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單晶硅

  • 直拉法單晶硅中位錯(cuò)影響因素的研究進(jìn)展★
    )0 引言制備單晶硅的主要方法包括直拉法與提拉法,其發(fā)明者為波蘭的科學(xué)家Czochralski,發(fā)明時(shí)間為1916年。就直拉法單晶硅而言,因其具備晶體缺陷較少、純度較高等優(yōu)點(diǎn),在太陽(yáng)能電池以及半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛應(yīng)用。而硅中有害性最顯著,并且最常見(jiàn)的一種缺陷即為位錯(cuò)問(wèn)題,其可縮短少子的壽命,并且令金屬雜質(zhì)聚集在一起,進(jìn)而發(fā)生電流漏出的狀況。同時(shí),還能夠令單晶變成多晶,進(jìn)一步致使結(jié)構(gòu)出現(xiàn)損失。因此,本文通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外有關(guān)直拉法單晶硅位錯(cuò)相關(guān)研究情況進(jìn)行總結(jié)歸納,了

    山西化工 2023年7期2023-08-08

  • 海外單晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)線建設(shè)的分析與研究
    觸(PERC)單晶硅太陽(yáng)電池、遂穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)單晶硅太陽(yáng)電池、p 型叉指式背接觸(IBC)單晶硅太陽(yáng)電池和異質(zhì)結(jié)(HJT)單晶硅太陽(yáng)電池技術(shù)的投資成本進(jìn)行拆解,并對(duì)采用這4 種太陽(yáng)電池技術(shù)路線的海外生產(chǎn)線的建設(shè)成本和設(shè)備投資回報(bào)進(jìn)行對(duì)比;然后通過(guò)海外實(shí)際項(xiàng)目案例,對(duì)海外以PERC 和TOPCon 單晶硅太陽(yáng)電池技術(shù)為代表的生產(chǎn)線建設(shè)情況進(jìn)行研究分析。1 海外光伏市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀目前,全球已有130 多個(gè)國(guó)家和地區(qū)相繼宣布其碳中和目標(biāo),部分國(guó)家

    太陽(yáng)能 2023年6期2023-07-03

  • 單晶硅納米磨削亞表面損傷形成機(jī)制及其抑制研究*
    為半導(dǎo)體材料的單晶硅因?yàn)榫哂懈邚?qiáng)度、耐高溫、抗氧化以及耐磨損等優(yōu)異特性被廣泛應(yīng)用于集成電路的制造中,并且在手機(jī)、電腦、電器、國(guó)防建設(shè)以及航天等領(lǐng)域都扮演了重要角色[1]。隨著集成電路制造技術(shù)中對(duì)產(chǎn)品高性能、多功能、小型化和低功耗的需求,對(duì)硅晶圓減薄技術(shù)提出了越來(lái)越高的要求[2],同時(shí)也對(duì)減薄的厚度以及表面質(zhì)量提出了更高的需求。而單晶硅屬于典型的硬脆難加工材料,減薄過(guò)程中極易出現(xiàn)表面裂紋和亞表面損傷,嚴(yán)重限制其服役壽命和使用要求[3?4]。納米磨削技術(shù)由于可

    制造技術(shù)與機(jī)床 2023年3期2023-03-10

  • 四甲基胍單晶硅片濕法制絨工藝研究
    04)0 引言單晶硅太陽(yáng)電池的表面制絨是提高其光電轉(zhuǎn)換效率簡(jiǎn)單有效的方法之一。在單晶硅太陽(yáng)電池的制備過(guò)程中,單晶硅片的制絨工藝包括化學(xué)腐蝕法、反應(yīng)離子刻蝕法、光刻法、機(jī)械刻槽法等?;瘜W(xué)腐蝕法是目前光伏行業(yè)使用最廣泛的制絨工藝,通常采用堿醇混合溶液,比如氫氧化鈉或氫氧化鉀與異丙醇或乙醇的混合溶液,作為刻蝕體系。其中,堿為刻蝕劑,用于刻蝕硅片;醇為消泡劑,用于除去反應(yīng)產(chǎn)生的氫氣泡。硅片表面形成的金字塔結(jié)構(gòu)是由于堿與硅的各向異性反應(yīng)造成的,在一定濃度的堿溶液中,

    太陽(yáng)能 2022年7期2022-07-30

  • 飛秒脈沖激光輻照半導(dǎo)體材料的熱/力特性
    對(duì)飛秒激光作用單晶硅材料進(jìn)行數(shù)值模擬,得到硅的電子溫度、晶格溫度等隨入射能量強(qiáng)度的變化規(guī)律。Ashkin A[5]利用單光束成功觀測(cè)到聚焦激光束的力學(xué)效應(yīng)。林曉初[6]利用壓電探測(cè)器和超動(dòng)態(tài)應(yīng)變儀構(gòu)成的應(yīng)力/應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)得到了激光脈沖作用靶板的應(yīng)力/應(yīng)變過(guò)程。認(rèn)為實(shí)驗(yàn)條件下飛秒脈沖激光脈沖加載的瞬態(tài)應(yīng)力為GPa級(jí)。激光輻照材料產(chǎn)生的熱效應(yīng)具有幾何尺寸小、隱藏在材料內(nèi)部等特點(diǎn),且常規(guī)的應(yīng)力測(cè)量方法易受固體表面溫度的影響,因此實(shí)驗(yàn)采取非接觸式測(cè)量的方式研究飛秒

    裝備制造技術(shù) 2022年4期2022-07-24

  • 單晶硅太陽(yáng)電池濕法刻蝕工藝研究
    合實(shí)際生產(chǎn),以單晶硅太陽(yáng)電池制備過(guò)程中的濕法刻蝕工藝為例,提出濕法酸拋——富氫氟酸工藝和濕法堿拋工藝,并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證其可行性。1 實(shí)驗(yàn)1.1 實(shí)驗(yàn)材料本實(shí)驗(yàn)硅片采用河北松宮半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)的p型摻鎵單晶硅片,硅片尺寸為168 mm×168 mm,電阻率范圍為 0.4~0.8 Ω·cm。1.2 實(shí)驗(yàn)儀器本實(shí)驗(yàn)采用品牌為RENA的8道濕法刻蝕機(jī)臺(tái)、常州捷佳創(chuàng)智能裝備有限公司生產(chǎn)的去磷硅玻璃(PSG)機(jī)和堿拋機(jī)臺(tái),減重測(cè)試使用品牌為Setra的精密電子天平,使

    太陽(yáng)能 2022年6期2022-07-05

  • 激光輔助加工單晶硅溫度場(chǎng)的數(shù)值模擬
    摘 要:單晶硅作為光學(xué)晶體材料的典型代表,具有導(dǎo)熱性良好、紅外光折射率高等優(yōu)點(diǎn),但其脆性大、硬度高,難以加工,而激光輔助加工是提高單晶硅加工效率的有效方法?,F(xiàn)首先通過(guò)COMSOL Multiphysics軟件建立激光輔助加工單晶硅的有限元模型,確定了最合適的激光功率;然后通過(guò)單因素試驗(yàn)法,模擬了激光功率、光斑直徑、移動(dòng)速度對(duì)單晶硅溫度場(chǎng)的影響;最后采用紅外熱像儀獲得實(shí)驗(yàn)值,并與模擬值進(jìn)行比較,結(jié)果表明,測(cè)量的溫度值與仿真計(jì)算值變化趨勢(shì)是一致的。關(guān)鍵詞:激光

    機(jī)電信息 2022年12期2022-06-21

  • 單晶硅的放電加工條件與試驗(yàn)研究
    應(yīng)用[1]。但單晶硅的高硬度、高脆性以及低斷裂韌度,使其成為典型的脆性難加工材料,傳統(tǒng)的機(jī)械加工過(guò)程中容易出現(xiàn)加工效率低、加工精度無(wú)法保證、表面質(zhì)量差以及崩碎斷裂等缺陷,而復(fù)雜曲線及曲面的加工則更為困難[2]。放電加工(Electrical discharge machining,EDM)是種一非接觸式的種特種加工技術(shù)[3]。EDM利用電極與工件之間的脈沖放電產(chǎn)生的熱量對(duì)工件材料進(jìn)行不斷蝕除[4]。其特有的非接觸式蝕除機(jī)理,加工不受材料脆硬程度的限制,可以

    機(jī)械科學(xué)與技術(shù) 2022年3期2022-04-19

  • 基于分子動(dòng)力學(xué)模擬的單晶硅沖擊壓縮相變研究*
    準(zhǔn)靜態(tài)荷載下,單晶硅表現(xiàn)出顯著的多態(tài)性,目前已觀察到13 種相結(jié)構(gòu)。Mujica 等指出,單晶硅在10~11 GPa 的載荷下發(fā)生了從立方金剛石(cubic diamond, CD)結(jié)構(gòu)到β-白錫(β-tin)結(jié)構(gòu)的相變,并通過(guò)第一性原理計(jì)算出存在中間暫穩(wěn)態(tài) Imma 相。而增加壓力時(shí),晶體硅繼續(xù)發(fā)生向簡(jiǎn)單六角形(simple hexagonal,SH)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變;再進(jìn)一步增加壓力,變?yōu)镃mca 空間群結(jié)構(gòu),而在41 GPa 的高壓下,晶體硅又從Cmca

    爆炸與沖擊 2022年1期2022-02-11

  • 基于分子動(dòng)力學(xué)的單晶硅納米壓痕過(guò)程分析
    本文主要分析了單晶硅的納米壓痕過(guò)程,并嘗試解釋其瞬間原子位置、作用力變化以及其壓痕過(guò)程等原理。經(jīng)過(guò)筆者試驗(yàn)發(fā)現(xiàn):磨粒的不斷壓入,會(huì)使單晶硅的硅晶格發(fā)生變成,且磨粒產(chǎn)生的能量會(huì)以應(yīng)變能的形式存儲(chǔ)在晶格之中。同時(shí),隨著硅原子勢(shì)能增加到一定數(shù)值時(shí),硅原子鍵就會(huì)以斷裂形式變成非晶層堆積在磨粒下方。當(dāng)磨粒離開(kāi)單晶硅時(shí),非晶層開(kāi)始重構(gòu),釋放能量,達(dá)到新的平衡狀態(tài)。Abstract: Based on the perspective of molecular dynam

    內(nèi)燃機(jī)與配件 2022年1期2022-01-06

  • 光伏組件電池光致衰減效應(yīng)(LID)研究進(jìn)展
    ,p型摻硼直拉單晶硅太陽(yáng)電池在光照下會(huì)出現(xiàn)效率衰退現(xiàn)象,因此,提高晶體硅的品質(zhì)并抑制光衰的措施和機(jī)制成為光伏領(lǐng)域研究的重要課題。關(guān)鍵詞:晶體硅太陽(yáng)電池;光致衰減.Abstract:With the continuous improvement of the conversion efficiency of the p-type crystalline silicon solar cell,the problem of efficiency loss due

    科技信息·學(xué)術(shù)版 2021年29期2021-12-06

  • 背表面氮化硅薄膜與氧化鋁薄膜制備工藝對(duì) 單晶硅雙面太陽(yáng)電池EL的影響
    為了進(jìn)一步提高單晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率,研究人員針對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池背表面鈍化情況展開(kāi)了研究。鈍化的目的是為了盡量減少單晶硅片表面陷阱所引起的非平衡載流子的復(fù)合[1],通常是在單晶硅片背表面制備1層鈍化膜,即氧化鋁薄膜與氮化硅薄膜,依靠氧化鋁薄膜與氮化硅薄膜中的各種原子與半導(dǎo)體表面的懸掛鍵結(jié)合,從而降低單晶硅片表面陷阱對(duì)載流子壽命的影響。管式PECVD設(shè)備的背面鈍化工藝主要分為升溫、高溫退火、抽真空、氮化硅沉積、清洗這5個(gè)步驟。其中,升溫步驟主要是通過(guò)電

    太陽(yáng)能 2021年10期2021-11-03

  • 硅片加工過(guò)程崩邊的控制措施
    薛佳勇摘要:單晶硅片作為集成電路芯片生產(chǎn)主要原材料,在加工過(guò)程中的質(zhì)量控制是至關(guān)重要的,尤其是單晶硅片崩邊的出現(xiàn),更是困擾很多生產(chǎn)廠家的技術(shù)難題。本文只對(duì)單晶硅片加工的“斷”、“滾”、“切”、“倒”、“磨”幾個(gè)關(guān)鍵步驟中,如何控制單晶硅片崩邊的一些有效措施或者方法進(jìn)行論述,希望能夠給單晶硅片加工的同仁帶來(lái)幫助和啟迪!關(guān)鍵詞:單晶硅;芯片;集成電路;崩邊;金剛石;損傷層引言集成電路的原材料很多,硅、鍺、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵和碳化硅等等,但最基礎(chǔ)還是要以單晶

    科學(xué)與生活 2021年19期2021-10-30

  • 便攜式電動(dòng)汽車(chē)太陽(yáng)能充電板設(shè)計(jì)
    優(yōu)化等步驟,對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池特性分析以使本項(xiàng)目順利完成。關(guān)鍵詞:綠色出行;續(xù)航;單片機(jī);單晶硅1、研究的現(xiàn)狀及意義為了解決電動(dòng)汽車(chē)車(chē)主在行駛途中汽車(chē)電量不足的問(wèn)題,讓車(chē)主綠色出行,放心出行,保護(hù)環(huán)境,綠色你我他。本項(xiàng)目各部分作用可從如下幾點(diǎn)加以實(shí)施:(1)車(chē)主在出行前,不用擔(dān)心自己的電動(dòng)汽車(chē)電量不足的問(wèn)題。若在行駛途中,汽車(chē)電量不足,便可拿出本產(chǎn)品自己安裝給汽車(chē)充電,實(shí)現(xiàn)隨時(shí)隨地充電,擺脫定點(diǎn)充電的束縛;(2)裝置簡(jiǎn)單,方便操作。本項(xiàng)目產(chǎn)品質(zhì)量輕,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)

    科教創(chuàng)新與實(shí)踐 2021年12期2021-09-10

  • 世界首個(gè)旋式鑄造單晶爐研制成功
    ,相比傳統(tǒng)直拉單晶硅, 旋式鑄造單晶爐生產(chǎn)鑄造單晶的成本要低20%,耗能也僅為前者的23%。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,該成果表明我國(guó)光伏裝備研制水平邁上了新的臺(tái)階。多年來(lái),光伏發(fā)電以多晶硅、單晶硅電池為主。近年來(lái),單晶硅電池以較高的光電轉(zhuǎn)換率,在市場(chǎng)上逐步趕超多晶硅電池。單晶硅電池市場(chǎng)份額從2016年不到20%發(fā)展到如今接近90%,但單晶硅電池尤其是傳統(tǒng)直拉單晶的生產(chǎn)成本也較高,因此,大幅降低單晶硅成本是降低單晶硅電池乃至光伏發(fā)電成本的技術(shù)關(guān)鍵。據(jù)了解,鑄造單晶硅技術(shù)

    中國(guó)科學(xué)探險(xiǎn) 2021年3期2021-07-29

  • 電化學(xué)沉積制備高結(jié)晶度金箔
    方法,以傳統(tǒng)的單晶硅為基底,在三水合金酸氯化金水溶液(HAuCl4·3H2O,0.1mM)中沉積高度結(jié)晶的金薄膜。單晶硅已被證明是高度結(jié)晶半導(dǎo)體、光學(xué)材料和超導(dǎo)體外延生長(zhǎng)的理想襯底。電化學(xué)沉積的金箔沿著作為陰極的單晶硅襯底的晶向形成。通過(guò)石英晶體微天平定量地得到了薄膜厚度隨時(shí)間的變化規(guī)律,薄膜厚度可由施加電壓在0.1mM固定濃度下控制。為將金膜轉(zhuǎn)移到硅襯底上,在光照射下通過(guò)硅氧化法制備了一層薄氧化物(SiOx)層。【Abstract】In this pap

    中小企業(yè)管理與科技·上旬刊 2021年6期2021-07-14

  • 單晶硅微銑削表面粗糙度實(shí)驗(yàn)研究
    215009)單晶硅是一種硬而脆的材料[1],由于其獨(dú)特的物理化學(xué)性能,被廣泛應(yīng)用于微電子領(lǐng)域[2]。某些應(yīng)用通常把單晶硅制造成幾十甚至幾百微米的復(fù)雜結(jié)構(gòu)[3],并且要求很高的制造精度和表面質(zhì)量,典型的光刻技術(shù)、化學(xué)蝕刻等加工僅能加工平面2維或2.5維結(jié)構(gòu)[4-5],相比之下,微銑削能夠制造出3維微結(jié)構(gòu),同時(shí)具有高精度、高表面光潔度,且機(jī)械裝夾簡(jiǎn)單[6],相比于光刻機(jī)設(shè)備成本低廉。常溫下,單晶硅屬于脆性材料,去除材料以崩碎為主,只有在合適的切削參數(shù)條件下才

    蘇州科技大學(xué)學(xué)報(bào)(工程技術(shù)版) 2021年2期2021-07-02

  • PECVD工藝制備的背面氮化硅薄膜對(duì)雙面單晶硅太陽(yáng)電池EL發(fā)黑的影響
    硅薄膜導(dǎo)致雙面單晶硅太陽(yáng)電池EL發(fā)黑的各種條件進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證及理論分析,研究了背面氮化硅薄膜底層膜、中層膜,以及上層膜邊緣的折射率等條件不同的情況下對(duì)雙面單晶硅太陽(yáng)電池EL發(fā)黑的影響,研究結(jié)果對(duì)雙面單晶硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)線的現(xiàn)場(chǎng)良品率控制有一定的幫助。1 EL原理EL又稱場(chǎng)致發(fā)光。EL的基本原理為:給太陽(yáng)電池加正向偏置電壓,p區(qū)加正電壓,n區(qū)加負(fù)電壓,正向偏置電壓的電場(chǎng)與p-n結(jié)自建電場(chǎng)方向相反,正向偏置電壓的電場(chǎng)削弱了自建電場(chǎng)對(duì)晶體中電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙作用,

    太陽(yáng)能 2021年2期2021-03-04

  • 氚/單晶硅器件輻伏電池模型及樣機(jī)的長(zhǎng)期穩(wěn)定性研究
    量也容易控制。單晶硅器件的材料生長(zhǎng)工藝及器件制備工藝非常成熟,而且硅也是絕大部分低功耗集成電路和低功耗MEMS系統(tǒng)的原料,基于單晶硅器件制作輻伏同位素電池也易于實(shí)現(xiàn)與集成電路和MEMS系統(tǒng)集成。在應(yīng)用低能同位素氚、Ni-63等的輻伏同位素電池研究中,人們首先關(guān)注的是射線能量在半導(dǎo)體換能器件結(jié)構(gòu)中的能量沉積的優(yōu)化[3-5],但輻伏電池的輸出穩(wěn)定性是之后更須關(guān)注的研究?jī)?nèi)容。輻伏同位素電池的基本要素是同位素和半導(dǎo)體結(jié)型器件,一般所選同位素半衰期很長(zhǎng),同位素材料一

    同位素 2021年1期2021-02-25

  • 基于圖像處理的單晶硅金字塔織構(gòu)測(cè)量方法研究
    因此,計(jì)算分析單晶硅金字塔織構(gòu)高度的分布情況,對(duì)進(jìn)一步研究單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率是非常有意義的。目前,一些學(xué)者在表征單晶硅金字塔織構(gòu)的分布情況做了一些研究。文獻(xiàn)[1]通過(guò)掃描電子顯微鏡觀測(cè)制絨后單晶硅表面金字塔形貌,對(duì)比不同金字塔形貌圖片進(jìn)行定性分析。該方法往往取決于人的主觀判斷,檢測(cè)結(jié)果不夠準(zhǔn)確。文獻(xiàn)[2]利用掃描電子顯微照片(SEM)的統(tǒng)計(jì)分析檢測(cè)方法確定金字塔尺寸分布情況,該方法存在精確度不高,誤差大的缺點(diǎn)。文獻(xiàn)[3]基于共聚焦顯微鏡測(cè)量單晶硅金字

    現(xiàn)代電子技術(shù) 2020年15期2020-07-31

  • 加強(qiáng)本科生自動(dòng)化工程項(xiàng)目參與提高本科生專(zhuān)業(yè)課程學(xué)習(xí)興趣
    業(yè);工程項(xiàng)目;單晶硅中圖分類(lèi)號(hào):G642? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:B文章編號(hào):1671-489X(2020)14-0096-03Strengthen Participation of Undergraduate Automation Project and Enhance Undergraduate Students Interest in Professional Course: A Case Study of Single Crystal Silicon G

    中國(guó)教育技術(shù)裝備 2020年14期2020-01-28

  • 標(biāo)準(zhǔn)硅片波數(shù)定值及測(cè)量不確定度
    :標(biāo)準(zhǔn)硅片 ?單晶硅 ?拉曼光譜儀 ?波數(shù) ?不確定度中圖分類(lèi)號(hào):TB9 ? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1672-3791(2019)08(c)-0001-03Abstract: To establish a method for standard silicon wavenumber value and evaluation of measurement uncertainty for wavenumber value. Ods: The sample

    科技資訊 2019年24期2019-11-11

  • 毫秒激光輻照單晶硅產(chǎn)生燃燒波仿真及實(shí)驗(yàn)*
    130052)單晶硅是構(gòu)成各種微電子元器件的重要材料,微電子在國(guó)家經(jīng)濟(jì)、國(guó)防和科技現(xiàn)代化上起著舉足輕重的作用,一直是國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)[1-4].單晶硅也是非常優(yōu)良的紅外窗口材料,在強(qiáng)光輻照下易產(chǎn)生致燃損傷,研究激光致燃損傷單晶硅的規(guī)律和機(jī)理防止單晶硅損傷是激光及相關(guān)電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重要前題.目前,對(duì)激光誘導(dǎo)等離子體進(jìn)行的研究[5-10]多集中于短脈沖激光和金屬靶材,對(duì)毫秒脈寬的長(zhǎng)脈沖激光和半導(dǎo)體材料單晶硅的研究較少.本文建立毫秒脈沖激光誘導(dǎo)單晶硅產(chǎn)生燃燒波仿

    沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2019年5期2019-09-19

  • 晶體材料種類(lèi)區(qū)別及優(yōu)勢(shì)研究
    要:近年來(lái),以單晶硅和多晶硅為代表的各種晶體材料和相關(guān)高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,成為現(xiàn)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱,使信息產(chǎn)業(yè)成為全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展中增長(zhǎng)最快的主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)。本文針對(duì)單晶硅與多晶硅的特征、性質(zhì)、區(qū)別、應(yīng)用及優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析與研究,為實(shí)際開(kāi)發(fā)相關(guān)資源提供了理論參考。關(guān)鍵詞:晶體材料;單晶硅;多晶硅;太陽(yáng)能發(fā)電引言晶體材料作為一種潛力巨大,開(kāi)發(fā)利用率高的高科技資源,越來(lái)越受到人們的關(guān)注和重視。目前,為了擴(kuò)大太陽(yáng)能發(fā)電的消費(fèi)市場(chǎng),提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率是非常必要的,

    科學(xué)導(dǎo)報(bào)·學(xué)術(shù) 2019年23期2019-09-10

  • 單晶硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光基本特性研究
    和電子遷移率,單晶硅晶片已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于從宏觀到納米級(jí)的器件中,用于照明,光電檢測(cè),太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換等。例如,具有納米級(jí)光滑、超平坦且無(wú)損傷表面的單晶硅晶片適用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉淀,以生產(chǎn)高性能柔性太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管(LED)[1]。在加工過(guò)程中,單晶硅晶片首先經(jīng)歷鋸切過(guò)程,由于其高硬度和脆性,在晶片表面深處引入缺陷和/或斷裂損傷,隨后,利用研磨和拋光過(guò)程去除鋸切引起的損傷并產(chǎn)生一個(gè)名義上的無(wú)損傷表面。目前,CMP是被用作生產(chǎn)納米級(jí)光滑表面最有效的方式之一

    兵器裝備工程學(xué)報(bào) 2019年6期2019-07-05

  • 背鈍化膜特性對(duì)PERC單晶硅太陽(yáng)電池的影響研究
    射率對(duì)PERC單晶硅太陽(yáng)電池電性能的影響。通過(guò)分析不同的電性能參數(shù),并結(jié)合量子效率QE、少子壽命,對(duì)PERC單晶硅太陽(yáng)電池的電性能狀況進(jìn)行了分析。1 實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)中所使用的單晶硅片是目前各廠家量產(chǎn)的主流硅片,其規(guī)格為:p型單晶硅片,尺寸為156.75 mm×156.75 mm,電阻率為1~1.5 Ω·cm,厚度為180 μm。此單晶硅片采用PERC太陽(yáng)電池工藝流程制備,即制絨、擴(kuò)散、堿拋光、熱氧化、背面鍍氧化鋁膜及氮化硅膜、正面鍍氮化硅膜、激光刻槽、印刷燒結(jié),

    太陽(yáng)能 2019年5期2019-06-11

  • PERC雙面單晶硅光伏組件應(yīng)用技術(shù)與案例分析
    型PERC雙面單晶硅光伏組件;但是對(duì)于2017年才量產(chǎn)的PERC雙面產(chǎn)品,實(shí)際應(yīng)用的案例還不多,其產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)還未能得到充分論證。本文對(duì)PERC雙面單晶硅的發(fā)電技術(shù)進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹,并以全球PERC雙面單晶硅光伏組件大規(guī)模應(yīng)用的典型案例——黃河水電共和晨陽(yáng)光伏電站為例,對(duì)PERC雙面單晶硅光伏組件的發(fā)電量進(jìn)行了分析,為該發(fā)電技術(shù)的發(fā)展提供了一定參考。圖1 ITRPV太陽(yáng)電池技術(shù)的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)1 PERC雙面單晶硅技術(shù)介紹相比于常規(guī)鋁背場(chǎng)(Al-BSF)技術(shù),PERC

    太陽(yáng)能 2019年4期2019-05-13

  • 淺析單晶硅輻照中子注量在線測(cè)量信號(hào)刻度的影響因素
    探測(cè)器在線監(jiān)測(cè)單晶硅受照熱中子注量時(shí),需要對(duì)其測(cè)量信號(hào)(電流值)進(jìn)行刻度。由于探測(cè)器無(wú)法布置在硅體上,導(dǎo)致其信號(hào)刻度的影響因素較多且復(fù)雜。為保證刻度的準(zhǔn)確性,本文對(duì)影響自給能中子探測(cè)器和單晶硅位置的熱中子注量率分布及中子能譜的因素進(jìn)行了簡(jiǎn)要梳理和分析,并提出了一些刻度試驗(yàn)策略?!娟P(guān)鍵詞】單晶硅;自給能中子探測(cè)器;信號(hào)刻度中圖分類(lèi)號(hào): O774 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A 文章編號(hào): 2095-2457(2019)03-0192-002DOI:10.19694/j.c

    科技視界 2019年3期2019-04-20

  • 單多晶組件對(duì)比分析
    優(yōu)勢(shì)。關(guān)鍵詞:單晶硅;多晶硅;效率中圖分類(lèi)號(hào):TM914.4 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1671-2064(2018)03-0155-02太陽(yáng)能光伏發(fā)電的最核心器件是太陽(yáng)電池,商用的太陽(yáng)能電池主要包括單晶硅太陽(yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池、碲化鎘電池、銅銦硒電池等。單晶硅、多晶硅太陽(yáng)電池由于制造技術(shù)成熟、產(chǎn)品性能穩(wěn)定、使用壽命長(zhǎng)、光電轉(zhuǎn)化效率相對(duì)較高的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于大型并網(wǎng)光伏電站項(xiàng)目。1 單晶硅和多晶硅的區(qū)別當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子

    中國(guó)科技縱橫 2018年3期2018-03-15

  • 單晶硅光伏發(fā)電的前景和問(wèn)題
    現(xiàn)實(shí)意義。1 單晶硅光伏發(fā)電相關(guān)問(wèn)題概述1.1 單晶硅發(fā)電電池簡(jiǎn)介在目前的光伏發(fā)電發(fā)展中,對(duì)單晶硅光伏發(fā)電的運(yùn)用較多,單晶硅電池主要由單晶硅原料制造,屬于早期進(jìn)行太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)的一種電池品種。在現(xiàn)階段太陽(yáng)能電池制造的種類(lèi)中,單晶硅原料的太陽(yáng)能電池,具備最高的電力轉(zhuǎn)換效率,其擁有較為成熟的生產(chǎn)應(yīng)用技術(shù),在國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能發(fā)電的實(shí)際應(yīng)用與工業(yè)生產(chǎn)中所占比重最大。由于太陽(yáng)能電池未用其進(jìn)行普通硅的制造,主要目的是為了實(shí)現(xiàn)高純度目標(biāo),并在制作過(guò)程中增加其復(fù)雜性,容易導(dǎo)致能源的

    建材與裝飾 2018年38期2018-02-14

  • 基于單晶硅制絨金字塔生長(zhǎng)異常的解決方法
    要本文研究的是單晶硅太陽(yáng)能電池堿制絨后出現(xiàn)異常表面的分析方法。以正常生產(chǎn)中出現(xiàn)的亮片表面為例,進(jìn)行全面解析,通過(guò)SEM對(duì)不同制絨后的片進(jìn)行金字塔的大小測(cè)量及ImageJ軟件統(tǒng)計(jì)單位面積的金字塔個(gè)數(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)比較得到基礎(chǔ)數(shù)據(jù),分析影響晶體硅金字塔結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)異常的原因,便于查找相關(guān)的工藝和設(shè)備問(wèn)題,為晶體硅太陽(yáng)能制絨的正常生產(chǎn)提供了數(shù)據(jù)分析參考和經(jīng)驗(yàn)積累?!娟P(guān)鍵詞】單晶硅 制絨 金字塔 工藝 設(shè)備 數(shù)據(jù)分析 經(jīng)驗(yàn)積累單晶制絨的工藝以及設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)對(duì)表面制絨的效果起

    電子技術(shù)與軟件工程 2017年24期2018-01-17

  • 光伏:單晶硅片價(jià)格累計(jì)降幅高達(dá)12.5%
    2月4日,隆基單晶硅片156.75mm*156.75mm價(jià)格整體調(diào)整,調(diào)整后180um單晶硅片針對(duì)國(guó)內(nèi)執(zhí)行4.8元/片,價(jià)格下調(diào)0.4元/片,降幅達(dá)7.7%。多晶硅價(jià)格同樣下行,價(jià)格跌破130元/公斤,降價(jià)幅度達(dá)到13.3%。不到一個(gè)月,隆基單晶硅片在2月23日再次宣布價(jià)格下調(diào)。國(guó)內(nèi)價(jià)格從4.8元/片下調(diào)至4.55元/片,國(guó)外價(jià)格從0.67美元/片下調(diào)至0.63美元/片。連續(xù)兩次下調(diào)單晶硅片價(jià)格累計(jì)降低0.65元/片,累計(jì)降幅高達(dá)12.5%。從目前來(lái)看,單

    能源 2018年3期2018-01-16

  • 淺析單晶硅生長(zhǎng)的機(jī)理
    馮殿義摘 要 單晶硅作為影響國(guó)家未來(lái)技術(shù)發(fā)展的重要材料,對(duì)于我國(guó)高新技術(shù)發(fā)展具有戰(zhàn)略性地位。論文主要對(duì)形成單晶硅的重要方法即直拉法(CZ)單晶硅生長(zhǎng)的機(jī)理與工藝進(jìn)行了分析,并對(duì)如何提純材料,提純減少雜質(zhì)的措施進(jìn)行了介紹。關(guān)鍵詞 單晶硅;生長(zhǎng)機(jī)理;雜質(zhì)中圖分類(lèi)號(hào) TM91 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼 A 文章編號(hào) 2095-6363(2017)17-0002-01單晶硅作為影響國(guó)家未來(lái)技術(shù)發(fā)展的重要材料屬于立方晶系,單晶硅具有獨(dú)特的金剛石結(jié)構(gòu)。這種材料獨(dú)特的結(jié)構(gòu)屬性,使其成

    科學(xué)家 2017年17期2017-10-09

  • 葡萄糖對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池制絨的影響
    27)葡萄糖對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池制絨的影響蔡淑紅,石 晶,姜 燕,譚凱峰,劉波濤(中國(guó)船舶重工集團(tuán)第七一八研究所,河北 邯鄲 056027)本課題考察了葡萄糖作為制絨添加劑對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池制絨的影響,試驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)使用1.3%NaOH和6%乙醇的水溶液作為制絨液時(shí),葡萄糖濃度為(0~400)ppm時(shí),隨著葡萄糖濃度的不斷增加,單晶硅片表面金字塔結(jié)構(gòu)尺寸和平均反射率不斷減小,結(jié)構(gòu)越來(lái)越規(guī)則;當(dāng)葡萄糖濃度為400ppm時(shí),得到的單晶硅片金字塔形狀完整,尺寸大

    山東化工 2017年15期2017-09-16

  • 光伏發(fā)電電池和變換器拓?fù)渚C述
    綜述。關(guān)鍵詞:單晶硅;多晶硅;逆變拓?fù)涔夥l(fā)電在整個(gè)能源消費(fèi)中所占比例雖然還不大,但其增長(zhǎng)速度比較快,且在某些應(yīng)用場(chǎng)合是無(wú)法替代的。中國(guó)目前光伏發(fā)電的40%用于解決邊遠(yuǎn)無(wú)電地區(qū)人民生活用電問(wèn)題。作為可再生清潔能源的主要形式之一,光伏發(fā)電的發(fā)展得到了國(guó)家、地方各級(jí)政府的支持與扶持。光伏發(fā)電技術(shù)主要分為三代。第一代是晶體硅光伏電池,分為單晶硅和多晶硅,現(xiàn)在用得非常普遍,在我國(guó)其市場(chǎng)占有份額很大。第二代是品種繁多的薄膜電池,優(yōu)點(diǎn)是材料用量少,缺點(diǎn)是轉(zhuǎn)化率通常只有

    科學(xué)與財(cái)富 2017年17期2017-06-16

  • 單晶硅太陽(yáng)電池工藝研究
    ,研究背腐蝕對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池工藝的影響。通過(guò)分析腐蝕后硅片表面形貌及電池電性能的變化,發(fā)現(xiàn)腐蝕降低了硅片表面粗糙度以及表面電子空穴復(fù)合速率;內(nèi)量子效率中短波響應(yīng)增強(qiáng),開(kāi)路電壓和短路電流分別增加了2.1mV和26 mA。關(guān)鍵詞:單晶硅;電池效率;背腐蝕;光譜響應(yīng)中圖分類(lèi)號(hào):TN914 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1671-2064(2017)05-0081-011 引言在目前的光伏行業(yè)中,硅基太陽(yáng)電池仍然占據(jù)著主要地位。隨著硅材料價(jià)格的持續(xù)快速下降,以及單晶電

    中國(guó)科技縱橫 2017年5期2017-05-12

  • 隆基的單晶篤定
    2016年,“單晶硅”這個(gè)詞突然火了起來(lái),雖然此時(shí)的光伏市場(chǎng)仍然攥在多晶硅的手上,但是風(fēng)向的變化讓人不得不開(kāi)始重新審視單晶硅的價(jià)值。如果說(shuō)協(xié)鑫是多晶硅片的帝王,那么隆基便是單晶硅片的代名詞。不論國(guó)內(nèi)多晶市場(chǎng)怎樣好,隆基都不曾涉足多晶領(lǐng)域,一直篤定單晶,不斷為單晶的技術(shù)進(jìn)步和成本下降而努力。隨著“領(lǐng)跑者”計(jì)劃的推行,國(guó)家對(duì)于光伏技術(shù)和成本的要求開(kāi)始提高,越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始追求更為高效的光伏產(chǎn)品,以期在接下來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)先機(jī)。多晶雖然占據(jù)著大部分的市場(chǎng),但

    能源 2017年3期2017-04-19

  • 單晶硅輻照退火裝置溫控系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用
    要:本文依據(jù)單晶硅輻照退火工藝要求,針對(duì)退火裝置溫度控制的要求,設(shè)計(jì)一套溫度控制系統(tǒng),采用自適應(yīng)模糊PID溫度控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)高精度的溫度自動(dòng)控制;設(shè)計(jì)相應(yīng)的安全聯(lián)鎖電路以保證退火過(guò)程的安全性和有效性;通過(guò)對(duì)升溫速率、恒溫定值、恒溫時(shí)間等參數(shù)的設(shè)置與修改,滿足不同的溫度控制要求,具有靈活的適用性,可廣泛應(yīng)用于相關(guān)的溫控工藝中。經(jīng)過(guò)系統(tǒng)調(diào)試與運(yùn)行,調(diào)試結(jié)果滿足使用要求,確保退火裝置安全、可靠的運(yùn)行和任務(wù)的完成。關(guān)鍵詞:溫度控制;PID控制;單晶硅DOI:10.

    山東工業(yè)技術(shù) 2017年4期2017-03-28

  • 對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝的研究
    46000)對(duì)單晶硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝的研究王森濤 焦朋府 張 波(山西潞安太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司,山西 長(zhǎng)治 046000)文章主要對(duì)制絨、擴(kuò)散制結(jié)、等離子邊緣刻蝕、去磷硅玻璃、PECVD鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷電極、燒結(jié)幾種單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝展開(kāi)了研究分析。單晶硅;太陽(yáng)能;電池;生產(chǎn)工藝;研究在傳統(tǒng)能源不斷枯竭的背景下,作為新能源和綠色能源的太陽(yáng)能受到了越來(lái)越多的關(guān)注。而在太陽(yáng)能的利用中,太陽(yáng)能電池是目前使用最為廣泛的。由于單硅晶電池是目前在太陽(yáng)能

    化工管理 2017年11期2017-03-05

  • 單晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工藝
    能源枯竭問(wèn)題。單晶硅太陽(yáng)能電池是一種將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能的有效裝置。本文就單晶硅太陽(yáng)能的生產(chǎn)工藝展開(kāi)研究?!娟P(guān)鍵詞】單晶硅 太陽(yáng)能電池 生產(chǎn)工藝太陽(yáng)能電池便是一種可將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置。硅太陽(yáng)能電池是各種太陽(yáng)能電池中性能較為優(yōu)越的種類(lèi),其可靠性高、壽命長(zhǎng)、成本低,其中又以單晶硅和多晶硅為代表,本文重點(diǎn)研究單晶硅太陽(yáng)能電池。1 制絨制絨過(guò)程采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)味20%堿液于80℃溫度下對(duì)硅片進(jìn)行表面處理,從而達(dá)到去除損傷層效果。腐蝕作用速度為6-10um/min

    電子技術(shù)與軟件工程 2016年20期2016-12-21

  • 直拉法硅單晶中晶轉(zhuǎn)對(duì)雜質(zhì)含量的影響
    鳳艷【摘 要】單晶硅是半導(dǎo)體器件、集成電路以及太陽(yáng)能電池片的重要原材料,對(duì)信息技術(shù)的發(fā)展及新能源光伏行業(yè)的發(fā)展有著至關(guān)重要的影響。直拉法是單晶硅生產(chǎn)制備的重要方法之一,其生長(zhǎng)過(guò)程涉及到傳熱、傳質(zhì)等物理過(guò)程,同時(shí)涉及到化學(xué)反應(yīng)等化學(xué)過(guò)程。其中生長(zhǎng)過(guò)程中的晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)直接影響晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的溫度分布、熔體對(duì)流,最終影響單晶中的雜質(zhì)分布及電阻率分布等。本文以晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)為研究對(duì)象,分析其變化與單晶雜質(zhì)、電阻率等品質(zhì)的關(guān)系,以通過(guò)工藝調(diào)整,控制單晶品質(zhì)?!娟P(guān)鍵詞】單晶

    大陸橋視野·下 2016年7期2016-12-15

  • 單晶硅引領(lǐng)光伏產(chǎn)業(yè)走向更高效率、更高收益
    者 ■ 包婧文單晶硅引領(lǐng)光伏產(chǎn)業(yè)走向更高效率、更高收益本刊記者 ■ 包婧文搭借SNEC展會(huì)的順風(fēng)車(chē),西安隆基硅材料股份有限公司于5月24日在上海浦東嘉里大酒店召開(kāi)了2016年隆基股份戰(zhàn)略發(fā)布,吸引了眾多業(yè)內(nèi)人士和媒體的關(guān)注。該公司是全球最大的單晶硅光伏產(chǎn)品制造商,致力于為光伏和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供高品質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。鐘寶申2015年,我國(guó)單晶硅的市場(chǎng)份額從5%增長(zhǎng)至15%,有顯著提升。單晶硅路線實(shí)現(xiàn)了革命性的成本突破,使系統(tǒng)投資更低;并且單晶硅高效率、高可靠、發(fā)

    太陽(yáng)能 2016年6期2016-09-23

  • 金剛石飛切單晶硅的切削力模型及試驗(yàn)研究
    00金剛石飛切單晶硅的切削力模型及試驗(yàn)研究閆艷燕王潤(rùn)興趙波河南理工大學(xué),焦作,454000摘要:首先對(duì)金剛石飛切單晶硅的加工特點(diǎn)進(jìn)行分析,建立了未變形切屑厚度模型及材料去除類(lèi)型的理論判定條件;然后推導(dǎo)出了適合金剛石飛切加工特點(diǎn)和單晶硅材料特性的數(shù)學(xué)預(yù)測(cè)模型;最后進(jìn)行了切削力正交試驗(yàn),并通過(guò)切削力試驗(yàn)值與模型計(jì)算值對(duì)比驗(yàn)證了切削力模型的合理性。同時(shí)根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果總結(jié)了各主要加工參數(shù)(切深ap、進(jìn)給量f、主軸轉(zhuǎn)速n)及其產(chǎn)生的最大未變形切屑厚度hmax對(duì)切削力的

    中國(guó)機(jī)械工程 2016年4期2016-06-23

  • 摻雜單晶硅納米梁的諧振頻率特性?
    46)0 引言單晶硅技術(shù)是現(xiàn)代集成電路技術(shù)的基礎(chǔ),同時(shí)納米硅也是制造NEMS的主要材料之一.納機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)已有許多重要的應(yīng)用,如超大規(guī)模傳感器[1?3]、參數(shù)反饋振蕩器[4]、開(kāi)關(guān)[5,6]等.從長(zhǎng)期可靠性的角度來(lái)看,這些諧振器的振動(dòng)特性和機(jī)械性能,如楊氏模量和諧振頻率的研究是非常重要的,應(yīng)該受到研究人員的重視.對(duì)于單晶硅材料的力學(xué)特性在實(shí)驗(yàn)、理論分析、分子動(dòng)力學(xué)模擬等方面已經(jīng)做了一些研究.已有的一些實(shí)驗(yàn)研究了硅納米梁、納米線等,基于連續(xù)介質(zhì)假設(shè)方

    新疆大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)(中英文) 2016年4期2016-05-16

  • 氧化石墨烯在水合肼中對(duì)單晶硅織構(gòu)化的影響
    烯在水合肼中對(duì)單晶硅織構(gòu)化的影響張會(huì)丹裴重華(四川省非金屬?gòu)?fù)合與功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室-省部共建國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地四川綿陽(yáng)621000)摘要:單晶硅太陽(yáng)能電池的表面反射率是影響其光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一,表面織構(gòu)化對(duì)降低表面反射率有著重要作用。采用水合肼對(duì)單晶硅進(jìn)行刻蝕,并采用不同氧化程度的氧化石墨烯作為碳催化劑對(duì)水合肼腐蝕體系進(jìn)行催化,采用失重法、XRD、SEM和FTIR測(cè)試手段對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行表征。結(jié)果表明:氧化石墨烯的加入對(duì)水合肼體系起到了促進(jìn)催化的

    西南科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2016年1期2016-05-07

  • 新興工業(yè)材料加工用金剛石工具
    應(yīng)用,并介紹了單晶硅、多晶硅和藍(lán)寶石的加工流程和加工過(guò)程中用到的金剛石工具,其中重點(diǎn)介紹了金剛石圓鋸片、高精度鉆頭、金剛石線鋸、超細(xì)粒度金剛石砂輪和金剛石超薄切割片,最后就國(guó)內(nèi)金剛石工具的發(fā)展趨勢(shì)做了簡(jiǎn)單闡述。關(guān)鍵詞:單晶硅;多晶硅;藍(lán)寶石;砂輪;線鋸1 前言我國(guó)金剛石工具的發(fā)展經(jīng)歷了地質(zhì)勘探、石材和建材加工等傳統(tǒng)的大發(fā)展階段,其代表產(chǎn)品包括地質(zhì)鉆頭、金剛石鋸片、繩鋸、框架鋸等。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,以及國(guó)家對(duì)環(huán)保理念的不斷普及,金剛石工具不斷地進(jìn)入新領(lǐng)域,

    超硬材料工程 2016年2期2016-04-26

  • 單晶硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響研究
    33030)?單晶硅片質(zhì)量對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響研究謝義(安徽電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 安徽 蚌埠 233030)摘要:太陽(yáng)能電池硅片的質(zhì)量是影響電池片轉(zhuǎn)換效率以及電池組件發(fā)電效率的一個(gè)關(guān)鍵因素。硅片缺陷的存在會(huì)極大地降低電池片的發(fā)電效率,減少電池組件的使用壽命,甚至影響光伏發(fā)電系統(tǒng)的穩(wěn)定性。通過(guò)對(duì)單晶硅片質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè),分析少子壽命、早期光致衰減以及位錯(cuò)對(duì)太陽(yáng)能電池性能的影響及解決方案。關(guān)鍵詞:單晶硅; 太陽(yáng)能電池; 轉(zhuǎn)換效率; 光致衰減; 位錯(cuò)近年來(lái)隨著光

    重慶科技學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版) 2016年1期2016-03-24

  • 微鉆—單晶硅切削工具
    敏摘 要:微鉆單晶硅切削工具用于制造三維微形狀工件。微鉆是一個(gè)D形橫截面,切削刃的半徑為0.5μm的電磨工具(WEDG)。結(jié)果表明:實(shí)現(xiàn)切割延性域切削深度為0.1μm,間隙角大于0°,以防止在孔入口處斷裂。最小的機(jī)加工的孔直徑為6.7μm,這是最小的不只是在本研究中,也是迄今使用的最小切削工具鉆孔。對(duì)半導(dǎo)體單晶硅滾磨加工技術(shù)是很好的促進(jìn)。關(guān)鍵詞:微鉆 微型刃具 單晶硅中圖分類(lèi)號(hào):TH161 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1672-3791(2014)09(b)

    科技資訊 2014年26期2014-12-03

  • 太陽(yáng)能單晶硅位錯(cuò)的返切辦法
    要:根據(jù)太陽(yáng)能單晶硅位錯(cuò)密度關(guān)鍵詞:位錯(cuò)密度;位錯(cuò)返切前言太陽(yáng)能單晶硅是光伏發(fā)電的主要材料,其位錯(cuò)密度是影響光伏發(fā)電效率的重要因素,本文對(duì)其位錯(cuò)密度的返切方法進(jìn)行研究。1.實(shí)驗(yàn)部分1.1實(shí)驗(yàn)依據(jù)1.1.1太陽(yáng)能單晶硅位錯(cuò)密度1.1.2位錯(cuò)遷移理論:單晶硅棒拉制后,由于熱應(yīng)力作用,尾部會(huì)產(chǎn)生大量位錯(cuò),沿著單晶向上延伸,延伸的長(zhǎng)度約等于單晶尾部的直徑。2.實(shí)驗(yàn)根據(jù)位錯(cuò)遷移理論分別將太陽(yáng)能單晶硅掉苞棒返切130mm、120mm、110mm,以其位錯(cuò)密度將單晶掉苞

    中國(guó)機(jī)械 2014年24期2014-10-21

  • 光伏市場(chǎng)回暖單晶硅突襲材料市場(chǎng)
    驗(yàn),同樣瓦數(shù)的單晶硅光伏電池比多晶硅電池的發(fā)電效率高6%以上。”青島隆盛晶硅科技有限公經(jīng)理潘志明表示,國(guó)家鼓勵(lì)分布式光伏發(fā)電,并對(duì)光伏發(fā)電實(shí)行度電補(bǔ)貼的政策,促使電站開(kāi)發(fā)商更加關(guān)注電池的轉(zhuǎn)化效率和經(jīng)濟(jì)效益,而單晶硅產(chǎn)品在這方面優(yōu)勢(shì)明顯。千億市場(chǎng)爭(zhēng)奪路線決定收益自2013年起,國(guó)家不斷出臺(tái)鼓勵(lì)光伏發(fā)電和并網(wǎng)的政策,并明晰電價(jià)補(bǔ)貼標(biāo)準(zhǔn)。2013年,我國(guó)新增并網(wǎng)光伏發(fā)電裝機(jī)達(dá)11.3吉瓦,成為該年度全球最大的光伏發(fā)電市場(chǎng)。根據(jù)規(guī)劃,2014年全國(guó)光伏新增裝機(jī)目標(biāo)

    化工管理 2014年25期2014-04-04

  • 光伏單晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片
    光伏單晶硅片成本下降速度有望快于多晶硅片目前,由于單晶切片采用金剛線切片已成為趨勢(shì),中銀國(guó)際預(yù)計(jì),未來(lái)單晶硅片的成本下降速度快于多晶硅片,從而兩者之間的價(jià)差亦進(jìn)一步縮短。金剛線的特點(diǎn)是可以將硅片切的更薄且高效,金剛線切割速度是普通剛線的兩倍,而且不需要特殊切割液,用水作為溶劑。同時(shí)金剛線直徑小,線損低,可切割更薄的硅片。另外,單晶硅棒因其晶格有序的特性,可以實(shí)現(xiàn)金剛線切片的規(guī)模應(yīng)用,促進(jìn)硅片薄片化,對(duì)應(yīng)每瓦硅片的硅料耗量將更低。隨著電池技術(shù)的改進(jìn),更薄的硅

    電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備 2014年8期2014-03-24

  • 晶盛機(jī)電擬投產(chǎn)單晶硅設(shè)備
    晶盛機(jī)電擬投產(chǎn)單晶硅設(shè)備晶盛機(jī)電公司擬對(duì)部分募集資金投向進(jìn)行變更。擬將“年產(chǎn)400臺(tái)全自動(dòng)單晶硅生長(zhǎng)爐擴(kuò)建項(xiàng)目”,變更為“年產(chǎn)100臺(tái)單晶硅棒切磨設(shè)備項(xiàng)目”。根據(jù)公告,年產(chǎn)400臺(tái)全自動(dòng)單晶硅生長(zhǎng)爐擴(kuò)建項(xiàng)目總投資為13485萬(wàn)元。截至公告日,該募投項(xiàng)目累計(jì)使用募集資金5273.72萬(wàn)元,占項(xiàng)目投資總額39.10%,仍剩余募集資金8789.56萬(wàn)元。調(diào)整后,公司擬投資年產(chǎn)100臺(tái)單晶硅棒切磨設(shè)備項(xiàng)目,新項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資15000萬(wàn)元,擬使用原年產(chǎn)400臺(tái)全自動(dòng)

    有色設(shè)備 2014年5期2014-03-08

  • 圖像處理在單晶硅直徑檢測(cè)中的應(yīng)用
    200234)單晶硅是晶體材料的重要組成部分,以單晶硅為代表的高科技附加值材料及相關(guān)高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,已經(jīng)成為現(xiàn)代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱。單晶硅的主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等,它作為一種極具潛能,亟待開(kāi)發(fā)利用的高科技資源,具有巨大的市場(chǎng)和廣闊的發(fā)展空間。由于世界上許多國(guó)家已經(jīng)掀起了太陽(yáng)能開(kāi)發(fā)利用的熱潮,因此單晶硅正引起越來(lái)越多的關(guān)注和重視。直拉法單晶制造法生長(zhǎng)具有生長(zhǎng)速度快、晶體純度高等優(yōu)點(diǎn),隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展,直拉法單晶制

    電視技術(shù) 2013年5期2013-08-13

  • 單晶硅電池技術(shù)與市場(chǎng)的博弈
    硅電池市場(chǎng)又分單晶硅與多晶硅。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,單晶硅與多晶硅的市場(chǎng)份額占比分別在30%~40%和50%~60%之間。單晶硅和多晶硅的區(qū)別在于當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的芯片,則形成單晶硅;如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的芯片,則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,多晶硅均不如單晶硅。目前的硅基電池主要性能參數(shù)見(jiàn)表1??梢钥闯觯?span id="syggg00" class="hl">單晶硅電池?zé)o論是在實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換

    太陽(yáng)能 2012年24期2012-09-11

  • 單晶硅等效機(jī)械特性的實(shí)驗(yàn)研究*
    張 旭,李 浩,肖定邦,侯占強(qiáng),王興華,吳學(xué)忠(國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)機(jī)電工程及自動(dòng)化學(xué)院,長(zhǎng)沙410073)Single crystal silicon is the most commonly used material in the microelectromechanical systems(MEMS)because of its excellent mechanical properties.The accurate mechanical parame

    傳感技術(shù)學(xué)報(bào) 2012年8期2012-06-12