李雪方，元江博

(山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司，山西 長治 046000)

引 言

自法國科學(xué)家貝克勒爾于1839年用光照射電解液中的銀電極產(chǎn)生電流開始[1]，太陽能便作為一種清潔的可再生能源，開始受到人們的關(guān)注和研究。隨著全球能源短缺和環(huán)境污染等問題日益嚴(yán)重，太陽能光伏發(fā)電因其清潔、高效、安全、便利等特點(diǎn)，成為各國重點(diǎn)發(fā)展的行業(yè)。近年來，隨著光伏行業(yè)的發(fā)展和競爭，單晶硅因轉(zhuǎn)換效率高、技術(shù)成熟、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)脫穎而出，且實(shí)現(xiàn)規(guī)?；鄻踊a(chǎn)。據(jù)ITRPV2019預(yù)測，光伏電池以背面鈍化PERX(PERC、PERT)技術(shù)為主，市場份額逐年增加，效率逐年提升。本文主要介紹已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)的PERC電池的制絨工藝，單晶硅金字塔絨面制備是利用硅的各向異性腐蝕特性在熱堿腐蝕液中實(shí)現(xiàn)。在車間量化生產(chǎn)時(shí)，單晶硅制絨主要監(jiān)控硅片的減薄量和制絨后外觀，主要討論研究單晶硅制絨工藝通過改變制絨槽體時(shí)間來獲得不同減薄量以及對電學(xué)性能的影響。

1 實(shí)驗(yàn)輔材及設(shè)備

實(shí)驗(yàn)硅片為晶科方單晶，電阻率在0.5 Ω·m～1.5 Ω·m，使用捷佳偉創(chuàng)槽式制絨設(shè)備進(jìn)行金字塔絨面制備。槽體設(shè)置流程為：粗拋槽→前清洗槽→堿制絨槽→水洗槽→后清洗槽→水洗槽→酸洗槽→水洗槽→慢提拉槽→烘干槽。其他工藝同產(chǎn)線相同。粗拋液為KOH(體積分?jǐn)?shù)5%)和熱水(75 ℃)的混合液，制絨堿液為KOH(體積分?jǐn)?shù)為3%)、添加劑和熱水(80 ℃)的混合液。

2 結(jié)果分析及討論

實(shí)驗(yàn)分別在3臺(tái)同廠家制絨設(shè)備上進(jìn)行，在每個(gè)機(jī)臺(tái)制定方案獲得不同減薄量，因機(jī)臺(tái)差異，每臺(tái)初始配液相同，自動(dòng)補(bǔ)液略有差異，槽體溫度設(shè)備相同。

在1號機(jī)改變粗拋時(shí)間、固定制絨時(shí)間來獲得不同的減薄量。A組粗拋時(shí)間為100 s，制絨時(shí)間420 s；B組粗拋時(shí)間為110 s，制絨時(shí)間為420 s；C組粗拋時(shí)間為130 s，制絨時(shí)間為420 s。表1為1號機(jī)臺(tái)各數(shù)據(jù)匯總。

表1 1號機(jī)電性能參數(shù)

在2號機(jī)臺(tái)改變粗拋時(shí)間和制絨時(shí)間獲得不同刻蝕減薄量，A組粗拋時(shí)間110 s，制絨時(shí)間420 s；B組粗拋時(shí)間130 s，制絨時(shí)間400 s；C組粗拋時(shí)間130 s，制絨時(shí)間420 s。表2為2號機(jī)臺(tái)各數(shù)據(jù)匯總。

表2 2號機(jī)電性能參數(shù)

在3號機(jī)通過改變制絨時(shí)間，固定粗拋時(shí)間來獲得不同的減薄量，粗拋時(shí)間均為130 s，A、B、C三組制絨時(shí)間分別為420 s、300 s、200 s。表3為3號機(jī)臺(tái)各數(shù)據(jù)匯總。

表3 3號機(jī)電性能參數(shù)

太陽能電池使用的硅片大多是通過硅棒切割而來，表面存在很大的切割損傷層。損傷層的活性較高，激活能低，發(fā)生化學(xué)腐蝕時(shí)優(yōu)先在此發(fā)生，并且腐蝕速率很快。根據(jù)文獻(xiàn)[2]，在去除損傷層的硅片比沒去損傷層的硅片上制得的金字塔絨面結(jié)構(gòu)更均勻。

選用合適的制絨粗拋時(shí)間和制絨時(shí)間可以在保證去除損傷層的同時(shí)又制得金字塔均勻的絨面結(jié)構(gòu)。在1號機(jī)臺(tái)的改變粗拋時(shí)間實(shí)驗(yàn)中，隨著粗拋時(shí)間的增加，硅片總減薄量增加，但反射率在粗拋時(shí)間為110 s、制絨時(shí)間為420 s時(shí)最低，其他兩組反射率卻相對較高?？梢越忉尀?，粗拋時(shí)間越長，缺陷和雜質(zhì)殘留越少，A組中殘留最多，C組粗拋后表面最光滑。同樣的制絨時(shí)間，A組反映最明顯，金字塔均勻性稍差，C組制絨速率緩慢，形成理想的金字塔覆蓋面所需時(shí)間長，這樣，這兩組的反射率較B組相對來說較差。綜合考慮規(guī)模化生產(chǎn)的產(chǎn)量和整體電學(xué)性能，A組較為合適。在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，除了考慮電池片本身的轉(zhuǎn)化性能影響，也應(yīng)考慮實(shí)際產(chǎn)能需求。

2號機(jī)臺(tái)實(shí)驗(yàn)中，A、B兩組粗拋時(shí)間及制絨時(shí)間均不同，但減薄量相同，B組的電性能卻優(yōu)于A組。推斷A組在110 s的粗拋液中，損傷層存在些許殘留，雖制絨時(shí)間長，但金字塔結(jié)構(gòu)是生長于缺陷處，造成金字塔均勻性差。C組較B組雖粗拋時(shí)間相同，但制絨時(shí)間長，該組硅片上金字塔成長較完整，且密度小，傾斜角大，可以發(fā)生光的二次或二次以上反射和折射，即各電學(xué)性能較B組更優(yōu)。

同樣的粗拋程度下，當(dāng)損傷層去除干凈，硅片表面光滑，金字塔絨面形成時(shí)間越長，金字塔形貌越完整、均勻，時(shí)間越短，金字塔密度越大，傾斜角越小，可以發(fā)生光的反射和折射的幾率越小，反射率越高。3號機(jī)臺(tái)實(shí)驗(yàn)中，A組制絨時(shí)間長，反射率低，各電學(xué)性能最優(yōu)。

3 結(jié)論

單晶硅制絨工藝中粗拋的目的是去除損傷層，粗拋時(shí)間在達(dá)到去除損傷層的目的的基礎(chǔ)上要盡量縮短，盡量減少硅片的表面損失對抑制電池片的彎曲及降低破碎率的影響[3]。制絨應(yīng)選擇合適的時(shí)間來獲得均勻性好、傾斜角大于45°的金字塔絨面結(jié)構(gòu)。本實(shí)驗(yàn)中1號機(jī)臺(tái)實(shí)驗(yàn)中，B組雖電學(xué)性能更優(yōu)，但綜合考慮產(chǎn)能及電性能，A組粗拋時(shí)間100 s，制絨時(shí)間420 s更適合；2號機(jī)實(shí)驗(yàn)中，粗拋時(shí)間130 s，制絨時(shí)間420 s制得的絨面結(jié)構(gòu)電學(xué)性能更佳；3號機(jī)實(shí)驗(yàn)中，A組粗拋時(shí)間130 s，制絨時(shí)間420 s的絨面電學(xué)性能最佳。各機(jī)臺(tái)存在實(shí)際差別，所以在機(jī)臺(tái)調(diào)試生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。