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單線陣CCD系統(tǒng)的表面凹坑缺陷檢測方法

2012-09-02 08:34韓芳芳段發(fā)階張寶峰段曉杰
哈爾濱工業(yè)大學學報 2012年4期
關鍵詞:凹坑光源灰度

韓芳芳,段發(fā)階,張寶峰,段曉杰

(1.天津大學精密測試技術與儀器重點實驗室,300072天津;2.天津理工大學自動化學院,300382天津)

基于線陣CCD系統(tǒng)的高速工業(yè)表面缺陷無損檢測作為計算機視覺技術的一項重要內容,取得了越來越重要的應用[1-3].表面缺陷可分為平面缺陷和非平面缺陷,平面缺陷信息是指待檢缺陷與被測物表面處于同一平面高度上,非平面缺陷信息是指待檢缺陷與被測物表面有一定高度差異,如凹坑、氣泡等缺陷[4-7].

單線陣CCD視覺檢測系統(tǒng)的優(yōu)點是結構簡單,易于實現(xiàn)高速、連續(xù)、寬幅的在線檢測.缺陷檢測主要是根據(jù)異常灰度區(qū)域的形狀、大小、邊緣、紋理等情況進行判斷[8-11].但平面缺陷和非平面缺陷都呈現(xiàn)在異常灰度區(qū)域,所以僅依據(jù)上述條件無法區(qū)分平面缺陷還是非平面缺陷.如果能用單目線陣相機檢出“深度”信息,就可以實現(xiàn)基于單線陣CCD系統(tǒng)的復雜表面缺陷高速在線檢測,在實際生產(chǎn)領域中具有重要意義.

本文以凹坑缺陷檢測為例,對這一問題進行了研究.在這里作3點說明:1)本文的目的不是進行三維形貌檢測.基于計算機視覺技術的三維形貌檢測已經(jīng)比較成熟,有很多種方法,如單目視覺技術有基于結構光法,多目視覺技術有基于多線陣CCD、彩色線陣CCD等方法[12-17].本文不是研究復雜的三維形貌檢測,只是定性地進行表面凹坑缺陷檢測,即相對于平面缺陷信息,檢出凹坑缺陷,并判斷出深度情況.2)本文提出基于單目線陣CCD系統(tǒng)的檢測方法,不是基于其他復雜的系統(tǒng),其目的是為了使系統(tǒng)結構簡單,算法簡化,以實現(xiàn)復雜表面缺陷的高速、實時在線檢測.3)本文研究的被測物表面為漫反射體表面,即受光照射后經(jīng)反射形成余弦輻射體.

1 視覺檢測系統(tǒng)成像模型

視覺檢測系統(tǒng)光學成像關系[18-21]如圖1所示.

圖1 視覺檢測系統(tǒng)光照及成像關系圖

圖1中,dAs為光源發(fā)光微面積,dA為被測面表面微面積,dA'為CCD像面微面積,Ls(λ)為光源發(fā)光均勻亮度(λ為光波長),Lw(λ)為被照表面的二次發(fā)光光亮度,r為光源到被測物表面的距離,l為物距,D為入瞳直徑,V為物方孔徑角(很小),θ1為光照方向與光源微面法線的夾角,θ2為入射光方向與被測表面微面法線的夾角,θ3為透鏡光軸與被測表面微面法線的夾角.

設光源的發(fā)光強度與θ1之間的關系由函數(shù)Ⅰ(θ1)確定,則與光源微面法線夾角為θ1方向的發(fā)光強度為

光源以圖1所示角度關系,對微面積為dA的被照面的立體角內的光通量為

對dA面形成的光照度為

被照表面可看作二次光源,設被照表面反射系數(shù)為ρ,被照表面的光出射度M與光照度E的關系為

可整理得到被照表面的二次發(fā)光亮度為

本文研究的被測物是漫反射體,漫反射體受照后可看成余弦光源,發(fā)光強度與角度的關系為Ⅰ(θ)=cos θ.因此二次發(fā)光亮度Lw(λ)在θ3方向上的發(fā)光強度為

因此由Ⅰ(θ3)在物方孔徑角V形成的立體角內的光通量為

在孔徑角V很小的情況下,cos V≈1,且

針對照相系統(tǒng)的物像關系,設系統(tǒng)垂軸放大率為m,焦距為f,F(xiàn)為相機光圈數(shù),F(xiàn)=f/D,則物距l(xiāng)與物方孔徑角正弦sin U的關系為

結合式(6)及cos V≈1,整理式(5)得

設透鏡透射系數(shù)為Tr,經(jīng)透鏡后的光通量為

經(jīng)透鏡后的光通量在CCD像面上的照度為

設R為CCD特性參數(shù),Tint為CCD積分時間,則CCD視頻信號電壓輸出值為

圖像像素的灰度值與CCD視頻信號電壓輸出值Uo成正比,而由式(8)可以看出,Uo與光投射角度θ1、相機架設角度θ3等有關.

2 基于線陣CCD系統(tǒng)的凹坑檢測

為了簡化系統(tǒng)結構和算法復雜度,本文提出如圖2所示結構的凹坑檢測系統(tǒng),包括:1)相機為線陣CCD相機,相機采用與被測表面垂直安裝的方式,即相對于圖1,θ3=0;2)光源采用線光源,光束投射方向沿發(fā)光微面法線方向,即相對于圖1,θ1=0;3)線光源采用匯聚光源,光強匯聚的效果是匯聚性越強越好.在實際應用中,若不確定光源光強與角度的關系,可以先采用標定的方法進行測定.

圖2 基于線陣CCD相機和線光源的凹坑檢測系統(tǒng)結構圖

結合圖2對檢測原理作出說明:沒有凹坑出現(xiàn)時,相機掃描線與光源照射線重合,即圖2中俯視圖的AD線;當有凹坑出現(xiàn)時,光源照射線被凹坑調制,在平面1上,照射光線位于線段AB、線段CD處;而凹坑位置,照射將位于線段EF處.由于相機垂直安裝,相機掃描線不會被凹坑調制,依然為線段AD.這樣,掃描線成像圖像將會在線段BC處出現(xiàn)暗區(qū).

2.1 檢測模型推導

設P為線光源上的一個發(fā)光微面中心點,發(fā)光微面積為dAP,均勻光亮度為LP(λ),到被測面即平面1的投射距離為n,即|PO1|=n.若沒有凹坑存在,光源投射光線落在俯視圖中平面1的線段AD上,從側視圖看,P點發(fā)出的光線與平面1交于O1點.當有凹坑存在時,P點發(fā)出的光線沿直線傳播,落于凹坑O3點,而相機掃描點O1點也相應的落于O2點,即O2點在相機內成像.由式(2),光源微面在O2點微面形成的照度為

由式(8),照度EO2引起的CCD視頻信號電壓輸出值為

推導UO2與凹坑深度h的關系.根據(jù)圖2所示,|O1O2|=h,由△PO1O2可推導其他邊、角關系,可以得到UO2與凹坑深度h之間的關系為

式(11)中,當相機、光源、被測物選定,參數(shù)K1可看成一個定值;當檢測需求確定,相機物距、焦距、光圈數(shù)等確定,參數(shù)K2可看成一個定值.由△PO1O2關系,α1可由α2確定,因此由式(11),UO2與光源架設距離n、光線投射角度α2和凹坑深度h有關.當光源架設方式固定后,UO2只與凹坑深度h有關,而UO2與像素灰度成正比關系,因此,像素灰度值可以反映凹坑深度.

2.2 光源選擇及建模

式(11)中的Ⅰ(α1)為光源發(fā)光強度與角度α1的關系,不同光源有不同的函數(shù)模型.本文提出的凹坑檢測方法與光源發(fā)光強度的匯聚性有很大關系.為討論方便,把式(11)中的Ⅰ(α1)與α1的關系統(tǒng)一寫成光源發(fā)光強度Ⅰ(α)與發(fā)光角度α的關系,本文討論幾種光強模型,分別為

畫出幾種光源發(fā)光強度與發(fā)光角度的關系,如圖3所示.可以看出,Ⅰ5(α)匯聚性最好,即隨角度α的增大,發(fā)光強度降落得最快.

經(jīng)推導,可得到Ⅰ5(α)模型下UO2的關系式為

其中:參數(shù)K1、K2分別由式(12)、(13)確定.

圖3 光源模型曲線

2.3 視頻信號與凹坑深度h的關系

根據(jù)式(14),畫出h-UO2曲線,如圖4所示.

圖4 視頻輸出信號與凹坑深度關系

當系統(tǒng)硬件設備、結構參數(shù)選定時,式(14)中的K1、K2、n、α2為定值,CCD輸出電壓信號只與凹坑深度h有關.為簡化曲線圖和討論的方便,畫圖4時,令K1=1,K2=1,n=10,h取值在[0,1]之間變化,即假設凹坑深度最大值為光源投射到被測面距離的1/10.對于光源架設角度α2,分別在高角度、低角度照明范圍內取幾個值,即:15°,45°和75°.

由圖4可以看出,隨著凹坑深度增加,視頻輸出信號減小,像素灰度值降低.因此,可以由像素灰度值體現(xiàn)凹坑深度.此外,凹坑缺陷在邊緣處深度通常是緩慢漸變的而不是垂直突變的,因此,凹坑缺陷圖像在邊緣處的灰度是漸變的,呈現(xiàn)邊緣模糊狀,這是凹坑判斷的一個重要依據(jù).另一方面,從圖4可以看出,對同一個凹坑深度值,光源投射角度α2越大,視頻輸出信號越小,像素灰度值越低,凹坑圖像的顏色越深.因此,凹坑缺陷在低角度照明時更明顯.

3 實驗

實驗光源為紅光LED線光源,型號LSL-450-34-R,東莞康視達自動化科技有限公司生產(chǎn),24 V/72 W,5 500 K色溫.DALSA Piranha2黑白相機,型號p2-22-04k30,分辨率4 096像素,最大行頻14 kHz.Nikon鏡頭,f=35 mm定焦鏡頭.被測物為包裝用紙盒板,板厚度3 mm,表面有筆畫污漬,手指壓出的凹坑,凹坑深度約0.3~1.0 mm漸變.

本文進行了2種不同角度的對比實驗,2次實驗的參數(shù)如表1所示.

表1 實驗參數(shù)

實驗的圖像采集如圖5所示.圖5(a)為實驗1采集的圖像;圖5(b)為實驗2采集的圖像.

圖5 實驗圖像采集

分析圖5,得出以下實驗結果:1)凹坑缺陷因深度的漸變而引起光照度的漸變,因此圖像呈現(xiàn)邊緣模糊狀;而平面缺陷信息與背景的差異通常是灰度突變的,因此邊緣是清晰銳利的.2)光照角度越低,凹坑缺陷與平面信息的對比度越大,凹坑缺陷越明顯;而光照角度對平面缺陷的影響卻不大,但光照角度低,會使圖像整體亮度降低.以上2個實驗結果,均與圖4曲線相吻合,即隨凹坑深度加深,CCD輸出信號值降低,像素變暗,因此深度的漸變引起像素灰度的漸變;α2角度越大,CCD輸出信號值越低,像素越暗.

4 結論

1)提出了一種基于線陣CCD系統(tǒng)進行凹坑缺陷檢測的方法,并建立了檢測模型,由模型可以推導出像素灰度與凹坑深度的關系.

2)對于此方法,光源需要選擇發(fā)光強度匯聚性高的線光源,且匯聚性越高,凹坑與表面信息的對比度越明顯,越容易檢出凹坑.凹坑缺陷的判斷可以基于2點:一是由光照度引起的圖像灰度差異,往往比平面缺陷顏色差引起的灰度差異要強烈得多;二是凹坑缺陷往往是深度漸變的,其圖像呈現(xiàn)邊緣模糊狀.

3)推導出凹坑坑洼洼深度與CCD視頻信號電壓的關系,理論上可以由圖像灰度判斷凹坑深度,然而許多參數(shù)對于用戶來說是未知的,例如光源發(fā)光強度模型Ⅰ(α1)、CCD相機特性參數(shù)R、透鏡透射系數(shù)Tr、被測物表面反射系數(shù)ρ等.因此,在實際應用時,可以先采用標定的方法對這些參數(shù)進行標定,使模型只反映像素灰度值與凹坑深度的關系.具體的標定方法和模型,將在后續(xù)的研究和實驗中逐步建立.如果隨著光源技術的發(fā)展,能夠建立所需要的特定模型光源,那么對本文提出的模型進行深入研究,將會為基于單目視覺進行三維形態(tài)恢復建立研究基礎.

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