楊彪,蘇森濤,馬亦驥,倪瑞璞,曾德明,肖青云,王銀雙
(1.昆明理工大學(xué) 信息工程與自動(dòng)化學(xué)院,云南 昆明,650500;2.昆明理工大學(xué) 云南省人工智能重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,云南 昆明,650500;3.昆明理工大學(xué) 非常規(guī)冶金教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,云南 昆明,650093)
微波加熱是一種新型的綠色冶金方法,媒質(zhì)內(nèi)部的介電損耗直接將微波能量選擇性地傳遞給被加熱媒質(zhì)的分子或原子,宏觀上表現(xiàn)出加熱可選擇性、加熱均勻、熱效率高、清潔無污染等特點(diǎn)[1-3]。微波加熱過程是高頻電磁波與媒質(zhì)相互作用的動(dòng)態(tài)響應(yīng)過程。電磁場(chǎng)分布在微波應(yīng)用器腔體內(nèi)部,隨著電磁波的傳播微波能,媒質(zhì)熱量積累、溫度上升、載流子運(yùn)動(dòng),而溫度變化和載流子運(yùn)動(dòng)又使得媒質(zhì)的介電常數(shù)和電導(dǎo)率等物理參數(shù)發(fā)生改變,反過來影響電磁場(chǎng)分布,最終這些變化會(huì)造成加熱媒質(zhì)狀態(tài)發(fā)生變化、應(yīng)用器加熱效能降低,甚至造成應(yīng)用器加熱失效[4-5]。
了解高頻電磁波與媒質(zhì)相互作用的響應(yīng)過程是優(yōu)化控制加熱過程與提高應(yīng)用器效能的關(guān)鍵,但由于該復(fù)雜響應(yīng)過程涉及電磁場(chǎng)、熱傳導(dǎo)和載流子運(yùn)動(dòng)多種物理過程,必須聯(lián)立電磁場(chǎng)方程、熱傳導(dǎo)方程和載流子方程,構(gòu)建多物理場(chǎng)方程組,從而進(jìn)行計(jì)算,但是計(jì)算難度大。因此,找到分析高頻電磁波與媒質(zhì)相互作用的響應(yīng)過程的方法十分必要[6-7]。
微波應(yīng)用器內(nèi)高頻電磁波的場(chǎng)分布問題一般歸結(jié)為求解邊值問題。求解電磁分布邊值問題通常用全波場(chǎng)分析方法,主要有解析法和數(shù)值計(jì)算方法[8-9]。全波場(chǎng)分析方法計(jì)算的結(jié)果精確度較高,受到諸多學(xué)者的青睞,TANG等[10]基于積分方程理論研究了微小變化的微波頻率對(duì)的加熱均勻性的影響。JING 等[11]用有限差分法計(jì)算了微波加熱聚烯烴吸收劑混合物時(shí)腔體內(nèi)的問題,得到了腔體內(nèi)的溫度場(chǎng)分布。劉小明等[12]通過有限元方法分析了電磁場(chǎng)、材料介電常數(shù)以及導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)對(duì)瀝青混凝土傳熱性能的影響。但是全波場(chǎng)分析方法也存在以下問題:解析法對(duì)數(shù)學(xué)技巧的要求高,求解條件限制多,一般難以直接求解復(fù)雜場(chǎng)域和多物理場(chǎng)耦合問題[13]。數(shù)值計(jì)算方法建模復(fù)雜,完成一次仿真計(jì)算需要耗費(fèi)大量時(shí)間,缺乏工程實(shí)用性[14]。
計(jì)算微波加熱系統(tǒng)電磁場(chǎng)分布還可以根據(jù)傳輸線理論建立微波加熱腔體的等效電路模型,通過等效電路的方法分析微波加熱腔體中電磁場(chǎng)的分布。等效電路模型計(jì)算簡單、計(jì)算速度快。WU等[14]研究微波加熱熱失控溫度與電場(chǎng)強(qiáng)度之間的“S 曲線”關(guān)系時(shí),基于單模波導(dǎo)理論建立了微波加熱諧振腔等效電路模型。但是通過等效電路模型直接計(jì)算微波加熱問題,腔體內(nèi)電磁波吸收和反射的情況被忽略,計(jì)算精度不高。亟需一種既保持等效電路模型計(jì)算速度又提高等效電路模型計(jì)算精度的計(jì)算方法。場(chǎng)路結(jié)合方法通過三維的全波場(chǎng)分析仿真,獲得相對(duì)精確的二維電路分析模型的參數(shù),并將這些參數(shù)代入二維電路模型中用于計(jì)算,從而在保持電路分析快速性的前提下提高電路分析精確性[15]。場(chǎng)路結(jié)合方法在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,王大朋等[16]通過場(chǎng)路結(jié)合的方法分析了磁軸承的懸浮力,利用磁路法推導(dǎo)了磁軸承懸浮力的線性化模型。毛煜茹等[17]分析微波通信系統(tǒng)非線性金屬結(jié)的無源互調(diào)干擾時(shí),運(yùn)用場(chǎng)路結(jié)合的方法精確地計(jì)算了由于金屬接觸非線性引起的無源互調(diào)及其作為二次輻射源所激發(fā)的電磁場(chǎng)。
綜上所述,在分析微波加熱動(dòng)態(tài)響應(yīng)過程時(shí),全波場(chǎng)分析方法精度高,等效電路方法的計(jì)算速度快。本文提出運(yùn)用場(chǎng)路結(jié)合的方法,分析微波應(yīng)用器腔體中高頻電磁波與媒質(zhì)之間相互作用的動(dòng)態(tài)響應(yīng)過程。首先,分析微波加熱系統(tǒng)各部分的阻抗特性建立等效電路模型;其次,用全波場(chǎng)分析的方法對(duì)應(yīng)用器腔體各部分進(jìn)行散射場(chǎng)分析,得到散射參數(shù);然后,將分析得到的散射參數(shù)轉(zhuǎn)化為用于等效電路分析的阻抗參數(shù),阻抗參數(shù)表征能量的轉(zhuǎn)換;最后,通過等效電路分析計(jì)算饋入腔體的微波與媒質(zhì)之間的能量交換的問題,進(jìn)而計(jì)算出媒質(zhì)加熱溫度。
傳輸線理論在微波系統(tǒng)的分析中有著至關(guān)重要的地位,它將對(duì)電場(chǎng)和磁場(chǎng)的分析轉(zhuǎn)化為對(duì)電壓和電流的分析,從而可以將電路理論和網(wǎng)絡(luò)分析的方法運(yùn)用到微波系統(tǒng)中[18]。通過傳輸線理論和傳輸線方程,可以建立電磁波在含媒質(zhì)的雙端口波導(dǎo)中傳播時(shí)的等效電壓和等效電流關(guān)系[19]。
圖1所示為一段含任意媒質(zhì)的波導(dǎo)的二維示意圖,設(shè)z=0 處媒質(zhì)兩側(cè)區(qū)域1 和區(qū)域2 無限遠(yuǎn)處分別有TE10模式的微波沿著波導(dǎo)傳向被加熱,腔內(nèi)除被加熱介質(zhì)和空氣外無其他媒質(zhì)。
圖1 含任意媒質(zhì)的波導(dǎo)二維示意圖Fig.1 Two-dimension diagram of waveguide with arbitrary medium
用U1和I1分別表示媒質(zhì)左側(cè)從遠(yuǎn)場(chǎng)到媒質(zhì)的等效電壓和等效電流,U2和I2分別表示媒質(zhì)右側(cè)從遠(yuǎn)場(chǎng)到媒質(zhì)的等效電壓和等效電流。由于媒質(zhì)的存在,媒質(zhì)兩側(cè)U1≠U2,I1≠I2。媒質(zhì)處的電壓和電流的關(guān)系可以表示為
即U=ZI,其中:Z為阻抗矩陣,表征微波通過媒質(zhì)時(shí)的損耗,是等效電路分析微波加熱時(shí)的重要參數(shù)。
微波加熱涉及電磁場(chǎng)和傳熱計(jì)算,是Helmholtz方程和Fourier熱傳導(dǎo)方程的雙向耦合。
變化的電場(chǎng)和變化的磁場(chǎng)相互聯(lián)系、相互激發(fā),組成一個(gè)統(tǒng)一的電磁場(chǎng)。電磁場(chǎng)隨時(shí)間和空間的變化規(guī)律可以由麥克斯韋方程表示為:
式中:H為磁場(chǎng)強(qiáng)度,A/m;E為電場(chǎng)強(qiáng)度,V/m;B為磁感應(yīng)強(qiáng)度,Wb/m2;D為電位移矢量,C/m2;Je、Jm、ρe和ρm分別為電流密度、磁流密度、電荷密度和磁荷密度;σ和σm分別為媒質(zhì)的電導(dǎo)率和磁導(dǎo)率。
在微波加熱諧振腔內(nèi)的電磁場(chǎng)分布可由式(2)推導(dǎo)的Helmholtz方程表示[3]:
式中:μ0和μr分別為真空磁導(dǎo)率和媒質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率;ε0和εr分別為真空介電常數(shù)和媒質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù);ω為入射微波角頻率;k0為自由空間波數(shù);j為虛數(shù)單位。
在微波加熱過程中,媒質(zhì)熱能來自吸收轉(zhuǎn)化的微波能。通過計(jì)算單位體積媒質(zhì)內(nèi)的微波耗散功率可以得到熱能的熱源項(xiàng),微波的耗散功率可表示為
式中:Q為熱源項(xiàng),表示微波耗散功率;ε″和μ″分別為介電損耗和磁滯損耗。若被加熱媒質(zhì)可忽略磁滯損耗,則可令Qm=0,式(4)可表示為
計(jì)算出熱源項(xiàng)后,通過以下Fourier 熱傳導(dǎo)方程計(jì)算媒質(zhì)中熱量的產(chǎn)生和傳遞:
式中:ρ為加熱媒質(zhì)的密度;Cp為加熱媒質(zhì)的比熱容;kt為加熱媒質(zhì)的導(dǎo)熱系數(shù);T(z,t)為加熱媒質(zhì)的溫度。
初始溫度條件如下[20]:
溫度滿足表面熱平衡,邊界條件可設(shè)為[20]:
式中:h為對(duì)流換熱系數(shù);Tair為媒質(zhì)周圍環(huán)境溫度;L為媒質(zhì)厚度。
以式(2)為理論基礎(chǔ),通過式(1)計(jì)算得到媒質(zhì)內(nèi)部電磁場(chǎng)電場(chǎng)強(qiáng)度,代入式(5)和式(6)可得到加熱后媒質(zhì)的溫度。因此,采用全波場(chǎng)分析結(jié)合電路的分析方法可以求解微波加熱多物理場(chǎng)耦合的問題。
在實(shí)際工程應(yīng)用中,通常使用微波場(chǎng)散射參數(shù)S表征微波系統(tǒng)端口的匹配性能和傳輸損耗。S是反映端口入射波與反射波之間關(guān)系的網(wǎng)絡(luò)參數(shù),在1個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò)中,S矩陣包括2個(gè)反射系數(shù)(S11和S22)與2個(gè)傳輸系數(shù)(S12和S21)。其中,S11為端口1 的反射系數(shù),表示端口1 反射波能量與入射波能量的比,S11越小,表示微波能量被反射回源端的能量越少。S21為端口1到端口2的傳輸系數(shù),表示端口1入射波能量與端口2出射波能量的比,S21越小,表示微波在端口1到端口2傳輸過程中被吸收的能量越大。
三維全波場(chǎng)仿真獲得的S矩陣可以反映媒質(zhì)對(duì)微波的吸收和反射,通過轉(zhuǎn)化為等效電路中阻抗參數(shù)矩陣,可以提高等效電路分析微波加熱問題的準(zhǔn)確度。
根據(jù)微波網(wǎng)絡(luò)原理,波導(dǎo)中媒質(zhì)部分可以單獨(dú)看成1個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò),網(wǎng)絡(luò)兩側(cè)等效電壓的關(guān)系可以表示為
即U-=SU+。其中S為散射矩陣,表示媒質(zhì)的散射特性,反映了波導(dǎo)中媒質(zhì)兩側(cè)入射波和反射波的振幅的關(guān)系[21]。
式中:Ei和Ej分別為波導(dǎo)i和j端口上的激勵(lì)電場(chǎng);Ec為相應(yīng)端口上的總電場(chǎng)。
在第2節(jié)中,波導(dǎo)中存在的媒質(zhì)的阻抗特性由Z表示,反映微波通過媒質(zhì)時(shí)的損耗。阻抗矩陣Z和散射矩陣S從不同的角度反映了波導(dǎo)中媒質(zhì)對(duì)微波傳播的影響,2 種特性參數(shù)可以通過下式互相轉(zhuǎn)換[22]:
式中:ΔS=(1-S11)(1-S22)-S212。
場(chǎng)路結(jié)合構(gòu)建微波加熱等效電路模型如圖2所示[22]。
圖2 場(chǎng)路結(jié)合構(gòu)建微波加熱等效電路模型Fig.2 Microwave heating equivalent circuit model diagram by combining field and circuit
微波加熱應(yīng)用器系統(tǒng)一般是由微波發(fā)生器、傳輸波導(dǎo)、控制系統(tǒng)和微波應(yīng)用器部件組成。為了便于分析微波加熱效果,忽略微波發(fā)生、傳輸、控制部分,微波加熱系統(tǒng)如圖3所示。
圖3 微波加熱系統(tǒng)示意圖Fig.3 Schematic diagram of microwave heating system
假設(shè)腔體的腔壁為理想邊界,在波傳播過程中可以把微波饋入口、媒質(zhì)、短路端視為波導(dǎo)中的障礙物,計(jì)算障礙物的等效阻抗參數(shù),對(duì)微波加熱系統(tǒng)建立等效阻抗模型,對(duì)等效阻抗進(jìn)行電路變換以及等效可得到如圖4所示的電路。圖4中I為圖3 微波加熱系統(tǒng)中的微波源項(xiàng),Ga為微波源饋入口膜片的損耗和微波源損耗,Gx+jB0為被加熱媒質(zhì)的介電常數(shù)和損耗因子,Zd為微波腔體中的傳輸阻抗,表征回波損耗和傳輸損耗。
圖4 微波加熱系統(tǒng)等效電路Fig.4 Equivalent circuit of microwave heating system
媒質(zhì)的電場(chǎng)與電壓呈正比例關(guān)系,可將其表示為[14]
式中:k是比例常數(shù)。
Gx+jB0可以由阻抗參數(shù)表示為[22]
Zd與微波模式、波導(dǎo)波數(shù)、腔體尺寸和媒質(zhì)位置相關(guān),可以表示為
式中:k10為TE10波的波導(dǎo)波數(shù);L1和L2分別表示媒質(zhì)兩側(cè)腔體的長度,與媒質(zhì)在腔體中的位置以及腔體的長度有關(guān)。
對(duì)式(13)中的所有量,使用Ga歸一化后得到式(16)。
式中:E0為空腔電場(chǎng)幅值;在體積為V的空腔中E0與輸入功率P的關(guān)系可表示為[23]
結(jié)合式(16)和式(17),媒質(zhì)部分電壓可表示為
式(18)中,變量θ直接影響場(chǎng)路結(jié)合算法計(jì)算的準(zhǔn)確度。運(yùn)用遺傳算法尋優(yōu),求出等效電路電源電壓與激勵(lì)電場(chǎng)幅值的誤差最小時(shí)變量θ的值。遺傳算法適應(yīng)度函數(shù)設(shè)置為
式中:|Ei|為激勵(lì)電場(chǎng)幅值。
基于場(chǎng)路結(jié)合求解微波加熱動(dòng)態(tài)過程算法流程如下:
1)確定微波加熱系統(tǒng)模型構(gòu)成,給定初始條件和邊界條件,根據(jù)腔體幾何模型和加熱媒質(zhì),劃分二端口網(wǎng)絡(luò),建立微波加熱系統(tǒng)的等效電路模型。
2)應(yīng)用式(10)~(11),分析二端口網(wǎng)絡(luò)的散射場(chǎng),研究二端口網(wǎng)絡(luò)各端口的入射波與反射波和出射波的關(guān)系,得到二端口網(wǎng)絡(luò)的散射參數(shù)矩陣。
3)應(yīng)用式(12)將散射參數(shù)矩陣轉(zhuǎn)換為用于等效電路分析的阻抗參數(shù)矩陣;將步驟1)中設(shè)置的微波饋入功率轉(zhuǎn)換為等效電路中電源電壓。
4)通過相量法處理步驟3)所得阻抗參數(shù)與電源電壓之間的相位關(guān)系,并把等效后的電源和阻抗參數(shù)整合到等效電路模型中。
5)應(yīng)用式(18)求解電路中媒質(zhì)部分的電壓,并通過遺傳算法尋優(yōu),以提高所得電壓的精度。
6)應(yīng)用式(13)計(jì)算媒質(zhì)內(nèi)的電場(chǎng)幅值,并將電場(chǎng)幅值代入式(5),求出單位體積媒質(zhì)吸收的微波功率,將吸收功率代入式(6),求出媒質(zhì)的溫度。
步驟5)中遺傳算法尋優(yōu)的具體步驟如下:
首先,定義遺傳算法參數(shù),確定種群大小、最大遺傳代數(shù)、個(gè)體長度、代溝、變異概率、交叉概率、滿足條件的適應(yīng)度范圍,初始化種群。
其次,應(yīng)用式(19),計(jì)算種群中每一個(gè)個(gè)體的適應(yīng)度,記錄適應(yīng)度最優(yōu)的個(gè)體。
再次,根據(jù)計(jì)算的適應(yīng)度對(duì)種群進(jìn)行隨機(jī)遍歷采樣、兩點(diǎn)交叉、離散變異操作,產(chǎn)生新的種群,遺傳代數(shù)增加。
最后,檢驗(yàn)適應(yīng)度是否達(dá)到適應(yīng)度范圍條件或者遺傳代數(shù)是否達(dá)到最大遺傳代數(shù),如不滿足則返回遺傳算法尋優(yōu)步的第二步,如滿足則輸出最優(yōu)適應(yīng)度和對(duì)應(yīng)個(gè)體。
微波加熱系統(tǒng)模型加熱腔體使用長×寬×高為100.0 mm×86.4 mm×43.2 mm 的長方體,波導(dǎo)使用WR340 標(biāo)準(zhǔn)波導(dǎo)。腔體內(nèi)饋送頻率2.45 GHz 的TE10模式波。系統(tǒng)內(nèi)初始溫度設(shè)置為20 ℃,微波反應(yīng)腔壁和波導(dǎo)壁的材料為銅,腔體與波導(dǎo)內(nèi)介質(zhì)為空氣,被加熱媒質(zhì)為土豆。對(duì)需要散射分析的部分用假想?yún)⒖济孢M(jìn)行劃分,模型如圖5所示[24]。建立模型中應(yīng)用的初始輸入?yún)?shù)設(shè)置如表1所示[25]。
表1 模型初始參數(shù)設(shè)置Table 1 Initial parameter setting of model
圖5 微波加熱系統(tǒng)模型Fig.5 Model of microwave heating system
邊界條件設(shè)定的合理性影響仿真結(jié)果的準(zhǔn)確性。本文的仿真實(shí)驗(yàn)中模型的邊界條件分為電磁邊界條件和熱傳導(dǎo)邊界條件。模型中,腔體壁以及波導(dǎo)壁的材料為銅,其電磁邊界條件控制方程為
式中:n為腔壁表面的單位法向量。
熱傳導(dǎo)邊界條件設(shè)置為對(duì)流熱通量,用于計(jì)算媒質(zhì)與周圍環(huán)境之間的熱量交換,定義為如下方程:
式中:?T/?n為垂直于溫度域表面的溫度梯度;h為媒質(zhì)周圍環(huán)境的傳熱系數(shù);T為媒質(zhì)溫度;Tair為媒質(zhì)周圍環(huán)境溫度;λ為導(dǎo)熱系數(shù)。
為得到加熱媒質(zhì)部分的阻抗參數(shù),需要對(duì)微波加熱系統(tǒng)模型中包含媒質(zhì)的二端口網(wǎng)絡(luò)建立散射參數(shù)分析模型,分析模型包括一段含媒質(zhì)的二端口波導(dǎo),波導(dǎo)兩側(cè)分別設(shè)置長×寬×高為61.22 mm×86.40 mm×43.20 mm 的假想?yún)^(qū)域,其中頻率為2.45 GHz 的電磁波在真空中波長的1/2 為61.22 mm。假想?yún)^(qū)域內(nèi)介質(zhì)為空氣,用來模擬電磁波從無限遠(yuǎn)處入射進(jìn)二端口波導(dǎo)后再出射到無限遠(yuǎn)處[24],模型及其右視圖如圖6所示。
圖6 散射分析模型及其右視圖Fig.6 Scattering analysis model and its right view
分析二端口波導(dǎo)散射參數(shù)時(shí),為保證仿真結(jié)果準(zhǔn)確性,二端口波導(dǎo)2個(gè)端口外假想?yún)^(qū)域設(shè)置散射邊界條件,其控制方程為
在微波加熱系統(tǒng)中,為了阻止微波加熱過程中諧振腔內(nèi)產(chǎn)生的水氣或其他氣體、雜質(zhì)進(jìn)入波導(dǎo)與磁控管接觸,需在微波饋入口位置安裝有耐高溫、抗腐蝕、良好的透波特性和低損耗特性的介質(zhì)片,常用的材料有云母、高硼硅玻璃、特氟龍等[26],分析不同材料在微波饋入口的匹配情況后,選擇匹配性能較好的材料作為微波饋入口的介質(zhì)材料,3 種材料透波性能如圖7所示。從圖7可見:在電磁波頻率為2.45 GHz、介質(zhì)片厚度為1 mm 的情況下,特氟龍片的透射率最高,可達(dá)99.72%,使用1 mm特氟龍片作為微波饋入口介質(zhì)片微波幾乎全功率入射進(jìn)加熱腔體,此時(shí)可以忽略微波饋入口反射和吸收的電磁波,即在等效電路中可忽略微波饋入口的阻抗作用。
圖7 3種材料透波性能Fig.7 Wave transmission properties of three materials
圖8所示為對(duì)包含長方體媒質(zhì)的二端口波導(dǎo)進(jìn)行散射分析時(shí),媒質(zhì)周圍和媒質(zhì)內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度分布。由圖8可以看出:二端口波導(dǎo)的散射場(chǎng)分析綜合考慮了媒質(zhì)周圍電場(chǎng)和媒質(zhì)內(nèi)部電場(chǎng)的分布,反映了媒質(zhì)對(duì)微波的吸收和反射作用。本文分析的不同形狀不同體積的媒質(zhì)參數(shù)如表2所示。
表2 不同形狀媒質(zhì)尺寸Table 2 Medium size of different shapesmm
圖8 含媒質(zhì)二端口波導(dǎo)散射場(chǎng)分析Fig.8 Scattering field analysis of two port waveguide with medium
對(duì)上述對(duì)不同形狀體積媒質(zhì)進(jìn)行散射分析,得到散射參數(shù),并把求得的散射參數(shù)轉(zhuǎn)換為阻抗參數(shù),所得結(jié)果如表3所示。
表3 不同形狀和體積的媒質(zhì)S參數(shù)及等效阻抗ZTable 3 S-parameters and equivalent impedance Z of media with different shapes and volumes
以加熱媒質(zhì)為長方體1為例,饋入不同功率微波時(shí),分別通過場(chǎng)路結(jié)合方法和有限元方法計(jì)算加熱時(shí)媒質(zhì)內(nèi)平均電場(chǎng)強(qiáng)度,結(jié)果如圖9所示。由圖9可以看出:在饋入不同功率時(shí),場(chǎng)路結(jié)合方法計(jì)算得到的媒質(zhì)內(nèi)的平均電場(chǎng)強(qiáng)度與有限元方法所得到的媒質(zhì)內(nèi)平均電場(chǎng)強(qiáng)度相對(duì)誤差很小。
圖9 加熱時(shí)媒質(zhì)內(nèi)平均電場(chǎng)強(qiáng)度Fig.9 Average electric field strength in medium during heating
以加熱媒質(zhì)為長方體媒質(zhì)1為例,在不同輸入功率下,加熱媒質(zhì)10 s,分別通過場(chǎng)路結(jié)合方法和有限元方法計(jì)算媒質(zhì)加熱溫度所用時(shí)間,結(jié)果如圖10所示。由圖10可以看出,計(jì)算微波加熱相關(guān)問題時(shí),場(chǎng)路結(jié)合方法耗時(shí)約為有限元方法的一半,體現(xiàn)了場(chǎng)路結(jié)合方法在計(jì)算速度上的優(yōu)越性。
圖10 2種方法耗用時(shí)間對(duì)比Fig.10 Comparison of time consumption between two methods
結(jié)合2.2節(jié)算法流程,通過計(jì)算媒質(zhì)內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度,可以計(jì)算出媒質(zhì)加熱的溫度。
利用COMSOL Multiphysics多物理場(chǎng)耦合仿真實(shí)驗(yàn)環(huán)境,搭建相同的微波加熱系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)環(huán)境,對(duì)微波加熱系統(tǒng)進(jìn)行有限元分析。改變媒質(zhì)體積、形狀、輸入功率和加熱時(shí)間等實(shí)驗(yàn)變量,對(duì)比場(chǎng)路結(jié)合方法與傳統(tǒng)的有限元方法在媒質(zhì)加熱效果方面的計(jì)算結(jié)果,結(jié)果如圖11所示。
圖11 不同媒質(zhì)形狀下加熱溫度計(jì)算結(jié)果對(duì)比Fig.11 Comparison of calculation results heating temperature for different shapes and volumes
1)改變輸入功率,在700、500、300和100 W這4 種輸入功率下,加熱長方體1,時(shí)間為10 s。對(duì)比2種方法得到的媒質(zhì)域的平均溫度,其結(jié)果如圖11(a)所示。
2)改變長方體媒質(zhì)體積和加熱時(shí)間,在700、500、300 和100 W 這4 種輸入功率下,加熱長方體2,時(shí)間為30 s。對(duì)比2 種方法得到的媒質(zhì)域的平均溫度,其結(jié)果如圖11(b)所示。
3)改變媒質(zhì)形狀和體積,在1 000 W輸入功率下,加熱圓柱體1、圓柱體2、球體1和球體2,時(shí)間為10 s。對(duì)比2 種方法得到的媒質(zhì)域的平均溫度,其結(jié)果如圖11(c)所示。
通過3組實(shí)驗(yàn),分析不同條件下場(chǎng)路結(jié)合方法相對(duì)于有限元方法的計(jì)算相對(duì)誤差δ可知,場(chǎng)路結(jié)合方法的計(jì)算誤差在0.14%~3.77%之間,如表4所示。因此,場(chǎng)路結(jié)合方法能夠有效求解不同條件下的微波加熱問題。
表4 場(chǎng)路結(jié)合方法相對(duì)于有限元方法的加熱溫度相對(duì)誤差δTable 4 Heating temperature relative error δof fieldroad combination method relative to finite element method
1)提出一種結(jié)合全波場(chǎng)方法和等效電路方法的場(chǎng)路結(jié)合等效電路模型分析方法,求解電磁熱多物理場(chǎng)耦合方程組,從而求得微波加熱媒質(zhì)過程中媒質(zhì)的整體溫度。
2)從微波網(wǎng)絡(luò)理論出發(fā),建立微波加熱系統(tǒng)的等效電路模型,通過全波場(chǎng)方法分析微波應(yīng)用器腔體中電磁散射場(chǎng),獲取加熱媒質(zhì)、腔壁、微波饋口對(duì)微波傳輸?shù)淖杩固匦浴?紤]了微波反射和吸收的問題,同時(shí)采用遺傳算法提高了場(chǎng)路結(jié)合方法計(jì)算加熱媒質(zhì)內(nèi)部電場(chǎng)幅值的準(zhǔn)確度。
3)與傳統(tǒng)有限元計(jì)算方法相比,場(chǎng)路結(jié)合方法求解微波加熱媒質(zhì)時(shí)的計(jì)算時(shí)間大幅減少,并保持了較高的準(zhǔn)確率。2種計(jì)算方法求得的微波加熱媒質(zhì)結(jié)果的相對(duì)誤差為0.14%~3.77%,驗(yàn)證了本文提出的場(chǎng)路結(jié)合方法的可行性和有效性。