張 瑜,韓 紅,2,鄒吉軍*
(1.天津大學化工學院,天津 300072;2.濟寧學院,山東 曲阜 273155)
雙環(huán)戊二烯(DCPD)是石腦油裂解制乙烯的C5副產(chǎn)物,具有2種空間構(gòu)型不同的異構(gòu)體:橋式雙環(huán)戊二烯(endo-DCPD)和掛式雙環(huán)戊二烯(exo-DCPD),2種異構(gòu)體的比例分別是99.5%和0.5%[1]。DCPD是合成樹脂和橡膠的重要單體,還可用于合成高能量密度碳氫燃料。在這些合成應用中,exo-DCPD表現(xiàn)出較優(yōu)越的性能,例如,在開環(huán)聚合反應中exo-DCPD反應速率更快,合成的樹脂強度更高[2];exo-DCPD的加氫產(chǎn)物是性能優(yōu)異的高能量密度燃料,可以作為飛機、導彈和賽車使用的高性能燃料[3-4]。因此,通過異構(gòu)化反應將 endo-DCPD轉(zhuǎn)化為exo-DCPD具有重要的應用意義。
Bartlett等[5]通過兩步反應將 endo-DCPD轉(zhuǎn)化為exo-DCPD,endo-DCPD首先與 HI加成,然后在乙醇和KOH混合溶液作用下脫除HI,同時橋式結(jié)構(gòu)翻轉(zhuǎn)為掛式結(jié)構(gòu)。Nelson等[6]對上述方法進行了完善,用HBr代替HI,已成為實驗室制備exo-DCPD的通用方法。但是,上述方法操作復雜、收率極低、不適于規(guī)模制備。我們曾報道[7]將endo-DPCD溶液在高溫高壓下加熱可得到相當數(shù)量的exo-DCPD,推測該過程中endo-DCPD分子首先分解成兩分子環(huán)戊二烯(CPD),然后兩分子CPD通過Diels-Alder加成反應生成 exo-DCPD。 Jam roóz等[1]的計算結(jié)果表明,exo-DCPD比endo-DCPD在熱力學上更穩(wěn)定,這預示著,如果能降低反應的活化能,可以將endo-DCPD一步直接轉(zhuǎn)化為 exo-DCPD。Bakke等[8]曾使用絲光沸石和無定型硅酸鋁作為催化劑,在氣相反應中異構(gòu)得到exo-DCPD,但是在液相反應中沒有活性。
β分子篩具有獨特的三維12元環(huán)交叉孔道結(jié)構(gòu),在催化反應中表現(xiàn)出抗結(jié)焦能力強、使用壽命長等優(yōu)點,廣泛應用于異構(gòu)化反應[9]。本研究以Hβ分子篩為催化劑,在液相中催化異構(gòu) endo-DCPD,研究了分子篩孔道結(jié)構(gòu)、酸性種類和強度、以及焙燒溫度等因素對反應的影響。
Hβ分子篩由南開大學催化劑廠提供,使用前在一定溫度下焙燒4 h。若無特殊說明,分子篩的SiO2/Al2O3比例為25,焙燒溫度為500℃。endo-DCPD由杭州楊利石化有限公司提供,使用前經(jīng)過真空蒸餾提純,質(zhì)量分數(shù)達到99.7%。異構(gòu)反應在三口玻璃瓶中進行,反應物料包括2.5 g催化劑和50 g反應物,機械攪拌,油浴控溫。反應條件如下:溫度150℃,常壓,攪拌轉(zhuǎn)速 500 r/min,時間 3 h。反應完成后,采用HP-4890色譜分析產(chǎn)物,HP-5毛細柱(30 m×0.53 mm×1.5μm),F(xiàn)ID檢測器,N2載氣。
分子篩的比表面積和孔容在美國Micromeritics公司的ASAP2020型物理吸附儀上采用N2吸附法測定。晶體結(jié)構(gòu)采用日本理學Rigaku D/max 2500v/pc型X射線衍射儀分析,Cu_Kα射線,以2θ為 7.8°、9.7°、13.4°、19.6°、22.3°和 25.7°的 6 個衍射峰強度之和計算相對結(jié)晶度。
分子篩的酸性質(zhì)采用吡啶吸附紅外光譜和氨氣程序升溫脫附測定。吡啶吸附在美國Nicolet公司的MAGNA-IR 560紅外光譜儀上進行,樣品在400℃和0.01 MPa下脫水1 h,降至室溫后掃描基線,注入吡啶吸附平衡 1 h,然后分別在 100、150、280和400℃下掃描。氨氣程序升溫脫附在美國Micromeritics公司的Auto Chem 2910程序升溫脫附儀上進行。
采用日本Shimadzu公司的TGA-50熱重分析儀進行催化劑失重研究,升溫速率10℃/min,測量范圍50~800℃。
當沒有催化劑時,endo-DCPD的轉(zhuǎn)化率為7.4%,主要生成三環(huán)戊二烯和四環(huán)戊二烯等低聚物,反應產(chǎn)物中僅有微量的 exo-DCPD生成,因此,雙環(huán)戊二烯在加熱條件下主要發(fā)生聚合反應:
加入催化劑后,endo-DCPD的轉(zhuǎn)化率提高到20.5%,除了生成低聚物外,也生成了大量的 exo-DCPD,掛式產(chǎn)物的選擇性達到38.3%??梢钥闯?,分子篩催化劑具有良好的異構(gòu)效果,能將 endo-DCPD轉(zhuǎn)化為掛式構(gòu)型。
endo-DCPD異構(gòu)屬于酸催化反應,分子篩的酸性中心分布在分子篩外表面和孔道內(nèi)表面,不同位置的酸性位可能起到不同的催化作用。采用ACD/ChemSketch軟件計算了endo-DCPD和exo-DCPD分子的動力學尺寸,分別為 0.596×0.599 nm和0.590×0.599 nm,均小于 Hβ的孔徑 0.66×0.67 nm,說明反應物分子和產(chǎn)物分子可以擴散進入分子篩孔道。實驗也曾采用含Br?nsted酸(B酸)的和含 Lewis酸(L酸)的 γ-A l2O3進行反應,發(fā)現(xiàn)他們對異構(gòu)反應沒有效果,但能在一定程度上催化DCPD聚合。據(jù)此分析,異構(gòu)反應發(fā)生在分子篩孔道內(nèi)的酸性位上,而表面酸性位可能引發(fā)聚合副反應,這一方面降低了分子篩的擇形選擇性,另一方面誘導積碳產(chǎn)生并堵塞孔口,導致催化劑失活。
為了確認分子篩內(nèi)外表面酸性位的不同作用,以四乙基硅烷(TEOS)為修飾劑,按照文獻的方法采用化學液相沉積將不定型SiO2覆蓋在分子篩外表面,鈍化表面酸性位[10]。圖1是用不同 TEOS量處理后分子篩的異構(gòu)反應活性。當TEOS沉積量較少時,反應轉(zhuǎn)化率有所下降,但 exo-DCPD選擇性上升,總收率基本保持不變,說明表面鈍化抑制了聚合反應,對異構(gòu)反應沒有影響。這證實了分子篩外表面酸性位主要是催化雙環(huán)戊二烯聚合,而異構(gòu)反應發(fā)生在分子篩孔道內(nèi)。TEOS的沉積量繼續(xù)增加時,反應轉(zhuǎn)化率和選擇性均急劇下降,當TEOS加入量達到30%以后,催化活性幾乎完全消失。這是因為分子篩孔口被SiO2堵塞,DCPD分子無法擴散進入孔內(nèi)反應。表1的物理吸附數(shù)據(jù)證實了這一推論,當硅沉積量較小時,分子篩的比表面積和孔體積變化不大,但是隨著涂硅量的繼續(xù)增加,分子篩的孔結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著變化,尤其是當涂硅量達到30%時,比表面積和孔結(jié)構(gòu)急劇下降,說明沉積的氧化硅已經(jīng)堵塞了孔口。
圖1 TEOS沉積對分子篩催化endo-DCPD異構(gòu)的影響Fig.1 Effect of TEOS-coating on the catalytic isom erization of endo-DCPD
雙環(huán)戊二烯為不飽和烯烴,在酸催化劑(尤其是強酸)的催化下容易聚合,因此分子篩的酸強度和酸種類強烈影響反應效果。n(硅)/n(鋁)是影響分子篩酸性的重要因素[11-12],因此對不同 n(硅)/n(鋁)的分子篩進行了研究。圖2的結(jié)果顯示,n(硅)/n(鋁)對異構(gòu)反應活性影響較大,隨著n(硅)/n(鋁)的增加,反應轉(zhuǎn)化率和選擇性均急劇下降。由圖 3的 NH3-TPD結(jié)果可以看出,隨著n(硅)/n(鋁)的增加,150℃左右的低溫脫附峰顯著下降,而350℃高溫處的峰變化不明顯,說明分子篩弱酸性位數(shù)目急劇下降,強酸位的數(shù)目變化不大。上述結(jié)果表明,分子篩的弱酸性位是催化endo-DCPD異構(gòu)的活性中心。
表1 TEOS沉積對分子篩孔結(jié)構(gòu)的影響Table 1 Effect of TEOS-coating on the porous structure of Hβzeolite
圖2 SiO2/A l2 O3比例對分子篩催化endo-DCPD異構(gòu)的影響Fig.2 Effect of SiO2/A l2 O3 ratio on the catalytic isom erization of endo-DCPD
對不同n(硅)/n(鋁)的分子篩進行吡啶吸附紅外光譜分析,結(jié)果如圖4所示。1 541 cm-1附近的峰屬于 B酸,而1 444 cm-1左右的峰則屬于 L酸[15]。對比在100和150℃下掃描的譜圖發(fā)現(xiàn),B酸的吡啶吸附峰在高溫下只有輕微減小,說明B酸以中強酸位為主。L酸150℃下的峰比100℃減少很多,說明 L酸以弱酸性為主。同時發(fā)現(xiàn),弱 L酸受n(硅)/n(鋁)的影響很大。弱 L酸濃度隨著n(硅)/n(鋁)的增加急劇下降。這種變化趨勢與異構(gòu)活性變化趨勢一致,說明 Hβ催化 endo-DCPD異構(gòu)的活性中心主要是弱的L酸中心。
圖3 不同SiO2/A l2 O3比例的Hβ分子篩NH3-TPD譜圖Fig.3 NH3-TPD spectra of Hβzeolites with differen t SiO2/A l2 O3 ratio
圖4 不同SiO2/A l2 O3比例分子篩的吡啶吸附紅外譜圖Fig.4 Pyridine-adsorp tion IR spectra of Hβzeolites with SiO2/A l2 O3 ratio
由圖5可以看出,當焙燒溫度小于500℃時,無論是反應轉(zhuǎn)化率還是產(chǎn)物選擇性均隨溫度增加而增加;當焙燒溫度升高時,轉(zhuǎn)化率和選擇性均隨溫度的增加而迅速下降。
圖5 焙燒溫度對分子篩催化endo-DCPD異構(gòu)的影響Fig.5 Effect of calcination tem perature on the catalytic isom erization of endo-DCPD
熱重模擬催化劑焙燒過程發(fā)現(xiàn),Hβ在100℃左右脫除表面吸附水而有輕微失重;在380~500℃開始出現(xiàn)明顯失質(zhì)量,屬于分子篩內(nèi)部殘留的模板劑降解過程;500℃后基本不出現(xiàn)失重,說明模板劑分解已經(jīng)完成,繼續(xù)焙燒主要是影響酸性轉(zhuǎn)變和骨架結(jié)構(gòu)。結(jié)合反應分析結(jié)果可知,模板劑的降解有利于增強催化劑活性,500℃焙燒時催化活性最強,進一步升高焙燒溫度對反應不利。
表2的吡啶吸附結(jié)果顯示,400℃焙燒下分子篩的B酸以中強酸和強酸為主,L酸主要以弱酸的形式存在,且酸性位數(shù)量較少。500℃焙燒時B酸的存在形式?jīng)]有發(fā)生變化,但酸性位數(shù)量明顯減少,與之對應的L酸性位數(shù)量明顯增加,且存在形式仍以弱酸為主。當焙燒溫度進一步增加時,B酸酸量進一步減少,同時L酸量增加明顯,其強度也有所增加??梢姡m當焙燒可對分子篩的酸性進行一定程度的調(diào)節(jié),500℃焙燒時弱酸性L酸數(shù)量較多,所以活性較高,進一步證實弱L酸是催化 endo-DCPD異構(gòu)的活性中心。
表2 焙燒溫度對分子篩酸性的影響Table 2 E ffect of calcination tem perature on the acidity of Hβzeollite
表3為不同溫度焙燒分子篩的物理吸附結(jié)果。隨著焙燒溫度的增加,分子篩的比表面積和孔容均增加,說明經(jīng)過焙燒后孔道內(nèi)的非骨架鋁物種得以清除,疏通了孔道,反應物分子更容易接觸到孔道內(nèi)的活性位。當焙燒溫度達600℃后,比表面積和孔體積出現(xiàn)迅速增加,說明其骨架結(jié)構(gòu)在高溫下被破壞,孔道結(jié)構(gòu)坍塌。
為確定分子篩骨架結(jié)構(gòu)隨焙燒溫度的變化,進行了XRD測試。圖6的結(jié)果顯示,隨著焙燒溫度的增加,分子篩的衍射峰逐漸變?nèi)酰f明結(jié)晶度下降。以未焙燒的分子篩為參比,根據(jù) XRD譜中 2θ=5°~30°范圍內(nèi)衍射峰強度(峰面積)之和計算相對結(jié)晶度,發(fā)現(xiàn)600℃焙燒的Hβ相對結(jié)晶度下降至78.1%。上述結(jié)果證實分子篩的骨架和三維孔道結(jié)構(gòu)受到嚴重破壞,削弱了Hβ的催化性能。這也證明分子篩的規(guī)則孔道結(jié)構(gòu)對于異構(gòu)反應十分重要。
表3 焙燒溫度對分子篩孔結(jié)構(gòu)的影響Table 3 Effect of calcination tem perature on the porous structure of Hβzeolite
圖6 不同溫度焙燒分子篩的XRD譜圖Fig 6 XRD patterns of Hβzeolite calcined at different tem perature
Hβ分子篩能夠催化 endo-DCPD異構(gòu)為 exo-DCPD。異構(gòu)反應發(fā)生在分子篩孔道內(nèi),鈍化外表面酸性位可以抑制聚合副反應,提高異構(gòu)反應選擇性。隨著n(硅)/n(鋁)的增加,分子篩的弱L酸量急劇減少,與endo-DCPD異構(gòu)活性變化趨勢一致,證明這些酸性位是催化endo-DCPD異構(gòu)的活性中心。500℃焙燒使殘留的模板劑完全降解,增加弱L酸性位中心,提高了Hβ的催化異構(gòu)活性,但焙燒溫度過高時,L酸強度提高,同時分子篩骨架被破壞,孔道坍塌,不利于異構(gòu)化反應的進行。研究結(jié)果為規(guī)模合成exo-DPCD提供了可能,雖然目前的選擇性仍然偏低,但催化劑表面改性可望進一步抑制聚合副反應、提高反應選擇性。
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