吳國浩 鄭樹凱＊, 呂 霄

(1河北大學(xué)電子信息工程學(xué)院，保定 071002)

(2河北大學(xué)計(jì)算材料研究中心，保定 071002)

(3清華大學(xué)材料科學(xué)與工程系，北京 100084)

銳鈦礦相TiO2是一種Ⅳ-Ⅵ族間接寬帶隙氧化物半導(dǎo)體光催化材料，室溫下禁帶寬度為3.2 eV，與其它半導(dǎo)體光催化劑相比，具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性、低成本、制備簡單和無毒等優(yōu)點(diǎn)，在廢水和廢氣的凈化處理方面有著廣闊的應(yīng)用前景，引起了廣大科研工作者對其廣泛的研究[1-7]。但較大的禁帶寬度導(dǎo)致其只能被占太陽光總能量4%，波長小于或等于387.5 nm的紫外光激發(fā)，嚴(yán)重限制了其在光電催化領(lǐng)域的大規(guī)模應(yīng)用。因此如何通過改性提高其光譜吸收范圍和光催化活性是銳鈦礦相TiO2大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。通過摻雜對TiO2進(jìn)行帶隙調(diào)控，從而獲取可以響應(yīng)可見光的TiO2基催化劑一直是人們努力的目標(biāo)。如Ding等[8]采用溶膠-凝膠法制備了Co摻雜銳鈦礦相TiO2，紫外-可見吸收光譜測量發(fā)現(xiàn)，摻雜后TiO2吸收出現(xiàn)明顯紅移，并在600 nm左右出現(xiàn)一個額外吸收峰；Gao等[9]采用固-液反應(yīng)法制備了S摻雜TiO2，在可見光下通過對羅丹明B的降解發(fā)現(xiàn)，S摻雜TiO2降解率達(dá)到97.9%，是未摻雜TiO2的6倍；Deng等[10]制備了Mn摻雜銳鈦礦相TiO2納米粉，通過對亞甲基藍(lán)的降解發(fā)現(xiàn)Mn摻雜提高了TiO2催化活性，并且Mn摻雜后TiO2出現(xiàn)明顯的吸收帶邊紅移；Zhang等[11]采用水熱法制備了Ⅰ摻雜TiO2納米粉，通過對CO2的光致還原發(fā)現(xiàn)，Ⅰ摻雜TiO2相對于未摻雜TiO2在可見光和紫外光下都出現(xiàn)明顯增強(qiáng)。

近年來，實(shí)驗(yàn)上對Bi摻雜TiO2光催化活性的研究也非常活躍。如Huang等[12]采用超聲霧化熱解法合成了不同Bi摻雜濃度的TiO2，通過對甲基橙的降解發(fā)現(xiàn)，在Bi摻雜濃度為2%時，TiO2光催化效果最好；Rengaraj等[13]通過對Bi3+摻雜TiO2光降解甲基對硫磷的研究發(fā)現(xiàn)，摻雜后光降解效率大大提高；梁曉明等[14]采用低溫醇解法制備了Bi摻雜TiO2光催化劑，發(fā)現(xiàn)摻雜后TiO2在紫外和太陽光下光催化活性明顯提高；Xu等[15]采用金屬有機(jī)分解法(MOD)制備了Bi摻雜銳鈦礦相TiO2，通過對甲基橙的分解，發(fā)現(xiàn)對比于未摻雜TiO2，摻雜后電子-空穴復(fù)合受到抑制，同時催化活性大大提高，并觀察到吸收光譜的紅移。由于實(shí)驗(yàn)過程中采用的工藝條件各不相同，而影響TiO2光催化活性的因素又非常復(fù)雜，同時由于缺少Bi元素對TiO2電子結(jié)構(gòu)影響的詳細(xì)研究，從而導(dǎo)致對摻雜改性的機(jī)理說法不一。據(jù)我們所知，目前關(guān)于Bi摻雜TiO2的理論研究較少。因此本文采用基于密度泛函理論下的第一性原理平面波超軟贗勢方法計(jì)算分析了Bi摻雜前后銳鈦礦相TiO2的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，從量子化學(xué)角度對摻雜后銳鈦礦型Ti02光催化活性增強(qiáng)的機(jī)理進(jìn)行了探討，以期為實(shí)驗(yàn)和實(shí)際應(yīng)用提供相關(guān)理論基礎(chǔ)。

1 模型和計(jì)算方法

銳鈦礦相TiO2屬于正方晶系結(jié)構(gòu)，其空間點(diǎn)群為I41/amd(D4h19)，其中每個八面體與周圍8個八面體相連接 (4個共邊，4個共角)，4個TiO2分子構(gòu)成一個晶胞，每個基本晶胞內(nèi)包含12個原子。如圖1所示，本文在2×2×1 TiO2超晶胞結(jié)構(gòu)中用Bi替代圖中位置的Ti(圖中Bi的大小不是Bi的實(shí)際大小，目的是為突出Bi原子)，建立了Ti15BiO32超晶胞，原子個數(shù)為48，摻雜后Bi的摻雜濃度為1.56at%比較符合實(shí)際摻雜[13]。

本文采用Materials Studio軟件中的量子力學(xué)模塊Castep對摻雜前后銳鈦礦相TiO2的相關(guān)性質(zhì)進(jìn)行了計(jì)算。計(jì)算時采用非自旋極化進(jìn)行處理，計(jì)算中首先對超晶胞進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，優(yōu)化中電子間相互作用的交換關(guān)聯(lián)能由廣義梯度近似(GGA)下的PBE進(jìn)行描述，能量收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)為 5×10-7eV·atom-1，平面波截止能設(shè)為400 eV，第一布里淵區(qū)按7×7×6進(jìn)行分格，自洽收斂能精度平均每個原子為5.0×10-7eV·atom-1，最大位移為5.0×10-5nm，晶體內(nèi)應(yīng)力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.02 GPa，原子間相互作用力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.01 eV·nm-1，然后對能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度(包括分態(tài)密度)、電荷布居和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了計(jì)算 (計(jì)算時條件不變)，參與計(jì)算的價(jià)電子為 Ti：3s23p63d24s2，O：2s22p4，Bi：6s26p3，所有計(jì)算都在倒易空間中進(jìn)行。

2 結(jié)果與分析

2.1 幾何優(yōu)化結(jié)果

對摻雜前后TiO2模型進(jìn)行幾何優(yōu)化后，晶格產(chǎn)生畸變，晶格常數(shù)發(fā)生變化，表1給出了不同情況下晶格常數(shù)值，對比未摻雜銳鈦礦相TiO2發(fā)現(xiàn)，Bi摻雜后TiO2晶格常數(shù)和體積都有不同程度的變大。這從三方面可以解釋：①對于Bi摻雜來說主要是因?yàn)锽i3+的離子半徑 (103 pm)遠(yuǎn)大于Ti4+的離子半徑(60.5 pm)；②Bi-O鍵長大于Ti-O鍵長，(Ti-O鍵長為0.220 5、0.194 6和0.194 6 nm，而Bi-O對應(yīng)鍵長為0.222 0、0.216 0 和 0.215 9 nm)；③ Bi3+摻雜 TiO2取代晶體中的Ti4+，晶體中缺少1個電子，使得多余正電荷之間相互排斥作用增大，引起體積增大。

表1 Bi摻雜前后銳鈦礦相TiO2晶格常數(shù)值和體積對比Table 1 Geometry optimized structural parameters and volume of the pure anatase TiO2crystal comparing with the Bi-doped TiO2

2.2 電荷布居

通過電荷布居分析可以知道各原子軌道上的電子分布，進(jìn)而確定原子間的成鍵情況。表2和表3是Bi摻雜前后銳鈦礦相TiO2的電荷布居表，超晶胞內(nèi)凡是O原子或Ti原子電荷布居數(shù)相同的僅列出一組，表3中加粗部分為Bi原子周圍的O原子，由于對稱，所以只列出3個，如圖1中所示，而所有Ti原子都受到影響，電荷布居數(shù)均有變化。對比表2和表3發(fā)現(xiàn)，取代Ti位摻雜的Bi離子的電荷布居數(shù)為2.37。 摻雜前O原子電荷布居數(shù)為-0.67，摻雜后臨近Bi的O的電荷布居都有所數(shù)增大；摻雜前Ti的電荷布居數(shù)為1.33，摻雜后Ti的電荷布居數(shù)都有所下降。表明Bi摻雜后O原子周圍的電負(fù)性增加，Ti原子周圍的電正性有所減弱，說明摻雜后共價(jià)鍵減弱，離子鍵增強(qiáng)。

表2 純銳鈦礦相TiO2超晶胞中電荷布居數(shù)Table 2 Atomic populations of pure anatase TiO2supercell

表3 摻雜Bi后銳鈦礦相TiO2超晶胞中電荷布居數(shù)Table 3 Atomic populations of Bi-doped TiO2 supercell

2.3 能帶結(jié)構(gòu)

禁帶寬度是影響半導(dǎo)體光催化的一個重要因素。圖2的(a～b)分別是銳鈦礦相TiO2摻雜前后沿第一布里淵區(qū)高對稱方向的能帶結(jié)構(gòu)圖，能帶圖中始終將電子能夠填充的最高能級作為能量零點(diǎn) (圖b中靠近能量零點(diǎn)的黑色虛線為雜質(zhì)能級)。由圖2(a)可知純銳鈦礦相TiO2禁帶寬度為2.158 eV，小于銳鈦礦相TiO2實(shí)驗(yàn)值3.23 eV，這是由于GGA近似帶來的影響。在采用廣義梯度近似(GGA)處理一些體系時，由于交換關(guān)聯(lián)能只計(jì)入某處的電荷密度對交換關(guān)聯(lián)能的影響，并不能完全描述真實(shí)的多電子相互作用能，通常會低估帶隙，這在相關(guān)文獻(xiàn)中[18-19]已有詳細(xì)討論。但是作為一種有效的近似方法，計(jì)算結(jié)果的相對值是非常準(zhǔn)確的，不影響能帶和態(tài)密度的分析。

對比圖2(a)和(b)可知摻雜后導(dǎo)帶和價(jià)帶明顯下移，其中導(dǎo)帶下移 1.261 eV，價(jià)帶下移 1.267 eV，導(dǎo)帶下移程度略小于價(jià)帶下移程度，從而使禁帶變寬，但幅度不大。摻雜后TiO2導(dǎo)帶寬度由1.324 eV減小至1.160 eV，導(dǎo)帶的軌道增加，但能量范圍減??；價(jià)帶寬度由4.593 eV增加到4.853 eV，價(jià)帶的軌道分裂更大，能級增加數(shù)明顯增多，能量范圍擴(kuò)大。同時在禁帶中引入一條明顯的雜質(zhì)能級，此雜質(zhì)能級跨越費(fèi)米能級，波動幅度為0.284 eV，如此小的波動使得從價(jià)帶中躍遷到中間雜質(zhì)能級的電子不容易返回到價(jià)帶，可以作為價(jià)帶電子躍遷至導(dǎo)帶的橋梁，使得價(jià)帶電子可以首先被低能量光子激發(fā)躍遷至雜質(zhì)能級，繼續(xù)吸收光子后躍遷至導(dǎo)帶，降低了光子吸收能量，從而表現(xiàn)為對可見光的吸收；另一方面來說，禁帶中出現(xiàn)的雜質(zhì)能級可作為光生電子和空穴的捕獲勢阱，減小電子-空穴的復(fù)合幾率，如Reddy等[21]認(rèn)為 Bi摻入 TiO2引起 Bi3+δ+的生成， 而 Bi3+δ+引起雜質(zhì)能級的產(chǎn)生，這將捕獲電子，利于電子-空穴對的分離，電子空穴移動到表面參加光催化反應(yīng)，因此可提高TiO2的光催化活性。

2.4 態(tài)密度

圖3(a～c)是摻雜前后銳鈦礦相TiO2的分態(tài)密度(PDOS)圖。由于影響半導(dǎo)體物理性質(zhì)的主要是費(fèi)米能級附近的電子結(jié)構(gòu)，所以本文電子態(tài)密度能量顯示范圍為從-7～5 eV。由圖3(a～b)可知摻雜前后TiO2導(dǎo)帶主要由Ti3d態(tài)電子組成，價(jià)帶主要由O2p和Ti3d態(tài)電子共同組成。由圖3(b)可知，Bi摻雜TiO2的禁帶中出現(xiàn)一小態(tài)密度峰，此峰對應(yīng)于能帶結(jié)構(gòu)圖中的雜質(zhì)能級，為了更好地認(rèn)識Bi摻雜對禁帶寬度的影響，圖 3(c)繪出了Bi摻雜TiO2能量在-7～5 eV的精細(xì)分態(tài)密度分布圖。由圖3(c)可知，此雜質(zhì)能級主要由Bi6s、O2p和Ti3d態(tài)電子雜化而成。除此之外Bi的6s軌道對導(dǎo)帶和價(jià)帶都有貢獻(xiàn)，在-4.727、-2.195、-3.591 和 2.285 eV 處有 4 個明顯的態(tài)密度峰，但相對于雜質(zhì)能級處的峰值小很多，這些是由于Bi6s軌道參與雜化形成的；Bi的6p軌道在-5.928、-4.857、-3.234、-2.275、2.480 eV 處分裂，形成5個明顯的態(tài)密度峰，其中-5.928 eV處的態(tài)密度峰達(dá)到最大值。態(tài)密度峰值越大，說明此位置處Bi6p軌道和O2p、Ti3d、Ti4s軌道雜化很明顯。

2.5 光學(xué)性質(zhì)

為了揭示摻雜后銳鈦礦相TiO2電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)之間的關(guān)系，為進(jìn)一步研究TiO2晶體的光吸收性能等光學(xué)性質(zhì)提供基礎(chǔ)，我們計(jì)算了非極性多晶態(tài)TiO2的介電函數(shù)和光吸收性質(zhì)。

2.5.1 介電函數(shù)虛部

介電函數(shù)虛部ε2是能帶體系最直接的表現(xiàn)形式，它反映了能級間電子躍遷所產(chǎn)生光譜的發(fā)光機(jī)理。Castep中介電函數(shù)虛部具體定義為：

其中C、V分別表示導(dǎo)帶和價(jià)帶，K為倒格矢，u是入射電場的極化方向矢量，＜ΨKC|u·r|ΨKV＞為動量躍遷矩陣，EKC、EKV分別為導(dǎo)帶和價(jià)帶上的本征能級。由于電子結(jié)構(gòu)中無論是帶間躍遷還是帶內(nèi)躍遷的頻率都遠(yuǎn)超過聲子頻率，在計(jì)算中僅考慮了電子躍遷，故介電函數(shù)可以表述為線性響應(yīng)函數(shù)。從某種意義上說，介電響應(yīng)函數(shù)比宏觀光學(xué)常數(shù)更能表征材料的物理特性，更易于和物理過程的微觀模型及固體的微觀電子結(jié)構(gòu)聯(lián)系起來[20]。

圖4為純銳鈦礦相TiO2以及Bi摻雜TiO2的介電函數(shù)虛部隨光子能量變化圖。與未摻雜TiO2相比，Bi摻雜后譜線在低能方向出現(xiàn)明顯紅移，在高能方向發(fā)生少量藍(lán)移。觀察圖4可發(fā)現(xiàn)，Bi摻雜TiO2的介電虛部譜接近于未摻雜TiO2，都存在一個由于電子躍遷引起的主介電峰，兩峰相差0.025 eV(分別位于 3.520 7 eV 和 3.545 2 eV 處)， 這是因?yàn)锽i摻雜后電子吸收光子能量而發(fā)生躍遷的過程中雜質(zhì)能級起到橋梁作用，降低了躍遷所需能量，導(dǎo)致介電虛部峰左移。

2.5.2 吸收光譜

圖5是純銳鈦礦相TiO2和Bi摻雜TiO2的吸收光譜對比圖，為了使計(jì)算結(jié)果跟實(shí)際相符，在計(jì)算光吸收性質(zhì)時使用了剪刀差進(jìn)行修正，修正值取1.072 eV(禁帶寬度實(shí)驗(yàn)值與計(jì)算值之差)。由圖可知在279 nm處出現(xiàn)交叉，Bi摻雜后TiO2吸收光譜相比于未摻雜TiO2的吸收光譜出現(xiàn)明顯的吸收帶邊紅移，同時在可見光區(qū)吸收強(qiáng)度增強(qiáng)，這與Huang[12]和Reddy等[21]在實(shí)驗(yàn)上觀察到的吸收光譜紅移現(xiàn)象一致，并且吸收光譜非常吻合。根據(jù)能帶和態(tài)密度的結(jié)果，本文認(rèn)為這是由于摻雜后禁帶中出現(xiàn)由Bi引起的雜質(zhì)能級充當(dāng)了過渡能級，使得價(jià)帶電子在光電子激發(fā)下可以首先躍遷至雜質(zhì)能級，然后再躍遷至導(dǎo)帶，降低了電子躍遷所需能量。Bi摻雜后TiO2禁帶寬度雖有較小幅度增大，不利于電子躍遷，但是禁帶中雜質(zhì)能級的引入抵消了禁帶寬度略微增大帶來的不利影響，說明Bi摻雜銳鈦礦相TiO2中雜質(zhì)能級對光吸收增強(qiáng)起主要作用，這對Bi摻雜銳鈦礦型TiO2光催化劑的制備有一定的理論參考價(jià)值。

3 結(jié) 論

采用基于密度泛函理論的平面波超軟贗勢方法研究了Bi摻雜前后銳鈦礦相TiO2晶體結(jié)構(gòu)、能帶、電荷布居、態(tài)密度和光吸收性質(zhì)。計(jì)算結(jié)果表明：Bi摻雜后O的電荷布居數(shù)增大，Ti的電荷布居數(shù)有所下降導(dǎo)致Bi摻雜后O原子周圍的電負(fù)性增加，Ti原子周圍的電正性有所減弱。在TiO2禁帶中引入由Bi6s、O2p和Ti3d態(tài)雜化而成的雜質(zhì)能級，同時禁帶寬度略微變大，但是由于雜質(zhì)能級抵消了禁帶寬度變大帶來的不利影響，從而使摻雜后TiO2吸收帶邊出現(xiàn)紅移，在可見光區(qū)域吸收明顯增強(qiáng)。

致謝：本文主要研究人員均為河北大學(xué)劉保亭教授課題組成員，全部計(jì)算均采用劉保亭教授所購買的Accelrys公司的Materials Studio軟件中的量子力學(xué)模塊Castep完成，感謝劉保亭教授在論文寫作和機(jī)理探討方面提供的幫助。

[1]CHEN Xiao-Yun(陳孝云),LU Dong-Fang(陸東芳),SUN Lan(孫嵐),et al.Chinese J.Inorg.Chem.(Wuji Huaxue Xuebao),2012,28(2):307-313

[2]Lin Y M,Jiang Z Y,Zhu C Y,et al.Appl.Phys.Lett.,2012,101:062106

[3]Run L,Niall J.Chem.Mater.,2010,22(5):1616-1623

[4]Fu C,Li T Z,Qi J S,et al.Chem.Phys.Lett.,2010,494:117-122

[5]DAI Gao-Peng(戴高鵬),LIU Su-Qin(劉素芹),LUO Tian-Xiong(羅天雄),et al.Chinese J.Inorg.Chem.(Wuji Huaxue Xuebao),2012,28(8):1617-1622

[6]Guo M L,Du J L.Physica B,2012,407:1003-1007

[7]Kuwauchi Y,Yoshida H,Akita T,et al.Angew.Chem.Int.Ed.,2012,51(31):7729-7733

[8]Ding Y,Xu X J,Gan Z H,et al.Solid State Phenomena.,2011(181/182):348-351

[9]Gao Y L,Liu S Y,Zhang F,et al.Key Eng.Mater.,2012,509:65-73

[10]Deng Q R,Xia X H,Guo M L,et al.Mater.Lett.,2011,65(13):2051-2054

[11]Zhang Q Y,Li Y,Ackerman E A,et al.Appl.Catal.A:Gen.,2011,400(1-2):195-202

[12]Huang J H,Cheuk W,Wu Y,et al.J.Nanotechnol.,2012,2012:1-7

[13]Rengaraj S,Li X Z,Tanner P A,et al.J.Mol.Catal.A:Chem.,2006,247:36-43

[14]LIANG Xiao-Ming(梁曉明),ZHANG Su-Min(張?zhí)K敏),SHI Zai-Feng(史載鋒).J.Hainan Normal Univ.(Hainan Shifan Daxue Xuebao),2011,24(4):422-424

[15]Xu X H,Wang M,Hou Y,et al.J.Mater.Sci.Lett.,2002,21:1655-1656

[16]Howard C J,Sabine T M,Dickson F.Acta Cryst.B:Struct.Sci.,1991,47:462-468

[17]YANGKe-Song(楊可松).Thesis for the Doctorate of Shandong University(山東大學(xué)博士論文).2010.

[18]Stampfl C,Van de Walle C G.Phys.Rev.B,1999,59(8):5521-5535

[19]Perdew J P,Mel L.Phys.Rev.Lett.,1983,51(20):1884-1887

[20]ZHAO Zong-Yan(趙宗彥),LIU Qing-Ju(柳清菊),ZHU Zhong-Qi(朱忠其),et al.Acta Phys.Sin.(Wuli Xuebao),2008,57(6):3760-3768

[21]Reddy P A K,Srinivas,Kala P,et al.Mater.Res.Bull.,2011,46:1766-1771