張成熟、未成熟、單顆、多顆、被遮擋的草莓圖像，采用兩階段檢測(cè)Mask R-CNN實(shí)例分割網(wǎng)絡(luò)和一階段檢測(cè)YOLOv3目標(biāo)檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練草莓識(shí)別模型，識(shí)別模型將草莓分為成熟和未成熟兩類(lèi)。YOLOv3和Mask R-CNN的準(zhǔn)確率分別為93.4%和94.5%。其次，使用ZED 3D相機(jī)、三角定位原理和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)草莓進(jìn)行三維定位。YOLOv3的識(shí)別精度為3.1mm，而Mask R-CNN為3.9mm。該研究提出的草莓檢測(cè)定位方法可以有效地為采摘機(jī)器人精確定位成熟草

困難。因此，采用單顆磨粒切削的方法研究單顆CBN磨粒切削時(shí)的磨損特性，為微小孔鉸珩工具修整工藝的優(yōu)選提供理論基礎(chǔ)[3]。程強(qiáng)等[4]從磨削力比、磨痕截面積以及材料堆積率等方面分析了高速磨削過(guò)程中的PCBN磨粒磨損情況，研究表明磨粒磨損對(duì)磨削力比和材料堆積率有重要影響，磨削深度增大會(huì)加劇磨粒磨損。余劍武等[5]對(duì)CBN磨粒的磨損試驗(yàn)研究亦表明磨削深度對(duì)磨粒破碎形式有顯著影響。LI等[6]研究了不同切削厚度和速度下的單顆CBN磨粒磨損演變過(guò)程，采用聲發(fā)射測(cè)試手

單顆種植牙不超過(guò)4500元 國(guó)家醫(yī)保局9月8日公布《關(guān)于開(kāi)展口腔種植醫(yī)療服務(wù)收費(fèi)和耗材價(jià)格專(zhuān)項(xiàng)治理的通知》，明確三級(jí)公立醫(yī)院單顆常規(guī)種植牙醫(yī)療服務(wù)部分的總價(jià)原則上不超過(guò)4500元，包含門(mén)診診查、生化檢驗(yàn)和影像檢查、種植體植入、牙冠置入等醫(yī)療服務(wù)價(jià)格的總和，不含種植體和牙冠。中國(guó)科學(xué)家首次在月球上發(fā)現(xiàn)新礦物 9月9日，國(guó)家原子能機(jī)構(gòu)副主任董保同在發(fā)布活動(dòng)上宣布，中國(guó)科學(xué)家首次在月球上發(fā)現(xiàn)新礦物，被命名為“嫦娥石”?！版隙鹗笔且环N磷酸鹽礦物，呈柱狀晶體，存在

，切削形成磨屑。單顆磨粒最大未變形切屑厚度（即單顆磨粒切厚）對(duì)分析磨削過(guò)程中的磨削力、磨削溫度、表面粗糙度和砂輪磨損的變化規(guī)律具有重要作用[1-4]。由于每顆磨粒的切削情況均不相同，因此單顆磨粒切厚的大小具有隨機(jī)性[5]。對(duì)于工作面磨粒分布情況相對(duì)可控的特制釬焊CBN 砂輪，其單顆磨粒切厚分布特征可以在一定程度上預(yù)測(cè)磨削加工的工件表面形貌[6]。丁晨等[7]考慮了磨粒高度的非正態(tài)性，利用Johnson 變換及其反變換重構(gòu)了單層釬焊CBN 砂輪的工作面形貌，

理十分復(fù)雜，微觀單顆磨粒作用下的磨削過(guò)程分析是研究磨削機(jī)理的重要基礎(chǔ)方法[3-4]。目前，針對(duì)鈦合金加工工藝特點(diǎn)，部分學(xué)者結(jié)合單顆磨粒磨削仿真展開(kāi)研究，王艷等[5]基于光滑流體粒子動(dòng)力學(xué)展開(kāi)單顆CBN磨粒磨削過(guò)程模擬仿真，掌握磨削切深對(duì)磨削力比等參數(shù)的影響規(guī)律；盧繼等[6]采用DEFORM軟件仿真研究單顆CBN磨粒磨削，磨削深度與磨削速度對(duì)工件磨削溫度及磨粒磨損的影響；馬志飛等[7]分析單顆磨粒高速磨削加工中的磨粒負(fù)前角對(duì)磨屑的影響作用，但對(duì)鈦合金的微觀三

削理論，即當(dāng)最大單顆磨粒切厚小于脆-塑轉(zhuǎn)變臨界切厚時(shí)，陶瓷材料將主要發(fā)生彈塑性變形，進(jìn)而在磨削加工中實(shí)現(xiàn)塑性去除。同時(shí)，BIFANO等[13]采用顯微壓痕法在靜態(tài)緩慢加載條件下建立了適用于先進(jìn)陶瓷普通磨削時(shí)的脆-塑轉(zhuǎn)變臨界切厚模型。但在超聲輔助磨削過(guò)程中，工具、工件間的接觸狀態(tài)與相對(duì)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)均發(fā)生了顯著變化，磨粒與工件間存在高頻變化的強(qiáng)沖擊作用，相應(yīng)地材料去除機(jī)理也必將受到影響。對(duì)此，一些學(xué)者開(kāi)展了相關(guān)的研究。梁志強(qiáng)等[14]基于光滑質(zhì)點(diǎn)流體動(dòng)力學(xué)法對(duì)不同

測(cè)最好方法之一.單顆金剛石磨粒劃擦陶瓷試驗(yàn)是研究陶瓷磨削機(jī)理的主要方法，由于單顆磨粒的劃擦材料深度淺，材料去除體積和磨削力都很小，導(dǎo)致利用磨削力來(lái)監(jiān)測(cè)磨削過(guò)程較為困難，所以靈敏度高的AE 技術(shù)是在線(xiàn)監(jiān)測(cè)單顆磨粒磨削機(jī)理的最主要方法.研究人員對(duì)單顆磨粒劃擦材料的AE 監(jiān)測(cè)做出分析，文獻(xiàn)[1]通過(guò)單顆金剛石磨粒聲發(fā)射信號(hào)劃痕表面的劃痕形貌模型，計(jì)算出的劃痕粗糙度與顯微鏡測(cè)量出的粗糙度值很接近.文獻(xiàn)[2]報(bào)道了金剛石磨粒的磨損隨工件材料去除體積的增加呈階段性變化

切向超聲輔助磨削單顆磨粒未變形切削厚度模型的建立切向超聲輔助磨削運(yùn)動(dòng)模型如圖1所示，將坐標(biāo)系原點(diǎn)假定在砂輪圓心，建立空間直角坐標(biāo)系。根據(jù)圖1，在切向超聲輔助磨削過(guò)程中，砂輪以線(xiàn)速度vs繞主軸旋轉(zhuǎn)，工件以進(jìn)給速度vw做水平運(yùn)動(dòng)，同時(shí)工件沿砂輪切向以振幅A、頻率f超聲振動(dòng)。假設(shè)切向超聲輔助磨削過(guò)程中，磨粒為剛性正四面體，沿砂輪圓周均勻分布；工件超聲振動(dòng)頻率及振幅保持不變?；谏拜喤c工件的運(yùn)動(dòng)特點(diǎn)，建立單顆磨粒切削模型，如圖2所示。假定砂輪上某一磨粒在P點(diǎn)處與工

行數(shù)值模擬，且在單顆磨粒切削機(jī)理和切削力的研究中已得到廣泛應(yīng)用[4-5]。因此，本文采用SPH法建立單顆磨粒切削仿真模型，并進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證，以研究CBN磨粒微切削高硬度工件YG8時(shí)的磨損特性，為鉸珩工具的修整研究奠定基礎(chǔ)。1 仿真模型建立在建模仿真時(shí)，若是將被加工內(nèi)孔沿某一母線(xiàn)展開(kāi)，則能夠?qū)⒛チ５男D(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)化為直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)。通常情況下，使用SPH法建模時(shí)都將工件設(shè)置成SPH粒子，采用有限元網(wǎng)格對(duì)鉸珩工具進(jìn)行建模；本文反其道而行之，鉸珩工具由SPH粒子進(jìn)行填充，而

確分析比較困難。單顆磨粒磨削是對(duì)復(fù)雜磨削過(guò)程進(jìn)行的簡(jiǎn)化，是了解磨削加工機(jī)理的一種行之有效的方法[9-11]。同時(shí)，高速、超高速磨削時(shí)的材料去除是在極短時(shí)間內(nèi)發(fā)生的，磨削過(guò)程中磨削區(qū)域內(nèi)的材料流動(dòng)應(yīng)力、塑性應(yīng)變和溫度等許多參數(shù)難以通過(guò)儀器實(shí)時(shí)且準(zhǔn)確地觀測(cè)；此外，許多試驗(yàn)研究都在150 m/s左右甚至以下速度進(jìn)行，無(wú)法準(zhǔn)確反映更高速度下高溫合金的磨削加工情況，因而對(duì)超高速條件下的磨削研究較少。借助有限元仿真方法，可以有效模擬和再現(xiàn)高速磨削過(guò)程，反映單顆磨粒磨削

，集成磨削區(qū)域的單顆磨粒切削結(jié)果就可以解釋磨削過(guò)程中的各種物理現(xiàn)象［2］，而材料的去除機(jī)理、磨削力、磨削熱等物理特性對(duì)提高加工精度與效率十分重要，因此國(guó)內(nèi)外學(xué)者從單顆磨粒角度開(kāi)展了相關(guān)的研究。實(shí)驗(yàn)和仿真是研究單顆磨粒磨削特性的重要手段，國(guó)內(nèi)外學(xué)者設(shè)置不同的工藝條件來(lái)研究單顆磨粒的磨削性能及剖析磨削過(guò)程的磨削力、磨削熱。其中，實(shí)驗(yàn)是通過(guò)單顆磨粒磨削加工獲得磨削力、磨削熱的變化情況，仿真則是用單顆磨粒模型對(duì)磨削加工過(guò)程進(jìn)行模擬的過(guò)程，研究者通過(guò)仿真、實(shí)驗(yàn)來(lái)預(yù)測(cè)

O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。另外，此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512 GB TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。據(jù)介紹，QLC是繼TLC后3D NAND新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點(diǎn)，適合于讀取密集型應(yīng)用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過(guò)3665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33T

路1.1 洗墻燈單顆LED光學(xué)器件設(shè)計(jì)要求洗墻燈內(nèi)部是由若干單顆LED光學(xué)器件組成，要求每個(gè)LED光學(xué)器件的配光平面照射效果符合條形光斑，光通量均勻疊加。以滿(mǎn)足被照區(qū)域(側(cè)洗墻面)由燈體發(fā)光面到遠(yuǎn)處均勻過(guò)渡，燈具整體尺寸需要限制在寬×高=48 mm×41 mm以?xún)?nèi)。具體單顆LED光學(xué)器件設(shè)計(jì)要求如下：1)LED光源：CREE-3535 XTE-HE-WW；2)光通利用率：大于80%；3)實(shí)測(cè)光效：大于85 lm/W；4)光束角(50%Imax)： [C0/

工藝的關(guān)鍵.研究單顆磨粒劃擦機(jī)理是研究磨削砂輪磨削機(jī)理的基礎(chǔ)，監(jiān)測(cè)單顆磨粒劃擦磨削機(jī)理的主要方法是應(yīng)用聲發(fā)射技術(shù)，因此，單顆磨粒劃擦的聲發(fā)射監(jiān)測(cè)在磨削監(jiān)測(cè)過(guò)程研究中有著重要的作用.目前國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)單顆磨粒劃擦的聲發(fā)射監(jiān)測(cè)進(jìn)行了一些研究.文獻(xiàn)[1]中通過(guò)立方氮化硼（CBN）磨粒劃擦En24T材料，發(fā)現(xiàn)多切削刃磨粒劃擦的AE信號(hào)比單切削刃的AE信號(hào)強(qiáng)；單顆磨粒劃擦中耕犁作用產(chǎn)生的AE信號(hào)較切削和劃擦作用產(chǎn)生的AE信號(hào)更強(qiáng)；單刃磨粒劃擦AE信號(hào)功率譜頻率在小于1

OSRAM燈珠，單顆燈珠功率為60w，單顆單色都能1夠獨(dú)立控制。光學(xué)系統(tǒng)上，采用玻璃導(dǎo)光俸+PMMA高品質(zhì)二次透鏡方式組成。大功率的LED光源，使得FINE6012PIXIE光束輸出飛躍提升，特別從BEAM到WASH的過(guò)渡，隨意自如，讓燈光師有充分的發(fā)揮空間。前透鏡可以旋轉(zhuǎn)，能產(chǎn)生像花瓣一樣打開(kāi)和關(guān)閉的超強(qiáng)光束。RGBW混色系統(tǒng)和前透鏡旋轉(zhuǎn)同時(shí)啟動(dòng)時(shí)，能產(chǎn)生炫麗效果。FINE 6012PIXIE小巧輕便、發(fā)光效率高、使用方便、節(jié)能環(huán)保，是可實(shí)現(xiàn)透鏡無(wú)極旋轉(zhuǎn)

摘要]目的：探討單顆上頜前牙美學(xué)區(qū)即刻種植患者的牙齦美學(xué)恢復(fù)情況。方法：選取2015年2月-2016年11月筆者醫(yī)院收治的單顆上頜前牙美學(xué)區(qū)牙列缺失患者100例，隨機(jī)分為兩組。研究組：60例，即微創(chuàng)拔牙后即刻植入種植體（60顆），當(dāng)天完成固定修復(fù)，6個(gè)月內(nèi)完成最終修復(fù)；對(duì)照組：40例，即行延期種植修復(fù)（40顆），隨訪(fǎng)并比較兩組修復(fù)后6個(gè)月、12個(gè)月X片骨吸收值，應(yīng)用紅色美學(xué)評(píng)分（PES）評(píng)估軟組織美學(xué)恢復(fù)情況，記錄兩組種植成功率、骨性結(jié)合率、主觀滿(mǎn)意度評(píng)分

削過(guò)程較為復(fù)雜。單顆磨粒磨削過(guò)程不受其他磨粒及磨屑的影響，因此研究單顆磨粒磨削是認(rèn)識(shí)復(fù)雜磨削的重要手段。從單顆磨粒磨削角度進(jìn)行研究,能夠有效解釋磨削過(guò)程中的各種物理現(xiàn)象[2-3]。早期的一些學(xué)者們采用單顆磨粒磨削的方法進(jìn)行了脆性材料加工機(jī)理的研究，得出：磨粒以微量切深去除脆性材料時(shí)，脆性材料產(chǎn)生塑性變形[4-5]；但是關(guān)于單顆磨粒磨削金屬材料的研究相對(duì)較少。AISI 1045碳素結(jié)構(gòu)鋼的冷熱加工性能優(yōu)異，機(jī)械性能好[6]。早期關(guān)于AISI 1045鋼磨削力

仿真方法等應(yīng)用于單顆磨粒磨削材料的去除機(jī)理、成屑機(jī)理、工件表面質(zhì)量以及磨粒磨損等仿真中的研究現(xiàn)狀，最后闡述了各類(lèi)仿真方法的局限性，并提出了單顆磨粒磨削仿真進(jìn)一步的發(fā)展前景。0 引言隨著新磨料磨具的出現(xiàn)，磨削加工精度與效率得到提高，在工業(yè)、國(guó)防軍工、航天航空等精密加工領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。磨削加工機(jī)理較為復(fù)雜，影響因素眾多，工件材料特性、砂輪表面形貌、磨粒分布、磨削工藝參數(shù)等因素耦合作用決定磨削加工過(guò)程，磨削加工表面形貌是多顆磨粒的切削軌跡累積獲得[1]。磨削

剛石稀少的區(qū)域，單顆金剛石承受的工作負(fù)荷過(guò)大，易于破碎和脫落，也不能有效利用金剛石，降低磨削效率［1－4］。因此，關(guān)于金剛石磨粒有序排布對(duì)磨削性能的提高作用一直是國(guó)內(nèi)外的研究熱點(diǎn)［5，6］。王軍等將仿生學(xué)葉序理論與磨削機(jī)理結(jié)合，利用光刻技術(shù)和復(fù)合電鍍技術(shù)制備出磨粒呈葉序狀排布的砂輪，并用實(shí)驗(yàn)證明了有序排布砂輪的磨削性能優(yōu)于普通砂輪［7］；Sung等將有序排布技術(shù)結(jié)合釬焊法應(yīng)用于鋸片的制備，發(fā)現(xiàn)有序排布鋸片能明顯提高磨粒使用率和工具壽命［8］；Koshy等學(xué)

種植與延期種植在單顆前牙修復(fù)的臨床效果比較曹高學(xué)，郝海燕，初 兵（山東省博興縣人民醫(yī)院口腔科，山東 濱州 256500）目的 比較即刻種植與延期種植在單顆前牙修復(fù)的臨床效果。方法 選擇2015年2月～2017年2月于我院就診的需行單顆前牙修復(fù)的患者，共58例，按照入院編號(hào)隨機(jī)分為兩組，每組29例。對(duì)照組進(jìn)行延期種植，觀察組即刻種植，比較兩組患者的手術(shù)成功率和種植體治療前后周?chē)步M織影像學(xué)的變化情況。結(jié)果 兩組患者的手術(shù)均成功，無(wú)一例失敗，且治療前后種植體周

化為球形磨粒，從單顆微磨削力模型入手，結(jié)合動(dòng)態(tài)磨刃分布模型建立了多顆磨粒微磨削力學(xué)模型；結(jié)合FME和SPH的方法建立磨粒隨機(jī)分布的多顆磨粒微磨削力模型；利用所建立的力學(xué)預(yù)測(cè)模型和仿真模型，對(duì)不同進(jìn)給速度和磨削深度時(shí)所對(duì)應(yīng)的微磨削力進(jìn)行研究，并將模擬結(jié)果與試驗(yàn)進(jìn)行對(duì)比。結(jié)果表明：所建仿真模型可實(shí)現(xiàn)多顆磨粒立式微磨削的過(guò)程，且結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果吻合較好，為后續(xù)研究多顆磨粒微磨削仿真奠定了基礎(chǔ)。多顆磨粒；微磨削；FME；SPH隨著現(xiàn)代尖端科技朝著微型化、精密化發(fā)展，

21)試驗(yàn)研究了單顆金剛石磨粒以不同切深劃擦無(wú)氧銅的聲發(fā)射信號(hào)特征，對(duì)不同切深下的聲發(fā)射信號(hào)進(jìn)行平穩(wěn)化，確定合適的時(shí)間序列模型階次和模型識(shí)別，建立了金剛石劃擦無(wú)氧銅的聲發(fā)射時(shí)間序列自回歸(Auto Regressive，AR)模型。研究表明：隨著切深的增加，聲發(fā)射特征參數(shù)和最大振幅隨之增大，AR模型的各特征向量與切深之間具有較好的線(xiàn)性關(guān)系，合理的AR模型可較好地表征單顆金剛石磨粒劃擦無(wú)氧銅的聲發(fā)射信號(hào)特征，并可以實(shí)時(shí)分析金剛石磨粒的劃擦深度。單顆金剛石磨粒

京100072)單顆剛玉磨粒切削齒輪鋼溫度場(chǎng)仿真研究*楊理鈞，劉謙，田欣利，王龍，吳志遠(yuǎn) (裝甲兵工程學(xué)院裝備維修與再制造技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，北京100072)針對(duì)單顆磨粒試驗(yàn)法對(duì)于磨削溫度的研究存在局限性，建立了單顆剛玉磨粒切削齒輪鋼的ABAQUS仿真模型和磨粒-工件的熱傳導(dǎo)模型，利用數(shù)值模擬技術(shù)研究了單顆磨粒切削過(guò)程的溫度場(chǎng)，分析了不同的磨粒特性和工藝參數(shù)下工件的最高溫度的變化;仿真結(jié)果可知，切削過(guò)程工件的最高溫度出現(xiàn)在第二溫度區(qū)磨粒前刃與工件接觸

PAR燈，采用單顆150 W RGBW四合一COB光源，混色出光更加均一純正，額定壽命50 000小時(shí)；具有22°～55°線(xiàn)性變焦功能，無(wú)論是小范圍染色，還是局部鋪光，都有絕佳表現(xiàn)。PR-8203的外殼采用高強(qiáng)度壓鑄鋁合金，防護(hù)等級(jí)高達(dá)IP67，燈具不會(huì)因長(zhǎng)時(shí)間浸水而造成損壞。它可以選配DMX512無(wú)線(xiàn)接收裝置，接收無(wú)線(xiàn)DMX512發(fā)射器的信號(hào)，可以免除敷設(shè)信號(hào)線(xiàn)的煩惱。此外，PR-8203還具備0～100%線(xiàn)性調(diào)光，0.5次/秒～33次/秒電子頻閃。

下鋸切比能都隨著單顆磨粒最大鋸切厚度的增大而降低，但普通鋸切方式下鋸切比能呈冪指數(shù)遞減趨勢(shì)，而在超聲振動(dòng)的作用下比能變化趨勢(shì)轉(zhuǎn)變?yōu)榱己玫木€(xiàn)性遞減；并且單晶硅材料的去除方式由普通鋸切中塑性去除為主導(dǎo)轉(zhuǎn)變?yōu)榇嘈詳嗔讶コ?，其破碎方式屬于微破碎，趨于粉末狀破碎，由此在不?huì)對(duì)工件表面產(chǎn)生嚴(yán)重?fù)p傷的同時(shí)使材料去除所消耗的能量得到了有效降低.同時(shí)，超聲振動(dòng)使得鋸片上的磨粒對(duì)單晶硅表面的高速?zèng)_擊作用，使單晶硅產(chǎn)生大量微裂紋，對(duì)單晶硅的微小剝離起到很大作用.因此，超聲振動(dòng)在

升級(jí)的芯片技術(shù)，單顆芯片最高可恒流驅(qū)動(dòng)至2.5 A，主要開(kāi)發(fā)用于舞臺(tái)聚光燈。它所采用的最新薄膜芯片技術(shù)和UX：3技術(shù)，是提升亮度的關(guān)鍵。1 mm2芯片能在最高2.5 A電流下運(yùn)行，且輸出達(dá)到30 W，是現(xiàn)有版本的兩倍。目前，Osram Osmr Stage各種版本的輸出范圍涵蓋15W至60W。新款Osram Ostar Stage賦予舞臺(tái)聚光燈產(chǎn)品組合更高的靈活性，使用相同數(shù)量的LED能打造光輸出更強(qiáng)大的聚光燈，或者采用更少數(shù)量的LED即可實(shí)現(xiàn)相同的亮度。

備技術(shù)，研究采用單顆承載力來(lái)表征人造輕骨料的力學(xué)性能，研究了石灰摻量、水泥摻量、不同養(yǎng)護(hù)方式下成熟度模數(shù)對(duì)免燒輕骨料性能的影響，同時(shí)研究了核殼結(jié)構(gòu)免燒輕骨料的耐高溫性能。結(jié)果表明，單顆承載力與筒壓強(qiáng)度具有良好的相關(guān)性，石灰摻量對(duì)粉煤灰摻量為50%的輕骨料力學(xué)性能影響較小，水泥摻量對(duì)輕骨料力學(xué)性能影響較大。成熟度模數(shù)對(duì)早期力學(xué)性能影響較大，隨著成熟度模數(shù)的增加，7 d承載力幾乎成線(xiàn)性增加，但對(duì)28 d力學(xué)性能影響不大。所制備的核殼免燒型骨料，承載力與燒結(jié)陶粒

升級(jí)的芯片技術(shù)，單顆芯片最高可恒流驅(qū)動(dòng)至2.5 A，主要開(kāi)發(fā)用于舞臺(tái)聚光燈。它所采用的最新薄膜芯片技術(shù)和UX：3技術(shù)，是提升亮度的關(guān)鍵。1 mm2芯片能在最高2.5 A電流下運(yùn)行，且輸出達(dá)到30 W，是現(xiàn)有版本的兩倍。目前，Osram Ostar Stage各種版本的輸出范圍涵蓋15 W至60 W。新款Osram Ostar Stage賦予舞臺(tái)聚光燈產(chǎn)品組合更高的靈活性，使用相同數(shù)量的LED能打造光輸出更強(qiáng)大的聚光燈，或者采用更少數(shù)量的LED即可實(shí)現(xiàn)相同的

深紫外發(fā)光芯片，單顆芯片最大光輸出功率創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄。青島杰生電氣有限公司研發(fā)的280納米大功率深紫外發(fā)光芯片，常溫常壓和1000毫安電流連續(xù)通電條件下，其單顆芯片獲得了穩(wěn)定的176.6mW輸出功率，而電壓只有5.8v。這些優(yōu)異的電學(xué)特性使得該大功率芯片能夠直流通電到1A，才接近輸出功率飽和。該項(xiàng)單顆芯片最高輸出功率紀(jì)錄已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了最近美國(guó)SETI公司報(bào)道的100mW、日本信息通信研究機(jī)構(gòu)與德山的90mW紀(jì)錄。LED領(lǐng)域的下一個(gè)藍(lán)海市場(chǎng)，主要應(yīng)用于殺菌

率深紫外發(fā)光芯片單顆芯片最大光輸出功率創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄。在常溫常壓、1000mA電流連續(xù)通電條件下，該芯片單顆芯片獲得了穩(wěn)定的176.6mW輸出功率，而電壓僅為5.8V。這些優(yōu)異的電學(xué)特性使得該芯片能夠直流通電到1A，才接近輸出功率飽和。該項(xiàng)單顆芯片最高輸出功率紀(jì)錄已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了美國(guó)SETI公司報(bào)道的100mW、日本信息通信研究機(jī)構(gòu)與德山株式會(huì)社的90mW紀(jì)錄。(王建高)

5)拋光過(guò)程游離單顆磨粒與光學(xué)元件間滾動(dòng)摩擦接觸分析陳為平1， 高誠(chéng)輝1,2， 任志英1,2， 林春生3(1. 福州大學(xué)機(jī)械工程及自動(dòng)化學(xué)院，福建 福州 350108；2. 福州大學(xué)摩擦學(xué)研究所，福建 福州 350002；3. 福建福光數(shù)碼科技有限公司，福建 福州 350015)針對(duì)游離單顆磨粒與光學(xué)元件滾動(dòng)接觸過(guò)程中摩擦、磨損機(jī)理分析的不足及如何有效控制滾動(dòng)單顆磨粒對(duì)光學(xué)元件亞表面損傷的影響等問(wèn)題，基于滾動(dòng)接觸理論，提出了一種具有分形特征表面的單顆磨粒與

-3D軟件開(kāi)展了單顆立方氮化硼（CBN）磨粒磨削TC4鈦合金的仿真，對(duì)不同磨削速度和磨削深度下的工件磨削溫度、磨粒的磨損量進(jìn)行了分析。通過(guò)仿真發(fā)現(xiàn)隨著磨粒切過(guò)工件的過(guò)程，工件的磨削溫度呈現(xiàn)出先快速增大達(dá)到最大值后緩慢下降的變化趨勢(shì)，而磨粒磨損量表現(xiàn)出先迅速增大然后緩慢增加的變化規(guī)律。單顆磨粒；立方氮化硼；DEFEOM-3D；磨削溫度；磨損量0　引言鈦合金具有比強(qiáng)度高，熱穩(wěn)定性好，高溫強(qiáng)度高，耐腐蝕等許多優(yōu)點(diǎn)，在航空航天、國(guó)防軍工裝備等領(lǐng)域得到了廣泛的運(yùn)用［

ABAQUS模擬單顆磨粒微細(xì)磨削高彈性合金鋼，分析磨削工藝參數(shù)對(duì)磨削力、熱的影響規(guī)律，并用專(zhuān)業(yè)金屬切削軟件Advantedge對(duì)殘余應(yīng)力進(jìn)行仿真，研究工藝參數(shù)對(duì)殘余應(yīng)力的影響規(guī)律，為進(jìn)一步提高細(xì)頸的磨削質(zhì)量及撓性接頭角剛度的穩(wěn)定性奠定基礎(chǔ).研究結(jié)果表明，提高砂輪線(xiàn)速度，可以大大減小磨削過(guò)程對(duì)工件表面的熱作用寬度和深度，有利于減小熱損傷和提高表面質(zhì)量.撓性接頭； 微細(xì)磨削； 仿真； 殘余應(yīng)力由于慣性導(dǎo)航技術(shù)的保密與封鎖性，現(xiàn)有文獻(xiàn)都局限于對(duì)撓性接頭細(xì)頸工藝方

。在實(shí)際應(yīng)用中，單顆LED難以滿(mǎn)足照明要求［8］，需采用多顆LED陣列組合形式，陣列方式將影響亮度的均勻性和光能利用率。這就需要進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，計(jì)算相應(yīng)的LED陣列方式［9］，設(shè)計(jì)出均勻性好的LED照明光源。目前，國(guó)內(nèi)外采用了很多不同的方法來(lái)達(dá)到均勻照明，但這些設(shè)計(jì)各有利弊。比如采用復(fù)眼透鏡或梯形筒來(lái)達(dá)到均勻照明的設(shè)計(jì)［10］，這兩種光學(xué)系統(tǒng)具有一定的復(fù)雜性，故適用性受到限制。另外，在其他一些設(shè)計(jì)中采用自由曲面透鏡來(lái)實(shí)現(xiàn)均勻照明，由于自由曲面透鏡的設(shè)計(jì)一般需

同步MLC閃存，單顆容量16GB，雙面16顆組成256GB的規(guī)格。同時(shí)，它還配有一顆三星DDR3高速緩存，單顆容量為256MB，其閃存和緩存的容量比值為1GB：1MB配置。創(chuàng)見(jiàn)370 256GB是一款具備高品質(zhì)，且較好地平衡了性能和價(jià)格的主流級(jí)別產(chǎn)品。它在做工和用料等方面繼承了創(chuàng)見(jiàn)內(nèi)存的優(yōu)良品質(zhì)。而在性能上，對(duì)比創(chuàng)見(jiàn)340系列，創(chuàng)見(jiàn)370無(wú)論在讀寫(xiě)速度上，隨機(jī)讀寫(xiě)IOPS值上均有較大幅度的提高。

MLC閃存芯片，單顆芯片容量為16GB。緩存方面，Vertex 460 240GB的PCB板正、反兩面各有一顆容量256MB DDR3高速緩存芯片，總計(jì)512MB容量為整個(gè)SSD的讀寫(xiě)提供高速的數(shù)據(jù)緩沖。Vertex 460 240GB定位入門(mén)級(jí)產(chǎn)品，從這款SSD的拆解、性能對(duì)比分析來(lái)看，除了主控頻率略微降低，其閃存、緩存、電氣元件和Vector150 SSD保持一致。尤其是Vertex 460 240G的實(shí)測(cè)性能更是直追Vector 150 240GB，

，266071)單顆種植牙切口選擇與臨床應(yīng)用研究馬才順 徐輝(濟(jì)南軍區(qū)青島第二療養(yǎng)院，266071)目的 研究單顆種植牙切口選擇與臨床應(yīng)用研究結(jié)果比較。方法 對(duì)于臨床上失牙區(qū)采用單顆種植牙修復(fù)時(shí)，選擇傳統(tǒng)切開(kāi)切口與選擇環(huán)鉆切口進(jìn)行種植手術(shù)。結(jié)果 兩種手術(shù)切口相比較，無(wú)論在患者恐懼感、出血量多少及手術(shù)時(shí)間長(zhǎng)短均有明顯差別。結(jié)論 正確選擇單顆種植牙手術(shù)切口意義重大。單顆種植牙；切口選擇；臨床研究隨著種植牙技術(shù)在臨床上廣泛應(yīng)用，我們發(fā)現(xiàn)進(jìn)行單顆種植牙的患者占了相

具有重要意義。因單顆磨粒在磨削過(guò)程中的磨削痕跡不受其他磨粒影響，從而成為研究磨削機(jī)理的有效手段［1］。國(guó)內(nèi)外已有學(xué)者對(duì)單顆磨粒磨削試驗(yàn)中磨削力、磨屑形態(tài)及磨粒磨損等方面進(jìn)行了相關(guān)研究。Desa［2］等將磨粒想象為簡(jiǎn)單的幾何形狀，用形狀規(guī)則的磨料做滑擦和磨削試驗(yàn)來(lái)研究磨削力和磨屑的形成。而實(shí)際磨粒形狀往往是不規(guī)則的，繼而又有學(xué)者采用實(shí)際磨削所用的剛玉和CBN（立方氮化硼）磨粒來(lái)完成單顆磨粒磨削試驗(yàn)，以此來(lái)研究磨削機(jī)理。結(jié)果表明，磨粒前角對(duì)法向磨削力的影響比對(duì)

了超聲振動(dòng)磨削對(duì)單顆磨粒運(yùn)動(dòng)軌跡的影響規(guī)律，界定不同超聲激勵(lì)條件下，單顆磨粒斷續(xù)切削的存在條件;對(duì)工程陶瓷普通磨削、一維、二維超聲振動(dòng)進(jìn)行磨削試驗(yàn)，得到試件加工表面的SEM照片，根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果討論了普通磨削和超聲磨削試件表面質(zhì)量差異的原因。1 運(yùn)動(dòng)軌跡1.1 軌跡方程磨削加工過(guò)程是一個(gè)非常復(fù)雜的材料去除過(guò)程。根據(jù)磨削運(yùn)動(dòng)學(xué)理論，單顆磨粒的運(yùn)動(dòng)主要由工作臺(tái)的直線(xiàn)往復(fù)運(yùn)動(dòng)、砂輪旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)以及超聲振動(dòng)組成。運(yùn)動(dòng)情況如圖1所示，運(yùn)動(dòng)參數(shù)與試驗(yàn)工藝參數(shù)相同，如表1。為了

通磨削實(shí)驗(yàn)而言,單顆磨粒磨削可以在相似的磨削過(guò)程中不受其他磨粒及切屑的影響,因此,利用單顆磨粒磨削來(lái)認(rèn)識(shí)復(fù)雜的磨削過(guò)程是一種很重要的手段。事實(shí)上,單顆磨粒磨削方法在金屬材料的磨削機(jī)理研究中已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,并取得了許多有意義的結(jié)果[3-4]。一些學(xué)者們利用單顆磨粒磨削的方法進(jìn)行了脆性材料加工機(jī)理的研究,但他們的研究重點(diǎn)大多集中于磨粒以微量切深去除脆性材料時(shí),脆性材料產(chǎn)生的塑性變形及其相關(guān)機(jī)理[5-7]。對(duì)于磨粒以脆性方式去除脆性材料的研究,則并不多見(jiàn)[

小可以計(jì)算如下：單顆磨粒最大切屑厚度hmax是研究加工過(guò)程中很重要的一個(gè)物理量(圖3),它直接影響到單顆磨粒的受力情況,磨削加工參數(shù)的影響可由hmax來(lái)反映,hmax可表達(dá)為[6]式中,C為平均單位面積內(nèi)實(shí)際參與切削的有效磨粒數(shù)(本實(shí)驗(yàn)中C為0.685);θ為磨粒頂錐角的一半,這里取θ=60°。圖3 單顆磨粒未變形切屑示意圖單顆磨粒實(shí)際承受的平均法向載荷P n和切向載荷Pt的大小可以表示為2.1 單顆磨粒磨削力模型及分析磨削中大部分的能量是消耗在砂輪與工件

C-40X顯存。單顆顯存的規(guī)格為32M×32-bit.單顆顯存的容量為128MB(32×32÷8).8顆顯存的總?cè)萘烤褪?024MB(1GB)。-40X表示每Pin的最大傳輸速率為4Gb／e(即理論上顯存可以工作在4000MHz下，而該卡的默認(rèn)頻率為3600MHz，表明顯存頻率還有一定的超頻空間)，那么單顆顯存的額定帶寬就是16GB／s(4×32÷8).8顆顯存的額定帶寬為128GB／s，而同檔次、使用1GB顯存(GDDR3)的顯卡的顯存帶寬一般只有64G