何龍生, 任曉東, 楊 友, 李雪松
(長春工業(yè)大學(xué) 先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料省部共建教育部重點實驗室,吉林 長春130012)
制取復(fù)合材料的方法有多種,其中復(fù)合電沉積就是一種很有價值的獲得復(fù)合材料鍍層的表面強(qiáng)化新工藝。所謂復(fù)合電沉積,就是在電鍍或化學(xué)鍍?nèi)芤褐屑尤敕撬苄缘墓腆w微粒,使其與主體金屬共沉積在基材上的涂覆工藝,所得到的鍍層稱為復(fù)合鍍層[1-3]。復(fù)合電沉積在國外已有近70年的歷史,國內(nèi)起步較晚,近20多年才得以迅速發(fā)展[4-5]。近年來,復(fù)合電沉積技術(shù)多以單金屬、單固體微粒復(fù)合鍍層為主。這類復(fù)合鍍層與單金屬鍍層相比,其耐磨性提高了70%,但耐蝕性較差[6-7]。目前,科技工作者越來越重視兼具耐磨性和耐蝕性或耐磨性和抗高溫氧化性的多元復(fù)合材料鍍層,并取得了一定進(jìn)展。通過對二元復(fù)合鍍層的研究表明:純金屬主體往往強(qiáng)度潛力有限,而采用合金主體,復(fù)合鍍層則具有更高的硬度、耐蝕性和耐磨性[8-9]。
本文采用二元電沉積技術(shù),添加聚四氟乙烯(PTFE)微粒,利用其優(yōu)良的自潤滑性、非黏著性、耐水性、耐高溫性和耐蝕性,通過電沉積的方法制得金屬基PTFE復(fù)合鍍層,并討論電流密度對復(fù)合鍍層的微觀形貌、結(jié)構(gòu)及耐蝕性的影響。
基體為40mm×20mm×2mm的低碳鋼試樣。工藝流程為:試片打磨化學(xué)除油水洗蒸餾水洗活化處理復(fù)合電鍍水洗鍍后處理。
復(fù)合鍍液的組成為:硫酸鎳180~220g/L,硫酸亞鐵10~40g/L,氯化鈉25~30g/L,硼酸45~55g/L,檸檬酸鈉20~30g/L。
電鍍工藝參數(shù)為:pH值3.0~4.5,溫度60~65℃,電流密度3~7A/dm2,攪拌方式 機(jī)械攪拌+超聲波攪拌,時間40min。
將計算好的硫酸鎳、硫酸亞鐵、氯化鈉、檸檬酸鈉等藥品分別用適量的熱去離子水溶解。其中硼酸需要用70℃左右的熱水進(jìn)行溶解,硫酸亞鐵用pH值約為3的酸性去離子水溶解。所有藥品溶解之后的溶液總體積不超過1 000mL。
將各溶液混合攪拌均勻,并進(jìn)行過濾處理。調(diào)節(jié)過濾后溶液的pH值在3.0~3.5范圍內(nèi),之后對溶液進(jìn)行電解處理。電解所用陰極板為較大的瓦楞鋼板,陽極板為小面積的鎳板,電解時間為12h,電流密度為0.1A/dm2。將8g PTFE粉末在機(jī)械攪拌加超聲波攪拌的條件下加入到電解后的混合溶液中,分散2h后備用。
用HXD-1000型顯微硬度儀進(jìn)行硬度測試。試樣為有鍍層的低碳鋼試片,載荷為100g,加載時間為15s,測試十個點取平均值。利用JSM-5500LV型掃描電子顯微鏡觀察試樣的微觀形貌。用IVIUMSTAT型電化學(xué)測試系統(tǒng)對試樣的耐蝕性進(jìn)行測試,輔助電極為鉑電極,參比電極為氯化銀電極,掃描速率50mV/s,掃描區(qū)間為-2~2V。
圖1為不同電流密度下所得鍍層的微觀形貌。由圖1可以看出:隨著電流密度的增大,鍍層結(jié)晶逐漸變得細(xì)致;但當(dāng)電流密度增大到一定值后,結(jié)晶粗糙;當(dāng)電流密度為5A/dm2時,鍍層表面結(jié)晶最細(xì)致。其原因為:當(dāng)電流密度很低時,陰極極化一般也很小,不利于形核,鍍層晶體只在原有基體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上長大;在電流密度升至一定程度以后,有利于形核,結(jié)晶細(xì)致。過高的電流密度會使陰極表面離子貧乏,形成海綿或枝狀沉積,有時析氫也很嚴(yán)重[10]。所以電流密度為5A/dm2時,鍍層結(jié)晶最細(xì)致。
圖2為不同電流密度下所得鍍層的XRD圖譜。由圖2可以看出:隨著電流密度的變化,通過XRD檢測到鍍層的相組成為單一的Ni3Fe相,并沒有其他相出現(xiàn)。這表明PTFE的加入,并沒有改變復(fù)合鍍層的相組成。
圖3和圖4分別為pH值在3.0~3.5范圍內(nèi),不同電流密度下得到的極化曲線和阻抗圖譜。由圖3可以看出:隨著電流密度的增大,鍍層的自腐蝕電位先減小后增大;當(dāng)電流密度為5A/dm2時,鍍層的自腐蝕電位最正,自腐蝕電流密度最低,表現(xiàn)出較好的耐蝕性[11]。由圖4可以看出:當(dāng)電流密度為5 A/dm2時,鍍層的阻抗曲線的半徑最大,耐蝕性最好。這是因為電流密度較小時,電沉積速率較小,導(dǎo)致鍍層中PTFE的質(zhì)量分?jǐn)?shù)較低。隨著電流密度的增大,電沉積速率增大,結(jié)晶細(xì)致,鍍層表面變得光滑平整,并且鍍層中帶入較多的PTFE,因此,鍍層具有較好的耐蝕性。當(dāng)電流密度過大時,Ni-Fe合金的沉積速率過大,導(dǎo)致鍍層積瘤、粗糙,PTFE的質(zhì)量分?jǐn)?shù)降低,鍍層結(jié)晶粗大,耐蝕性降低。
圖1 不同電流密度下所得鍍層的微觀形貌
圖2 不同電流密度下所得鍍層的XRD圖譜
圖3 不同電流密度下所得鍍層的極化曲線
圖4 不同電流密度下所得鍍層的阻抗圖譜
(1)隨著電流密度的增大,鍍層表面趨于平整,晶粒均勻。但是在過高的電流密度下,鍍層表面會出現(xiàn)較大的積瘤。當(dāng)電流密度為5A/dm2時,鍍層結(jié)晶最為均勻細(xì)致,XRD檢測到合金鍍層的相組成為單一的Ni3Fe相。
(2)隨著電流密度的增大,鍍層在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5%的NaCl溶液中的自腐蝕電位增加。極化曲線和交流阻抗測試表明:當(dāng)電流密度為5A/dm2時,鍍層表現(xiàn)出較好的耐蝕性。
[1]朱立群.功能膜層的電沉積理論與技術(shù)[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2005:248-258.
[2]沈?qū)幰?,許強(qiáng)令,吳以南,等.表面處理工藝手冊[M].上海:上??茖W(xué)技術(shù)出版社,1993:146-153.
[3]曾華梁,吳仲達(dá),陳均武,等.電鍍工藝手冊[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1999:628-630.
[4]KARTHIKEYAN S,SRINIVASAN K N,VASUDEVAN T,etal.Characterization of electroless nickel-phosphorus-silicon carbide composite coatings[J].Bulletin of Electrochemistry,2001,17(3):127-130.
[5]GUO Z C,ZHU X Y,ZHAI D C,etal.Electrodeposition of Ni-W amorphous alloy and Ni-W-SiC composite deposits[J].Journal of Materials Science &Technology,2000,16(3):323-326.
[6]文明芬,郭忠誠,楊顯萬.電沉積Ni-Mo-P-SiC復(fù)合鍍層[J].材料保護(hù),1999,32(3):6-9.
[7]張敬堯,李延祥.SiC表面活化對Ni-Co-P/SiC復(fù)合沉積層性能的影響[J].腐蝕與防護(hù),2002,23(3):99-101.
[8]劉穎,陳家釗,涂銘旌.ZrO2對Ni-P化學(xué)鍍層抗高溫氧化性影響[J].表面技術(shù),1996,25(5):7-8.
[9]李愛昌.(Ni-W)-ZrO2非晶復(fù)合鍍層的制備及其性能[J].材料保護(hù),2000,33(7):11-12.
[10]劉善淑,成旦紅,應(yīng)太林,等.電沉積Ni-P-ZrO2復(fù)合電極析氫催化性能的研究[J].電鍍與涂飾,2001,20(6):4-7.
[11]宋來洲,李健,王福君.化學(xué)鍍Ni-P合金/TiO2復(fù)合膜的耐蝕性研究[J].材料科學(xué)與工藝,2002,10(2):148-150.