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電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測(cè)定碳化硅中釩

2023-01-28 06:03:32趙海珍
山西化工 2022年9期
關(guān)鍵詞:高氯酸碳化硅譜線

趙海珍,左 良

(天津華勘商品檢驗(yàn)有限公司,天津 300181)

碳化硅的主要成份是SiC、FSi、SiO2和FC,高純碳化硅為無(wú)色透明結(jié)晶或無(wú)定形粉末,含雜質(zhì)的碳化硅為綠色,固溶有炭和金屬氧化物雜質(zhì)的則成黑色。碳化硅擁有諸多優(yōu)異性能,如高溫強(qiáng)度高、耐腐蝕性強(qiáng)、抗氧化性優(yōu),抗熱振性好等[1],廣泛應(yīng)用于3 類~12 類單晶硅、多晶硅的高溫窯具[2]、柴油車尾氣凈化器等領(lǐng)域[3-5];此外,碳化硅還具有良好的導(dǎo)熱性及半導(dǎo)體性質(zhì)[6],是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料,由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗,因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。在當(dāng)代C、N、B 等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛,最經(jīng)濟(jì)的一種。由于碳化硅的純度會(huì)直接影響相應(yīng)產(chǎn)品的質(zhì)量,因此對(duì)碳化硅[w(SiC)≥95%]的雜質(zhì)成分分析也具有重要的現(xiàn)實(shí)意義?;谀壳吧形窗l(fā)現(xiàn)對(duì)碳化硅中釩的檢驗(yàn)方法的報(bào)道,選用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)[7-9]來(lái)檢測(cè)碳化硅[w(SiC)≥95%]中釩的含量。選擇V311.071 nm 和V309.311 nm 作為分析譜線,通過(guò)光譜干擾和譜線選擇,基體效應(yīng)影響,校準(zhǔn)曲線和檢出限,方法精密度和加標(biāo)回收率實(shí)驗(yàn)等條件實(shí)驗(yàn)來(lái)論證此方法的可行性。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 主要儀器及參數(shù)

Optima-8000DV 全譜直讀等離子體發(fā)射光譜(美國(guó) PE 公司),儀器最佳工作條件見(jiàn)表1。

表1 ICP-AES 工作條件

1.2 主要試劑

V 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備液(鋼鐵研究總院):1.00 mg/mL;

Fe 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備液(鋼鐵研究總院):1.00 mg/mL;

Al 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備液(鋼鐵研究總院):1.00 mg/mL;

Ca 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備溶液(鋼鐵研究總院):1.00 mg/mL;

V 標(biāo)準(zhǔn)工作液:10 μg/mL;用V 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備液稀釋配制。

實(shí)驗(yàn)所用鹽酸、硝酸、氫氟酸、高氯酸,均為優(yōu)級(jí)純;實(shí)驗(yàn)用水為去離子水。

1.3 實(shí)驗(yàn)方法

1.3.1 樣品處理

稱取0.500 0 g 碳化硅[w(SiC)≥95%]樣品于250 mL聚四氟乙烯燒杯中,分別加入5 mL硝酸、5 mL 氫氟酸、5 mL鹽酸和5 mL高氯酸,于180℃電熱板上加熱,蒸發(fā)至高氯酸煙冒盡,取下稍冷卻,加入12.5 mL 鹽酸,低溫加熱至可溶性成分溶解,取下冷卻至室溫。將溶液移至250 mL容量瓶中稀釋至刻度,搖勻,在室溫下靜置3 h 至溶液澄清(或者將溶液直接過(guò)濾到250 mL 容量瓶中,用2%的鹽酸沖洗沉淀數(shù)次,定容搖勻)。

1.3.2 標(biāo)準(zhǔn)溶液系列的配制

分別移取釩標(biāo)準(zhǔn)工作液(10 μg/mL)0.00、1.00、2.00、4.00、6.00 mL于5 個(gè)100 mL容量瓶中,分別加入5 mL鹽酸,用水稀釋至刻度,搖勻。此系列曲線含釩標(biāo)準(zhǔn)工作液質(zhì)量濃度分別為0.00、0.10、0.20、0.40、0.60 μg/mL。

1.3.3 光譜干擾試驗(yàn)溶液配制

分別移取Fe、Al、Ca 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備液(1 mg/mL)10 mL于100 mL容量瓶中,加入5 mL鹽酸,

用水稀釋至刻度,搖勻。此溶液Fe、Al、Ca 質(zhì)量濃度分別為0.1 mg/mL。

2 結(jié)果與討論

2.1 光譜干擾和譜線選擇

碳化硅[w(SiC)≥95%]待測(cè)液主要成分為沉淀物SiC,其含量在95%以上,游離硅和二氧化硅在氫氟酸和高氯酸溶解冒煙時(shí),已經(jīng)驅(qū)盡,可以忽略不計(jì)。用含有0.1 mg/mL 的Fe、Al、Ca 試液做光譜干擾實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在311.071 nm 和309.311 nm 譜線內(nèi),F(xiàn)e、Al、Ca 譜線沒(méi)有干擾,F(xiàn)e、Al、Ca 元素在311.071 nm 和309.311 nm 分析譜線掃描窗口內(nèi)均無(wú)波峰出現(xiàn),其信號(hào)基線較平直與空白溶液幾乎完全重合。在譜線庫(kù)中,以0.05 nm 范圍為基準(zhǔn),并未找到Fe、Al、Ca 在311.071 nm 和309.311 nm 附近的干擾譜線,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相吻合。

2.2 基體效應(yīng)影響

碳化硅主要以沉淀的形態(tài)存在于溶液中,對(duì)釩的測(cè)定不存在基體干擾;游離硅和二氧化硅在用氫氟酸和高氯酸溶解冒煙時(shí),已經(jīng)驅(qū)盡,故不存在基體干擾;其余雜質(zhì)元素(如Fe、Al、Ca 等)含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))不超過(guò)5%,基體影響也可以忽略不計(jì)。

2.3 校準(zhǔn)曲線和檢出限

選擇儀器最佳工作條件,對(duì)釩標(biāo)準(zhǔn)溶液系列的發(fā)射強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。以釩的質(zhì)量濃度為橫坐標(biāo),發(fā)射強(qiáng)度為縱坐標(biāo),繪制校準(zhǔn)曲線,在同樣條件下對(duì)標(biāo)準(zhǔn)溶液曲線中空白溶液連續(xù)測(cè)定10 次,以3 倍標(biāo)準(zhǔn)偏差計(jì)算方法中釩的檢出限,結(jié)果見(jiàn)表2。

表2 V 元素校準(zhǔn)曲線的線性范圍、相關(guān)系數(shù)和檢出限

2.4 方法精密度實(shí)驗(yàn)

選取同一碳化硅[w(SiC)≥95%]樣品按照實(shí)驗(yàn)方法(1.3.1)進(jìn)行10 次重復(fù)性測(cè)定,對(duì)數(shù)據(jù)結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計(jì),計(jì)算出相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差,結(jié)果見(jiàn)表3。

表3 精密度實(shí)驗(yàn)結(jié)果 %

2.5 加標(biāo)回收率實(shí)驗(yàn)

在3 份碳化硅(≥95%)樣品中加入不同量的釩標(biāo)準(zhǔn)溶液,按照實(shí)驗(yàn)操作方法,進(jìn)行加標(biāo)回收率實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果見(jiàn)表4。

3 樣品分析

按照實(shí)驗(yàn)方法對(duì)碳化硅[w(SiC)≥95%]樣品中V 進(jìn)行測(cè)定。為驗(yàn)證方法的正確性,將測(cè)定結(jié)果與其他方法的測(cè)定結(jié)果進(jìn)行比對(duì)(GB/T 15503—1995《水質(zhì)釩的測(cè)定鉭試劑(BPHA)萃取分光光度法》),結(jié)果見(jiàn)表5。

表5 碳化硅[w(SiC)≥95%]樣品中V 的測(cè)定結(jié)果與其他方法比較 %

4 結(jié)論

結(jié)果表明,碳化硅[w(SiC)≥95%]主要以沉淀形態(tài)分散在溶液體系中,游離硅和二氧化硅通過(guò)樣品溶解已驅(qū)盡,不存在基體和光譜干擾;剩余雜質(zhì)元素(Fe、Al 和Ca 等元素)含量較低,基體不存在干擾。光譜干擾實(shí)驗(yàn)表明對(duì)測(cè)試元素?zé)o影響。釩的質(zhì)量濃度在0.1 μg/mL~0.6 μg/mL,其線性相關(guān)系數(shù)均不小于0.9998,此方法中釩的檢出限為0.002 μg/mL,按照實(shí)驗(yàn)方法測(cè)定碳化硅[w(SiC)≥95%]中釩,結(jié)果相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差(RSD,n=10)為4.05%~4.62%,加標(biāo)回收率在98.0%~103.0%,結(jié)果較為理想。

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