河北省地礦中心實驗室 楊紅國 徐崇穎
集成電路技術(shù)作為微電子技術(shù)的一個重要門類和組成部分,其技術(shù)發(fā)展遵循著著名的摩爾定律,僅僅需要1.5年的時間就能夠?qū)⑾嗤阅艿碾娐穳嚎s到原有體積的一半,而進40年來,集成電路的體積幾乎縮小了30000倍。當(dāng)前,頂尖的集成電路研發(fā)技術(shù)掌握在少數(shù)幾個發(fā)達國家的研究機構(gòu)手中,而與集成電路息息相關(guān)的IC產(chǎn)業(yè)已經(jīng)被高度整合,從設(shè)計,到制造,到封裝再到測試,已經(jīng)形成了一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈,集成電路的廣泛應(yīng)用不斷地推動著科技的進步,也不斷地改變著人類的生活。本文將討論集成電路的原理,分析集成電路的發(fā)展,最后討論集成電路的應(yīng)用。
微電子學(xué)是一種結(jié)合了電子學(xué)以及材料物理學(xué)的綜合學(xué)科,該學(xué)科的主要研究認為是將半導(dǎo)體材料進行適當(dāng)處理,制造出微型電子電路、微型電子系統(tǒng)以滿足各種應(yīng)用需要?;谖㈦娮蛹夹g(shù)發(fā)展起來的集成電路技術(shù)主要囊括了材料技術(shù)、電路技術(shù)、集成封裝技術(shù)等幾個門類,主要通過將晶體管器件、電阻器件、電容器件等按照電路原理高度集成在一起,從而實現(xiàn)電路的某種功能,從集成電路輸入輸出關(guān)系來看,集成電路一般可以分為模擬集成電路和數(shù)字集成電路兩種。
74LS139集成電路是常見的兩個2線-4線譯碼器,共有54/74S139和54/74LS139兩種線路結(jié)構(gòu)型式,當(dāng)選通端(G1)為高電平,可將地址端(A、B)的二進制編碼在一個對應(yīng)的輸出端以低電平譯出。若將選通端(G1)作為數(shù)據(jù)輸入端時,74LS139還可作數(shù)據(jù)分配器。A、B譯碼地址輸入端,高電平觸發(fā);芯片的G1、G2為選通端,低電平觸發(fā)有效;Y0~Y3為譯碼輸出端。
74LS244是一種3態(tài)8位緩沖器,一般用作總線驅(qū)動器。74LS244芯片沒有鎖存的功能,地址鎖存器就是一個暫存器,74LS244根據(jù)控制信號的狀態(tài),將總線上地址代碼暫存起來。8086/8088數(shù)據(jù)和地址總線采用分時復(fù)用操作方法,即用同一總線既傳輸數(shù)據(jù)又傳輸?shù)刂贰?/p>
當(dāng)微處理器與存儲器交換信號時,首先由CPU發(fā)出存儲器地址,同時發(fā)出允許鎖存信號ALE給鎖存器,當(dāng)鎖存器接到該信號后將地址/數(shù)據(jù)總線上的地址鎖存在總線上,隨后才能傳輸數(shù)據(jù)。
555定時器是一種模擬和數(shù)字功能相結(jié)合的中規(guī)模集成器件,是最常見的定時器集成電路。一般用雙極性工藝制作的稱為555,用CMOS工藝制作的稱為7555,除單定時器外,還有對應(yīng)的雙定時器556/7556。555定時器的電源電壓范圍寬,可在4.5V~16V工作,7555可在3~18V工作,輸出驅(qū)動電流約為200mA,因而其輸出可與TTL、CMOS或者模擬電路電平兼容。一般來說,555定時器的功能實現(xiàn)由比較器決定。兩個比較器的輸出電壓控制RS觸發(fā)器和放電管的狀態(tài)。在電源與地之間加上電壓,當(dāng)5腳懸空時,則電壓比較器C1的同相輸入端的電壓為2VCC/3,C2的反相輸入端的電壓為VCC/3。若觸發(fā)輸入端TR的電壓小于VCC/3,則比較器C2的輸出為0,可使RS觸發(fā)器置1,使輸出端OUT=1。如果閾值輸入端TH的電壓大于2VCC/3,同時TR端的電壓大于VCC/3,則C1的輸出為0,C2的輸出為1,可將RS觸發(fā)器置0,使輸出為0電平。
555的應(yīng)用:
(1)構(gòu)成施密特觸發(fā)器,用于TTL系統(tǒng)的接口,整形電路等;
(2)構(gòu)成多諧振蕩器,組成信號產(chǎn)生電路,振蕩周期:T=0.7(R1+2R2)C;
(3)構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,用于定時延時整形及一些定時開關(guān)中。
555應(yīng)用電路采用以上三種方式中的1種或多種組合起來可以組成各種實用的電子電路,如定時器、分頻器、脈沖信號發(fā)生器、元件參數(shù)和電路檢測電路、玩具游戲機電路、音響告警電路、電源交換電路、頻率變換電路、自動控制電路等。
電路工藝是集成電路技術(shù)中最為基礎(chǔ)的部分,主要涉及到擴散技術(shù)、氧化技術(shù)、光刻腐蝕技術(shù)以及薄膜再生技術(shù)等方面。上世紀(jì)六十年代末,微電子研究人員充分研究了氧化二硅系統(tǒng)的電性質(zhì),完成了界面物理研究的理論儲備,緊接著科學(xué)家通過控制鈉離子玷污的手法,配合使用高純度的材料,成功實現(xiàn)了MOS集成電路的生產(chǎn),由于MOS電路在工藝上易于控制、功耗很低、集成度高、可裁剪性強等優(yōu)點,當(dāng)前半導(dǎo)體工業(yè)中,絕大多數(shù)的集成電路有使用MOS或者CMOS結(jié)構(gòu)。
制版技術(shù)方面的關(guān)鍵技術(shù)的光刻技術(shù),光刻技術(shù)最初被使用在照相術(shù)上面,上世紀(jì)五十年代末被應(yīng)用到半導(dǎo)體技術(shù)中,仙童公司巧妙地使用光刻技術(shù)實現(xiàn)了集成電路的圖形結(jié)構(gòu)。使用光刻技術(shù)制造的器件相互連接時可以不使用手工焊接技術(shù),而是采用真空金屬蒸發(fā)技術(shù),使用光刻技術(shù)實現(xiàn)電路的繪制。近年來,隨著光刻技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)的加工精度已經(jīng)達到超深亞微米數(shù)量級。
電路設(shè)計方面。1971年,Intel公司第一臺微處理器的發(fā)明是集成電路技術(shù)對人類做出的最大貢獻之一,微處理器的發(fā)明開辟了計算機時代的新紀(jì)元。微處理器的發(fā)明帶動了以CMOS為基礎(chǔ)的超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)的發(fā)展,也帶動了智能化電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展,是信息技術(shù)的基礎(chǔ)原件和實物載體。近年來,隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,科學(xué)家將量子隧穿效應(yīng)技術(shù)應(yīng)用到集成電路領(lǐng)域,推動了信息化社會的進程。
工藝材料方面。隨著材料科學(xué)的不斷發(fā)展,很多新材料技術(shù)和新物力技術(shù)不斷地被應(yīng)用到集成電路領(lǐng)域當(dāng)中,鐵電存儲器和磁阻隨機存儲器就是其中的代表。當(dāng)前集成電路技術(shù)的發(fā)展突顯出一些新的特征,主要表現(xiàn)在從一維向多維發(fā)展,向材料技術(shù)、微電子技術(shù)、器件技術(shù)以及物理技術(shù)提出了更高的要求,集成電路的發(fā)展也正因為如此遭遇瓶頸,物理規(guī)律的限制、材料科學(xué)的限制、技術(shù)手法的限制。不過與此同時,寬禁帶的SiC、GaN以及AIN等材料擊穿電壓值高、禁帶值高、抗輻射性能好,應(yīng)經(jīng)被廣泛應(yīng)用,所制造器件在高頻工作狀態(tài)、高溫狀態(tài)以及大功率狀態(tài)下性能優(yōu)異,是集成電路的發(fā)展方向。
集成電路是上世紀(jì)人類社會最偉大的發(fā)明之一,集成電路的廣泛應(yīng)用不斷地推動著科技的進步,也不斷地改變著人類的生活。本文系統(tǒng)分析了集成電路的原理,列舉了幾種常見集成電路,并對集成電路的發(fā)展進行了討論和研究。
[1]張允炆.半導(dǎo)體技術(shù)[M].哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社,2004.
[2]李祁鎮(zhèn).集成電路概述[M].北京:清華大學(xué)出版社,2003.
[3]韓周子.數(shù)字集成電路概述[M].西安:西安電子科技大學(xué)出版社,2004.
[4]方寒.淺談集成電路的發(fā)展[M].中國科技縱橫,2003.