工藝變異、熱效應(yīng)、設(shè)備與材料等方面綜合解決。由于臺(tái)積電背后擁有龐大的客戶群體在支持著它，能夠與臺(tái)積電共同改善制程良率并降低成本，從而加快量產(chǎn)速度，而這也是臺(tái)積電能夠在2納米領(lǐng)域“先發(fā)制人”的關(guān)鍵。

周鵬指出，臺(tái)積電在FinFET技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)為臺(tái)積電在2納米先進(jìn)制程的研發(fā)提供了極大助力，使其占得先機(jī)?！霸诠に嚬?jié)點(diǎn)發(fā)展到3nm后，晶體管溝道進(jìn)一步縮短，F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)遭遇量子隧穿效應(yīng)的限制。GAA-FET則相當(dāng)于FinFET的改良版，F(xiàn)inFET的柵極包裹溝道3側(cè)，與FinFET控制柵極漏電流的機(jī)理類似。而GAA技術(shù)則將溝道四側(cè)全部包裹，進(jìn)一步提升柵極對(duì)溝道電流的控制能力。臺(tái)積電在FinFET技術(shù)領(lǐng)域具備深厚底蘊(yùn)，這些科技積累為臺(tái)積電成功由3納米FinFET技術(shù)切換至2納米GAA技術(shù)起到了重要的推動(dòng)作用，大大縮短了臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)方面的更新迭代周期?！敝荠i對(duì)記者說。

同時(shí)，臺(tái)積電在設(shè)備支持上也做好了準(zhǔn)備。周鵬表示，為實(shí)現(xiàn)2納米先進(jìn)制程，臺(tái)積電已經(jīng)大批量訂購了ASML極紫外光刻機(jī)（EUV）設(shè)備。然而，周鵬也指出，光刻技術(shù)的精度直接決定制程的精度，對(duì)于2納米的先進(jìn)制程，高數(shù)值孔徑的EUV技術(shù)還亟待開發(fā)，光源、掩膜工具的優(yōu)化以及EUV的良率和精度都是實(shí)現(xiàn)更先進(jìn)制程技術(shù)突破的重要因素。

技術(shù)之爭(zhēng)升級(jí)

先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的研究對(duì)于代工廠商以及整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展都至關(guān)重要。

更先進(jìn)制程的重大技術(shù)突破會(huì)影響整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)格局。周鵬表示，雖然對(duì)制程技術(shù)的評(píng)估需要從實(shí)際晶體管的密度、性能以及功耗等多個(gè)維度進(jìn)行綜合考量，但先進(jìn)制程重大技術(shù)的推出對(duì)于集成電路產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)格局有著重大意義?！霸谙冗M(jìn)制程的研發(fā)過程中，每條技術(shù)產(chǎn)線成本投資都超過百億美元。更高的研發(fā)和生產(chǎn)成本，對(duì)應(yīng)的是更難的技術(shù)挑戰(zhàn)。每當(dāng)制程工藝逼近物理極限，晶體管結(jié)構(gòu)、光刻、沉積、刻蝕、集成、封裝等技術(shù)的創(chuàng)新與協(xié)同配合，能對(duì)芯片性能天花板的突破起到?jīng)Q定性作用?！敝荠i對(duì)記者說。

周鵬還告訴記者，先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的研究對(duì)于代工廠商以及整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展都至關(guān)重要，研發(fā)的遲滯必將被其他廠商的先進(jìn)制程所超越甚至替代?；诖?，周鵬認(rèn)為，此次臺(tái)積電在2納米制程的技術(shù)突破對(duì)三星、英特爾等龍頭企業(yè)在先進(jìn)制程領(lǐng)域的產(chǎn)品開發(fā)與技術(shù)升級(jí)能起到一定的刺激作用。

周鵬預(yù)測(cè)，由于臺(tái)積電3納米工藝預(yù)計(jì)在2021年量產(chǎn)，其2納米的推出可能將在2023到2024年之間。如果屆時(shí)臺(tái)積電能順利推出2納米制程，這是否會(huì)使未來代工市場(chǎng)的格局發(fā)生變化？周鵬表示，2納米制程的率先推出，必然會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大臺(tái)積電在先進(jìn)制程市場(chǎng)份額的占比，甚至可能會(huì)拉開與三星和英特爾的差距。當(dāng)然，三星和英特爾也在積極推進(jìn)研發(fā)。可見工藝技術(shù)的研發(fā)充滿變數(shù)，未來誰能最終領(lǐng)先還需進(jìn)一步觀察。

對(duì)于代工市場(chǎng)，上先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)，周鵬表示，這種競(jìng)爭(zhēng)可以為整個(gè)集成電路行業(yè)和用戶帶來益處?！笆袌?chǎng)的需求驅(qū)動(dòng)著先進(jìn)制程的進(jìn)一步開發(fā)，無論未來先進(jìn)制程的引領(lǐng)者是誰，最終受益的將是整個(gè)集成電路行業(yè)以及享用高性能電子產(chǎn)品的每一個(gè)人?！敝荠i對(duì)記者說。