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隔離式雙向有源全橋控制策略分析及仿真研究

2022-07-02 05:35:00陳樹君易榕仙張景璋
電源技術(shù) 2022年6期
關(guān)鍵詞:全橋電感控制策略

陳樹君,易榕仙,張景璋,余 悅

(北京工業(yè)大學(xué)材料與制造學(xué)部,北京 100020)

與Buck、Boost、正反激等傳統(tǒng)DC-DC 變換器相比,雙向有源全橋(DAB) DC-DC 變換器具有電氣隔離、高功率密度、寬電壓傳輸范圍和易于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)等優(yōu)點(diǎn),在分布式發(fā)電系統(tǒng)[1]、新能源汽車[2-6]和儲(chǔ)能系統(tǒng)[7-8]等領(lǐng)域中獲得越來越多的應(yīng)用。由于DAB 拓?fù)渲虚_關(guān)管較多,普通的全橋控制策略無法適用,因此學(xué)者們提出了多種DAB 控制策略,如單移相控制(SPS)、擴(kuò)展移相控制(EPS)和三移相控制(TPS)等。DAB 控制復(fù)雜,在設(shè)計(jì)拓?fù)渲?,需要建立仿真模型,對控制策略進(jìn)行仿真分析。劉等[9]基于Matlab/Simulink 搭建電路拓?fù)淠P瓦M(jìn)行仿真,發(fā)現(xiàn)雙移相(DPS)控制策略可以有效降低系統(tǒng)回流功率;Kumar 等[10]基于Matlab/Simulink 搭建電路拓?fù)淠P头抡鍰PS 控制策略的電流及電感變壓器損耗。由以上可知,DAB 仿真多是采用Matlab/Simulink 仿真軟件,可以在算法層面快速準(zhǔn)確地建立模型進(jìn)行仿真,但無法觀測系統(tǒng)和器件的響應(yīng)。而目前主流的電力電子系統(tǒng)和器件仿真軟件有PSIM、PSpice、Saber 等,其中PSpice 能夠根據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊構(gòu)建較為完整的器件模型,仿真結(jié)果較為準(zhǔn)確,是目前使用最為廣泛的電力電子仿真軟件。

目前DAB 仿真分析均是集中在算法層面,所采用的仿真模型均是理想器件,針對該問題,本文基于PSpice 仿真軟件建立實(shí)際器件模型,并搭建雙向有源全橋DC-DC 變換器電路拓?fù)淠P汀7抡娣治銎湓诓煌刂撇呗韵碌碾娏骷盎亓鞴β侍匦?,并與理論計(jì)算相比較,驗(yàn)證所建仿真模型及仿真方法的準(zhǔn)確性,為后續(xù)研究提供設(shè)計(jì)思路。

1 DAB 工作原理

DAB 主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)由兩組IGBT 全橋電路、高頻變壓器、輔助電感及濾波電容構(gòu)成,如圖1 所示。其中,U1為輸入電壓,U2為輸出電壓,C1、C2為濾波電容,S1~S4為變壓器原邊全橋IGBT 開關(guān)管,S5~S8為變壓器副邊全橋IGBT 開關(guān)管,變壓器原邊與副邊匝數(shù)比為n∶1,原邊全橋不同橋臂之間存在移相時(shí)間D1Ths,其中,Ths為半個(gè)開關(guān)周期時(shí)間,D1為原邊全橋內(nèi)移相比;副邊全橋不同橋臂之間存在移相時(shí)間D2Ths,其中D2為副邊全橋內(nèi)移相比;原邊全橋與副邊全橋之間存在移相時(shí)間D3Ths,其中D3為副邊全橋不同橋臂的內(nèi)移相比。D3>0,D1,D2=0 時(shí)的控制策略稱為SPS 控制策略,D1,D3>0,D2=0 時(shí)的控制策略稱為EPS 控制策略,D1,D2,D3>0 時(shí)的控制策略稱為TPS 控制策略。

圖1 雙向有源全橋DC-DC 變換器

以SPS 為例對DAB 工作模式進(jìn)行分析,圖2 為不同工作模式波形圖。變壓器原邊和副邊全橋IGBT 開關(guān)管分別由占空比為50%的驅(qū)動(dòng)方波電壓Uh1和Uh2驅(qū)動(dòng),由于變壓器原副邊存在內(nèi)移相比,Uh1和Uh2之間也存在移相時(shí)間D3Ths。為方便分析,假設(shè)雙向有源全橋DC-DC 變換器工作在穩(wěn)定狀態(tài),忽略IGBT 開關(guān)死區(qū)時(shí)間,各器件均工作在理想狀態(tài)下。

圖2 基于SPS控制策略的工作波形

在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi),DAB 有以下六種狀態(tài)。

(1)狀態(tài)1,即t0~t1階段,電路工作狀態(tài)如圖3(a)所示,t0時(shí)刻,開關(guān)管S2、S3關(guān)斷,S1、S4開通。由于前一個(gè)時(shí)刻流過電感電流為負(fù),因此t0時(shí)刻,原邊通過D1、D4二極管續(xù)流,直到電流由負(fù)變0,即到t1時(shí)刻;副邊開關(guān)管S6、S7開通,S5、S8關(guān)斷,電流通過D6、D7二極管續(xù)流。此時(shí),原邊全橋輸出電壓為U1,副邊全橋輸入電壓為-U2,電感電流iL可以表示為:

(2)狀態(tài)2,即t1~t2階段,電路工作狀態(tài)如圖3(b)所示,t1時(shí)刻,原邊電流由負(fù)變正,電流從開關(guān)管S1流入,經(jīng)電感L、變壓器從S4流出,電流正向增長;副邊電流通過開關(guān)管S6、S7進(jìn)行續(xù)流。此時(shí),原副邊全橋輸出電壓均保持不變,電感電流表達(dá)式與狀態(tài)1 相同。

(3)狀態(tài)3,即t2~t3階段,電路工作狀態(tài)如圖3(c)所示,原邊電路工作狀態(tài)不變,副邊開關(guān)管S6、S7關(guān)斷,S5、S8打開,通過二極管D5、D8進(jìn)行續(xù)流。此時(shí),原邊全橋輸出電壓為U1,副邊全橋輸入電壓為U2,電感電流表達(dá)式為:

(4)狀態(tài)4,即t3~t4階段,電路工作狀態(tài)如圖3(d)所示,t3時(shí)刻,開關(guān)管S1、S4關(guān)斷,由于電流為正,原邊電流經(jīng)二極管D2、D3續(xù)流,直到電流由正變?yōu)?,即t4時(shí)刻;副邊仍經(jīng)二極管D5、D8續(xù)流。此時(shí),原邊全橋輸出電壓為-U1,副邊全橋輸入電壓為U2,電感電流表達(dá)式為:

(5)狀態(tài)5,即t4~t5階段,電路工作狀態(tài)如圖3(e)所示,t4時(shí)刻,原邊電流由負(fù)變正,從開關(guān)管S3流入,經(jīng)變壓器、電感,從開關(guān)管S2流出;副邊電流經(jīng)開關(guān)管S5、S8進(jìn)行續(xù)流。此時(shí),原副邊全橋輸出電壓保持不變,電感電流表達(dá)式與狀態(tài)4 相同。

(6)狀態(tài)6,即t5~t6階段,電路工作狀態(tài)如圖3(f)所示,原邊電路工作狀態(tài)保持不變,副邊電流開關(guān)管S5、S8關(guān)斷,S6、S7開通,電流經(jīng)二極管D6、D7續(xù)流。此時(shí)原邊全橋輸出電壓保持不變,副邊全橋輸入電壓反向,電感電流表達(dá)式為:

圖3 一個(gè)開關(guān)周期電路工作狀態(tài)

結(jié)合式(1)~(4)以及圖2 所示波形可以得到在SPS 控制時(shí),最大電流與回流功率分別為:

式中:D為原副邊全橋外移相比;k=U1/(nU2)。

傳輸功率、電流經(jīng)過標(biāo)幺化,其表達(dá)式分別為:

將式(7)代入式(8),求得最優(yōu)電流表達(dá)式為:

EPS 和TPS 基于SPS 控制策略得到,其工作模式分別如圖4 所示,電流、回流功率及最優(yōu)電流推導(dǎo)與SPS 相同。

圖4 基于不同控制策略的工作波形

基于EPS 控制的最大電流、回流功率分別為:

式中:D1、D2分別為原邊全橋內(nèi)移相比及原副邊全橋外移相比。

最優(yōu)電流表達(dá)式為:

基于TPS 控制的最大電流、回流功率分別為:

最優(yōu)電流表達(dá)式為:

2 DAB 電路仿真

2.1 仿真模型搭建

根據(jù)設(shè)計(jì)要求,雙向有源全橋DC-DC 變換器輸出電壓為50 V,最大輸出電流為50 A,因此選擇原副邊IGBT 型號(hào)為英飛凌公司的FF100R12RT4,額定輸出電流為100 A,滿足設(shè)計(jì)要求。PSpice 軟件自帶模型編輯器Model Editor,該編輯器有兩種建模方法,一種是基于特性曲線建模,另一種是基于特征參數(shù)建模,本文采用基于特征參數(shù)建模。根據(jù)FF100R12RT4 數(shù)據(jù)手冊,在Model Editor 中對IGBT 進(jìn)行建模,所建模型主要參數(shù)如表1 所示。

表1 FF100R12RT4 主要參數(shù)

圖5(a)為在PSpice 中搭建的雙向有源全橋DC-DC 變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)仿真模型,圖5(b)為IGBT 驅(qū)動(dòng)電路模型,驅(qū)動(dòng)電壓為15 V/-8 V,保證IGBT 可靠的導(dǎo)通和關(guān)斷,圖5(c)為驅(qū)動(dòng)電路所輸出的驅(qū)動(dòng)波形,與實(shí)際驅(qū)動(dòng)波形一致。

圖5 DAB仿真模型

該模型相關(guān)參數(shù)如圖5(a)所示,圖中所列參數(shù)均為實(shí)際設(shè)計(jì)參數(shù)。輸入電壓為540 V,為三相電整流濾波后得到的直流母線電壓,經(jīng)原邊全橋IGBT 逆變產(chǎn)生高頻方波,通過高頻變壓器傳遞到變壓器副邊。副邊經(jīng)全橋IGBT 之后,再經(jīng)濾波電容濾波,最終輸出近似恒定的50 V 電壓。變壓器匝比為7∶1,由兩個(gè)電感耦合組成,耦合系數(shù)設(shè)為1,即變壓器原副邊完全耦合。

2.2 仿真結(jié)果

在保持輸入電壓540 V,輸出電壓恒定50 V 條件下,對三種控制策略的電流以及回流功率進(jìn)行仿真分析。

圖6 為三種控制策略下原副邊全橋輸出電壓及電感電流的PSpice 仿真波形,此時(shí)SPS 控制策略下移相比D為0.62,電感電流最大值為17.06 A,將移相比D和電壓變換比k代入式(5)計(jì)算最大電流iSPS_max=17.15 A;EPS 控制策略下移相比D1=0.1,D2=0.68,電感電流最大值為16.18 A,將移相比和電壓變換比代入式(10)計(jì)算最大電流iEPS_max=16.2 A。TPS 控制策略下移相比D1=0.16,D2=0.32,D3=0.44,電感電流最大值為14.4 A,將移相比和電壓變換比代入式(13)計(jì)算最大電流iTPS_max=14.23 A。

圖6 三種控制策略下原副邊全橋輸出電壓及電感電流波形

以上三種控制策略的最大電感電流的PSpice 仿真結(jié)果與理論計(jì)算結(jié)果相吻合,表明所建DAB 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)仿真模型較為準(zhǔn)確,將移相比與電壓變換比代入式(6)計(jì)算基于SPS 控制策略的回流功率PSPS_bf=1 506 W。同理計(jì)算基于EPS 控制策略的回流功率PEPS_bf=798 W,基于TPS 控制策略的回流功率PTPS_bf=258 W。

結(jié)合以上計(jì)算及圖6 分析,基于TPS 控制策略的最大電流相較于SPS 控制策略降低15.6%,為2.66 A,回流功率降低82.9%,為1 248 W;基于TPS 控制策略的最大電流相較于EPS控制策略降低11%,為1.78 A,回流功率降低68%,為540 W。在輸出電壓相同的情況下,采用TPS 控制策略,其電流、回流功率及器件負(fù)荷最小,負(fù)載消耗大部分功率,小部分功率回流到電源,能量利用率高。

圖7 為基于SPS、EPS、TSP 控制策略的最優(yōu)電流對比曲線,對于相同的傳輸功率P0,三種控制策略的最優(yōu)電流均隨著電壓變換比k增大而增大;同理,對于相同的電壓變換比k,三種控制策略的最優(yōu)電流均隨著傳輸功率P0增大而增大。相同傳輸功率情況下,當(dāng)k=1 時(shí),三種控制策略的最優(yōu)電流相等;當(dāng)k>1 時(shí),基于TPS 控制策略的最優(yōu)電流始終小于前兩者,且k值越大,基于TPS 控制策略的最優(yōu)電流與前兩者差值越大。相同電壓變換比情況下,傳輸功率P0越大,基于TPS控制策略的最優(yōu)電流與前兩者差值越大。理論分析表明,DAB 工作在較大電壓變換比和輕載狀態(tài)下,TPS 控制策略可以有效減小電流,降低器件損耗。

圖7 基于TPS、EPS、SPS 控制策略的最優(yōu)電流對比曲線

3 結(jié)論

本文對DAB 分別在SPS、EPS 和TPS 控制策略下工作模式進(jìn)行了分析,經(jīng)過理論推導(dǎo)得到電流和回流功率計(jì)算公式。基于PSpice 仿真軟件建立了實(shí)際器件模型,并搭建了雙向有源全橋DC-DC 變換器電路拓?fù)淠P?。通過仿真,得出三種控制策略下的電流和回流功率。結(jié)果表明,TPS 控制策略下,電流、回流功率及器件負(fù)荷最小,有小部分功率回流到變壓器一次側(cè),能量利用率最高,仿真結(jié)果與理論計(jì)算結(jié)果相吻合。驗(yàn)證了所建仿真模型及仿真方法的準(zhǔn)確性,能夠真實(shí)地顯示電路工作特性,為后續(xù)深入研究提供參考。

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