郭洪民 岳曉凱 何建紅

摘要： 量子點接觸是一種具有豐富物理內涵的準一維受限量子體系，是研究電子量子輸運的理想體系. 量子點接觸產生的散粒噪聲已經成為介觀物理越來越感興趣的一個熱點. 本文在傳統(tǒng)的GaAs/AlGaAs 材料中設計了量子點接觸器件，分別測量了它處于零磁場與高磁場下的散粒噪聲，分析了處于20 mK 的極低溫下器件的散粒噪聲隨源漏偏壓、柵電壓以及磁場等參數(shù)的變化規(guī)律. 我們得到了Fano 因子隨柵電壓的變化規(guī)律，并與器件的電導平臺作對比，分析了前兩個霍爾通道從關閉到打開的過程中電子的散射行為. 本文的研究會加深我們對量子點接觸結構中電子量子輸運性質的理解.

關鍵詞： 量子點接觸； 電子量子輸運； 散粒噪聲； Fano 因子

中圖分類號： O469 文獻標志碼： A DOI： 10. 19907/j. 0490-6756. 2024. 034001