2022年1月以來實施的含硅系列標準（二）

18）GB/T 40279－2021《硅片表面薄膜厚度的測試光學反射法》。規(guī)定了采用光學反射法測試硅片表面二氧化硅薄膜、多晶硅薄膜厚度的方法。適用于測試硅片表面生長的二氧化硅薄膜和多晶硅薄膜的厚度，也適用于所有光滑的、透明或半透明的、低吸收系數(shù)的薄膜厚度的測試，如非晶硅、氮化硅、類金剛石鍍膜、光刻膠等表面薄膜。測試厚度為15～105nm。

19）GB/T 40323－2021《紡織染整助劑產(chǎn)品中八甲基環(huán)四硅氧烷（D4）、十甲基環(huán)五硅氧烷（D5）和十二甲基環(huán)六硅氧烷（D6）的測定》。規(guī)定了紡織染整助劑產(chǎn)品中八甲基環(huán)四硅氧烷、十甲基環(huán)五硅氧烷、十二甲基環(huán)六硅氧烷的測定方法。適用于紡織染整助劑產(chǎn)品中八甲基環(huán)四硅氧烷、十甲基環(huán)五硅氧烷、十二甲基環(huán)六硅氧烷的測定。

20）GB/T 40407－2021《硅酸鹽水泥熟料礦相X 射線衍射分析方法》。規(guī)定了硅酸鹽水泥熟料礦相X射線衍射分析方法的原理、X 射線衍射儀的校準和定量分析程序的確認、測定步驟和報告。適用于測定硅酸鹽水泥熟料中各礦相，包括阿利特（硅酸三鈣，C3S）、貝利特（硅酸二鈣C2S）、鋁酸鹽（鋁酸三鈣，C3A）、鐵鋁酸鹽（鐵鋁酸四鈣，C4AF），也可以測定水泥中的方鎂石（氧化鎂，MgO）、鉀芒硝（硫酸鉀）、半水石膏（半水硫酸鈣）、無水石膏（硫酸鈣）和方解石（碳酸鈣）。

21）GB/T 40540－2021《航天器用導熱硅脂規(guī)范》。規(guī)定了航天器用導熱硅脂的技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則、包裝和標志、運輸和貯存。適用于航天器用導熱硅脂（以下簡稱導熱硅脂）的檢驗、交收和使用。

22）GB/T 40561－2021《光伏硅材料氧含量的測定脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法》。描述了用脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法測定光伏硅材料中氧含量的方法。適用于生產(chǎn)多晶硅的原料硅粉、工業(yè)硅、顆粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的測定，測定質(zhì)量分數(shù)0.001 0%～0.40%。其他生產(chǎn)光伏組件的各類晶體硅材料參照使用。

23）GB/T 40566－2021《流化床法顆粒硅氫含量的測定脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法》。描述了用脈沖加熱惰性氣體熔融紅外吸收法測定顆粒硅中氫含量的方法。適用于流化床法顆粒硅中氫含量的測定，其他硅材料參照使用。

24）GB/T 40738－2021《熔模鑄造硅溶膠快速制殼工藝規(guī)范》。規(guī)定了熔模鑄造硅溶膠快速制殼所用原輔材料，快速制殼工藝技術(shù)要求，檢驗與檢測方法。適用于熔模鑄造硅溶膠快速制殼原輔材料的選擇、工藝制定與過程控制。

25）GB 40877－2021《硅酸鋁纖維及制品單位產(chǎn)品能源消耗限額》。規(guī)定了硅酸鋁纖維及制品單位產(chǎn)品能源消耗限額的能耗限額等級、技術(shù)要求、統(tǒng)計范圍和計算方法。適用于硅酸鋁纖維及制品能耗的計算、考核，以及對新（改、擴）建項目的能耗控制。

26）GB/T 40909－2021《紡織品甲基環(huán)硅氧烷殘留量的測定》。描述了采用氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀（GC-MS）測定紡織品中八甲基環(huán)四硅氧烷（D4）、十甲基環(huán)五硅氧烷（D5）和十二甲基環(huán)六硅氧烷（D6）殘留量的試驗方法。

27）GB/T 40915－2021《X 射線熒光光譜法測定鈉鈣硅玻璃中SiO2、Al2O3、Fe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO 含量》。描述了鈉鈣硅玻璃中SiO2、Al2O3、Fe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO含量的X 射線熒光光譜測定方法。適用于鈉鈣硅玻璃中SiO2、Al2O3、Fe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO含量的測定。

28）GB/T 40955－2021《化妝品中八甲基環(huán)四硅氧烷（D4）和十甲基環(huán)五硅氧烷（D5）的測定氣相色譜法》。規(guī)定了氣相色譜法測定化妝品中八甲基環(huán)四硅氧烷（D4）和十甲基環(huán)五硅氧烷（D5）的原理、試劑和材料、儀器設(shè)備、測定步驟、結(jié)果計算、回收率與精密度、允許差。適用于水劑、乳液、膏霜（蠟基類除外）駐留類和淋洗類化妝品中八甲基環(huán)四硅氧烷（D4）和十甲基環(huán)五硅氧烷（D5）的測定。

29）GB/T 41153－2021《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測定二次離子質(zhì)譜法》。規(guī)定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測試方法。適用于碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的定量分析，測定范圍為硼含量不小于5×1013cm-3、鋁含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3，元素原子分數(shù)不大于1%。

30）GB/T 41322－2022《硬質(zhì)合金鈷粉中硅量的測定分光光度法》。規(guī)定了分光光度法測定鈷粉中硅量的方法，硅的質(zhì)量分數(shù)為5～300 μg/g。

31）GB/T 41325－2022《集成電路用低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片》。規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片（以下簡稱Low-COP拋光片）的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標志、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200 mm和300 mm、晶向<100>、電阻率0.1～100 Ω·cm 的Low-COP拋光片。

32）GB/T 41490－2022《氮化硅陶瓷室溫下滾動接觸疲勞試驗方法球板法》。描述了在室溫下對氮化硅陶瓷球逐步加載進行滾動接觸疲勞試驗的方法。適用于滾動體材料接觸疲勞性能的評價，或為恒定載荷滾動接觸疲勞試驗確定試驗載荷。

33）GB/T 41497－2022《釩鐵 釩、硅、磷、錳、鋁、鐵含量的測定波長色散X射線熒光光譜法》。描述了用波長色散X射線熒光光譜法測定釩鐵中釩、硅、磷、錳、鋁、鐵的含量。適用于分析釩鐵中釩、硅、磷、錳、鋁、鐵含量的測定。

34）GB/T 41593－2022《擠出硅樹脂管》。規(guī)定了擠出硅樹脂管的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和貯存。本文件適用于擠出硅樹脂管。

35）GB/T 41605－2022《滾動軸承球用氮化硅材料室溫壓痕斷裂阻力試驗方法壓痕法》。規(guī)定了在室溫下用壓痕法（Indentation Fracture，IF）測試氮化硅陶瓷軸承球斷裂阻力的試驗方法。適用于軸承球用氮化硅材料。

36）GB/T 41652－2022《刻蝕機用硅電極及硅環(huán)》。規(guī)定了刻蝕機用硅電極及硅環(huán)的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸、貯存和隨行文件以及訂貨單內(nèi)容。適用于p<100>直拉硅單晶加工成的刻蝕機用直徑200～450 mm的硅電極及硅環(huán)。

37）GB/T 41736－2022《高體積分數(shù)碳化硅顆粒鋁基復合材料》。規(guī)定了高體積分數(shù)碳化硅顆粒鋁基復合材料的分類和標記、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、運輸、貯存和標志。適用于精密儀器、電子元器件制造用高體積分數(shù)碳化硅顆粒鋁基復合材料。

38）GB/T 41737－2022《鋁基復合材料碳化硅體積分數(shù)試驗方法溶解法》。描述了測定碳化硅顆粒、晶須和纖維增強鋁基復合材料中碳化硅顆粒、晶須和纖維體積分數(shù)的方法原理、試劑、儀器與設(shè)備、分析步驟、結(jié)果計算方法以及試驗報告。適用于增強體粒徑大于3 μm的顆粒增強或直徑大于3 μm 的晶須和纖維增強鋁基復合材料中的碳化硅顆粒、晶須和纖維體積分數(shù)測定。

39）GB/T 41765－2022《碳化硅單晶位錯密度的測試方法》。規(guī)定了碳化硅單晶位錯密度的測試方法。適用于晶面偏離{0001}面、偏向<1120>方向0°～8°的碳化硅單晶位錯密度的測試。

40）GB/T 41938－2022《橡膠配合劑 沉淀水合二氧化硅在溶聚丁苯橡膠（S-SBR）和丁二烯橡膠（BR）混合物中的評價方法》。規(guī)定了橡膠配合劑沉淀水合二氧化硅在溶聚丁苯橡膠和丁二烯橡膠混合物中物理性能測試所需的試驗配方、設(shè)備、步驟和評價方法。適用于橡膠配合劑沉淀水合二氧化硅。

41）GB/T 4209－2022《工業(yè)硅酸鈉》。規(guī)定了工業(yè)硅酸鈉的分類和編碼、要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、標簽、包裝、運輸、貯存。適用于工業(yè)固體硅酸鈉和工業(yè)液體硅酸鈉。

42）GB/T 42263－2022《硅單晶中氮含量的測定二次離子質(zhì)譜法》。描述了硅單晶中氮含量的二次離子質(zhì)譜測試方法。適用于硼、銻、砷、磷的摻雜含量小于1×1020cm-3（0.2%）的硅單晶中氮含量的測定，測定含量不小于1×1014cm-3。注：硅單晶中氮含量以每立方厘米中的原子數(shù)計。

43）GB/T 42271－2022《半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法》。描述了半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法。適用于測量電阻率為1×105～1×1012Ω·cm 的半絕緣碳化硅單晶片。

44）GB/T 42276－2022《氮化硅粉體中氟離子和氯離子含量的測定離子色譜法》。描述了氮化硅粉體中氟離子和氯離子含量的離子色譜測定方法。適用于氮化硅粉體中氟離子和氯離子質(zhì)量分數(shù)0.0500～0.600 mg/g的測定。

45）GB/T 4333.8－2022《硅鐵鈣含量的測定火焰原子吸收光譜法》。規(guī)定了變形鎂合金顯微組織檢驗的試驗溶液、試樣制備、試樣浸蝕、組織檢驗、晶粒尺寸測定方法和試驗報告內(nèi)容。適用于變形鎂合金鑄錠（或錠坯)及加工制品顯微組織的檢驗。

46）GB/T 5686.1－2022《錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳錳含量的測定電位滴定法、硝酸銨氧化滴定法及高氯酸氧化滴定法》。描述了采用電位滴定法、硝酸銨氧化滴定法和高氯酸氧化滴定法測定錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵及金屬錳中的錳含量的方法。適用于錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵及金屬錳中錳含量的測定，測定質(zhì)量分數(shù)50.00%～98.00%。方法1 不適用于鉻、釩的質(zhì)量分數(shù)大于0.4%的錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵及金屬錳中錳含量的測定。

47）GB/T 5686.2－2022《錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳硅含量的測定鉬藍分光光度法、氟硅酸鉀滴定法和高氯酸重量法》。規(guī)定了采用鉬藍分光光度法、氟硅酸鉀滴定法和高氯酸重量法測定錳鐵、錳硅合金、微低碳錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳中的硅含量。適用于錳鐵、錳硅合金、微低碳錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳中硅含量的測定。測定質(zhì)量分數(shù)0.10%～40.00%。方法1：鉬藍分光光度法，適用于金屬錳中硅含量的測定，測定質(zhì)量分數(shù)0.10%～2.00%；方法2：氟硅酸鉀滴定法，適用于錳硅合金、微低碳錳硅合金中硅含量的測定，測定質(zhì)量分數(shù)12.00%～40.00%；方法3：高氯酸重量法，適用于錳鐵、錳硅合金、微低碳錳硅合金、氮化錳鐵、金屬錳中硅含量的測定，測定質(zhì)量分數(shù)0.50%～40.00%。

48）GB/T 5686.4－2022《錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳磷含量的測定鉬藍分光光度法和鉍磷鉬藍分光光度法》。描述了采用鉬藍分光光度法和鉍磷鉬藍分光光度法測定錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳中的磷含量的方法。適用于錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳中磷含量的測定。測定質(zhì)量分數(shù)0.003 0%～0.650%。方法1：鉬藍分光光度法，適用于錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳中磷含量的測定，測定質(zhì)量分數(shù)0.003 0%～0.450%；方法2：鉍磷鉬藍分光光度法，適用于錳鐵、錳硅合金、氮化錳鐵和金屬錳中磷含量的測定，測定質(zhì)量分數(shù)0.003 0%～0.650%。