高新華 王經(jīng)文 魏蕾 任華

摘要：本文通過(guò)向丙烯酸樹(shù)脂彈性體（ARE）中添加改性石墨烯來(lái)提高彈性體的介電常數(shù)。首先，利用聚苯乙烯陽(yáng)離子微球（PS-DMC）和氧化石墨烯（GO）在水溶液中分別帶正、負(fù)電荷的性質(zhì)，將PS-DMC通過(guò)靜電相互作用吸附到石墨烯表面，之后加入水合肼還原氧化石墨烯得到的雜化填料PS@RGO，最后PS@RGO填料與ARE基體通過(guò)溶液鑄膜法制備復(fù)合材料PS@RGO/ARE。作為對(duì)比，未改性的石墨烯（RGO）與ARE基體的復(fù)合材料RGO/ARE采用同樣的方法制備。經(jīng)過(guò)介電性能測(cè)試發(fā)現(xiàn)，在逾滲閾值之前相比于RGO/ARE，PS@RGO/ARE具有更高的介電常數(shù)和更低的介電損耗。這是因?yàn)镻S作為間隔物抑制了石墨烯片層的團(tuán)聚，減少了漏電流的發(fā)生從而降低了復(fù)合材料的介電損耗。而且PS@RGO雜化填料與ARE基體具有更好的相容性和更多的界面，從而提高了微電容器效應(yīng)與界面極化效應(yīng)，進(jìn)而提高復(fù)合材料的介電常數(shù)。PS@RGO/ ARE復(fù)合材料能夠在低的驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)下獲得大的驅(qū)動(dòng)應(yīng)變，更適應(yīng)于航空航天智能材料與結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)/傳感/發(fā)電器件、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）以及人工肌肉的設(shè)計(jì)與制造。

關(guān)鍵詞：丙烯酸樹(shù)脂彈性體；石墨烯；聚苯乙烯；介電性能；驅(qū)動(dòng)器

中圖分類(lèi)號(hào)：V257文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：ADOI：10.19452/j.issn1007-5453.2021.06.010

在本研究中，使用自制的聚苯乙烯陽(yáng)離子微球（PSDMC）通過(guò)靜電自組裝作用吸附到氧化石墨烯（GO）表面之后進(jìn)行化學(xué)還原制備雜化填料PS@RGO。將不同含量的PS@RGO雜化填料與丙烯酸樹(shù)脂彈性體（ARE）通過(guò)溶液鑄膜法制備具有高介電常數(shù)的復(fù)合材料薄膜PS@RGO/ AE。這種高介電常數(shù)復(fù)合材料更加適用于航空、航天智能材料與結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)器件設(shè)計(jì)。

1試驗(yàn)部分

1.1試驗(yàn)原料

試驗(yàn)原料有苯乙烯（使用前通過(guò)去除阻聚劑進(jìn)行純化）、甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化銨（DMC，使用前進(jìn)行純化處理以去除阻聚劑）、偶氮二異丁氰（分析純）、甲醇（分析純）、天然石墨、高錳酸鉀（分析純）、硫酸（98%，分析純）、過(guò)氧化氫（30%，分析純）、水合肼（分析純）。丙烯酸羥乙酯（分析純）、丙烯酸正丁酯（分析純）、過(guò)氧化苯甲酰（使用前經(jīng)過(guò)重結(jié)晶處理）、甲苯（分析純，使用前通過(guò)真空蒸餾進(jìn)行純化以去除雜質(zhì)）。

1.2聚苯乙烯陽(yáng)離子微球的制備

通過(guò)分散聚合的方法將苯乙烯單體與DMC陽(yáng)離子單體共聚來(lái)制備在水溶液帶正電荷的聚苯乙烯陽(yáng)離子微球（PS-DMC）。反應(yīng)在一個(gè)配備冷凝回流裝置，磁力攪拌裝置，油浴加熱裝置的三口燒瓶中進(jìn)行。將5mL苯乙烯、0.0906gDMC加入到混有40mL甲醇和10mL水的溶液中，磁力攪拌5min，隨后將0.0906g引發(fā)劑偶氮二異丁氰加入到反應(yīng)體系中并升溫至80°C。反應(yīng)在氮?dú)夥諊麓帕嚢?h，反應(yīng)結(jié)束后，得到的產(chǎn)物在燒杯中密封保存[10]。

1.3 PS@RGO的制備

通過(guò)改進(jìn)的Hummers法來(lái)制備石墨烯。2g石墨粉加入到裝有46mL濃硫酸的單口燒瓶中，在冰浴中磁力攪拌30min。緩慢加入6g高錳酸鉀并攪拌2h后，將反應(yīng)體系升溫至35°C并磁力攪拌4h。然后，92mL去離子水緩慢加入到反應(yīng)體系使得溫度保持在95°C以下。最后，依次加入280mL去離子水和20mL雙氧水來(lái)終止反應(yīng)并得到亮黃色漿料。產(chǎn)物經(jīng)過(guò)鹽酸溶液（質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%）和去離子水多次洗滌使得PH接近7，最后，洗滌后的沉淀經(jīng)過(guò)離心（8000轉(zhuǎn)）、透析（3～5天）、超聲（2h）、冷凍干燥處理后得到氧化石墨烯（GO）[11-12]。GO重新分散到去離子水中，加入水合肼后升溫至95°C，在氮?dú)夥諊麓帕嚢?h，反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)過(guò)抽濾、水洗得到還原氧化石墨烯（RGO）。稱(chēng)取200mg GO加入到200mL去離子水中，并進(jìn)行超聲、磁力攪拌使其完全分散在水中。200mg PS-DMC加入到GO水分散液中，隨后磁力攪拌20min。然后升溫至95°C并加入140mg水合肼，在氮?dú)夥諊鲁掷m(xù)反應(yīng)4h。對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物抽濾，并用去離子水洗滌，得到的沉淀在60°C下真空烘干即可得到PS@RGO。

1.4復(fù)合材料薄膜的制備

丙烯酸樹(shù)脂的制備采用自由基聚合法，具體步驟見(jiàn)參考文獻(xiàn)[13]。復(fù)合材料薄膜的制備采用溶液鑄膜法。首先，0.2g丙烯酸樹(shù)脂加入到1mL甲苯中磁力攪拌10min使其完全溶解。隨后向溶液中加入不同體積分?jǐn)?shù)的PS@RGO雜化填料并磁力攪拌2h。最后，將混合均勻的分散液滴加到載玻片上，轉(zhuǎn)移至烘箱60°C干燥8h然后在真空烘箱中60°C干燥12h。復(fù)合材料薄膜命名為aPS@RGO/ AE，a表示填料的體積分?jǐn)?shù)，分別為0.61%，1.21%，1.82%，2.13%，2.43%，2.73%。作為對(duì)比，未改性的還原氧化石墨烯（RGO）與ARE的復(fù)合材料薄膜以相同的方法制備。

1.5測(cè)試與表征

2結(jié)果與討論

2.1 RGO與PS@RGO填料的化學(xué)表征

為了證明GO， RGO以及PS@RGO成功制備，紅外表征是必要的。如圖2所示，在3418cm-1，1725cm-1，1631cm-1，1386cm-1，1223cm-1處出現(xiàn)的特征峰是由GO上的功能基團(tuán)-OH伸縮振動(dòng)，-COOH的C-O伸縮振動(dòng)，C-C伸縮振動(dòng)，-COOH的C-O伸縮振動(dòng)以及C-O-C伸縮振動(dòng)引起的。RGO的紅外光譜曲線中，-OH振動(dòng)峰明顯減弱，C-O伸縮振動(dòng)和C-C伸縮振動(dòng)峰幾乎消失，證明在水合肼作用下，GO被成功還原。相比RGO的紅外光譜曲線，PS@RGO在759cm-1， 697cm-1處新出現(xiàn)兩個(gè)尖銳的特征峰歸因于苯環(huán)上C-H鍵的變形振動(dòng)，在1447cm-1、1489cm-1處出現(xiàn)的特征峰歸因于苯環(huán)骨架面內(nèi)的C-C鍵振動(dòng)，3029cm-1處出現(xiàn)的特征峰歸因于苯環(huán)上C-H鍵的對(duì)稱(chēng)伸縮振動(dòng)，2921cm-1處出現(xiàn)的特征峰歸因于苯乙烯的CH2上C-H鍵的對(duì)稱(chēng)伸縮振動(dòng)，這些特征峰也在PS-DMC的紅外光譜曲線中出現(xiàn)，證明聚苯乙烯微球成功吸附在石墨烯片層表面。

為了判斷石墨烯經(jīng)過(guò)改性后團(tuán)聚現(xiàn)象是否減少，RGO以及PS@RGO的TEM圖像也是必要的。如圖4所示，從RGO的TEM圖像可以看出未改性石墨烯片層堆垛在一起，呈現(xiàn)出多層的結(jié)構(gòu)。這是由于未改性石墨烯片層之間存在范德華力，片層之間傾向于團(tuán)聚。從PS@RGO的TEM圖像中可以看到球狀物吸附在石墨烯表面，從邊緣處可以看到更少層甚至單層的石墨烯片層。也就是說(shuō)，聚苯乙烯微球成功地吸附在石墨烯表面，充當(dāng)間隔物增大了片層層間距使得石墨烯剝離開(kāi)來(lái)。更重要的是，PS與石墨烯存在π-π相互作用減弱了石墨烯之間的范德華力，這也對(duì)抑制石墨烯團(tuán)聚有積極作用。改性后團(tuán)聚現(xiàn)象的減少以及PS作為絕緣層吸附在石墨烯表面，這些都有利于減小復(fù)合材料的介電損耗。

2.3 RGO/ARE與PS@RGO/ARE復(fù)合材料的微結(jié)構(gòu)

為了更直觀地觀察RGO和PS@RGO填料在ARE基體中的分散性，復(fù)合材料的SEM斷面圖是至關(guān)重要的。如圖5所示，由于石墨烯片層間范德華力的作用，而且RGO與ARE基質(zhì)之間的相容性較差，RGO在基質(zhì)中呈不規(guī)則的塊狀，有明顯的團(tuán)聚現(xiàn)象，填料在基體中分散不均勻。但是，PS@RGO在基質(zhì)中呈現(xiàn)出非常薄的片層狀，均勻分散且沒(méi)有明顯的團(tuán)聚現(xiàn)象。一方面，PS微球充當(dāng)絕緣層將石墨烯片層隔離開(kāi)，并且PS和RGO之間的π-π相互作用也削弱了石墨烯片層之間的范德華力，因此減少了片層團(tuán)聚傾向。另一方面，ARE基體中含有苯乙烯，這可能導(dǎo)致PS@RGO與ARE基體的相容性優(yōu)于RGO，因此在基質(zhì)中的分散性更好。

2.4 RGO/ARE與PS@RGO/ARE復(fù)合材料電性能表征

圖6為不同體積分?jǐn)?shù)填料的RGO/ARE和PS@RGO/ARE復(fù)合材料的介電常數(shù)隨頻率變化曲線。兩種復(fù)合材料變化趨勢(shì)類(lèi)似，介電常數(shù)隨頻率的增加而減小。眾所周知，材料的介電常數(shù)與各種極化（包括界面極化、取向極化以及電子極化等）有關(guān)。界面極化與取向極化所需時(shí)間較長(zhǎng)，對(duì)介電常數(shù)貢獻(xiàn)大，電子極化則相反[13]。在低頻時(shí)，極化都能跟上頻率的變化，界面極化占主導(dǎo)地位，因此復(fù)合材料具有高的介電常數(shù)。高頻時(shí)，電荷來(lái)不及在界面聚集，偶極子反轉(zhuǎn)也跟不上頻率變化，因此界面極化與取向極化對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn)大大減小，此時(shí)電子極化占主導(dǎo)地位，介電常數(shù)較低[14]。

（1）微電容器效應(yīng)[16]

相鄰兩個(gè)石墨烯納米片與它們之間的絕緣介質(zhì)形成一個(gè)微電容器，微電容器數(shù)量越多，復(fù)合材料的電容越大，介電常數(shù)也就越高。一方面，ARE基體中含有苯乙烯，因此PS@RGO與ARE基體有更好的相容性。相比RGO，PS@RGO可以更均勻的分散在基體中，導(dǎo)電填料分散性越好，微電容器的數(shù)量越多。另一方面，PS作為絕緣介質(zhì)避免了石墨烯片層的相互接觸，提高了復(fù)合材料的逾滲閾值，因此更多的導(dǎo)電填料可以被加入到基體中，進(jìn)而形成更多的微電容器結(jié)構(gòu)。

（2）麥克斯韋極化效應(yīng)[17]

當(dāng)填料和基體之間的電導(dǎo)率存在較大差異時(shí)，電荷將在界面處聚集而導(dǎo)致界面極化，從而提高復(fù)合材料的介電常數(shù)。在PS@RGO/ARE復(fù)合材料中，除了存在RGO-ARE界面之外，還存在PS-RGO界面和PS-ARE界面，它們的界面類(lèi)型和數(shù)量都比RGO/ARE復(fù)合材料多。因此與RGO/ ARE相比，PS@RGO/ARE復(fù)合材料表現(xiàn)出更強(qiáng)的麥克斯韋極化效應(yīng)。PS@RGO/ARE復(fù)合材料具有更高的介電常數(shù)能夠確保在應(yīng)用于航空航天智能材料與結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)器件設(shè)計(jì)時(shí)，在更低的驅(qū)動(dòng)電壓下獲得更大的驅(qū)動(dòng)應(yīng)變。

圖9為不同體積分?jǐn)?shù)填料的RGO/ARE和PS@RGO/ ARE復(fù)合材料的介電損耗與電場(chǎng)頻率的關(guān)系。兩種復(fù)合材料的介電損耗的變化趨勢(shì)幾乎相似。隨著電場(chǎng)頻率的增加，介電損耗呈先下降后上升的趨勢(shì)。極化弛豫損耗和電導(dǎo)損耗是復(fù)合材料介電損耗的主要原因。當(dāng)電場(chǎng)頻率較低時(shí)（100Hz附近），取向極化和界面極化跟得上電場(chǎng)頻率的變化，此時(shí)幾乎不存在介電弛豫現(xiàn)象，而無(wú)功電流與頻率呈負(fù)相關(guān)，導(dǎo)致介電損耗隨頻率增加而下降。當(dāng)電場(chǎng)頻率增加到105Hz附近時(shí)，由于復(fù)合材料內(nèi)部阻力的存在，電荷在界面處的聚集和偶極子取向更加困難。此時(shí)，取向極化和界面極化幾乎跟不上頻率的變化，從而引起介電弛豫現(xiàn)象，介電損耗隨之增加。另外，填料含量接近逾滲閾值時(shí)，在100Hz和1000Hz電場(chǎng)頻率下，體積分?jǐn)?shù)2.43%PS@RGO/ARE復(fù)合材料的損耗分別為0.29和0.14，分別是1.55%RGO/ARE復(fù)合材料的0.25%和0.18倍。眾所周知，復(fù)合材料內(nèi)部漏電流帶來(lái)的導(dǎo)電損耗在介電損耗中占主導(dǎo)地位。而漏電流與材料的內(nèi)部導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的形成密切相關(guān)。因此，介電損耗與填料在基體中的分散密切相關(guān)，分散性越好，漏電損耗越小。PS@RGO與ARE基體良好的相容性導(dǎo)致PS@RGO在基質(zhì)中的均勻分散。另外，PS作為絕緣層增加了石墨烯片層的層間距并抑制了片層之間的漏電流現(xiàn)象。因此，PS@RGO/AE復(fù)合材料的介電損耗小于RGO/ARE。

2.5 RGO/ARE與PS@RGO/ARE復(fù)合材料的力學(xué)性能

彈性模量是影響驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)應(yīng)變的另一個(gè)重要因素。圖10為RGO/ARE和PS@RGO/ARE復(fù)合材料的彈性模量隨填料含量的變化。兩種復(fù)合材料的彈性模量都隨著填料含量的增加而增加。值得注意的是，PS@RGO/ARE復(fù)合材料的彈性模量高于RGO/ARE。一方面，填料的加入阻礙了分子鏈的運(yùn)動(dòng)并增加了彈性模量。另一方面，填料相當(dāng)于基體中的物理交聯(lián)點(diǎn)。PS@RGO與ARE基體的相容性更好，因此PS@RGO與ARE基體具有更強(qiáng)的物理交聯(lián)作用，這導(dǎo)致PS@RGO/ARE復(fù)合材料的彈性模量高于RGO/ ARE。添加導(dǎo)電填料后，復(fù)合材料的彈性模量仍然較低（2.43%PS@RGO/ARE的彈性模量為4.52MPa），因此仍然適用于航空、航天智能材料與結(jié)構(gòu)領(lǐng)域。

動(dòng)態(tài)力學(xué)分析是研究聚合物分子鏈運(yùn)動(dòng)的有效手段，而分子鏈運(yùn)動(dòng)與復(fù)合材料中填料的分布有著密切關(guān)系。圖11分別展示了ARE，1.55% RGO/ARE，2.43%PS@RGO/ARE的機(jī)械阻尼和相對(duì)剛度隨溫度的變化曲線。如圖11所示，隨著溫度的升高，材料的機(jī)械阻尼出現(xiàn)兩個(gè)損耗峰，相對(duì)剛度在對(duì)應(yīng)溫度區(qū)間也呈現(xiàn)兩次不同程度的下降。這兩個(gè)轉(zhuǎn)變分別對(duì)應(yīng)聚合物不同的分子運(yùn)動(dòng)過(guò)程。在-50°C附近對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)變?yōu)榇渭?jí)轉(zhuǎn)變，在這一過(guò)程中，聚合物的小分子基團(tuán)，鏈節(jié)首先解凍而能夠自由運(yùn)動(dòng)，剛度有所下降并伴隨著損耗峰的出現(xiàn)。隨著溫度繼續(xù)升高，聚合物的分子鏈也能夠自由運(yùn)動(dòng)，剛度進(jìn)一步下降并伴隨大的損耗峰出現(xiàn)，對(duì)應(yīng)溫度為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg，這一過(guò)程為主轉(zhuǎn)變（玻璃化轉(zhuǎn)變）。由圖11可知，ARE，1.55% RGO/ARE，2.43% PS@RGO/ARE的次級(jí)轉(zhuǎn)變溫度分別為-58.3℃，-51.2℃，-45.6℃。ARE，1.55% RGO/ARE，2.43%PS@RGO/ARE的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度分別為

-19.4℃，-15.8℃，-8.4℃。復(fù)合材料的轉(zhuǎn)變溫度均高于純聚合物基體轉(zhuǎn)變溫度，這是由于填料的加入阻礙了小分子基團(tuán)以及聚合物分子鏈的自由運(yùn)動(dòng)。值得注意的是，PS@RGO/ARE復(fù)合材料的轉(zhuǎn)變溫度高于RGO/ARE。填料相當(dāng)于基體中的物理交聯(lián)點(diǎn)，PS@RGO與ARE基體的相容性更好，因此PS@RGO與ARE基體具有更強(qiáng)的物理交聯(lián)作用，使得基團(tuán)以及分子鏈的運(yùn)動(dòng)更加困難。

3結(jié)論

利用靜電力將PS-DMC吸附到石墨烯表面上制備了PS@RGO雜化填料，并采用溶液鑄膜的方法制備了PS@RGO/ARE復(fù)合材料。PS-DMC不僅可以用作絕緣層減少石墨烯片層的漏電流，還可以改善PS@RGO雜化填料在AE基體中的分散性。當(dāng)填料含量接近滲濾閾值時(shí)，在100 Hz頻率下PS@RGO/ARE復(fù)合材料的介電常數(shù)和損耗分別是RGO/ARE復(fù)合材料的2.40和0.25倍。我們認(rèn)為PS@RGO在ARE基體中均勻的分散以及更多界面的形成增強(qiáng)了微電容器效應(yīng)和麥克斯韋極化效應(yīng)，從而提高了復(fù)合材料的介電常數(shù)。PS@RGO/ARE復(fù)合材料具有良好的介電和力學(xué)性能，適用于航空、航天智能材料與結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動(dòng)/傳感/發(fā)電器件、MEMS以及人工肌肉的設(shè)計(jì)與制造。

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（責(zé)任編輯王為）

Preparation of High Dielectric Constant Acrylic Resin Elastomer

Gao Xinhua1，Wang Jingwen1，Wei Lei1，Ren Hua2

1. Nanjing University of Aeronautics & Astronautics，Nanjing 210016，China 2. Nanjing University，Nanjing 210093，China

Abstract： In this study， we added modified graphene filler into the matrix to increase the dielectric constant of acrylic resin elastomer （ARE）. Firstly， Polystyrene cationic microspheres （PS-DMC） is adsorbed onto the graphene surface through electrostatic interaction， then hybrid filler PS@RGO obtained by reducing graphene oxide with hydrazine hydrate， and finally we prepared PS@RGO/ARE composites by using solution casting method. As a comparison， RGO/ARE composites were prepared by using the same method. The results of dielectric test show that PS@RGO/ ARE has a higher dielectric constant and lower dielectric loss than RGO/ARE composite. The origin of good dielectric performance of PS@RGO/ARE is that PS acts as a spacer to inhibit the agglomeration of graphene sheets， reducing the occurrence of leakage current and the dielectric loss of the composites. In addition， the PS@RGO hybrid filler has better compatibility and more interfaces with the ARE matrix， which improves the microcapacitor effect and interface polarization effect， thereby the dielectric constant of the PS@RGO/ARE composites is higher. PS@RGO/ARE composite can obtain large driving strain under low driving electric field， so it is more suitable for the design and manufacturing of driving/sensing/power generation devices， MEMS and artificial muscles in aerospace smart materials and structures.

Key Words： acrylic resin elastomer； graphene； polystyrene； dielectric performance； actuator