郭立強　丁建寧　何宇亮　袁寧一　祁宏山

摘要在當(dāng)前迅速發(fā)展的液晶顯示技術(shù)中，薄膜晶體管液晶顯示器以其大容量、高清晰度和高品質(zhì)全真彩色受到人們的廣泛青睞，薄膜晶體管液晶顯示器的顯示質(zhì)量和整體性能在很大程度上取決于薄膜晶體管性能，薄膜晶體管(TFT)是眾多場效應(yīng)晶體管(FET)中的一種，非晶硅用于制作薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù)的成熟，使非晶體薄膜晶體管液晶顯示器在薄膜晶體管液晶顯示器的市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位，而非晶硅薄膜晶體管由于其低遷移率、電導(dǎo)率等性能，嚴(yán)重制約了薄膜晶體管液晶顯示器的發(fā)展，尋找合適的替代品，追求高遷移率和高電導(dǎo)率一直是研究人員關(guān)注的焦點，在此基礎(chǔ)上，多晶硅、微晶硅相繼發(fā)展，雖然在一定程度上暫時解決了遷移率、電導(dǎo)率低的問題，但因多晶硅、微晶硅的價格昂貴、材料短缺，因而未能動搖非晶硅的主導(dǎo)地位，隨后的納米硅薄膜晶體管液晶顯示器依靠其本身具有高電導(dǎo)率、高遷移率的優(yōu)越性以及當(dāng)前納米技術(shù)的進展而成為一個引人注目的新亮點。