莫超平 ,張廣東 ,張志偉 ,王寧 ,楊森 ,張明迪 ,何友才
(1.西南石油大學(xué)石油與天然氣工程學(xué)院,四川 成都 610500;2.中國石化西南油氣分公司勘探開發(fā)研究院,四川 成都 610095;3.中國石油集團(tuán)東方地球物理勘探有限責(zé)任公司西南物探分公司裝備制造與服務(wù)中心,四川 成都 610213)
高含硫氣藏在開發(fā)過程中,隨著地層壓力的降低,硫在氣藏中析出沉積,對地層造成傷害[1-2]。若地層溫度低于硫熔點(diǎn),硫在地層中的沉積呈現(xiàn)固態(tài)硫特征。目前,國內(nèi)外學(xué)者對高含硫氣藏固態(tài)硫沉積的研究多局限在沉積條件、飽和硫溶解度測試及預(yù)測、固態(tài)硫沉積對儲(chǔ)層傷害等方面[3]。氣體中硫顆粒直徑為3~ 16 μm的結(jié)晶體在孔喉壁面析出,對儲(chǔ)層滲透率有主要影響,但是硫顆粒在不同孔隙中的分布及規(guī)律并不明確[4-7]。目前對高含硫氣藏相態(tài)特征[8-10]、宏觀滲流機(jī)理[11-13]已形成相對成熟的研究方法,而對高含硫氣藏固態(tài)硫顆粒微觀運(yùn)移沉積機(jī)理的研究尚未見報(bào)道。本文通過ICEM軟件構(gòu)建孔喉簡化模型[14],運(yùn)用Fluent的離散相DPM模型,模擬分析固態(tài)硫顆粒在孔喉中的微觀運(yùn)移沉積機(jī)理,研究影響固態(tài)硫顆粒沉積的主要因素,為高含硫氣藏硫沉積機(jī)理研究及防治提供依據(jù)。
本文參照Wang等[15]利用納米尺度描述原油流動(dòng)的流體動(dòng)力學(xué)模型,通過ICEM軟件構(gòu)建孔喉簡化模型(見圖1),研究固態(tài)硫顆粒的沉積機(jī)理。研究中考慮氣體的滑脫效應(yīng),認(rèn)為氣體在孔喉壁面的速度不為0[16]。為了保證接近孔喉壁面流動(dòng)顆粒的運(yùn)動(dòng)軌跡,對孔喉壁面的網(wǎng)格進(jìn)行了加密,其中孔隙直徑為10 μm,喉道直徑為 5 μm。
圖1 孔喉簡化模型示意
高含硫氣體在生產(chǎn)過程中,當(dāng)壓力低于硫析出點(diǎn)后,就會(huì)析出固態(tài)硫,形成氣-固態(tài)硫兩相流動(dòng)。當(dāng)固態(tài)硫進(jìn)入儲(chǔ)層中某一孔隙時(shí),由于硫顆粒的運(yùn)移受到孔喉形狀、顆粒間碰撞、壓差、硫顆粒大小和重力等因素的影響,硫顆粒的運(yùn)動(dòng)軌跡往往不是直線,而是以不規(guī)則的螺旋線形式運(yùn)移,之后在一系列復(fù)雜運(yùn)移條件下,被壁面捕獲發(fā)生沉積。固態(tài)硫顆粒沉積主要是重力沉積、壁面吸附、碰撞沉積等多種因素共同作用的結(jié)果。
本文假設(shè)氣藏開發(fā)過程中的某一時(shí)刻,固態(tài)硫已在氣體中析出,形成穩(wěn)定的氣-固態(tài)硫兩相流動(dòng)。由于模擬孔喉直徑較小,本研究忽略微小壓力降造成氣體中固態(tài)硫進(jìn)一步沉積的影響。在模擬過程中,假設(shè)氣體為連續(xù)相,硫顆粒作為固態(tài)以離散相形式存在,顆粒形狀不明顯,可看作球形[17],運(yùn)用歐拉-拉格朗日方程進(jìn)行氣-固態(tài)硫兩相流動(dòng)模擬。
將孔喉簡化模型壁面的邊界條件設(shè)置為捕捉,進(jìn)出口的邊界條件設(shè)置為逃逸,進(jìn)出口的逃逸用以保證硫顆??梢噪S著氣體進(jìn)出孔喉模型。氣體運(yùn)移時(shí)以多組分形式存在,其物理性質(zhì)受氣體種類和組分影響,因此設(shè)置模型為多相流,并設(shè)置出口氣體的摩爾分?jǐn)?shù)。選用某氣藏實(shí)際的氣體組分作為模擬氣體組分(見表1)。
表1 模擬氣體組分
本文模擬計(jì)算基于標(biāo)準(zhǔn)κ-ε模型和SIMPLE求解,求解精度為一階迎風(fēng)格式,模型采用混合網(wǎng)格進(jìn)行初始化。
本文模擬直徑分別為 0.1,0.2,0.5,1.0,2.0 μm 的硫顆粒在孔喉模型中的運(yùn)移過程,分析了不同壓差下硫顆粒直徑對硫沉積的影響(見圖2。其中,硫沉積率是指孔喉結(jié)構(gòu)壁面附著的硫顆粒數(shù)占入口端釋放的硫顆粒數(shù)的百分比)。
圖2 不同壓差下硫顆粒直徑對硫沉積的影響
由圖2可知:在相同壓差下,隨著硫顆粒直徑增大,硫沉積率也增大;當(dāng)硫顆粒直徑小于0.2 μm時(shí),壓差變化對硫沉積率的影響較??;當(dāng)硫顆粒直徑大于0.2 μm時(shí),壓差變化對硫沉積率的影響越來越大;當(dāng)硫顆粒直徑一定,隨著壓差增大,硫沉積率逐漸減小。說明在硫沉積早期,硫顆粒直徑較小時(shí)更易被攜帶出孔喉。
為了模擬孔喉直徑對硫沉積的影響,利用構(gòu)建的孔喉簡化模型,在保證硫顆粒質(zhì)量流量(2×10-11kg/s)和壓差(4 Pa)恒定的條件下,改變孔喉簡化模型的尺寸。本文模擬了固態(tài)硫顆粒直徑分別為0.5,1.0,2.0 μm時(shí)的硫沉積情況,分析了不同孔喉直徑對硫沉積的影響(見圖3)。
圖3 不同孔喉直徑對硫沉積的影響
由圖3可以看出:當(dāng)硫顆粒直徑一定時(shí),孔喉直徑對硫沉積的影響十分明顯,隨著孔喉直徑增大,硫沉積率逐漸減??;當(dāng)模型放大8倍(孔隙直徑80 μm,喉道直徑40 μm)以上,硫沉積率趨于平穩(wěn)。這說明當(dāng)孔喉直徑一定時(shí),固態(tài)硫顆??梢员粩y帶出孔喉。固態(tài)硫顆粒直徑越大,硫沉積率越大,越難被氣體攜帶出孔喉。由此可見,在高含硫氣藏開發(fā)過程中,大孔喉的硫沉積率較小,而對于小孔喉,尤其是微米級(jí)孔喉,硫沉積率較大。
針對高含硫氣藏的含硫量不同,設(shè)計(jì)了硫顆粒質(zhì)量流量分別為 2×10-11,4×10-11,6×10-11,8×10-11kg/s 的 4組模擬實(shí)驗(yàn)。當(dāng)壓差為4 Pa時(shí),對硫沉積率進(jìn)行分析(見圖 4)。
圖4 不同硫顆粒直徑和質(zhì)量流量下的硫沉積率變化
由圖4可以看出:硫顆粒質(zhì)量流量對硫沉積的影響較小,當(dāng)硫顆粒直徑小于0.2 μm時(shí),硫顆粒質(zhì)量流量的變化對硫沉積的影響并不明顯;當(dāng)硫顆粒直徑大于0.5 μm時(shí),隨著硫顆粒質(zhì)量流量增大,硫沉積率稍有增大。
通過模擬實(shí)驗(yàn),得到不同壓差下的硫沉積率變化曲線(見圖5)。由圖可知:硫沉積率和壓差呈負(fù)相關(guān),隨著壓差增大,硫沉積率變化幅度減??;硫顆粒直徑不同,硫沉積率穩(wěn)定時(shí)需要的壓差也不同,當(dāng)硫顆粒直徑為0.1 μm、壓差達(dá)20 Pa時(shí),硫沉積率基本趨于穩(wěn)定;當(dāng)硫顆粒直徑為0.5 μm、壓差達(dá)40 Pa時(shí),硫沉積率趨于穩(wěn)定,此時(shí)硫沉積率為4.42%。由此可見,硫顆粒直徑越大,硫沉積率穩(wěn)定時(shí)需要的壓差也越大。
圖5 不同硫顆粒直徑和壓差下的硫沉積率變化
平衡壓差(硫沉積率穩(wěn)定時(shí)需要的壓差)與硫顆粒直徑的關(guān)系見圖6。由圖可知,平衡壓差與硫顆粒直徑呈對數(shù)形式增長。
圖6 平衡壓差與硫顆粒直徑的關(guān)系
為了模擬氣體中固態(tài)硫顆粒析出后在孔喉中的運(yùn)移沉積機(jī)理,通過Fluent動(dòng)畫捕捉模塊,記錄不同時(shí)間下硫顆粒的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),得到迭代過程中硫顆粒在孔喉簡化模型中的流線分布(見圖7)。根據(jù)流線分布,將硫顆粒隨氣體在孔喉中運(yùn)移的過程分為3個(gè)階段。
圖7 硫顆粒在孔喉簡化模型中的流線分布
1)進(jìn)入孔喉階段?;旌蠚怏w中攜帶著硫顆粒,在壓差作用下開始進(jìn)入喉道,通過喉道和孔隙的交界處后,氣體開始充溢整個(gè)孔喉,氣體速度由快變慢,向喉道內(nèi)未被填充區(qū)域擴(kuò)散。
2)通過孔喉階段。氣體繼續(xù)運(yùn)移,通過連接的喉道離開孔隙,實(shí)現(xiàn)了從喉道到孔隙,再從孔隙到喉道的運(yùn)移過程,慢慢接觸孔喉壁面,硫顆粒運(yùn)移速度在靠近孔喉壁面處逐漸減小。
3)顆粒沉積階段。由于氣體速度降低,硫顆粒的速度也隨之下降,在重力、壓力梯度等因素的共同作用下,氣體運(yùn)動(dòng)軌跡逐漸趨于穩(wěn)定,氣體速度下降到一個(gè)相對低值,其中攜帶的硫顆粒開始逐漸向孔喉壁面聚集,然后發(fā)生沉積。
1)在高含硫氣藏開發(fā)過程中,氣體運(yùn)移的主要通道為直徑較大的孔喉,而硫沉積容易發(fā)生在直徑較小的孔喉中。當(dāng)硫顆粒直徑小于0.2 μm時(shí),硫顆粒質(zhì)量流量對硫沉積的影響不明顯。
2)硫沉積率隨著壓差增大而下降,當(dāng)壓差達(dá)到一定值時(shí),硫沉積率趨于穩(wěn)定,平衡壓差隨硫顆粒直徑的增大而增大。以直徑0.5 μm的固態(tài)硫顆粒為例,當(dāng)孔隙直徑10 μm,喉道直徑5 μm時(shí),平衡壓差達(dá)40 Pa,硫沉積率為4.42%。
3)根據(jù)硫顆粒在孔喉中運(yùn)動(dòng)的流線分布,將硫顆粒隨著氣體在孔喉中運(yùn)移的過程分為進(jìn)入孔喉、通過孔喉和顆粒沉積3個(gè)階段。