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一種抑制微放電的寬帶大功率定向耦合器設(shè)計(jì)

2022-09-26 07:39:54屈文星崔萬(wàn)照
空間電子技術(shù) 2022年4期
關(guān)鍵詞:耦合度定向端口

秦 楚,張 恒,屈文星,崔萬(wàn)照

(1.中國(guó)空間技術(shù)研究院西安分院,西安 710000;2.西安衛(wèi)星測(cè)控中心,西安,710100)

0 引言

在衛(wèi)星有效載荷系統(tǒng)中,3dB定向耦合器常用于微波信號(hào)的合成分路處理,隨著航天技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)定向耦合器的帶寬與功率容量需求隨之提升,寬帶大功率定向耦合器的設(shè)計(jì)已成為微波領(lǐng)域重點(diǎn)研究的課題。在真空環(huán)境中,大功率器件容易引發(fā)微放電效應(yīng)[1],影響器件性能與壽命。因此,在器件設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)充分考慮微放電效應(yīng),采用有效抑制手段,確保器件在軌穩(wěn)定可靠。

在微波工程應(yīng)用中3dB定向耦合器常用類型有平面耦合器、波導(dǎo)耦合器與耦合線耦合器3類。平面定向耦合器為滿足寬帶需求,常采用多級(jí)級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì),但該設(shè)計(jì)Q值低、損耗大,且功率容量受隔離電阻制約,多用于小功率應(yīng)用場(chǎng)合[2];波導(dǎo)定向耦合器功率容量較高,但帶寬較窄且體積較大,星載成本較高[3];耦合線定向耦合器工作帶寬較寬,通過(guò)使用合適的介質(zhì)層材料代替空氣層,可有效提高功率容量,選用高導(dǎo)熱介質(zhì)材料,可解決真空環(huán)境中放電部位過(guò)熱至損的問(wèn)題[4]。

本文結(jié)合L頻段某型衛(wèi)星載荷應(yīng)用需求,針對(duì)大功率寬帶3dB定向耦合器在真空環(huán)境中產(chǎn)生的微放電效應(yīng)進(jìn)行分析,提出采取耦合線定向耦合器設(shè)計(jì)方法,選用高導(dǎo)熱材料代替空氣層作為耦合器介質(zhì),以滿足工程應(yīng)用需求。

1 耦合線定向耦合器工作原理

耦合線定向耦合器(合成電橋)為4端口器件,分為輸入端口、直通端口、耦合端口和隔離端口,信號(hào)從輸入端進(jìn)入,按一定比例被分配到直通端口和耦合端口輸出,理想情況下隔離端無(wú)信號(hào)輸出[5]。其中,3dB定向耦合器輸出端口與耦合端口輸出功率等分,輸出信號(hào)相位相差90°,其耦合區(qū)長(zhǎng)度或稱耦合節(jié)長(zhǎng)度為工作中心頻率的1/4波長(zhǎng),耦合器結(jié)構(gòu)如圖1所示。

圖1 耦合線定向耦合器Fig.1 Coupling structure directional coupler

定向耦合器常采用耦合度C,方向性D,隔離度I來(lái)表征,對(duì)于單節(jié)耦合線耦合器,常用奇偶模分析法進(jìn)行設(shè)計(jì)[6]。

S11=S31=0

(1)

(2)

(3)

k0與耦合度C(dB形式)的關(guān)系為:

(4)

根據(jù)上述公式可知,其耦合口與直通端相位相差為90°,其耦合度與電長(zhǎng)度有關(guān),在中心頻率處耦合最強(qiáng),偏離中心頻率耦合度隨之遞減,在θ=π/2時(shí),耦合端有其第一個(gè)最大值,若特征阻抗與電壓耦合系數(shù)k0已知,則可得:

(5)

(6)

2 微放電效應(yīng)

在真空環(huán)境中,發(fā)生在兩個(gè)金屬或介質(zhì)材料之間或是單個(gè)金屬或介質(zhì)材料表面的諧振放電現(xiàn)象,稱為微放電效應(yīng)[8]。微放電效應(yīng)又稱為電子二次倍增效應(yīng),在微波器件中游離的自由電子在電磁場(chǎng)的驅(qū)使下,在器件內(nèi)不斷往返運(yùn)動(dòng)并加速轟擊器件表面,同時(shí)產(chǎn)生大量二次電子,直至形成諧振放電現(xiàn)象[9]。

微放電效應(yīng)與射頻頻率f和間距尺寸d有關(guān),射頻頻率是固有的,在設(shè)計(jì)時(shí),為了增大電子渡越時(shí)間,應(yīng)盡可能增大導(dǎo)體之間的間隔尺寸,使電子的渡越時(shí)間長(zhǎng)于電壓周期的一半,從而增大器件的功率容量[10]。

隨著導(dǎo)體之間距離的增加,器件的體積和重量也會(huì)增加。在衛(wèi)星系統(tǒng)中,重量和體積與成本密不可分,通過(guò)增加導(dǎo)體之間距離的方法并不可取。因此,在導(dǎo)體之間填充介質(zhì),擴(kuò)大等效間隔是一種經(jīng)濟(jì)而高效的方法[11]。填充介質(zhì)縮短了電子的平均自由程,使電子渡越時(shí)間大于射頻電壓周期的一半,提高了微放電效應(yīng)功率閾值與器件功率容量。

介質(zhì)中二次電子的發(fā)射金屬材料放電產(chǎn)生的熱量更多,而大部分介質(zhì)導(dǎo)熱率不高,造成放電部位熱量堆積,導(dǎo)致器件局部熱量過(guò)高而發(fā)生損壞[12]。因此,介質(zhì)基板的選擇十分重要。

綜上,在某型號(hào)定向耦合器設(shè)計(jì)中,針對(duì)真空功率容量需求,采用高導(dǎo)熱介質(zhì)材料代替空氣層,達(dá)到擴(kuò)大等效間隔效果;針對(duì)介質(zhì)材料導(dǎo)熱率不高問(wèn)題,在建模仿真與加工時(shí),選用高導(dǎo)熱材料Rogers TC350+(介電常數(shù)3.55,導(dǎo)熱率1.23W),利用軟基板多層混壓方式進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)與加工。同時(shí),設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)基板寬度進(jìn)行加寬處理,進(jìn)一步擴(kuò)大散熱面積,有效提升介質(zhì)導(dǎo)熱效率。

3 定向耦合器仿真設(shè)計(jì)

定向耦合器設(shè)計(jì)指標(biāo)如下:工作頻段:1~1.5GHz,反射系數(shù)≤-20dB,隔離度≦-20dB,耦合度3dB,帶內(nèi)損耗0.5dB,真空微放電功率連續(xù)波300W。

耦合器采用三層結(jié)構(gòu)介質(zhì)基板,利用軟基板多層混壓方式[13],采用兩層金屬帶線混壓,仿真時(shí)設(shè)置介電常數(shù)為3.55。根據(jù)奇偶模分析法,耦合電壓系數(shù)k0=10-3/20=0.708,特征阻抗Z0=50Ω,則可得奇偶模阻抗理論值Z0e=120.92Ω,Z0o=20.67Ω。

在HFSS軟件中進(jìn)行耦合器設(shè)計(jì)仿真,按照常用微波組件綜合方法進(jìn)行參數(shù)計(jì)算[14],通過(guò)調(diào)整帶線寬度與耦合間距,使仿真結(jié)果與理論值相同。仿真結(jié)果如圖2所示。

圖2 耦合器仿真結(jié)果Fig.2 Simulation results of the directional coupler

以計(jì)算得到的帶線寬度與耦合間距為初始尺寸,建立端口模型,優(yōu)化端口、過(guò)渡段、接地孔尺寸等參數(shù),直到仿真指標(biāo)滿足性能要求。定向耦合器仿真指標(biāo)如表1所示,耦合器仿真模型如圖3所示,仿真曲線如圖4所示。

表1 定向耦合器仿真指標(biāo)Tab.1 Simulation index of the directional coupler

圖3 耦合器仿真模型Fig.3 Simulation model of the directional coupler

圖4 耦合器仿真曲線Fig.4 Simulation curve of the directional coupler

4 實(shí)測(cè)驗(yàn)證

根據(jù)仿真模型參數(shù)進(jìn)行定向耦合器加工設(shè)計(jì),耦合器加工實(shí)物圖如圖5所示。

圖5 定向耦合器實(shí)物圖Fig.5 Physical object of the directional coupler

將定向耦合器接入矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,對(duì)實(shí)物進(jìn)行測(cè)量,實(shí)測(cè)結(jié)果如表2所列,實(shí)測(cè)曲線如圖6所示。

表2 定向耦合器實(shí)測(cè)結(jié)果Tab.2 Measurement results of the directional coupler

圖6 耦合器實(shí)測(cè)曲線Fig.6 Measured curve of the directional coupler

按照微放電試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)搭建測(cè)試平臺(tái)[15],將合成橋接入真空罐,真空度小于1.5×10-4Pa,分別在中心頻率1.25GHz與上邊頻1.5GHz處進(jìn)行微放電試驗(yàn),實(shí)驗(yàn)條件如表3所列。

表3 耦合器測(cè)試環(huán)境參數(shù)Tab.3 Test environment parameters of the directional coupler

微放電試驗(yàn)實(shí)測(cè)場(chǎng)景圖如圖7所示。

圖7 微放電試驗(yàn)實(shí)測(cè)場(chǎng)景圖Fig.7 Testing scene of the micro-discharge test

實(shí)測(cè)結(jié)果表明耦合器在入射功率連續(xù)波為300W,脈沖為1100W時(shí)無(wú)異?,F(xiàn)象,定向耦合器復(fù)測(cè)性能良好。

5 結(jié)論

在衛(wèi)星載荷真空應(yīng)用環(huán)境中,大功率寬帶定向耦合器會(huì)出現(xiàn)微放電效應(yīng),本文采用耦合線結(jié)構(gòu)定向耦合器進(jìn)行設(shè)計(jì),耦合器中間層介質(zhì)中使用了高導(dǎo)熱材料Rogers TC350+。在真空度優(yōu)于1.5×10-4Pa的環(huán)境下對(duì)耦合器進(jìn)行大功率實(shí)測(cè),測(cè)試過(guò)程中器件溫度低于85.3℃,復(fù)測(cè)性能良好,結(jié)果表明器件在滿足耦合度、隔離度、損耗等指標(biāo)的同時(shí),可有效抑制真空環(huán)境中微放電效應(yīng),確保了耦合器的工作性能。

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