龍潔 李九生

(中國計(jì)量大學(xué) 太赫茲研究所, 杭州 310018)

利用相變材料嵌入超表面組成復(fù)合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)太赫茲移相器, 該器件自上而下依次為二氧化釩嵌入金屬層、液晶、二氧化釩嵌入金屬層、二氧化硅層.通過二氧化釩的相變特性和液晶的雙折率特性同時(shí)作用實(shí)現(xiàn)對(duì)器件相位調(diào)控.隨著外加溫度變化二氧化釩電導(dǎo)率發(fā)生改變, 器件的相位隨之產(chǎn)生移動(dòng), 同樣的對(duì)液晶層施加不同的電壓導(dǎo)致液晶折射率發(fā)生變化, 器件相位也會(huì)有影響.經(jīng)過這兩種介質(zhì)共同作用, 最終實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波相位有效調(diào)控.仿真結(jié)果驗(yàn)證了該相移器在頻率f = 0.736 THz 時(shí), 太赫茲移相器的最大相移量達(dá)到355.37°, 在0.731—0.752 THz (帶寬為22 GHz)頻率范圍相移量超過350°.這種基于相變材料與超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)為靈活調(diào)控太赫茲波提供了一種新思路, 將在太赫茲成像、通信等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景.

1 引 言

近年來, 太赫茲技術(shù)在通信、安檢、成像、光譜、生命醫(yī)學(xué)、無損檢測等領(lǐng)域有著越來越廣泛應(yīng)用[1?3], 各類太赫茲波調(diào)控器件也層出不窮[4?10],這些器件主要集中對(duì)太赫茲波的頻率、幅度和偏振態(tài)進(jìn)行控制.而作為太赫茲波重要參量之一的相位也逐漸成為熱門研究課題, 因此開展太赫茲波段的移相器研究就顯得意義重大.當(dāng)前, 國內(nèi)外對(duì)太赫茲移相器研究已有部分報(bào)道如: 2004 年, Chen等[11]提出了由石英-液晶材料-石英結(jié)構(gòu)的液晶磁控太赫茲移相器, 在頻率為1 THz 時(shí)最大相移量為360°.2011 年, Grigoryeva 等[12]提出一種電磁雙可調(diào)移相器, 構(gòu)造的六鐵氧體-鐵電層狀結(jié)構(gòu)可以被用作移相器的波導(dǎo)元件.2016 年, Han 等[13]借助超材料設(shè)計(jì)了一種雙層偶極子諧振結(jié)構(gòu)太赫茲波移相器, 實(shí)現(xiàn)了90°的相位延遲.同年, Chodorow等[14]提出一種氧化銦錫-光柵復(fù)合結(jié)構(gòu)太赫茲移相器, 該移相器由石英-氧化銦錫電極-液晶-氧化銦錫電極-石英依次組成, 在f= 2.5 THz 處實(shí)現(xiàn)最大相移量為180°.2018 年, Ibrahim 等[15]利用機(jī)械方式驅(qū)動(dòng)可調(diào)式完美磁導(dǎo)體, 通過壓電致動(dòng)器與微細(xì)加工組裝形成一個(gè)移相單元, 實(shí)現(xiàn)380°相移.2019 年, Inoue 等[16]研究了一種聚合物-液晶復(fù)合結(jié)構(gòu)太赫茲移相器, 通過改變聚合物濃度來控制相移量之間的平衡, 可以在頻率為0.4 THz 處實(shí)現(xiàn)30°相移量.同年, Ji 等[17]利用鐵磁液晶材料研制了一種偏振轉(zhuǎn)換太赫茲移相器, 通過調(diào)節(jié)外加磁場大小來實(shí)現(xiàn)相位延遲, 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該移相器在f= 1.45 THz 能夠?qū)崿F(xiàn)180°相移.然而上述報(bào)道的太赫茲移相器往往需要較大的介質(zhì)厚度才能實(shí)現(xiàn), 且不易于外部調(diào)控.

本文設(shè)計(jì)了一種相變材料嵌入超表面的復(fù)合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)太赫茲移相, 該器件自上而下依次為二氧化釩嵌入金屬層、液晶、二氧化釩嵌入金屬層、二氧化硅層.通過改變外加溫度使二氧化釩電導(dǎo)率發(fā)生改變, 使得太赫茲波傳輸通過器件的相位也隨之產(chǎn)生變化, 最終實(shí)現(xiàn)太赫茲波相位有效調(diào)控.當(dāng)頻率為0.736 THz 時(shí), 太赫茲移相器的最大相移量達(dá)到355.37°, 在0.731—0.752 THz (帶寬為22 GHz)頻率范圍相移量超過350°.該太赫茲移相器具有器件結(jié)構(gòu)尺寸小、相移量大、便于調(diào)控等優(yōu)點(diǎn).

2 太赫茲移相器結(jié)構(gòu)

本文提出的相變材料嵌入超表面組成復(fù)合結(jié)構(gòu)太赫茲移相器三維結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示, 其結(jié)構(gòu)單元如圖1(b)所示, 從上到下依次為二氧化釩嵌入上超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)(上金屬層)、液晶層、二氧化釩嵌入下超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)(下金屬層)、二氧化硅基體.金屬銅的電導(dǎo)率可表示為σcopper= 5.8 × 107S/m[18], 金屬銅(黃色標(biāo)注)和二氧化釩(橙色標(biāo)注)的厚度均為0.2 μm, 二氧化硅基體的相對(duì)介電常數(shù)為ε= 3.9, 其厚度為40 μm.液晶層厚度為20 μm.二氧化釩嵌入上超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)(上金屬層)如圖1(c)所示, 上層二氧化釩構(gòu)造了二氧化釩雙矩形結(jié)構(gòu), 相應(yīng)尺寸參數(shù)為: 單元周期為P=110 μm,L1= 70 μm,L2= 25 μm,h1= 60 μm,

圖1 (a)相變材料(二氧化釩)嵌入超表面組成復(fù)合結(jié)構(gòu)太赫茲移相器示意圖; (b) 太赫茲移相器單元三維結(jié)構(gòu);(c)二氧化釩嵌入超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)(上金屬層); (d) 二氧化釩嵌入超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)(下金屬層)Fig.1.(a) Schematic diagram of the proposed terahertz phase shifter based on vanadium dioxide embedded metasurface composite structure; (b) three-dimensional structure diagram of unit cell; (c) vanadium dioxide embedded metasurface composite structure (i.e.top layer); (d) vanadium dioxide embedded metasurface composite structure (i.e.bottom layer).

h2= 15 μm.二氧化釩嵌入下超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)(下金屬層)如圖1(d)所示, 矩形缺口金屬銅層嵌入U(xiǎn) 形結(jié)構(gòu)二氧化釩, 相應(yīng)尺寸參數(shù)為:L3= 70 μm,h3= 40 μm,L4= 30 μm.由于頂層二氧化釩嵌入上超表面復(fù)合結(jié)構(gòu)直接暴露空氣中, 可以通過激光擴(kuò)束輻照控溫方法對(duì)頂層二氧化釩的溫度進(jìn)行調(diào)控.對(duì)于加工在二氧化硅基體上的下層二氧化釩嵌入表面復(fù)合結(jié)構(gòu)可以通過從底部輻照擴(kuò)束激光對(duì)下層二氧化釩的控溫.最終整個(gè)相變材料嵌入超表面組成復(fù)合結(jié)構(gòu)太赫茲移相器的相移量可以通過上下兩路擴(kuò)束激光進(jìn)行切換控制.本文采用CST Studio Suite 軟件進(jìn)行器件仿真.

3 計(jì)算結(jié)果與討論

二氧化釩作為一種相變材料, 外加溫度發(fā)生改變時(shí)其電導(dǎo)率也隨之發(fā)生變化.當(dāng)溫度低于相變溫度68 ℃時(shí), 二氧化釩為高阻態(tài), 相對(duì)介電常數(shù)為εi= 9; 當(dāng)溫度高于相變溫度68 ℃時(shí), 二氧化釩變?yōu)楦邔?dǎo)態(tài), 在太赫茲頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)從電介質(zhì)到金屬態(tài)的轉(zhuǎn)變[19].其相對(duì)介電常數(shù)可以用Drude 模型來描述[20]:

式中ωp表示等離子體的角頻率,εi=ε∞= 9, 有效質(zhì)量m* = 2me,me是自由電子質(zhì)量, 載流子密 度N= 8.7 × 1021cm–3, 載 流 子 遷 移 率μ=2 cm·V–1·s–1, 二氧化釩相變前后的電導(dǎo)率分別為

σ= 200 S/m 和σ= 2 × 105S/m.本文所采用的液晶仿真參數(shù)分別為no= 1.52 和ne= 1.78[21].

3.1 初始條件為上層VO2 高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ = 2 × 10 5 S/m), 下層VO2 高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ = 200 S/m), 液晶折射率no = 1.52

為了探究二氧化釩電導(dǎo)率對(duì)移相器的相移量影響, 設(shè)定入射太赫茲波為x偏振態(tài), 設(shè)置液晶初始折射率為no= 1.52 (無外加電壓), 最后隨著二氧化釩介質(zhì)發(fā)生相變, 液晶折射率也在外加電場條件下最終變?yōu)閚e= 1.78 (有外加電壓)[21].首先研究初始條件為上層VO2高導(dǎo)態(tài)(即金屬態(tài), 電導(dǎo)率σ= 2 × 105S/m), 下層VO2高阻態(tài)(即絕緣態(tài), 電導(dǎo)率σ= 200 S/m)隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2高導(dǎo)態(tài), 下層VO2高導(dǎo)態(tài)時(shí)太赫茲移相器的相移情況.數(shù)值計(jì)算得到太赫茲移相器的相移和透射曲線分別如圖2(a)和(b)所示.由圖2(a)可以看出, 所設(shè)計(jì)的太赫茲移相器在0.732—0.75 THz(帶寬為18 GHz)頻段范圍產(chǎn)生相移量大于350°, 且該頻段范圍內(nèi)相移量呈線性變化, 在頻率f= 0.741 THz 處實(shí)現(xiàn)最大相移量357.2°.從圖2(b)可以看出, 在該頻段范圍內(nèi)不同電導(dǎo)率下太赫茲波透射率變化趨勢(shì)較穩(wěn)定, 太赫茲波透射系數(shù)大于0.75.

3.2 初始條件為上層VO2 高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ = 200 S/m), 下層VO2 高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ = 2 × 105 S/m), 液晶折射率no = 1.52

本節(jié)研究分析初始條件為上層VO2高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ= 200 S/m), 下層VO2高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ= 2 × 105S/m)隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2高導(dǎo)態(tài), 下層VO2高導(dǎo)態(tài)時(shí)太赫茲移相器的相移量, 此時(shí)液晶折射率變?yōu)?.78.數(shù)值模擬計(jì)算得到太赫茲移相器的相移曲線和透射曲線分別如圖3(a)和(b)所示.由圖3(a)可以看出, 所設(shè)計(jì)的太赫茲移相器在0.73—0.734 THz (帶寬為4 GHz)頻段范圍產(chǎn)生相移量大于350°, 而且在頻率f= 0.731 THz 處最大相移量為359.3°.太赫茲波穿過移相器的透射系數(shù)如圖3(b)所示, 在該頻段范圍內(nèi)太赫茲波透射系數(shù)大于0.75.

3.3 初始條件為上層VO2 高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ = 200 S/m), 下層VO2 高阻態(tài), 液晶折射率no = 1.52

研究分析初始條件為上層VO2高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ= 200 S/m), 下層VO2高阻態(tài)隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ=2 × 105S/m), 下層VO2高導(dǎo)態(tài)時(shí)太赫茲移相器的相移情況, 此時(shí)液晶折射率變?yōu)?.78.數(shù)值模擬計(jì)算得到太赫茲移相器的相移曲線和透射曲線分別如圖4(a)和(b)所示.所設(shè)計(jì)的移相器在0.73—0.734 THz (帶寬為4 GHz) 頻段范圍產(chǎn)生相移量350°以上, 該頻段范圍內(nèi)相移量呈線性變化, 且在f= 0.731 THz 處實(shí)現(xiàn)最大相移量359.3°.圖4(b)所示移相器的透射系數(shù)保持在0.75 以上,該移相器的太赫茲波透射效果良好.

3.4 初始條件為上層VO2 高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ = 2 × 105 S/m), 下層VO2 高導(dǎo)態(tài),液晶折射率no = 1.52

圖2 初始條件為上層VO2 高導(dǎo)態(tài), 下層VO2 高阻態(tài), 隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2 高導(dǎo)態(tài), 下層VO2 高導(dǎo)態(tài)時(shí)太赫茲移相器的相移曲線、太赫茲波透射系數(shù): (a)相移曲線; (b)太赫茲波透射系數(shù)Fig.2.Phase shift and transmission coefficient of terahertz phase shifter.The initial conditions are high conductivity state of upper VO2 layer and high resistance state of lower VO2 layer.With the change of external temperature, the final conditions are high conductivity state of upper VO2 layer and high conductivity state of lower VO2 layer: (a) Phase shift; (b) transmission coefficient of terahertz phase shifter.

圖3 初始條件為上層VO2 高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ = 200 S/m), 下層VO2 高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ = 2 × 105 S/m), 隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2 高導(dǎo)態(tài), 下層VO2 高導(dǎo)態(tài)時(shí)太赫茲移相器的相移曲線、太赫茲波透射系數(shù): (a)相移曲線; (b)太赫茲波透射系數(shù)Fig.3.Phase shift and transmission coefficient of terahertz phase shifter.The initial conditions are high resistance state of upper VO2 layer and high conductivity state of lower VO2 layer.With the change of external temperature, the final conditions are high conductivity state of both upper and lower VO2 layers: (a) Phase shift; (b) transmission coefficient of terahertz phase shifter.

圖4 初始條件為上層VO2 高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ = 200 S/m), 下層VO2 高阻態(tài), 隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2 高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ = 2 × 105 S/m), 下層VO2 高導(dǎo)態(tài)時(shí)太赫茲移相器相移曲線、太赫茲波透射系數(shù): (a)相移曲線; (b)太赫茲波透射系數(shù)Fig.4.Phase shift and transmission coefficient of terahertz phase shifter.The initial conditions are high resistance state of both upper and lower VO2 layers.With the change of external temperature, the final conditions are high conductivity state of both upper and lower VO2 layers: (a) Phase shift; (b) transmission coefficient of terahertz phase shifter.

研究初始條件為上層VO2高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ= 2 × 105S/m), 下層VO2高導(dǎo)態(tài)隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ=200 S/m), 下層VO2高阻態(tài)時(shí)太赫茲移相器的相移情況, 此時(shí)液晶折射率變?yōu)?.78.數(shù)值模擬計(jì)算得到太赫茲移相器的相移曲線和透射曲線分別如圖5(a)和圖5(b)所示.所設(shè)計(jì)的移相器在0.73—0.752 THz (帶寬為22 GHz) 頻段范圍產(chǎn)生350°以上的相移量, 該頻段范圍內(nèi)相移量呈線性變化, 且在f= 0.731 THz 處實(shí)現(xiàn)最大相移量352.6°.由圖5(b)可以看出, 太赫茲波透過移相器的透射系數(shù)大于0.75.相比圖2—圖4 所示上下兩層二氧化釩不同狀態(tài)下的太赫茲波相移曲線, 可以看出4 種組合狀態(tài)下所設(shè)計(jì)移相器的相移量和透射系數(shù)均達(dá)到預(yù)期目標(biāo), 但是當(dāng)上下兩層結(jié)構(gòu)的二氧化釩均呈高導(dǎo)態(tài)時(shí), 移相頻段范圍增加至22 GHz.

上下層超表面嵌入的二氧化釩均呈高導(dǎo)態(tài)時(shí),移相器上下層超表面結(jié)構(gòu)的電場能量分布如圖6所示.由圖6(a)可以看出, 電流主要集中在上層金屬結(jié)構(gòu)的上下兩個(gè)邊緣處和下層二氧化釩邊緣處,而上層二氧化釩和下層金屬電流較弱.由圖6(b)可以看出, 電場能量在上下金屬結(jié)構(gòu)邊緣處均有分布, 還有一部分電場能量集中在上層二氧化釩位置, 另一小部分電場能量集中在下層二氧化釩位置.進(jìn)一步表明, 此時(shí)圖1 中移相器結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為雙閉環(huán)諧振, 最大移相頻率點(diǎn)位置為0.752 THz, 與圖5 計(jì)算結(jié)果相吻合.研究分析了二氧化釩電導(dǎo)率變化時(shí)該移相器中的相移曲線, 如圖7 所示.當(dāng)電導(dǎo)率從200 S/m 逐漸變化到2 × 105S/m 時(shí), 移相器的相移范圍逐漸變寬, 帶寬可以由2 GHz 拓寬至22 GHz, 而相移量只發(fā)生輕微改變.

圖5 初始條件為上層VO2 高導(dǎo)態(tài)(電導(dǎo)率σ = 2 × 105 S/m), 下層VO2 高導(dǎo)態(tài), 隨著外部溫度改變最終條件為上層VO2 高阻態(tài)(電導(dǎo)率σ = 200 S/m), 下層VO2 高阻態(tài)時(shí)太赫茲移相器相移曲線、太赫茲波透射系數(shù): (a)相移曲線; (b)太赫茲波透射系數(shù)Fig.5.Phase shift curve and transmission coefficient of terahertz phase shifter.The initial conditions are high conductivity state of both upper and lower VO2 layers.With the change of external temperature, the final conditions are high resistance state of both upper and lower VO2 layers: (a) Phase shift curve; (b) transmission coefficient of terahertz phase shifter.

圖6 上下層超表面嵌入二氧化釩均呈高導(dǎo)態(tài)時(shí), 移相器結(jié)構(gòu)上層超表面、下層超表面電場能量分布圖: (a)上層超表面電場能量分布圖; (b)下層超表面電場能量分布圖Fig.6.Electric field energy distribution at top layer and bottom layer, when vanadium dioxide in top and bottom metal layers are metallic state: (a) Top layer; (b) bottom layer.

3.5 改變太赫茲波入射角

圖7 隨二氧化釩電導(dǎo)率變化相移曲線Fig.7.Phase shift curve with the change of vanadium dioxide conductivity.

圖8 當(dāng)入射角為60°時(shí), 原有最大移相頻率范圍0.72—0.76 THz 內(nèi)的相移變化Fig.8.Phase shift variation in the original maximum phase shift frequency range of 0.72 THz to 0.76 THz when the incident angle of terahertz wave is 60°.

圖9 當(dāng)太赫茲波入射角θ = 60°時(shí), 太赫茲移相器的最大移相頻率點(diǎn)相移曲線、太赫茲波透射系數(shù): (a)相移曲線;(b)太赫茲波透射系數(shù)Fig.9.Phase shift curve and terahertz wave transmission coefficient of the proposed terahertz phase shifter when the incident angle of terahertz wave is 60°: (a) Phase shift curve; (b) terahertz wave transmission coefficient.

圖10 當(dāng)入射角為80°時(shí), 原有最大移相頻率范圍0.72—0.76 THz 內(nèi)相移變化Fig.10.Phase shift variation in the original maximum phase shift frequency range of 0.72 THz to 0.76 THz when the incident angle of terahertz wave is 80°.

圖11 當(dāng)太赫茲波入射角θ = 80°時(shí), 太赫茲移相器的最大移相頻率點(diǎn)相移曲線、太赫茲波透射系數(shù): (a)相移曲線; (b)太赫茲波透射系數(shù)Fig.11.Phase shift curve and terahertz wave transmission coefficient of the proposed terahertz phase shifter when the incident angle of terahertz wave is 80°: (a) Phase shift curve; (b) terahertz wave transmission coefficient.

為了進(jìn)一步分析太赫茲波入射角θ改變對(duì)該移相器的移相性能影響, 本文研究了太赫茲波入射角為60°和80°時(shí)該移相器的相移量.在太赫茲波入射角度為60°時(shí), 該器件只有大約7°的相移量(如圖7 所示), 移相器的最大相移量和透射曲線如圖8(a)和(b)所示.由圖8(a)可以看出, 二氧化釩從高阻態(tài)變化至高導(dǎo)態(tài), 所設(shè)計(jì)的移相器在1.08—1.16 THz (帶寬為90 GHz)頻段范圍內(nèi)均能產(chǎn)生300°以上相移量, 相移量呈線性變化, 而且在頻率f= 1.14 THz 處, 實(shí)現(xiàn)最大相移量346.3°.與圖5(a)相比較(帶寬為22 GHz), 發(fā)現(xiàn)移相頻段范圍有所增加, 但是最大相移量略有下降.圖8(b)所示的太赫茲波透射率與圖5(b) 相比也有所降低.上述分析表明隨著太赫茲波入射角增大, 移相器的最大相移量略有下降, 太赫茲波透射系數(shù)也隨之減少.當(dāng)太赫茲波入射角度為80°時(shí), 該移相器只有大約15°的相移量(如圖9 所示).移相器的最大相移量和透射曲線如圖10(a)和(b)所示.從圖10(a)中可以看出, 移相器在1.3—1.6 THz 頻段范圍內(nèi)有雙相移頻段效果, 即出現(xiàn)了兩個(gè)最大峰值, 第一個(gè)峰值在頻率1.37 THz 處產(chǎn)生相移量為316.7°,第二個(gè)峰值在頻率1.42 THz 處實(shí)現(xiàn)最大相移量322.3°, 而且1.42—1.59 THz(帶寬為160 GHz)頻段范圍內(nèi)均有300°以上相移量, 相移量呈線性變化.圖10(b)所示太赫茲波透射曲線的變化趨勢(shì)與之前平穩(wěn)的透射曲線大有不同, 透射系數(shù)相比圖5(b)大幅降低, 表明太赫茲波入射角度對(duì)透射系數(shù)有著抑制作用, 為了獲取較好的透射效果, 還需要選取合適的入射角度.圖7—圖11 所示的計(jì)算結(jié)果也表明太赫茲波入射角對(duì)該移相器移相效果產(chǎn)生很大影響.

4 結(jié) 論

本文設(shè)計(jì)了基于相變材料嵌入超表面組成復(fù)合結(jié)構(gòu)太赫茲移相器, 通過改變相變材料的溫度能夠?qū)θ肷涮掌澆ㄏ嘁屏窟M(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)控.仿真結(jié)果表明, 太赫茲移相器在0.731—0.752 THz (帶寬為22 GHz)范圍內(nèi)均可實(shí)現(xiàn)的超過350°相移量.當(dāng)f= 0.736 THz 時(shí), 最大相移量達(dá)到355.37°.改變相變材料的溫度, 能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)太赫茲相移器控制,最大相移量的頻段的范圍從0.73—0.734 THz 變化到0.73—0.752 THz.該相移器具有結(jié)構(gòu)簡單、尺寸小、相移量大等優(yōu)點(diǎn), 將在太赫茲波雷達(dá)隱身、遙感、成像、探測和通信等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景.