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一種涂膠封裝半導(dǎo)體綁定金線斷裂失效原因分析及改善方法

2024-04-18 03:17:38甘聲豹蘇華飛宋建華
汽車(chē)科技 2024年2期
關(guān)鍵詞:CT掃描故障樹(shù)對(duì)比分析

甘聲豹 蘇華飛 宋建華

摘? 要:在半導(dǎo)體封裝工藝中,芯片鍵合是非常關(guān)鍵的一環(huán),其中綁定是芯片鍵合的一種普遍方式,它用高純度金線把芯片接口和基板接口鍵合,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸和電氣連接[1]。然而使用過(guò)程中綁定容易出現(xiàn)一些故障,金線斷裂是綁定常見(jiàn)的故障原因之一。本文通過(guò)對(duì)一種PCBA上涂有防護(hù)膠的傳感器進(jìn)行不良解析,采用故障樹(shù)梳理金線斷裂的可能因素,結(jié)合CT掃描、金線斷面SEM對(duì)比分析等方式,找出金線頸部斷裂的根本原因并提出改善方法,為金線斷裂分析提供了一種有效的解析方式。

關(guān)鍵詞:涂膠封裝;綁定金線斷裂;故障樹(shù);CT掃描;SEM;對(duì)比分析

中圖分類(lèi)號(hào):U463.46? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)志碼:A? ? ?文章編號(hào):1005-2550(2024)02-0070-05

Failure Reason Analysis and Improvement Method of Bonding Gold Wire for a Semiconductor Encapsulated with Protective Adhesive

GAN Sheng-bao, SU Hua-fei, SONG Jian-hua

( VOYAH Automobile Technology Co., Ltd., Wuhan 430056, China)

Abstract: In semiconductor encapsulation technology, chip bonding is a crucial step, and bonding is a common method of chip bonding. It uses high-purity gold wire to bond the chip interface and substrate interface, thereby achieving signal transmission and electrical connection [1]. However, bonding is prone to some faults during use, and gold wire breakage is one of the common causes of bonding failures. This article analyzes the defects of a PCBA sensor coated with protective adhesive, uses a fault tree to sort out the possible factors of gold wire fracture, and combines CT scanning, and SEM comparative analysis of gold wire cross-section to identify the root cause of gold wire neck fracture and propose improvement methods, providing an effective analysis method for gold wire fracture analysis.

Key Words: Adhesive Encapsulated; Bonding Wire Breakage; Fault Tree; CT Scanning; Sem; Comparative Analysis

引? ? 言

傳感器是現(xiàn)代汽車(chē)重要的電子元器件,通過(guò)感知汽車(chē)實(shí)際情況,為車(chē)輛的控制提供關(guān)鍵信號(hào)。其中綁定作為傳感器芯片封裝中的重要過(guò)程,直接影響傳感器的可靠性。

用戶(hù)在使用過(guò)程中,傳感器可能因?yàn)镻CBA線路不良、元器件焊接不良、芯片失效、綁定金線斷裂等原因引起故障,這需要質(zhì)量分析工作者通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析找出故障原因,針對(duì)原因做出改善,從而提高產(chǎn)品可靠性。某車(chē)型在路試檢測(cè)時(shí),行駛過(guò)程中出現(xiàn)轉(zhuǎn)向無(wú)助力現(xiàn)象,讀取整車(chē)故障碼,顯示當(dāng)前故障為轉(zhuǎn)向扭矩傳感器通道A存在錯(cuò)誤,經(jīng)排查鎖定直接原因是通道A ASIC芯片綁定金線斷裂,引起輸出電壓超差,導(dǎo)致傳感器A通道錯(cuò)誤。為進(jìn)一步分析金線斷裂產(chǎn)生的根本原因,對(duì)PCBA進(jìn)行溶膠,通過(guò)金線斷面SEM對(duì)比分析,最后在傳感器裝配方式、金線拉力過(guò)程能力提升等方面提出改善,為解決同類(lèi)問(wèn)題提供思路和方法。

1? ? 轉(zhuǎn)向扭矩傳感器制造工藝流程

轉(zhuǎn)向扭矩傳感器制造工藝流程如圖1所示:

綁定是通過(guò)焊接方式將芯片引腳與PCBA引腳用金線連接的一種技術(shù),如圖2所示。常見(jiàn)的綁定金線封裝工藝主要包括焊絲加熱、焊絲放置、焊絲接觸、焊絲連接和焊絲修剪等步驟。在這個(gè)過(guò)程中,需要保證綁定金線能夠牢固連接,并提供良好的導(dǎo)電通路。

轉(zhuǎn)向扭矩傳感器制造過(guò)程中,綁定金線表層涂覆Coating膠、PCBA表層涂覆Potting膠用來(lái)防止振動(dòng)、及異物污染,如圖3所示:

2? ? 傳感器故障原因分析

2.1? ?故障原因確定

CT是一種利用精確準(zhǔn)直的X線束、γ射線、超聲波等,與靈敏度極高的探測(cè)器一同對(duì)被測(cè)物的某一部位作斷面成像的掃描方式[2]。對(duì)故障傳感器采用CT分析金線內(nèi)部狀態(tài),由傳感器制造工藝可知,金線和PCBA表層均覆蓋防護(hù)膠,CT可有效觀察到金線狀態(tài)。分析發(fā)現(xiàn)#1、#2、#3點(diǎn)位金線頸部異常,如圖4所示:

同時(shí)根據(jù)傳感器故障FTA對(duì)其他可能因素如:PCBA制程異常、芯片異常、外圍電路異常等逐項(xiàng)展開(kāi)確認(rèn)并逐一排除。最后確定傳感器故障的根本原因是3根回路的綁定金線斷裂。

2.2? ?金線斷裂原因挖掘

對(duì)造成金線頸部斷裂原因進(jìn)行深入挖掘,采用故障樹(shù)梳理所有可能因素:①二焊點(diǎn)溫度、壓力、功率、時(shí)間異常;②金線拉力??;③劈刀型號(hào)錯(cuò)誤;④劈刀壽命超期;⑤劈刀磕傷;⑥Coating膠型號(hào)錯(cuò)誤;⑦Coating膠流動(dòng)性黏度過(guò)大;⑧Coating膠打膠量過(guò)大;⑨烘烤溫度過(guò)高、時(shí)間過(guò)長(zhǎng);⑩烘烤過(guò)程受熱不均勻;?劈刀觸碰金線;?鑷子觸碰金線;?手、治具觸碰金線;?傳感器受外力沖擊。基于故障樹(shù),對(duì)供應(yīng)商進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)審核并針對(duì)性逐一排查,排除①③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩???因素,鎖定?傳感器受外力沖擊和②金線拉力小是該失效件金線頸部斷裂的兩個(gè)主要因素,如圖6所示:

3? ? 傳感器受外力沖擊因素解析確認(rèn)

SEM是一種介于透射電子顯微鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種觀察手段,其利用聚焦很窄的高能電子束來(lái)掃描樣品,通過(guò)光束與物質(zhì)間的相互作用,來(lái)激發(fā)各種物理信息,對(duì)這些信息收集、放大、再成像以達(dá)到對(duì)物質(zhì)微觀形貌表征的目的[3]。為了確認(rèn)金線斷裂與傳感器受外力沖擊的關(guān)聯(lián)性,對(duì)金線金線SEM分析其微觀形貌。

3.1? ?模擬件金線斷面SEM分析

金線直徑為0.8mil,未查到如此小失效件SEM分析的參考資料,特制作綁定金線疲勞斷裂和沖擊斷裂模擬[4]其微觀差異,作為故障件形貌參考。模擬件#a、#b點(diǎn)位金線為疲勞斷裂,#c點(diǎn)位金線為沖擊斷裂,對(duì)其進(jìn)行SEM金線斷面分析,如圖7所示。

在SEM掃描下:當(dāng)放大倍數(shù)為1K倍時(shí),#a點(diǎn)位金線和#b點(diǎn)位金線斷面呈現(xiàn)不規(guī)則形貌,#c點(diǎn)位金線斷面呈現(xiàn)規(guī)則相貌;為更清晰區(qū)分兩種斷裂模式下金線斷面形貌,將放大倍數(shù)增加到5K倍和10K倍,此時(shí)可以清晰的觀察到#a點(diǎn)位金線和#b點(diǎn)位金線斷面韌口明顯卷曲,呈現(xiàn)疲勞斷裂形貌,而#c點(diǎn)位金線斷面韌口方向齊整,呈現(xiàn)沖擊斷裂形貌[5]。

3.2? ?失效件金線斷面SEM分析

根據(jù)失效件CT結(jié)果,對(duì)綁定異常點(diǎn)位#1、#2、#3金線斷面進(jìn)行SEM分析。在0.9K倍SEM掃描下,三個(gè)點(diǎn)位金線斷口均規(guī)則鋒利;在被放大到2.5K和5K倍,觀察其斷面均呈現(xiàn)韌口方向齊整形貌,與模擬件的沖擊斷裂形貌一致,如圖8所示:

由SEM對(duì)比分析,確認(rèn)傳感器受外力沖擊是導(dǎo)致該失效件綁定金線頸部斷裂的直接原因。轉(zhuǎn)向扭矩傳感器在運(yùn)輸和裝配過(guò)程中需嚴(yán)禁非常規(guī)外力沖擊:比如跌落、裝配敲擊等。

4? ? 金線拉力小因素解析確認(rèn)

外部沖擊會(huì)導(dǎo)致傳感器綁定金線斷裂,金線自身強(qiáng)度也是影響其斷裂的因素之一,而金線拉力是衡量金線質(zhì)量的重要指標(biāo),綁定工藝如圖9所示。

在相同金線線徑條件下,金線焊接過(guò)程與金線拉力相關(guān)聯(lián)因素有:線一焊點(diǎn)參數(shù)、線二焊點(diǎn)參數(shù)、劈刀壽命、弧高。其中,線一焊點(diǎn)為金線與芯片引腳間焊接點(diǎn),線二焊點(diǎn)為金線與PCBA引腳間焊接點(diǎn),劈刀為金線焊接工裝,弧高為金線焊接完成后拱起高度。

對(duì)每種因素不同條件各測(cè)試20組金線拉力,取拉力平均值,對(duì)比同一因素下不同取值的金線拉力均值,如圖10所示。

由實(shí)驗(yàn)可知,不同弧高會(huì)對(duì)金線拉力產(chǎn)生明顯影響,金線弧高由104μm提高到293μm時(shí),拉力平均值由6.58g提升到8.85g,通過(guò)提高金線弧高可以實(shí)現(xiàn)金線拉力的提升,如表1所示:

根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,供應(yīng)商對(duì)金線弧高進(jìn)行優(yōu)化,改善前金線弧高為200μm,金線拉力過(guò)程能力Cpk=1.447;改善后金線弧高為240μm,金線拉力過(guò)程能力Cpk=2.293,如圖11所示:

5? ? 結(jié)語(yǔ)

通過(guò)高清CT和SEM確認(rèn)了故障的根本原因是綁定金線斷裂,可作為同類(lèi)PCBA封裝件失效原因分析的參考。

對(duì)線徑只有0.8mil的金線斷面分析中,采用對(duì)比分析方法,先通過(guò)模擬件明確疲勞斷裂和沖擊斷裂呈現(xiàn)出的不同斷面形貌,然后對(duì)失效件金線斷面進(jìn)行SEM掃描,最后和模擬件比對(duì)確認(rèn)斷裂類(lèi)型。其分析方法和SEM形貌特征可作為其它類(lèi)似項(xiàng)目上的參考。

本文還從金線自身強(qiáng)度提升著手,指出綁定過(guò)程中弧高與金線拉力的正向關(guān)系。有助于綁定過(guò)程改善。

參考文獻(xiàn):

[1]石磊,朱建新.半導(dǎo)體器件物理與工藝[M].機(jī)械工業(yè)出版社,2019.

[2]陳浩,江子涵.CT系統(tǒng)參數(shù)標(biāo)定及成像研究[J].黑龍江科技信息,2021,006.

[3]孟慶新,李蓉.某車(chē)型發(fā)動(dòng)機(jī)電子水泵卡簧失效原因分析[J].測(cè)試試驗(yàn),2019,10.(119-121).

[4]閆桂玲,王弘,高慶.超聲疲勞試驗(yàn)方法及其應(yīng)用[J].力學(xué)與實(shí)踐,2004,26.

[5]劉柯軍,邵亮.汽車(chē)零件失效分析[M].機(jī)械工業(yè)出版社,2022.

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