鄒林兒, 熊凱鑫, 劉天翔, 邱 昱, 沈 云
(南昌大學(xué)物理系,南昌 330031)
光纖光柵廣泛應(yīng)用于光纖通信和傳感器等領(lǐng)域[1-3],在光電信息科學(xué)與工程本科專業(yè)和光學(xué)類碩士研究生專業(yè)中開展相關(guān)的實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目是非常重要的實(shí)驗(yàn)教學(xué)環(huán)節(jié)。光纖光柵結(jié)構(gòu)簡單,具有高精度、高靈敏度和快速響應(yīng)等優(yōu)勢,是激光器件與技術(shù)、光電子學(xué)、傳感技術(shù)、光電檢測技術(shù)等相關(guān)課程中重要的光子器件。因此,刻寫光纖光柵,并基于此開發(fā)新型光纖光子器件[4-6],是必備的專業(yè)實(shí)驗(yàn)技能。光纖光柵的刻寫方法有很多種,最開始是1978 年,Hill 等[7]通過駐波干涉法在具有光敏性的摻鍺光纖纖芯上刻寫;1989年,Meltz等[8]提出雙光束全息曝光法刻寫光纖光柵,使得寫入效率有較大提高。但由于橫向全息曝光法的機(jī)械穩(wěn)定性不高,使得光柵光譜質(zhì)量不高,1993 年,Anderson 等[9]提出了機(jī)械穩(wěn)定性相對較高的相位掩模法,大力推動了光纖光柵制備的發(fā)展。
本文設(shè)計(jì)搭建了基于相位掩模法的改進(jìn)型Sagnac干涉系統(tǒng)刻寫光纖光柵的實(shí)驗(yàn)平臺,其+1 和- 1 級衍射光分開后通過反射鏡反射在空間處發(fā)生干涉,且只需調(diào)整反射鏡改變干涉角度就可獲得不同光柵中心波長。該平臺可用于本科生科研訓(xùn)練開放綜合性專業(yè)實(shí)驗(yàn)和碩士研究生專業(yè)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)教學(xué),培養(yǎng)學(xué)生綜合運(yùn)用知識進(jìn)行創(chuàng)新實(shí)踐的能力[10]。
光纖光柵是利用光纖材料的光敏性制成,其沿軸向折射率呈一種空間周期性分布的結(jié)構(gòu)。均勻周期性光纖光柵的折射率分布[11]為
式中:n0為纖芯折射率;ΔnDC為纖芯折射率的平均增量;Δnmax為纖芯的最大折射率變化量;v為折射率的調(diào)制幅度;Λ為光柵周期;光束沿z軸傳播。
光纖光柵沿軸向折射率的變化將引起不同光波模式之間的耦合,實(shí)現(xiàn)模式間的功率轉(zhuǎn)移。在單模光纖中,入射的基模可以被耦合成前向傳輸模式,也可被耦合成后向傳輸模式。為了將一個前向傳輸模式耦合成一個后向傳輸基模,其滿足相位條件[12]為
式中,β01是單模光纖中傳輸模式的傳播常數(shù)。在這種情況下得到的短周期光柵稱為光纖布拉格光柵(Λ 一般小于1 μm),其基本特性表現(xiàn)為一個光學(xué)濾波器,其布拉格波長λB表示為
式中,neff是光纖中傳輸模式的有效折射率。
此外,在均勻光纖光柵中,由于折射率突變而引起的法布里-珀羅效應(yīng),使得光柵光譜中會出現(xiàn)分布在諧振峰兩邊的一些旁瓣[13]。
圖1 所示為帶+1/- 1 衍射級相位掩模版的改進(jìn)型Sagnac干涉寫入光柵系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)裝置示意圖。寫入光源(激光器)發(fā)出光束經(jīng)過由擴(kuò)束透鏡組、衰減片、光圈、反射鏡3 和快門組成的望遠(yuǎn)鏡系統(tǒng)擴(kuò)束后,由柱面透鏡形成線光斑進(jìn)入相位掩模版,在相位掩模版后產(chǎn)生+1、0、- 1 三級衍射光(其中0 級光束被擋?。? 和- 1 級衍射光束分開后再經(jīng)一對反射鏡1、2 分別兩次反射后,最后聚焦在光纖樣品上形成呈高斯輪廓強(qiáng)度分布有一定尺寸的光斑,兩束光斑疊加在樣品上形成干涉條紋。光柵寫入時(shí)間由電子快門控制。光譜監(jiān)測系統(tǒng)中,選用帶寬1 520 ~1 570 nm的放大自發(fā)輻射光源作為測試光,由高數(shù)值孔徑單模光纖端面耦合進(jìn)出光纖樣品,最后進(jìn)入光譜儀,用它監(jiān)測光柵透射率。該實(shí)驗(yàn)裝置置放于氣墊精密隔振光學(xué)平臺,保證刻寫光柵時(shí)光路穩(wěn)定性,防止微小振動破壞光路而影響光柵質(zhì)量。
圖1 實(shí)驗(yàn)裝置示意圖
圖2所示為用于分析改進(jìn)型Sagnac 干涉系統(tǒng)寫入光柵原理的干涉結(jié)構(gòu)圖。圖中,α是+1 和- 1 衍射級與相位掩膜版表面法線的夾角,其值固定為α =arcsin(λw/Λm),其中,λw為激光器的工作波長,Λm是相位掩膜版矩形槽的周期。在光纖樣品表面上兩束光的半干涉角θ =π - 2φ1- 2φ2- α,其中φ1和φ2分別是干涉系統(tǒng)的兩個反射鏡1 和2 的角度。兩束光干涉圖形的周期Λ,即光柵周期,取決于兩束光的干涉角度2θ,控制著光柵布拉格波長λB。根據(jù)式(3),光纖布拉格光柵公式可寫為:
圖2 改進(jìn)型Sagnac干涉系統(tǒng)的干涉結(jié)構(gòu)圖
式中,φ1=φ2=φ。從式(4)和(5)得知,neff和φ(或θ)是兩個主要影響光柵布拉格波長λB的參數(shù),可以通過調(diào)整反射鏡1 和2 的角度φ改變干涉角度2θ,從而改變周期Λ來設(shè)置光柵布拉格波長。
該系統(tǒng)有幾個特點(diǎn)(或優(yōu)點(diǎn)):①與傳統(tǒng)的相位掩膜法不同,+1 和- 1 級衍射光是分開后再通過反射鏡兩次反射在空間處疊加干涉,這樣光纖樣品不需要緊靠掩膜版,使得放置光纖時(shí)操作方便,還可置放特制的光纖夾具制備其他光柵,如相位光柵;②改變光柵λB,不需更換相位掩模版,只需調(diào)整反射鏡1 和2 改變干涉角度2θ,就可以獲得不同λB。而傳統(tǒng)的相位掩膜法相位掩膜版緊密置于光纖上,寫入周期跟相位掩膜版的周期有關(guān),使用+1 和- 1 衍射級時(shí)為掩膜版周期一半,如需改變λB,則需要更換不同周期的相位掩膜版;③刻寫的光柵長度一定程度上可通過改變光圈大小來實(shí)現(xiàn);④由于利用相位掩膜版的+1 和- 1 級衍射光,這兩束光強(qiáng)均等性好,得到干涉條紋的對比度高,刻寫出的光柵質(zhì)量好。
在設(shè)計(jì)和安裝調(diào)試該系統(tǒng)時(shí)應(yīng)注意幾點(diǎn):①為了保證各光學(xué)器件有足夠調(diào)整空間,應(yīng)選擇長焦距柱面透鏡增長光路,在該系統(tǒng)中我們選擇了長70 cm 焦距的柱面透鏡;②由于兩束光在反射鏡1 和2 分別經(jīng)兩次反射,落在反射鏡上光斑不能重疊,有較大的分開距離,應(yīng)選擇較大尺寸的反射鏡,在該系統(tǒng)中我們選擇了直徑約15 cm的反射鏡;③調(diào)試時(shí),在光纖樣品處置放一白屏,通過觀察其上兩束光重疊形狀,來判斷兩光束重合度。
實(shí)驗(yàn)選用纖芯折射率為2.415 的商業(yè)化As2S3硫系玻璃光纖,利用其高的光敏性[14-15](其光致折射率變化高達(dá)0.006)探究光纖光柵的制備。在圖1 中采用連續(xù)波倍頻的Nd:YAG激光器作為寫入光源,選用工作波長為532 nm,其處于As2S3硫系玻璃材料的準(zhǔn)帶隙光波段。調(diào)整反射鏡1 和2 使得雙光束干涉角2θ約為111.31°,得到光柵周期Λ約為322.17 nm,其中心波長λB≈1 556 nm。實(shí)驗(yàn)測得在光纖樣品上形成寬7 mm、高1.2 mm 呈高斯輪廓強(qiáng)度分布的光斑。下面設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方案,通過改變寫入光功率和寫入時(shí)間探索高質(zhì)量的As2S3光纖布拉格光柵制備。
(1)改變寫入光功率。實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)為:寫入時(shí)間保持為90 s,調(diào)節(jié)衰減片改變寫入光功率,使得+1/- 1級衍射光功率分別在4、6 和8 mW。測量觀察光柵透射譜質(zhì)量,如圖3 所示。在小寫入功率下,隨著寫入光功率增大,光柵透射峰(即對應(yīng)的布拉格波長)深度增加,光譜質(zhì)量良好;寫入功率增加,如8 mW,光柵透射峰深度反而減小,光譜質(zhì)量變差,出現(xiàn)多峰;寫入功率約6 mW時(shí),光譜質(zhì)量優(yōu)良,透射峰值約為- 6.7 dB,反射率可高達(dá)78.6%,光柵帶寬約為0.46 nm。
圖3 不同寫入功率下的As2S3 光纖布拉格光柵透射譜
(2)改變寫入時(shí)間。實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)為:保持+1/- 1級衍射光為6 mW,電子快門控制寫入時(shí)間分別為60、80 和100 s,測量觀察光柵透射譜質(zhì)量,如圖4 所示。圖4 顯示,隨著寫入時(shí)間積累,光柵透射峰深度增大,光譜質(zhì)量良好,但寫入時(shí)間積累到100 s時(shí),光譜質(zhì)量變差,出現(xiàn)次峰,同時(shí)光柵透射峰深度回落減小。寫入時(shí)間約80 s 時(shí),光譜質(zhì)量優(yōu)良,透射峰值約為- 6.6 dB,反射率達(dá)到78.1%,光柵帶寬約為0.45 nm。
圖4 不同寫入時(shí)間下As2S3 光纖布拉格光柵透射譜
綜上,寫入時(shí)間和寫入光功率都會影響到刻寫光纖光柵的光譜質(zhì)量,特別是隨著寫入功率增大和寫入時(shí)間的積累會導(dǎo)致光誘導(dǎo)光纖發(fā)生不均勻的微結(jié)構(gòu)變化,使得光譜出現(xiàn)多峰或次峰等情況,光譜質(zhì)量變差,這些可通過優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件參量獲得最優(yōu)刻寫光柵的參數(shù)。本實(shí)例中,因As2S3硫系玻璃光纖光敏性強(qiáng),寫入光功率不需要太強(qiáng),同時(shí)又可縮短寫入時(shí)間,故對于As2S3硫系玻璃光纖獲得高質(zhì)量布拉格光柵光譜最優(yōu)參量是在寫入光功率6 mW、寫入時(shí)間為80 ~90 s時(shí),如圖3(b)和圖4(b)所示。另外,由于As2S3硫系玻璃光纖在準(zhǔn)帶隙光誘導(dǎo)下,其平均折射率會發(fā)生改變,而導(dǎo)致透射峰出現(xiàn)一定偏移(見圖3、4),向短波長方向偏移約0.39 nm,這在設(shè)計(jì)光柵布拉格波長時(shí)應(yīng)考慮,允許在公差范圍內(nèi)。
結(jié)合開展的科研工作需要,同時(shí)面向教學(xué)需開拓光電工程類本科和碩士專業(yè)實(shí)驗(yàn),本文設(shè)計(jì)并搭建了改進(jìn)型Sagnac干涉系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)裝置,用于刻寫光纖光柵的開放綜合性實(shí)驗(yàn)教學(xué)項(xiàng)目[16]。該實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目使得學(xué)生深入理解光纖光柵的基礎(chǔ)理論,掌握改進(jìn)型Sagnac干涉系統(tǒng)寫入光柵的裝置、原理和操作技能,以及運(yùn)用于光纖光柵刻寫的實(shí)驗(yàn)研究。該實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目取得了良好的教學(xué)效果,提高了學(xué)生參與科研訓(xùn)練課程積極性,以及增強(qiáng)他們對科研的興趣。同時(shí)該實(shí)驗(yàn)有很好的科研應(yīng)用性,能培養(yǎng)啟發(fā)學(xué)生創(chuàng)新性思維,在此實(shí)驗(yàn)平臺上,結(jié)合其他結(jié)構(gòu)掩膜版,可研制其他類型光纖光柵,如相位光柵,還可以利用光柵中心波長位移研究樣品的光敏性等,這將為學(xué)生開展相關(guān)科研工作打下良好的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。