劉俊德
(國(guó)網(wǎng)遼寧省電力有限公司遼陽(yáng)供電公司,遼寧 遼陽(yáng)111000)
GIS設(shè)備因其占地面積較少、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)易等優(yōu)勢(shì)在電力系統(tǒng)中廣泛使用[1]。而局放信號(hào)的特高頻檢測(cè)法是診斷GIS設(shè)備的運(yùn)行缺陷,提升電網(wǎng)運(yùn)行可靠性的主要方法[2]。特高頻的傳播路徑、傳遞介質(zhì)以及檢測(cè)系統(tǒng)都會(huì)使特高頻信號(hào)的波形產(chǎn)生畸變以及時(shí)延影響,這就為準(zhǔn)確檢測(cè)定位設(shè)備內(nèi)部缺陷位置帶來無法估量的誤差因素[3-4]。
目前國(guó)內(nèi)外學(xué)者針對(duì)特高頻檢測(cè)局部放電的傳播特性做了大量的研究工作。清華大學(xué)的彭映成等為了解決超聲檢測(cè)中首波難于識(shí)別的問題,提出了基于互相關(guān)算法的超聲走時(shí)獲取發(fā)射超聲與接收超聲的時(shí)差方法,實(shí)現(xiàn)了高精度超聲測(cè)距[5]。陳金祥研究了沿變壓器繞組軸向和徑向的放電源產(chǎn)生的UHF電磁波向外輻射的傳播路徑和衰減情況[6]。上海交通大學(xué)的劉君華等研究了電磁波沿GIS傳輸時(shí),信號(hào)波形振蕩時(shí)間以及信號(hào)幅值受傳播路徑以及放電源位置的影響分析[7]。J.G.Yang等研究了220kV仿真GIS模型中電磁波的傳播規(guī)律,研究了典型GIS結(jié)構(gòu)內(nèi)波的傳輸特性,比較了不同結(jié)構(gòu)以及測(cè)量角度下電磁波的時(shí)頻特性[8]。但是,目前缺少GIS腔體內(nèi)傳感器在檢查缺陷的位置選取研究,未開展提高檢測(cè)靈敏度的測(cè)量位置有效性探索。
因此,本文為給GIS設(shè)備局部放電檢測(cè)與定位提供技術(shù)參考,利用XFDTD仿真軟件研究了GIS腔體中局放信號(hào)的動(dòng)態(tài)傳播過程,重點(diǎn)探討傳感器位置選取對(duì)GIS中特高頻信號(hào)監(jiān)測(cè)靈敏度的影響。
圖1為含盆式絕緣子的電壓等級(jí)為220kV的GIS仿真模型的剖視圖。中心位置處的金屬導(dǎo)桿直徑為50mm、長(zhǎng)度為4000mm。在GIS仿真模型的腔體內(nèi)壁分別布置8個(gè)傳感器,編號(hào)為S0-S7,且放置位置間隔距離固定采用隨意放置。8個(gè)傳感器用于采集GIS腔體內(nèi)傳輸?shù)碾姶挪?。在中間金屬導(dǎo)桿設(shè)置一模擬放電源,該放電源上所施加的高斯脈沖脈寬為1ns、幅值為1A。在圖1所示GIS腔體的中心位置處有一材質(zhì)為環(huán)氧樹脂的盆式絕緣子。
圖1 含盆式絕緣子GIS仿真模型
GIS腔體內(nèi)電磁波傳輸過程如圖2所示。分別截取t=1.327ns、t=3.641ns、t=4.728ns、t=8.192ns4個(gè)時(shí)刻的GIS腔體內(nèi)電磁波傳播仿真結(jié)果。由此4個(gè)時(shí)刻仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知:當(dāng)電磁波從盆式絕緣子的右側(cè)向左側(cè)傳輸,當(dāng)電磁波到達(dá)GIS腔體的中間位置,即在正穿過盆式絕緣子時(shí),電磁波的波速將明顯減小。而在電磁波穿過GIS腔體中的盆式絕緣子后,從圖2中的電場(chǎng)仿真結(jié)果彩圖可得出絕緣子右側(cè)的電場(chǎng)能量明顯高于左側(cè)的電場(chǎng)能量,這也表明了盆式絕緣子的存在會(huì)使得電磁波的能量明顯減小。
圖2 GIS腔體內(nèi)電磁波傳輸過程
為了更詳細(xì)地分析盆式絕緣的存在到底對(duì)220kV下GIS腔體內(nèi)電磁波衰減有多大影響,本文仿真了同一規(guī)格尺寸下GIS腔體在有無盆式絕緣子兩種情況下的電磁波首波幅值。將仿真數(shù)據(jù)結(jié)果繪制為圖3。由3的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知,傳感器離放電源的距離越遠(yuǎn),那么它所測(cè)得的電磁波首波幅值越小。同時(shí),含盆式絕緣子GIS腔體內(nèi)電磁波首波幅值明顯小于不含盆式絕緣子GIS腔體內(nèi)電磁波首波幅值。因而,為了對(duì)GIS腔體裝置內(nèi)部的缺陷得到有效檢測(cè),應(yīng)該避免盆式絕緣子對(duì)檢測(cè)靈敏度的影響。因此,建議現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)局部放電故障時(shí),GIS腔體壁上所固定的特高頻傳感器應(yīng)該遠(yuǎn)離腔體內(nèi)部的絕緣子。
圖3 GIS腔體內(nèi)各測(cè)點(diǎn)合成場(chǎng)首波幅值
本文分析了GIS中盆式絕緣子處缺陷激勵(lì)產(chǎn)生的電磁波延著典型傳播路徑向外輻射過程中UHF首波的特點(diǎn)。研究發(fā)現(xiàn)特高頻電磁波經(jīng)過GIS腔體內(nèi)的盆式絕緣子會(huì)產(chǎn)生衰減,特高頻電磁波幅值將降低50%左右。因此,為了提高檢測(cè)的靈敏度,GIS腔體內(nèi)傳感器在檢查缺陷時(shí)應(yīng)避開盆式絕緣子。