安蘇陽,馬鳳倉,劉 平,劉新寬,李 偉,張 柯
(上海理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海 200093)
304不銹鋼因其優(yōu)良的耐腐蝕性、焊接性和成熟的加工工藝等優(yōu)點(diǎn),在食品工業(yè)和海洋工程領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。晶間腐蝕[1-2]和晶間應(yīng)力腐蝕開裂[3]是奧氏體不銹鋼暴露在侵蝕性環(huán)境中常見的腐蝕形式,主要是由于鉻的碳化物的析出導(dǎo)致晶界周圍出現(xiàn)貧鉻區(qū),基體中鉻元素的耗盡使鉻氧化物形成的致密保護(hù)膜受到抑制[4],最終使不銹鋼耐腐蝕性降低。
Watanabe[5]提出“晶界設(shè)計(jì)與控制”概念,后來發(fā)展為晶界工程(grain boundary engineering,GBE)。GBE通過晶界特征分布優(yōu)化提高金屬材料抗晶間腐蝕能力[3,6-9]。重合位置點(diǎn)陣晶界模型中低重合位置點(diǎn)陣晶界,被稱為特殊晶界,具有晶界能低、晶界偏聚程度小、晶界擴(kuò)散率低、沿晶析出幾率小等特性,能有效防止鉻的碳化物析出[10-11]。具有中低堆層錯(cuò)能的面心立方金屬如鉛[12]、銅[13]和奧氏體不銹鋼[14]等易發(fā)生孿生、位錯(cuò)滑移等,在GBE處理后易產(chǎn)生退火孿晶,使Σ3孿晶界比例提高。而與大角度晶界[15]相比,Σ3孿晶界幾乎不受晶界退化影響[16-18],可以使奧氏體不銹鋼對(duì)晶間腐蝕和晶間應(yīng)力腐蝕開裂敏感性大大降低。
關(guān)于GBE在提高材料耐腐蝕方面的研究,不同的研究者提出了不同的晶界優(yōu)化微觀機(jī)制。Shimada等[17]提出了特殊片段模型,在該模型中,晶界特征分布優(yōu)化是通過引入退火孿晶的特殊片段來阻斷一般大角度晶界網(wǎng)絡(luò)而實(shí)現(xiàn)的。Fang等[19]的研究表明,304不銹鋼經(jīng)6%~10%的預(yù)變形后在900 ℃下退火,可以產(chǎn)生高比例的Σ3n(n=1,2,3)孿晶界,打斷大角度晶界網(wǎng)絡(luò)的連通性。Bi等[20]通過在隨機(jī)晶界上促進(jìn)低能特殊晶界的產(chǎn)生來控制鉻的消耗。Chen等[10]研究發(fā)現(xiàn),孿晶界面能有效推遲鉻的碳化物析出。Kokawa等[21]研究得出,基于孿晶誘發(fā)的GBE處理產(chǎn)生高比例的低ΣCSL晶界顯著提高了304不銹鋼的抗晶間腐蝕性能。
目前利用GBE處理改善奧氏體不銹鋼的抗晶間腐蝕性能的研究有許多,但通過GBE處理對(duì)奧氏體不銹鋼力學(xué)性能影響的報(bào)道較少,本試驗(yàn)選取304不銹鋼進(jìn)行GBE處理,綜合研究GBE處理對(duì)304不銹鋼耐腐蝕性能和力學(xué)性能的影響。
試驗(yàn)用304不銹鋼板材的化學(xué)成分見表1。首先將304不銹鋼在1 050 ℃下固溶處理0.5 h,然后水淬,樣品標(biāo)記為Non-GBE處理試樣。將Non-GBE處理試樣在軋機(jī)上進(jìn)行8%冷軋變形后在1 100 ℃下退火6 min,然后水淬,標(biāo)記為GBE處理試樣。為了防止試樣熱處理時(shí)被氧化,將304不銹鋼試樣封裝在真空石英管中,熱處理后破壞真空石英管,立即水淬。制備電子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)試樣用以觀察晶界微觀結(jié)構(gòu),將制備好的金相試樣在20%HCIO4+80%CH3COOH(體積分?jǐn)?shù))溶液中電解拋光20 s,電壓為30 V,溫度為?20 ℃。使用裝配EBSD系統(tǒng)的JSM-6510LA型場發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM)獲取樣品表面晶體取向數(shù)據(jù),參數(shù)設(shè)置為:電壓30 kV,掃描范圍600 μm×600 μm,掃描步長1.0 μm。使用Channel 5軟件分析獲得晶粒取向分布和晶粒結(jié)構(gòu),采用Brandon準(zhǔn)則[22]確定重位點(diǎn)陣晶界的Σ值,即:的重位點(diǎn)陣晶界為小角度晶界,Σ>29的重位點(diǎn)陣晶界為大角度晶界。
表1 304不銹鋼板材的化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù)/%)Tab.1 Compositions of the 304 stainless steel(mass fraction/%)
為測(cè)試低ΣCSL晶界比例對(duì)304不銹鋼抗晶間腐蝕性能的影響,將Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣在650 ℃下保溫2 h敏化處理,將敏化處理后的試樣分別放入裝有腐蝕液的聚四氟乙烯燒杯中進(jìn)行晶間腐蝕試驗(yàn),腐蝕液為HF+H2O2+ H2O,體積比為4∶3∶21,每隔一段時(shí)間取出,用無水乙醇和去離子水洗凈,烘干后稱重。腐蝕質(zhì)量損失計(jì)算公式為:
式中:v為試樣的腐蝕速率;M為試樣腐蝕前質(zhì)量;m為試樣腐蝕后質(zhì)量;S為試樣表面積;t為腐蝕時(shí)間。
使用CHI600E型電化學(xué)工作站對(duì)試樣進(jìn)行電化學(xué)腐蝕試驗(yàn),將Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣放入3.5%NaCl水溶液中,試樣作為工作電極,飽和的甘汞電極 (saturated calomel electrode,SCE)作為參比電極,鉑片作為輔助電極,室溫下進(jìn)行,工作頻率為10?5~10?2Hz,掃描速度為10 mV/s,電壓掃描范圍為開路電勢(shì)±5 mV。
304不銹鋼是具有中低堆層錯(cuò)能的面心立方金屬,具有平滑的孿晶界。Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣對(duì)應(yīng)的晶粒取向分布圖及光學(xué)顯微組織(optical microstructure,OM)如圖1所示。從圖1(a)和(b)中可以看出,Non-GBE處理試樣的晶粒度比GBE處理試樣的小,兩種狀態(tài)均分布大量平行的條狀組織—退火孿晶。從圖1(c)和(d)中可以看出,Non-GBE處理試樣中分布了更多的特殊晶界。
圖1 Non-GBE和GBE處理試樣的晶粒取向分布圖和OM圖Fig.1 Grain orientation distribution maps and OM images of Non-GBE and GBE treatment sample
圖2為Non-GBE和GBE處理試樣的晶界特征分布比例。從圖2中可以看出,經(jīng)過GBE處理后,304不銹鋼中低ΣCSL晶界比例從45.1%增加到77.8 %,Σ3晶界比例從42.0%增加到65.5%,Σ9晶界與Σ27晶界比例均有提高。
圖2 Non-GBE和GBE處理試樣的晶界特征分布Fig. 2 Grain boundary characteristic distributions of Non-GBE and GBE treatment samples
圖3為Non-GBE和GBE處理試樣腐蝕時(shí)間與質(zhì)量損失之間的關(guān)系圖。從圖3中可以看出,隨著腐蝕時(shí)間的延長,兩種試樣的質(zhì)量損失逐漸增大。但由于試樣經(jīng)敏化處理后,增加了晶間腐蝕敏感性,因此,隨著腐蝕時(shí)間的延長,Non-GBE處理試樣在相同時(shí)間內(nèi)的質(zhì)量損失遠(yuǎn)大于GBE處理試樣的。
圖3 Non-GBE和GBE處理試樣晶間腐蝕時(shí)的質(zhì)量損失與腐蝕時(shí)間的關(guān)系Fig. 3 Relationship between mass loss and corrosion time during intergranular corrosion of Non-GBE and GBE treatment sample
圖4為Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣經(jīng)12 h晶間腐蝕后的SEM圖。從圖4(a)中可以看出,Non-GBE處理試樣表面形貌呈凹凸不平狀,完整性較差,大量晶粒被嚴(yán)重腐蝕,并出現(xiàn)脫落現(xiàn)象,晶界腐蝕較深。從圖4(b)中可以看出,GBE處理試樣表面形貌相對(duì)平整,具有良好的完整性,沒有出現(xiàn)晶粒脫落的現(xiàn)象,晶界腐蝕較淺。顯然,經(jīng)GBE處理的試樣表現(xiàn)出比固溶處理的試樣具有更好的抗晶間腐蝕能力,主要是因?yàn)樵谛巫兒蟮臒崽幚磉^程中,現(xiàn)有隨機(jī)晶界內(nèi)的退火孿晶和Σ晶界再生機(jī)制導(dǎo)致低ΣCSL晶界比例增加。與隨機(jī)晶界相比,低ΣCSL晶界在結(jié)構(gòu)上是穩(wěn)定的,晶格缺陷和現(xiàn)有晶界的相互作用較小。而與低ΣCSL晶界相反,晶格缺陷可以被吸收到高ΣCSL晶界或隨機(jī)晶界中。此外,GBE處理試樣中分布著大量可以打斷大角度晶界網(wǎng)絡(luò)連通性的低能片段,抑制晶間腐蝕滲透到材料內(nèi)部。
圖4 Non-GBE和GBE處理試樣經(jīng)12 h晶間腐蝕后的SEM圖Fig. 4 SEM images of Non-GBE and GBE treatmentsample after 12 hours intergranular corrosion
圖5為Non-GBE和GBE處理試樣的SEM圖。如圖5(a)所示,由于高能的大角度晶界網(wǎng)絡(luò)的連通性,以沿晶腐蝕形式呈現(xiàn)。而晶界附近有鉻的碳化物析出,進(jìn)一步加速了晶間腐蝕的發(fā)生,顯示晶界完全被腐蝕并出現(xiàn)晶粒脫落的傾向。如圖5(b)所示,GBE處理試樣中的大角度晶界被退火孿晶打斷,出現(xiàn)腐蝕晶界中未腐蝕的部分,未腐蝕部分是將晶界結(jié)構(gòu)從大角度晶界(R)向特殊晶界(S)發(fā)生轉(zhuǎn)變,并在高能的大角度晶界上引入的低能片段。由于退火孿晶的形成會(huì)降低晶粒長大過程中的晶界能,因此退火孿晶的發(fā)射部位的晶界能低于相鄰的大角度晶界的晶界能。有關(guān)系式成立:
圖5 Non-GBE和GBE處理試樣的SEM圖Fig. 5 SEM images of Non-GBE and GBE treatment sample
式中: γΣ3、 γs、 γR分別為Σ3孿晶界,特殊晶界片段和一般大角度晶界的界面能;LΣ3和LS分別為Σ3孿晶界和特殊晶界片段的長度[23]。
在GBE處理過程中,小的預(yù)應(yīng)變會(huì)激活晶界遷移,但因驅(qū)動(dòng)力不足,不會(huì)發(fā)生再結(jié)晶而產(chǎn)生新的晶粒。晶粒在高溫短時(shí)間退火階段,晶界遷移與晶格位錯(cuò)還會(huì)和其他晶界相互作用而產(chǎn)生新的退火孿晶。由于Σ3孿晶界不能遷移很長的距離,高能大角度晶界可以廣泛遷移,低能Σ3孿晶界對(duì)晶格位錯(cuò)的吸收速率比大角度晶界低得多,并且在吸收完成之前不會(huì)發(fā)生遷移。這些反應(yīng)會(huì)在高溫退火過程中將晶界結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定的低能結(jié)構(gòu),打斷大角度晶界網(wǎng)絡(luò)連通性,并抑制鉻的碳化物在晶界處析出,從而提高了304不銹鋼抗晶間腐蝕性能[17]。
圖6(a)是Non-GBE和GBE處理試樣的極化曲線,通過腐蝕電流密度(I)和腐蝕電勢(shì)(E)來評(píng)價(jià)304不銹鋼Non-GBE試樣和GBE試樣在3.5%NaCl水溶液中的耐腐蝕性能。通常自腐蝕電流密度越大或自腐蝕電勢(shì)越小,表明材料的耐腐蝕性能越差。圖6(b)為相位圖,顯示由于3.5%NaCl水溶液電阻與試樣電阻反應(yīng),相位值在高頻區(qū)域較低。GBE處理試樣的相位角相比于Non-GBE處理試樣在低頻區(qū)域保持了最大的頻率范圍。圖6(c)為擬合后的阻抗圖,由真實(shí)阻抗的實(shí)部和虛部組成,特征是不完整的半圓,極化半徑為電荷在試樣傳遞過程中遇到的阻抗,半徑越小,表示材料的耐腐蝕能力越差。Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣的電化學(xué)極化曲線和阻抗參數(shù)如表2所示。其中,等效電路中,RL為溶液電阻,RP為試樣外部的氧化層電阻,RB為試樣內(nèi)部致密的氧化物層,為真實(shí)電阻。真實(shí)電阻越大,表明材料具有更高的耐腐蝕性能。
圖6 Non-GBE和GBE處理試樣的極化曲線、相位圖和擬合阻抗圖及等效電路Fig. 6 Polarization curves, phase diagrams and fitted impedance diagrams with equivalent circuit of Non-GBE and GBE treatment samples
表2 電化學(xué)極化曲線和阻抗的參數(shù)Tab.2 Parameters of electrochemical polarization curve and impedance spectrum
綜上,由于GBE處理試樣自腐蝕電勢(shì)、相位角、阻抗半徑均大于Non-GBE處理試樣的,表明經(jīng)GBE處理后,304不銹鋼的耐腐蝕性能得到改善。主要是因?yàn)榈挺睠SL晶界比例增加和退火孿晶打斷大角度晶界網(wǎng)絡(luò)連通性,且Σ3孿晶界的晶界能低及穩(wěn)定性好,抵抗了腐蝕行為的發(fā)生。
圖7為Non-GBE和GBE處理試樣在4×10?5s?1速率下室溫拉伸時(shí)的應(yīng)力-應(yīng)變曲線。與Non-GBE處理試樣相比,GBE處理試樣表現(xiàn)出更好的延展性,總伸長率提高8%。同時(shí)在該應(yīng)變速率下,經(jīng)過GBE處理試樣的抗拉強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度都較Non-GBE處理試樣的有小幅度下降,分別下降了20 MPa和13 MPa。
圖7 Non-GBE與GBE處理試樣在室溫下拉伸曲線Fig.7 Tensile curves of Non-GBE and GBE treatment samples at room temperature
根據(jù)微觀組織觀察和活化能分析,對(duì)GBE處理提高奧氏體不銹鋼的塑韌性進(jìn)行如下討論:晶界特征分布主要導(dǎo)致了GBE處理試樣中的特殊晶界比例顯著增加,將在一定程度上削弱晶界處的應(yīng)力集中。因此,晶界特征優(yōu)化可以顯著改善多晶材料的變形均勻性,從而提高其延展性。由于特殊晶界表面能較低,特殊晶界比例增加在一定程度上降低了GBE處理試樣的吉布斯自由能。因此,GBE處理試樣的變形需要更高的能量,這可能導(dǎo)致GBE處理試樣具有更好的塑性。
通過計(jì)算Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣的活化能來間接驗(yàn)證上述觀點(diǎn),選擇Sellars等[24]提出的雙曲正弦公式說明應(yīng)變速率、變形溫度和流動(dòng)應(yīng)力之間的關(guān)系:
式中:Z為Zener-Hollomon參數(shù)[25],表示溫度補(bǔ)償應(yīng)變率;為應(yīng)變速率;Q為活化能;R為氣體常數(shù);T為熱力學(xué)溫度;σ為特征應(yīng)力,如穩(wěn)態(tài)應(yīng)力或峰值應(yīng)力,在本工作中,流動(dòng)應(yīng)力σ是利用峰值應(yīng)力得到的;A,α,n為物質(zhì)常數(shù),應(yīng)力常數(shù)α被定義為α=β/n1,其中β和n1分別用 ln-σ和 ln-lnσ曲線的斜率來計(jì)算,Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣的α值分別為0.011 MPa?1和0.009 MPa?1。對(duì)式(3)兩邊取對(duì)數(shù):
在恒定的應(yīng)變速率下,對(duì)式(4)進(jìn)行微分,得到如下表達(dá)式:
圖8為在相同應(yīng)變速率下Non-GBE處理試樣和GBE試樣斷口的SEM圖。從圖8中可以看出,斷口形貌表現(xiàn)為孔洞形核機(jī)制的韌性斷裂,即韌窩形貌。韌窩的大小、深淺及數(shù)量取決于材料斷裂時(shí)夾雜物或第二相粒子的大小、間距、數(shù)量及材料的塑性和熱處理方式。材料的塑性變形能力越大,韌窩深度越大,反之韌窩深度小。對(duì)比Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣的斷口形貌,可以看出Non-GBE處理試樣斷口形貌更不均勻,韌窩尺寸差別較大,同時(shí)韌窩深度較大。而經(jīng)過GBE處理后,斷口韌窩數(shù)量明顯變多,且平均尺寸較小,大部分為等軸韌窩。因此,材料在GBE處理后,表現(xiàn)出更好地塑性。
圖8 Non-GBE與GBE處理試樣拉伸斷口的SEM圖Fig. 8 SEM images of the tensile fractures of Non-GBE and GBE treatment samples
(1)304不銹鋼中的高能大角度隨機(jī)晶界的連通性,增加了晶界附近鉻的碳化物的析出趨勢(shì),加速了晶間腐蝕的發(fā)生。而通過8%小變形+1 100 ℃退火6 min的GBE處理,ΣCSL晶界比例增加、在高晶界能的大角度晶界上引入低晶界能的退火孿晶,打斷了大角度晶界網(wǎng)絡(luò)連通性,穩(wěn)定晶界,使304不銹鋼的抗晶間腐蝕性能顯著提高。
(2)在室溫拉伸試驗(yàn)中,Non-GBE處理試樣和GBE處理試樣都具有良好的塑性和強(qiáng)度,GBE處理試樣的抗拉強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度較Non-GBE處理試樣的均有小幅度降低,分別降低了20 MPa和13 MPa。而GBE處理后,由于低能特殊晶界的增加提高了試樣的變形穩(wěn)定性,降低了試樣的吉布斯自由能,所以GBE處理試樣的伸長率較Non-GBE處理試樣的提高了8%。