王鈺琪，張繆城，徐威，沈心怡，高斐，朱家樂(lè)，萬(wàn)相，連曉娟，許劍光，童祎 ,3,＊

1南京郵電大學(xué)電子與光學(xué)工程學(xué)院，南京 210023

2鹽城工學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院，江蘇鹽城 224051

3新加坡科技設(shè)計(jì)大學(xué)，工程產(chǎn)品開(kāi)發(fā)系，新加坡 487372

1 引言

有關(guān)阻變器件應(yīng)用的研究近年來(lái)主要集中在新興存儲(chǔ)器1,2以及神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域1,3-5。當(dāng)前的存儲(chǔ)器多數(shù)是基于金屬氧化物半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元，隨著器件特征尺寸的縮小受到越來(lái)越多的物理瓶頸的限制6，在大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求下，采取新器件和新結(jié)構(gòu)的新興存儲(chǔ)器逐漸成為研究的熱點(diǎn)1,7。對(duì)于四種新興存儲(chǔ)器而言，鐵電存儲(chǔ)器(FRAMs)以及磁存儲(chǔ)器(MRAMs)存儲(chǔ)單元面積過(guò)大，相變存儲(chǔ)器(PCRAMs)狀態(tài)改變過(guò)程中功耗過(guò)高都限制了進(jìn)一步發(fā)展2,8,9。但對(duì)于阻變存儲(chǔ)器(RRAMs)而言，作為存儲(chǔ)單元的阻變器件憶阻器在具備納米級(jí)尺寸10，高速開(kāi)關(guān)速度的同時(shí)11,12，功耗能夠達(dá)到小于0.1 pJ的量級(jí)13,14，在新型存儲(chǔ)領(lǐng)域極具競(jìng)爭(zhēng)力。然而在實(shí)現(xiàn)憶阻器應(yīng)用的過(guò)程中仍存在著如電學(xué)特性不穩(wěn)定，可靠性較差等問(wèn)題。針對(duì)提高憶阻器電學(xué)性能和穩(wěn)定性，目前主要是采用在阻變層中引入納米點(diǎn)誘導(dǎo)導(dǎo)電細(xì)絲生長(zhǎng)的方式，如Zhang等15通過(guò)在TiO2氧化層中引入Pt納米顆粒實(shí)現(xiàn)性能改善，Zhao等16,17通過(guò)引入石墨烯量子點(diǎn)用作離子儲(chǔ)存，實(shí)現(xiàn)可重復(fù)電阻狀態(tài)并降低了器件開(kāi)關(guān)電壓。

此外，近期一些工作也證明二維材料在優(yōu)化憶阻器性能方面具備良好的應(yīng)用潛力。如Liu等18以氧化石墨烯作為離子阻擋層，利用其層狀結(jié)構(gòu)控制Cu2+的移動(dòng)從而控制內(nèi)部導(dǎo)電通道的形態(tài)，經(jīng)測(cè)試該結(jié)構(gòu)憶阻器具備良好的電阻切換性。2011年，Naguib等19利用氫氟酸選擇性刻蝕Ti3AlC2中的Al原子層得到具有類石墨烯結(jié)構(gòu)的二維材料Ti3C2Tx；隨后，利用類似的方法刻蝕結(jié)構(gòu)相似的MAX相(M為早期過(guò)渡金屬、A主要為IIIA或者IVA族元素，X為C和/或N元素)，成功制備出對(duì)應(yīng)的二維金屬碳/氮化物，并命名為MXene20,21。MXene具備與石墨烯相似的二維層狀結(jié)構(gòu)、較大的比表面積，顯現(xiàn)出獨(dú)特的物理化學(xué)特性22,23，不僅在儲(chǔ)能、電子領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值24-26，而且有望應(yīng)用于憶阻器以提高器件的電學(xué)性能17。Yan等27將二維材料Ti3C2TxMXene引入阻變器件，制備Al/Ti3C2Tx/Pt結(jié)構(gòu)憶阻器，實(shí)現(xiàn)以10 ns脈寬的脈沖有效調(diào)制，遠(yuǎn)遠(yuǎn)短于目前已報(bào)道的基于部分其他二維材料以及部分傳統(tǒng)氧化物結(jié)構(gòu)的憶阻器。例如基于二維材料MoS2的W/MoS2/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)憶阻器需要5 ms的脈寬實(shí)現(xiàn)短時(shí)、長(zhǎng)時(shí)可塑性實(shí)驗(yàn)28；基于氧化物TaOx的TiN/TaOx/Pt結(jié)構(gòu)憶阻器需要100 ns脈沖持續(xù)時(shí)間實(shí)現(xiàn)有效調(diào)制29。但目前對(duì)于引入二維材料阻變器件研究尚不全面。Liu等18已經(jīng)報(bào)道在Cu/SiO2/Pt結(jié)構(gòu)憶阻器中引入二維層狀氧化石墨烯能夠通過(guò)控制離子移動(dòng)通道提升器件穩(wěn)定性。因此，我們通過(guò)在器件中引入同樣具有層狀結(jié)構(gòu)的Ti3C2作為阻擋層以控制Cu2+以及Cu的移動(dòng)和生長(zhǎng)，并進(jìn)一步探究引入Ti3C2二維材料憶阻器的電學(xué)特性。

本文系統(tǒng)地研究了新型二維材料Ti3C2粉末及薄膜的化學(xué)制備方法，在現(xiàn)有工藝的基礎(chǔ)上將二維Ti3C2薄膜引入到憶阻器中，制備得到Cu/Ti3C2/SiO2/W結(jié)構(gòu)的憶阻器，并且對(duì)其相關(guān)電學(xué)特性以及導(dǎo)電機(jī)理進(jìn)行了研究。其中二維材料Ti3C2作為阻擋層有望能夠通過(guò)約束阻變層中離子的運(yùn)動(dòng)控制導(dǎo)電通道的生長(zhǎng)與退化行為18,28,29，從而優(yōu)化器件性能。通過(guò)實(shí)驗(yàn)我們發(fā)現(xiàn)引入二維材料Ti3C2的新型憶阻器在直流以及脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)中能夠表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性及雙脈沖易化特性30,31，有望在未來(lái)應(yīng)用于新興存儲(chǔ)器以及人工神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建。

2 實(shí)驗(yàn)部分

2.1 Ti3C2納米片層的制備

實(shí)驗(yàn)所用Ti3C2粉末通過(guò)鹽酸(HCl)以及氫氟酸(HF)的混合溶液選擇性刻蝕三維層狀化合物Ti3AlC2來(lái)制備?？涛gTi3AlC2過(guò)程示意圖如圖1a所示，首先將1.98 g的LiF粉末溶解在20 mL HCl含量為6 mol·L-1的鹽酸溶液中得到鹽酸(HCl)和氫氟酸(HF)的混合溶液。隨后向混合溶液中加入2 g Ti3AlC2化合物，并將得到的混合物在35 °C下反應(yīng)24 h。最后使用去離子水將所得沉淀離心洗滌，重復(fù)數(shù)次直到上清液pH值接近6。將所得沉淀通過(guò)烘干收集Ti3C2粉末。圖1b為分別對(duì)Ti3AlC2及刻蝕得到的Ti3C2粉末進(jìn)行X射線衍射(XRD)的結(jié)果。對(duì)比兩條曲線可以發(fā)現(xiàn)在約39°處Ti3AlC2曲線上的主峰消失，表明Ti3AlC2中的Al原子被成功刻蝕，得到Ti3C2粉末。圖1c為在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀察到的Ti3C2粉末圖像，從圖中可以看出刻蝕得到的Ti3C2粉末具有明顯的層狀結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，取1 g干燥的Ti3C2粉末與100 mL蒸餾水混合得到兩者的懸浮液，并使用超聲處理4 h，然后以3500 r·min-1離心60 min。最后通過(guò)真空過(guò)濾、干燥獲得的Ti3C2納米片層，圖1d為觀察到的Ti3C2納米片層的SEM圖像，從圖中可觀察到明顯的片狀結(jié)構(gòu)。

圖1 (a)刻蝕Ti3AlC2過(guò)程示意圖；(b)利用X射線衍射(XRD)分別對(duì)Ti3AlC2以及Ti3C2成分分析結(jié)果；(c)在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀察到的Ti3C2粉末圖像；(d)在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀察到的Ti3C2納米片層圖像Fig. 1 (a)The diagram of the process of etching Ti3AlC2; (b)the component analysis of Ti3AlC2 and Ti3C2 by X-ray diffraction (XRD), respectively; (c)the morphology of fabricated Ti3C2 power characterized by scanning electron microscope (SEM); (d)the morphology of fabricated Ti3C2 nanosheet characterized by scanning electron microscope (SEM).

2.2 引入Ti3C2薄膜憶阻器的制備

為了研究引入Ti3C2薄膜的憶阻器性能，我們制備了Cu/Ti3C2/SiO2/W結(jié)構(gòu)的分立憶阻器，制備流程示意圖如圖2a所示。首先，使用氫氟酸和去離子水的混合溶液清洗硅片，去除硅襯底表面的SiO2和雜質(zhì)。隨后通過(guò)磁控濺射鍍膜法，在充氬氣的真空條件下在硅襯底表面淀積一層厚度為90 nm的金屬鎢(W)作為底電極，濺射功率以及濺射時(shí)長(zhǎng)分別設(shè)置為30 W和45 min；接下來(lái)同樣在充氬氣的真空條件下采用磁控濺射法淀積厚度為80 nm的SiO2，濺射功率以及濺射時(shí)長(zhǎng)分別設(shè)為150 W和41 min；隨后，為了在SiO2表面制備均勻的Ti3C2薄膜，首先將0.3 g的Ti3C2納米片層與10 mL去離子水在試管中混合，取上層懸浮液放入甩膠機(jī)，設(shè)置甩膠機(jī)轉(zhuǎn)速3500 r·min-1旋涂到SiO2表面，通過(guò)退火烘干得到Ti3C2薄膜。圖2b為經(jīng)過(guò)旋涂并烘干后得到的Ti3C2薄膜在掃描電子顯微鏡下觀察到的形態(tài)圖像。由圖2b可以看出通過(guò)旋涂工藝得到均勻的Ti3C2薄膜。最后，利用磁控濺射在Ti3C2層上通過(guò)掩膜版沉積一層厚度100 nm的金屬Cu作為頂電極，濺射功率以及濺射時(shí)間分別設(shè)置為100 W和8 min。在金相顯微鏡下觀察器件如圖2c，從圖中可以清晰地看到憶阻器表面分立的頂電極，電極大小約為469 μm × 456 μm。

圖2 (a)Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器制備流程示意；(b)在掃描電子顯微鏡(SEM)下觀察到的Ti3C2薄膜形態(tài)圖像；(c)金相顯微鏡下觀察到的器件分立電極以及表面形態(tài)Fig. 2 (a)The diagram of fabrication process of Cu/Ti3C2/SiO2/W memristor; (b)The SEM morphology of fabricated Ti3C2 film; (c)The separate electrodes and surface morphology of Cu/Ti3C2/SiO2/W memristor observed by metalloscope.

3 結(jié)果與分析

實(shí)驗(yàn)通過(guò)探針系統(tǒng)Cascade S300和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀Keithley 4200-SCS進(jìn)行。如圖3a中插圖所示，測(cè)試過(guò)程中W電極接地，Cu電極接正電壓。對(duì)于未測(cè)試過(guò)的憶阻器，在測(cè)試之前通常需要通過(guò)電鑄使憶阻器表現(xiàn)出阻變特性。對(duì)于Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器，我們?cè)陔婅T過(guò)程中設(shè)置掃描電壓6 V，限流10 μA。電鑄完成后，當(dāng)連續(xù)100次對(duì)Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器兩端施加雙向直流掃描電壓(-4到+4 V)時(shí)，流經(jīng)憶阻器的電流曲線如圖3a所示。為了防止器件擊穿，在正向掃描過(guò)程中人為設(shè)置限流值為10 μA。在第一階段，施加正向掃描電壓過(guò)程中，電阻從原始的高阻態(tài)(HRS)逐漸轉(zhuǎn)變到低阻態(tài)(LRS)，稱之為set過(guò)程。在第三階段，當(dāng)施加反向直流掃描電壓時(shí)，電阻由set過(guò)程結(jié)束時(shí)的低阻態(tài)(LRS)逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)(HRS)，稱之為reset過(guò)程。一個(gè)連續(xù)的set過(guò)程和reset過(guò)程為一個(gè)循環(huán)32。圖3a分別繪制了100個(gè)循環(huán)下憶阻器的I-V曲線。在set過(guò)程中，當(dāng)掃描電壓到達(dá)0.1 V時(shí)，我們分別選取高、低阻態(tài)下對(duì)應(yīng)的電流值計(jì)算出電阻Roff、Ron。圖3b分別統(tǒng)計(jì)了100個(gè)循環(huán)過(guò)程中Roff、Ron的分布情況；圖3c分別統(tǒng)計(jì)了100個(gè)循環(huán)下Roff以及Ron的均值以及標(biāo)準(zhǔn)偏差。從圖3b以及3c中，我們可以看出當(dāng)用-4到+4 V的雙向直流掃描電壓測(cè)試100個(gè)循環(huán)的情況下，在0.1 V讀取高阻態(tài)阻值Roff在26.89 MΩ左右，標(biāo)準(zhǔn)偏差為2.61 MΩ，而低阻態(tài)阻值Ron較小，從插圖中可以看出Ron基本保持在0.16 MΩ左右，標(biāo)準(zhǔn)偏差僅為0.22 MΩ。由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以看出在0.1 V讀電壓下高阻態(tài)阻值Roff的離散程度大于低阻態(tài)阻值Ron的離散程度。表明雖然器件在經(jīng)歷過(guò)圖3a中3、4階段的reset過(guò)程后到達(dá)高阻態(tài)的阻值偏差較大，但在相同的正向掃描下，如圖3a中1、2階段的set過(guò)程之后仍然能夠到達(dá)相對(duì)穩(wěn)定的低阻態(tài)。表明Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器受同樣大小的正向電壓刺激后的電導(dǎo)狀態(tài)受初始電導(dǎo)狀態(tài)影響較小，具備較強(qiáng)的穩(wěn)定性。圖3d分別繪制了3 × 104s以內(nèi)高、低阻態(tài)電阻隨時(shí)間的變化趨勢(shì)。從圖中可以看出，在104s以內(nèi)，Roff、Ron基本保持在穩(wěn)定值。當(dāng)時(shí)間超過(guò)104s之后，高阻態(tài)阻值Roff基本保持穩(wěn)定，但是由于低阻態(tài)下產(chǎn)生的導(dǎo)電細(xì)絲不穩(wěn)定，低阻態(tài)阻值Ron隨時(shí)間逐漸增大33-35。

圖3 (a)100次雙向直流電壓掃描下Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器I-V曲線；(b)連續(xù)100個(gè)循環(huán)過(guò)程中Roff、Ron的分布；(c)連續(xù)100個(gè)循環(huán)過(guò)程中Roff以及Ron的平均值以及標(biāo)準(zhǔn)偏差；(d)3 × 104 s以內(nèi)高、低阻態(tài)電阻值隨時(shí)間的變化Fig. 3 (a)I-V curves of Cu/Ti3C2/SiO2/W memristor under 100 dual DC voltage sweepings; (b)The distribution of Roff andRon under continuous 100 cycles; (c)The mean and standard deviation ofRoff andRon under continuous 100 cycles; (d)The trends ofRoff andRon within 3 × 104 s.

由憶阻器導(dǎo)通機(jī)理分析，當(dāng)對(duì)Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器進(jìn)行電壓掃描，如圖4a所示，頂電極的Cu電極接正電壓，Cu發(fā)生氧化反應(yīng)：Cu → Cu2++2e-。由于外加電壓的存在，器件內(nèi)部存在由頂電極指向底電極的電場(chǎng)，電子向正電壓源移動(dòng)，而Cu2+在電場(chǎng)力的作用下向底電極移動(dòng)。當(dāng)Cu2+移動(dòng)到底電極W的附近時(shí)，由于底電極接負(fù)電壓，Cu2+在底電極附近發(fā)生化學(xué)還原反應(yīng)：Cu2++ 2e-→Cu。隨著反應(yīng)的進(jìn)行，Cu逐漸在底電極附近堆積并向頂電極延伸，當(dāng)堆積的Cu原子完全連接頂電極和底電極時(shí)，器件由高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)36,37。此時(shí)形成Cu原子形成的導(dǎo)電通道也稱之為導(dǎo)電細(xì)絲34,38。隨著兩端化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行，器件內(nèi)部導(dǎo)電細(xì)絲的數(shù)量不斷發(fā)生增加，導(dǎo)致器件的阻值逐漸減小。類似地，當(dāng)正向掃描結(jié)束后，器件內(nèi)部存在大量的導(dǎo)電細(xì)絲。此時(shí)，對(duì)頂電極施加負(fù)向電壓，對(duì)底電極施加正向電壓，則發(fā)生與上述過(guò)程相反的化學(xué)反應(yīng)。堆積在底電極附近以及器件內(nèi)部連接兩個(gè)電極的Cu原子逐漸被氧化成為Cu2+，并在反向電場(chǎng)的作用下逐漸移動(dòng)到頂電極，并在頂電極附近被還原成為Cu原子，此時(shí)內(nèi)部Cu原子構(gòu)成的導(dǎo)電細(xì)絲逐漸消失，器件的電阻值逐漸增加，器件恢復(fù)到原始的高阻態(tài)。從器件內(nèi)部工作原理可以看出憶阻器在工作過(guò)程中阻值的變化依賴于內(nèi)部離子在電場(chǎng)作用下的移動(dòng)以及化學(xué)反應(yīng)34,39。如果將憶阻器的阻值視為權(quán)重，即憶阻器權(quán)重的大小受到不同電壓下內(nèi)部離子遷移的影響。這與圖4b所示突觸連接強(qiáng)度受Na+等在突觸前膜以及突觸后膜之間遷移的調(diào)節(jié)極為相似40,41。

圖4 (a)正向掃描時(shí)，Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器阻態(tài)受內(nèi)部離子移動(dòng)調(diào)節(jié)示意圖；(b)突觸間的連接強(qiáng)度受Na+等的移動(dòng)調(diào)節(jié)示意圖Fig. 4 (a)The diagram of the regulating function of ion migration on the resistance of Cu/Ti3C2/SiO2/W memristor under positive sweeping; (b)The diagram of the regulating function of ions such as Na+ on the connection strength between synapses.

從憶阻器和突觸權(quán)重都由內(nèi)部離子遷移影響可以看出憶阻器有望作為人工突觸單元應(yīng)用到神經(jīng)形態(tài)電路。同樣地，類似于生物突觸連接強(qiáng)度受突觸前尖峰與突觸后尖峰的時(shí)間間隔調(diào)節(jié)42，在實(shí)驗(yàn)中，Cu/Ti3C2/SiO2/W結(jié)構(gòu)憶阻器的阻態(tài)類似地也能夠受到兩個(gè)脈沖電壓時(shí)間間隔來(lái)調(diào)節(jié)。如圖5a中電壓折線所示，對(duì)Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器施加兩個(gè)相同幅值5 V，持續(xù)時(shí)間10 ms的電壓脈沖信號(hào)。盡管兩個(gè)電壓脈沖的幅值相同，但由于前一個(gè)信號(hào)對(duì)憶阻器的阻態(tài)產(chǎn)生影響，在憶阻器內(nèi)部產(chǎn)生一定數(shù)量的導(dǎo)電細(xì)絲，當(dāng)?shù)诙€(gè)同樣的電壓脈沖信號(hào)施加到憶阻器上時(shí)，實(shí)際產(chǎn)生的電流大于第一個(gè)脈沖產(chǎn)生的電流，如圖5a中電流折線所示。兩者之比稱為雙脈沖易化指數(shù)(paired-pulses facilitation index，PPF index)31,32，圖5a所示PPF指數(shù)達(dá)到2.0。進(jìn)一步減小或增加脈沖之間的間隔時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)，雙脈沖易化指數(shù)隨著脈沖間隔的減小或增加分別呈增大或衰減趨勢(shì)，圖5b中虛線繪制出了PPF指數(shù)與脈沖間隔的關(guān)系。這與突觸權(quán)重受突觸前尖峰與突觸后尖峰的時(shí)間間隔而改變一致。通常，突觸權(quán)重隨時(shí)間推移的改變通常使用指數(shù)衰退來(lái)表現(xiàn)41,42，從圖5b中擬合曲線中可以看出Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器PPF指數(shù)同樣遵循隨脈沖間隔的增大指數(shù)衰減的趨勢(shì)。擬合曲線形式采用函數(shù)y=A1× exp(-t/t1)+y0，(A1、t1及y0為常數(shù)，t為時(shí)間間隔變量)，與Riepe等43在鼠腦海馬體切片上擬合函數(shù)一致，擬合參數(shù)表如表1所示。證明了引入Ti3C2MXene的憶阻器與生物腦神經(jīng)突觸的相似性，有望模仿人腦并應(yīng)用到未來(lái)人工神經(jīng)形態(tài)電路的開(kāi)發(fā)與構(gòu)建中。

圖5 (a)當(dāng)對(duì)Cu/Ti3C2/SiO2/W施加兩個(gè)幅值5 V，持續(xù)時(shí)間10 ms的電壓脈沖信號(hào)，流經(jīng)憶阻器的電流隨時(shí)間的變化關(guān)系；(b)雙脈沖易化指數(shù)與脈沖間隔關(guān)系及擬合圖Fig. 5 (a)Relationship between current flowing through the Cu/Ti3C2/SiO2/W memristor and time, when applied two voltage pulses with 5 V amplitude and 10 ms pulse duration; (b)Relationship and corresponding fitting curve between PPF index and pulses intervals.

表1 PPF指數(shù)與脈沖時(shí)間間隔關(guān)系擬合參數(shù)表Table 1 Fitting parameters of the functional relationship between PPF index and pulses intervals.

4 結(jié)論

在本文中我們首先通過(guò)刻蝕Ti3AlC2層狀化合物得到Ti3C2粉末并利用XRD、SEM對(duì)其進(jìn)行物理表征。隨后通過(guò)超聲分散得到Ti3C2納米片層并通過(guò)旋涂法將Ti3C2薄膜引入憶阻器中，制備了Cu/Ti3C2/SiO2/W結(jié)構(gòu)的憶阻器。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)引入Ti3C2MXene層的憶阻器能夠同時(shí)被直流和脈沖電壓有效調(diào)制。在-4到+4 V的雙向直流電壓掃描下，不僅能夠觀察到憶阻器典型的I-V特性曲線，而且在循環(huán)100次(0.1 V讀電壓)下，雖然高阻態(tài)阻值Roff在26.89 MΩ左右存在一定的波動(dòng)現(xiàn)象，但是低阻態(tài)阻值Ron基本保持在0.16 MΩ，表明set過(guò)程后Cu/Ti3C2/SiO2/W憶阻器狀態(tài)受初始狀態(tài)影響較小，具備較強(qiáng)的穩(wěn)定性。同時(shí)，Roff以及Ron能夠在104s以內(nèi)基本保持穩(wěn)定；此外，當(dāng)利用脈沖電壓調(diào)制時(shí)，可以觀察到典型的雙脈沖易化現(xiàn)象，并且觀察到PPF指數(shù)與脈沖間隔的關(guān)系呈指數(shù)變化關(guān)系，與突觸權(quán)重受突觸前、后尖峰時(shí)間間隔的影響一致。以上結(jié)果表明基于Ti3C2MXene的憶阻器在穩(wěn)定性以及模擬生物突觸方面表現(xiàn)良好，在將來(lái)構(gòu)建新型非易失性存儲(chǔ)設(shè)備以及大規(guī)模神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)中具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>