目前應(yīng)用廣泛的金剛石顆粒增強(qiáng)鋁基（diamond/Al）復(fù)合材料熱導(dǎo)率的最高值僅為770 Wm-1·K-1，未能充分利用金剛石的高導(dǎo)熱特性，如何進(jìn)一步提高diamond/Al復(fù)合材料的熱導(dǎo)率，是本領(lǐng)域主要解決的關(guān)鍵問(wèn)題。近日，北京科技大學(xué)張海龍教授與西安交通大學(xué)武海軍教授、北京航天航空大學(xué)趙立東教授合作，通過(guò)實(shí)現(xiàn)高界面熱導(dǎo)、大粒徑金剛石顆粒、高金剛石體積分?jǐn)?shù)和高致密度的同時(shí)優(yōu)化，獲得熱導(dǎo)率高達(dá)（1 021±34）Wm-1·K-1的diamond/Al復(fù)合材料，為目前報(bào)道金剛石顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料熱導(dǎo)率的最高值。研究工作采用雙粒徑金剛石顆粒提高金剛石體積分?jǐn)?shù)并實(shí)現(xiàn)大粒徑金剛石顆粒的致密化制備，通過(guò)優(yōu)化非連續(xù)原位碳化物界面層提高界面熱導(dǎo)，利用多因素的協(xié)同作用，在diamond/Al復(fù)合材料的熱導(dǎo)率方面取得突破。該復(fù)合材料同時(shí)具有與半導(dǎo)體材料匹配的低熱膨脹系數(shù)（3.40×10-6K-1）、較高的高溫?zé)釋?dǎo)率和穩(wěn)定的熱循環(huán)性能，能夠?qū)Ω吖β饰㈦娮悠骷M(jìn)行有效散熱，有望替代現(xiàn)有電子封裝材料，推動(dòng)電子封裝技術(shù)的發(fā)展。