趙英偉,郝曉亮,張文雅,馬培圣,文黎波
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所,河北 石家莊 050051)
光刻工藝是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝。為了在晶圓上獲得高分辨率的光刻圖形,光刻設(shè)備必須盡可能精確地將晶圓平行放置到鏡頭的焦平面上。
如果晶圓在工件臺(tái)上的高度出現(xiàn)變化,會(huì)導(dǎo)致聚焦偏差,引起束斑或光斑增大、加工的線條模糊,曝光圖形出現(xiàn)拼接缺陷等問(wèn)題[1]。
所以高度測(cè)量系統(tǒng)要能夠精確測(cè)量,能夠?qū)Σ煌木A厚度、膠層厚度或者溫度和氣壓所引起的聚焦位置變化等因素的影響進(jìn)行補(bǔ)償[2]。
晶圓高度變化值范圍通常在幾微米以內(nèi),投影光刻機(jī)鏡頭的可用焦深范圍一般為幾微米。由于精度高,普遍采用激光三角法進(jìn)行高度測(cè)量校準(zhǔn)[3]。
激光三角法測(cè)量按入射光線與被測(cè)工件表面法線的關(guān)系可分為直射式和斜射式??紤]到中心位置安裝有光刻鏡頭,光刻機(jī)高度測(cè)量系統(tǒng)一般采用斜射式測(cè)量方法,位于光刻機(jī)的末級(jí)透鏡和基片之間,如圖1所示。
圖1 高度測(cè)量系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖
激光二極管發(fā)出的激光經(jīng)過(guò)光學(xué)組件后,以一定入射角度照射在被測(cè)物體表面上,發(fā)生漫反射、鏡面反射,甚至是折射。線陣CCD(Linear Array Charge Coupled Device)以同樣的角度,最大程度接受被測(cè)表面的反射光照,降低空氣折射率變化的影響。反射光經(jīng)過(guò)聚焦,入射到CCD。CCD 輸出反映物體位移信息的信號(hào),輸入到數(shù)字信號(hào)處理器(Digital Signal Processor,DSP)的模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)進(jìn)行采集。晶圓高度變化和線陣CCD 像素偏移數(shù)量存在數(shù)學(xué)關(guān)系,通過(guò)像素的偏移數(shù)量,就可以計(jì)算出高度的變化值[4]。
DSP 選用ADI 公司的16 位定點(diǎn)高速數(shù)字信號(hào)處理器ADSP-2199x。它可提供160MIPS的指令速度,包括一個(gè)快速、高精度、多輸入通道的A/D 轉(zhuǎn)換系統(tǒng),具有3個(gè)完全相同的獨(dú)立的32 位定時(shí)器,每個(gè)定時(shí)器都有一個(gè)專用的雙向TMRx 引腳[5-6]。
考慮到CCD的峰值響應(yīng)波長(zhǎng)等因素,設(shè)計(jì)選用SONY公司SLD231VL 型激光器,波長(zhǎng)790 nm。它在恒功率工作模式下最大輸出功率是35 mW。
激光器的驅(qū)動(dòng)選用了SHARP 公司的IR3C01,它的最大輸出電流是150 mA,由5 V 和-12 V 雙電源供電。
如圖2 所示,激光器內(nèi)部有一個(gè)監(jiān)控二極管測(cè)量光強(qiáng)的波動(dòng),其輸出電流作為內(nèi)部反饋,輸入到IR3C01的2 腳,用來(lái)穩(wěn)定激光二極管的光功率穩(wěn)值輸出。R1 是限流電阻,可以抑制浪涌電流,保護(hù)激光二極管,同時(shí)也有電流反饋的作用。
圖2 IR3C01 內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖和應(yīng)用電路圖
實(shí)際應(yīng)用中也有通過(guò)3 腳和6 腳連接一個(gè)外部的可調(diào)電位器來(lái)調(diào)節(jié)激光二極管的功率。
基于分辨率和有效測(cè)量范圍、光譜響應(yīng)范圍和飽和輸出特性等因素,線陣CCD 器件選用日本東芝公司的TCD132D,1 024像元,感光單元尺寸為14 μm×14 μm。CCD 光積分時(shí)間典型值為740 μs。它由三相脈沖ΦM、ΦCCD、ΦSH驅(qū)動(dòng)。需要更高分辨率時(shí),也可以考慮選用2 160個(gè)像素的TCD1028AP[7]。
由于在光刻中被加工晶圓的材料不同,表面特性不同,對(duì)光的反射系數(shù)不同,為了得到穩(wěn)定的測(cè)量信號(hào),系統(tǒng)需要嚴(yán)格控制激光器的輸出功率。本設(shè)計(jì)通過(guò)一個(gè)可調(diào)的壓控電流源實(shí)現(xiàn)精確調(diào)整激光的輸出功率和光強(qiáng)。
DSP 輸出激光器功率設(shè)定數(shù)據(jù),由數(shù)模轉(zhuǎn)換DAC 轉(zhuǎn)換為模擬電壓,經(jīng)過(guò)射極跟隨器后,送到電壓電流轉(zhuǎn)換(U/I)電路,轉(zhuǎn)換為控制電流,通過(guò)IR3C01的調(diào)節(jié)端,來(lái)控制激光二極管輸出功率。
數(shù)模轉(zhuǎn)換電路原理圖見(jiàn)圖3,采用8 位精度的AD7224。前級(jí)SN74F543 包含了兩個(gè)8 位的D 型鎖存器,具有各自的輸入輸出控制。芯片的引腳17 是復(fù)位輸入,相當(dāng)于一個(gè)很有用的過(guò)零功能,在測(cè)量系統(tǒng)初始化進(jìn)行基準(zhǔn)校正的時(shí)候很有用。設(shè)計(jì)中采用LM317 調(diào)壓電路提供2 V的參考電壓。DAC的電源電壓是+12 V。由此得到DAC 輸出電壓的調(diào)節(jié)范圍:
圖3 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路原理圖
這里D 代表一個(gè)8 位轉(zhuǎn)換因子,從0 到255之間變化。也可以采用12 位以上的數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
在比例恒流源和基本鏡像恒流源電路的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一個(gè)U/I 電路,見(jiàn)圖4,將Vin(即OP07 輸出的電壓VOUT)轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的電流,來(lái)控制IR3C01 模塊的輸出。
圖4 電壓電流轉(zhuǎn)換電路圖
通過(guò)有源負(fù)載和使用恒流源有效地降低了干擾,提高了恒流源電流的穩(wěn)定性。
Q1 和Q2的基極電壓相等,所以有:
晶體管發(fā)射結(jié)電壓與發(fā)射極的近似關(guān)系見(jiàn)式(3):
將式(3)代入式(2)得:
由于Q1 和Q2的特性完全相同,所以式(4)可寫(xiě)成:
在一定范圍內(nèi),上式中的對(duì)數(shù)項(xiàng)可忽略,第一項(xiàng)用實(shí)際電阻值計(jì)算后結(jié)果幾乎為零,也可忽略,所以式(6)簡(jiǎn)化為:
因此改變DAC 輸出電壓就可以控制電流IC1。由CA3046 組成基本鏡像電流源,因此有IC1≈Iout,從而激光二極管功率控制電流Iout與調(diào)節(jié)電壓Vin有了對(duì)應(yīng)關(guān)系。
CCD 驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生電路見(jiàn)圖5。利用DSP的定時(shí)器0的輸出引腳TMR0,輸出4 MHz的方波,通過(guò)一級(jí)D 觸發(fā)器SN74HC74D的二分頻得到2 MHz的ΦM驅(qū)動(dòng)脈沖。再經(jīng)過(guò)兩級(jí)D 觸發(fā)器的分頻得到0.5 MHz的ΦCCD脈沖[8-9]。
圖5 CCD 驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生電路
參考TCD132 器件手冊(cè)中的工作波形圖可知,ΦSH至少應(yīng)包含2 182 個(gè)ΦM周期,設(shè)計(jì)時(shí)取TSH=2 182 TM,由DSP的定時(shí)器1的輸出引腳TMR1 產(chǎn)生。
CCD的輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)DSP 內(nèi)部的ADC 進(jìn)行讀取,評(píng)估信號(hào)質(zhì)量后,通過(guò)重心法求出光斑中心[10-11]。
測(cè)量系統(tǒng)的準(zhǔn)確性與CCD 輸出的模擬信號(hào)的峰值電壓范圍相關(guān),其范圍與入射光光強(qiáng)、幀轉(zhuǎn)移頻率有關(guān),當(dāng)入射光越強(qiáng),或幀轉(zhuǎn)移脈沖頻率越小,即積分時(shí)間越長(zhǎng),則對(duì)應(yīng)的光敏單元捕捉到的光量越多。到一定限度時(shí),連續(xù)的光敏單元產(chǎn)生的光電電荷到達(dá)飽和,從而使輸出的模擬信號(hào)不真實(shí)反映被測(cè)物體的位移信息[12-13]。
所以有兩種方法使得CCD 信號(hào)保持在線性范圍內(nèi),一種是通過(guò)控制激光光照強(qiáng)度,本文前面已經(jīng)論述。另一種是通過(guò)調(diào)整CCD 感光積分時(shí)間。DSP 定時(shí)器周期調(diào)整時(shí)采用逐次逼近的方法,采用適當(dāng)?shù)牟介L(zhǎng),就可以達(dá)到較好的收斂速度;由于系統(tǒng)采用的檢測(cè)調(diào)整模塊是以DSP 為核心,使整個(gè)系統(tǒng)清晰、運(yùn)行速度快。
高度傳感器可以運(yùn)行于實(shí)時(shí)方式或者高度映射方式,實(shí)時(shí)方式下是在每個(gè)子場(chǎng)曝光之前,先檢測(cè)該子場(chǎng)的高度;高度映射方式是在曝光之前,通過(guò)測(cè)量基片上一個(gè)點(diǎn)陣的高度值和XY 坐標(biāo)值,進(jìn)行曲面擬合來(lái)模擬基片的實(shí)際的翹變。
采用快速搜索的方法調(diào)整激光功率和探測(cè)器增益,以給出正確的信號(hào)電平。按照基片襯底材料反射性,讀數(shù)時(shí)打開(kāi)自動(dòng)增益調(diào)整(激光常開(kāi)),信號(hào)電平以小步進(jìn)調(diào)整,一段時(shí)間后取出高度讀數(shù),讀數(shù)所需時(shí)間依賴于獲取正確信號(hào)電平所需的積分?jǐn)?shù)。對(duì)于亮襯底約為30 ms,依次逐漸增加。
膠層厚度會(huì)引起高度測(cè)量值的偏移,如:在鉻上涂敷PMMA 后,由于在PMMA 中的折射,鉻表面看起來(lái)位置會(huì)更高一些,高度測(cè)量計(jì)讀出的高度約為鉻表面之上PMMA 厚度的0.69 倍,因此需要根據(jù)抗蝕劑厚度增加一個(gè)偏移量,以便有效讀出襯底表面的真實(shí)高度。
在光刻設(shè)備中也有采用二象限、四象限光電管作為探測(cè)器,采用汞燈、鹵素?zé)糇鳛闇y(cè)量光源的,利用光闌、光柵圖形,應(yīng)用雙折射調(diào)制技術(shù)和激光管功率脈寬控制等技術(shù)進(jìn)行測(cè)量的方法。本設(shè)計(jì)的電路實(shí)現(xiàn)了CCD的光積分時(shí)間的調(diào)整和激光器的功率的調(diào)整,利用這兩種方法來(lái)獲得高質(zhì)量的測(cè)量信號(hào),提高測(cè)量的準(zhǔn)確性和對(duì)不同材料的適應(yīng)性,可以滿足電子束曝光使用要求和投影光刻的高度粗調(diào)的技術(shù)要求。