黨乾坤，楊 凱，王 強(qiáng)，滕恩江，王冠軍，丁傳凡

(1.復(fù)旦大學(xué)化學(xué)系激光化學(xué)研究所，上海 200433；2.中國(guó)環(huán)境監(jiān)測(cè)總站，北京 100012)

利用直流偏置電壓提高矩形離子阱質(zhì)譜的靈敏度

黨乾坤1，楊 凱2，王 強(qiáng)2，滕恩江2，王冠軍1，丁傳凡1

(1.復(fù)旦大學(xué)化學(xué)系激光化學(xué)研究所，上海 200433；2.中國(guó)環(huán)境監(jiān)測(cè)總站，北京 100012)

線性離子阱質(zhì)譜是近年來(lái)被廣泛應(yīng)用的一種性能優(yōu)良的質(zhì)譜儀。線性離子阱質(zhì)量分析器通常是由四根柱狀電極合圍而成。由于四根電極的幾何對(duì)稱性，在線性離子阱中產(chǎn)生的電場(chǎng)在離子檢測(cè)方向上也是高度對(duì)稱的，也就是說(shuō)，當(dāng)離子從x方向被逐出離子阱時(shí)，將各有50%的離子從+x和-x方向被分別逐出。因此，如果只在線性離子阱的一側(cè)安裝離子探測(cè)器，則離子的檢測(cè)效率只有50%。本工作以矩形線性離子阱為研究對(duì)象，通過(guò)在離子阱中離子逐出方向的一根電極上施加一定的直流偏置電壓，利用此直流電壓在離子阱中產(chǎn)生的直流電場(chǎng)，使離子阱中存儲(chǔ)的離子偏離中心軸分布。這樣，離子將在后續(xù)離子逐出電場(chǎng)的作用下，被非對(duì)稱地逐出離子阱。如，可使多數(shù)離子從+x方向出射，少數(shù)離子從-x方向出射。此時(shí)，如果在+x方向安置離子探測(cè)器，將獲得高于50%的離子探測(cè)效率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，直流偏置電壓可以明顯地提高離子檢測(cè)效率，例如，在與檢測(cè)器對(duì)側(cè)電極施加正的直流偏置電壓時(shí)，離子強(qiáng)度在一定電壓范圍內(nèi)皆有顯著提高。實(shí)驗(yàn)所測(cè)得的4種不同質(zhì)荷比的離子提高比例分別是20%、38%、31%、44%。該方法的實(shí)驗(yàn)原理簡(jiǎn)單、實(shí)驗(yàn)技術(shù)方便易行，可以顯著提高線性離子阱檢測(cè)靈敏度，具有一定的實(shí)用價(jià)值和應(yīng)用前景。

離子阱質(zhì)譜；線性離子阱；直流偏置電壓；靈敏度

質(zhì)譜是一種非常重要的分析技術(shù)，廣泛應(yīng)用于航天、冶金、地質(zhì)、法醫(yī)、生命科學(xué)、環(huán)境污染、食品安全等領(lǐng)域。然而，由于體積重量大、能耗高、保養(yǎng)復(fù)雜，其進(jìn)一步應(yīng)用(如在線監(jiān)測(cè)、實(shí)時(shí)分析)受到不同程度的限制。因此，小型化、便攜式質(zhì)譜的研制引起了廣泛的興趣[1-2]。矩形線性離子阱質(zhì)量分析器由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易加工、能耗小、工作氣壓高、具有在單一阱中就能實(shí)現(xiàn)串級(jí)質(zhì)譜的功能等優(yōu)勢(shì)，在質(zhì)譜儀小型化過(guò)程中扮演著重要的角色[3-5]。

靈敏度是離子阱質(zhì)譜性能的一個(gè)重要指標(biāo)。線性離子阱相比三維離子阱一個(gè)重要的優(yōu)勢(shì)是離子存儲(chǔ)容量大[6-7]，這使質(zhì)譜靈敏度有較大提高。由于線性離子阱，包括矩形離子阱中的射頻電場(chǎng)和激發(fā)電場(chǎng)是關(guān)于軸向平面呈鏡像對(duì)稱分布的，所以進(jìn)行質(zhì)量掃描時(shí)，從離子逐出方向的一對(duì)電極上逐出的離子數(shù)各占一半。因此，如果離子阱質(zhì)譜只使用一個(gè)離子檢測(cè)器，則只能檢測(cè)到50%的離子，另外50%的離子將損失掉。如果通過(guò)在兩個(gè)離子逐出電極外都安置檢測(cè)器的方法來(lái)提高離子檢測(cè)效率，如Thermo-Fisher公司的LTQ質(zhì)譜儀，會(huì)使電子系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)復(fù)雜化，提高儀器成本。

在三維離子阱中，通過(guò)在某個(gè)電極上施加直流電壓(DC)，可使束縛在阱中離子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生改變，從而達(dá)到改善質(zhì)譜性能或者實(shí)現(xiàn)某些功能的目的[8-19]。直流電壓一般以3種方式施加在三維離子阱上：1)四極直流電壓，即在三維離子阱的環(huán)電極上加直流電壓。這種方式一般用于質(zhì)量選擇性離子隔離[8]。2)偶極直流電壓，即在前端蓋電極上加一正的直流電壓，后端蓋電極上加一負(fù)的直流電壓，或者相反。3)單極直流電壓，即在某一端蓋電極上加一正或一負(fù)直流電壓，另一端蓋電極接地。以2)或3)方式施加的直流電壓主要用于提高離子入射時(shí)的捕獲效率[9]、串級(jí)質(zhì)譜中阱中離子的提取[10-11]、離子的碰撞誘導(dǎo)解離(CID)[12-15]、直流斷層掃描實(shí)驗(yàn)[16]等。Plass等[17]在研究三維離子阱中直流電壓激發(fā)和直流斷層掃描理論時(shí)，模擬發(fā)現(xiàn)加上偶極直流電壓后離子在軸向的運(yùn)動(dòng)軌跡中心偏向直流電壓為負(fù)的一側(cè)端蓋電極。這說(shuō)明，通過(guò)加直流電壓產(chǎn)生不對(duì)稱電場(chǎng)，使離子偏向性的在某一個(gè)電極方向上逐出存在可能。Vaden等[18]報(bào)道了在三維離子阱質(zhì)量分析階段加上一偶極直流電壓，促使離子單向逐出，使不同質(zhì)荷比的離子強(qiáng)度提高13%到97%不等(大部分離子在45%左右)，直流電壓是通過(guò)一個(gè)線圈與共振激發(fā)電壓AC一起加到兩個(gè)端蓋電極上，并通過(guò)TTL電路對(duì)直流電壓進(jìn)行控制，在離子檢測(cè)器一側(cè)電極施加負(fù)的直流電壓。Prentice等[19]報(bào)道了質(zhì)量分析階段在三維離子阱后端蓋電極上加一負(fù)的直流電壓使離子強(qiáng)度得以提高，激發(fā)電壓AC以單極方式僅加在前端蓋電極上，通過(guò)TTL電路對(duì)直流電壓進(jìn)行控制。

到目前為止，前人研究工作均未涉及到線性離子阱，包括如何在矩形離子阱中提高離子單向逐出效率。由于三維離子阱離子彈出電極上不施加射頻信號(hào)，耦合一可控的直流脈沖信號(hào)非常簡(jiǎn)單。而線性離子阱在質(zhì)量分析階段施加偶極或單極直流偏置電壓，離子逐出方向的兩個(gè)電極上的RF信號(hào)將不僅需要耦合共振激發(fā)AC信號(hào)，還需要耦合一個(gè)可控的直流脈沖信號(hào)，如是偶極直流該脈沖信號(hào)在兩個(gè)電極上的相位則需相反。這樣的實(shí)驗(yàn)電路較為復(fù)雜,實(shí)用性低。因此，本工作施加一恒定的單極直流偏置電壓，而非脈沖直流電壓，研究其對(duì)矩形離子阱質(zhì)譜性能的影響。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 儀器與試劑

精氨酸(Arginine,m/z174.2)，利血平(Reserpine,m/z608.7)：上海阿拉丁試劑有限公司產(chǎn)品；三肽Gly-Phe-Leu(GFL,m/z335.4)，亮氨酸腦啡肽(Leucineenkephalin,m/z555.6)，三肽Ala-Ala-Ala(AAA，m/z231.2)，四肽Gly-Gly-Phe-Leu(GGFL,m/z392.5)：吉爾生化上海有限公司產(chǎn)品。以上試劑均采用V(甲醇)∶V(水)=50∶50的溶劑，含有0.05%醋酸,配制成5×10-5mol/L溶液。以V(三肽AAA)∶V(四肽GGFL)∶V(精氨酸)∶V(三肽GFL)=1∶1∶1∶1的溶液配制成各濃度均為5×10-5mol/L的混合溶液，溶劑同上。

萬(wàn)用表(VC9808+)：深圳市勝利高電子科技有限公司產(chǎn)品，整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的直流電壓都是在萬(wàn)用表20 V檔下測(cè)量所得的；本實(shí)驗(yàn)室自行設(shè)計(jì)和加工的電噴霧離子源-矩形離子阱質(zhì)譜儀器系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)參考文獻(xiàn)[20]。儀器由三級(jí)差分真空系統(tǒng)構(gòu)成，離子阱所在真空腔內(nèi)的真空度達(dá)3×10-3Pa。氦氣作為冷卻氣，氣壓維持在1.33 Pa。

電噴霧離子源產(chǎn)生的離子通過(guò)采樣板小孔和取樣錐孔進(jìn)入第二級(jí)真空腔，在長(zhǎng)200 mm的四極離子導(dǎo)引桿傳輸作用下，進(jìn)入離子阱質(zhì)量分析器。該矩形離子阱是實(shí)驗(yàn)室自行設(shè)計(jì)加工的，阱的場(chǎng)半徑比例為Rx/Ry=1.2∶1，僅一對(duì)電極上有離子引出槽，有關(guān)離子阱結(jié)構(gòu)的具體介紹參考文獻(xiàn)[21]。離子阱引出槽一側(cè)安裝有電子倍增器(型號(hào)CEM 4879)。

離子阱工作所用的射頻電源為加拿大Sciex公司生產(chǎn)的RF電源(型號(hào)009701)，頻率為768 kHz。此射頻電源可輸出相位相反，振幅相同的射頻電壓信號(hào)：一路直接加至Y電極，另一路通過(guò)一線圈與AC激發(fā)電壓信號(hào)耦合，產(chǎn)生的兩路信號(hào)輸出分別施加至X1、X2電極。兩路信號(hào)AC電壓的相位相反。

實(shí)驗(yàn)測(cè)控系統(tǒng)是本實(shí)驗(yàn)室自行研制的。它除了可以與計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)通信外，還可用于控制多路直流電壓、射頻電壓信號(hào)，并產(chǎn)生AC激發(fā)電壓信號(hào)。多路直流電壓是由測(cè)控系統(tǒng)產(chǎn)生信號(hào)，經(jīng)程控直流放大系統(tǒng)放大產(chǎn)生的。該系統(tǒng)可提供12路直流信號(hào)，每路直流信號(hào)的輸出電壓均由測(cè)控系統(tǒng)控制，可在-120～120 V連續(xù)可調(diào)。有6路直流信號(hào)分別加至離子采樣電極、取樣錐、四極離子導(dǎo)引桿、離子透鏡電極和離子阱的前后端蓋電極，另有一直流線路通過(guò)-20 M電阻接至X2電極上，電路圖示于圖1。在另一耦合信號(hào)輸出端和X1電極之間串聯(lián)-10 nF的電容，從而使直流電壓僅加至X2電極。當(dāng)射頻電源調(diào)節(jié)平衡后，整個(gè)電路處于諧振狀態(tài)，所串聯(lián)的電容對(duì)電路的影響可忽略不計(jì)，且施加的直流電壓不超過(guò)20 V則不會(huì)對(duì)射頻電源產(chǎn)生任何影響。

圖1 矩形離子阱直流偏置電壓施加方式電路圖Fig.1 Schematic of application of a DC offset to the rectilinear ion trap

1.2 實(shí)驗(yàn)方法

本實(shí)驗(yàn)中，質(zhì)譜分析過(guò)程分為4個(gè)階段：離子引入、離子冷卻、質(zhì)量分析和離子清空。在離子引入和冷卻階段，離子阱射頻工作電壓的幅度保持不變，但不加離子AC激發(fā)電壓。在離子引入階段，離子阱前端蓋電極的直流電壓(門控電壓)較低，使離子可以進(jìn)入阱中。離子引入一段時(shí)間后，該直流電壓升高，離子不能再進(jìn)入離子阱。進(jìn)入阱中的離子與緩沖氣體He氣發(fā)生碰撞，并失去部分動(dòng)能而被束縛在離子阱中。隨后施加一定頻率的AC激發(fā)電壓，同時(shí)掃描此射頻電壓的幅值，使離子久期頻率不斷增加。當(dāng)某種質(zhì)荷比離子的久期頻率與AC激發(fā)電壓頻率相等時(shí)，此離子被共振彈出，并被安置在離子阱外的離子探測(cè)器所接收，獲得離子質(zhì)譜信號(hào)，實(shí)現(xiàn)質(zhì)量分析。在離子清空階段，離子阱上不加射頻電壓。整個(gè)質(zhì)譜分析過(guò)程，直流偏置電壓保持不變。各個(gè)階段的電壓施加方式示于圖2。

圖2 矩形離子阱工作時(shí)序圖Fig.2 Scan function used for the rectilinear ion trap experiment

2 結(jié)果與討論

2.1 離子強(qiáng)度隨直流電壓的變化

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，分別測(cè)量并記錄某一直流偏置電壓下的離子質(zhì)譜峰強(qiáng)度。離子質(zhì)譜峰強(qiáng)度用某一質(zhì)荷比質(zhì)譜峰的峰面積表示。某一直流偏置電壓下的質(zhì)譜峰強(qiáng)度相對(duì)于偏置電壓為0 V時(shí)的峰面積比(百分?jǐn)?shù))表示該離子的強(qiáng)度變化。假定0 V時(shí)的質(zhì)譜峰強(qiáng)度為100%。

利血平離子的質(zhì)譜峰強(qiáng)度隨直流電壓的變化曲線示于圖3。實(shí)驗(yàn)中，每測(cè)得2次直流電壓值下的質(zhì)譜峰都需要再次測(cè)得0 V時(shí)的質(zhì)譜峰作為參考值，以減少儀器信號(hào)波動(dòng)對(duì)結(jié)果產(chǎn)生的影響。而且每個(gè)直流電壓下(包括0 V)的質(zhì)譜峰峰面積都是在質(zhì)譜信號(hào)穩(wěn)定后，取3次掃描得到的質(zhì)譜峰峰面積的平均值，其中每次掃描累加100次平均后的質(zhì)譜峰測(cè)量結(jié)果。本實(shí)驗(yàn)樣品為利血平，離子引入和冷卻階段的時(shí)間分別為7、15 ms，2個(gè)階段射頻工作電壓的幅值保持480 V不變，掃描速度為1 622 amu/s，離子共振激發(fā)電壓幅度為7 V，頻率為220 kHz。

當(dāng)在離子阱逐出方向的X2電極施加一正的偏置直流電壓時(shí)，帶正電荷的離子會(huì)偏離中心,靠近與X2電極相對(duì)立的X1電極。然后在AC激發(fā)電壓的作用下，離子在X方向的運(yùn)動(dòng)幅度是連續(xù)不斷增大的。故偏離中心的離子將首先從X1電極逸出，從而使得安置在此電極外的檢測(cè)器所檢測(cè)的離子數(shù)多于50%，與未加直流電壓相比，其信號(hào)強(qiáng)度增大。但直流電壓增加到一定值時(shí)，離子偏離中心的距離較大，受到射頻電場(chǎng)的束縛作用減弱，從而發(fā)生擴(kuò)散。同時(shí)，由于離子引出槽寬度僅0.8 mm，且位于電極中心，擴(kuò)散的離子將撞到電極上，使得檢測(cè)到的離子數(shù)減少，此時(shí)離子強(qiáng)度將會(huì)下降。從圖3可以看出，直流電壓為3.5 V時(shí)，信號(hào)提高比例最大，達(dá)44%。進(jìn)一步提高直流偏置電壓，質(zhì)譜信號(hào)則逐漸下降。

當(dāng)在X2電極施加一負(fù)的偏置直流電壓時(shí)，直流電場(chǎng)方向變?yōu)榉捶较颍藭r(shí)位于X1電極一側(cè)的檢測(cè)器所測(cè)得的離子數(shù)應(yīng)與施加正的直流電壓時(shí)X2電極逐出的離子數(shù)一樣。再施加正的直流電壓時(shí)，從X1電極逐出的離子數(shù)增加，但阱束縛的離子總量一定，這導(dǎo)致從對(duì)側(cè)電極逐出的離子數(shù)減少，其減少的量與增加的量應(yīng)基本相等。從圖3可見(jiàn)，在4 V以內(nèi)，增加量與減少量基本相等。

圖3 利血平樣品離子的相對(duì)強(qiáng)度隨直流電壓的變化曲線圖Fig.3 Results of the relative intensity of reserpine as a function of DC potentials

2.2 直流電壓對(duì)質(zhì)譜質(zhì)量分辨率的影響

在離子阱電極上施加直流電壓的目的是為了提高離子阱的檢測(cè)靈敏度，但從應(yīng)用的角度上，要求此直流電壓不能對(duì)離子阱的質(zhì)量分辨力產(chǎn)生不利的影響。為了了解直流偏置電壓對(duì)質(zhì)譜分辨的影響，分別測(cè)量了不同直流偏置電壓下的質(zhì)譜圖，并分析了質(zhì)譜質(zhì)量分辨的變化情況，當(dāng)X2電極所加直流電壓分別為0、3、5 V時(shí)，腦啡肽離子樣品的質(zhì)譜圖示于圖4。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，離子引入和冷卻階段的時(shí)間分別為10、15 ms，2個(gè)階段射頻電壓幅值保持500 V不變，掃速為1 730 amu/s，激發(fā)電壓幅度為6 V，頻率為220 kHz。結(jié)果表明，在實(shí)驗(yàn)測(cè)量誤差允許范圍內(nèi)，直流電壓為0、3、5 V時(shí)，所對(duì)應(yīng)的質(zhì)譜圖的半峰寬(FWHM)基本沒(méi)有變化，可見(jiàn)施加直流偏置電壓對(duì)離子阱的質(zhì)量分辨率基本不產(chǎn)生影響。

圖4 DC=0、3、5 V時(shí)，腦啡肽離子的質(zhì)譜圖Fig.4 MS spectrum of leucineenkephalin at three different DC potentials(0, 3 and 5V)

圖5 精氨酸離子、三肽(GFL)離子、腦啡肽離子的相對(duì)強(qiáng)度隨X2電極上所加正直流電壓的變化趨勢(shì)Fig.5 Results of the relative intensity of arginine, GFL, leucine encephalin as a function of DC potentials

2.3 不同質(zhì)荷比的離子信號(hào)受直流電壓的影響

從理論上講，由于不同離子的質(zhì)荷比不同，在相同電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，它們?cè)陔x子阱中所偏離的距離應(yīng)有所不同[14]。因此，當(dāng)它們被共振激發(fā)出離子阱時(shí)，由于不同離子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的差異，其增加的量應(yīng)有所差別。實(shí)驗(yàn)分別測(cè)量了精氨酸、GFL、腦啡肽樣品的離子相對(duì)強(qiáng)度隨X2電極所加直流電壓的變化，結(jié)果示于圖5。GFL樣品離子的引入時(shí)間和冷卻階段時(shí)間分別為9、15 ms，2個(gè)階段射頻電壓幅值保持400 V不變，掃速為1 465 amu/s，激發(fā)電壓幅度為6 V，頻率為220 kHz。精氨酸樣品離子的引入時(shí)間和冷卻階段時(shí)間分別為9、15 ms，2個(gè)階段射頻電壓幅值保持400 V不變，掃速為1 435 amu/s，激發(fā)電壓幅度為3 V，頻率為220 kHz。由圖5可見(jiàn)，不同樣品隨直流電壓的變化趨勢(shì)一致，均為先上升后下降，且有一峰值。精氨酸、GFL、腦啡肽樣品的峰值分別在5、5、2 V處，提高比例分別達(dá)20%、38%、31%。這種差別與理論預(yù)料的結(jié)果基本吻合。

X2電極加直流電壓0、2.5、5.5 V時(shí)，混合樣品的質(zhì)譜圖示于圖6。離子引入和冷卻階段的時(shí)間分別為11、15 ms，2個(gè)階段射頻電壓幅值保持400 V不變，掃速為1 709 amu/s，激發(fā)電壓幅度為6 V，頻率為220 kHz。由圖6可見(jiàn)，相對(duì)電壓為0 V時(shí)，4個(gè)樣品離子強(qiáng)度都有不同程度的提高。對(duì)于GFL，在5.5 V電壓下的強(qiáng)度與2.5 V的強(qiáng)度基本無(wú)變化;而GGFL樣品在5.5 V電壓下的強(qiáng)度較2.5 V的強(qiáng)度有所下降;另外2個(gè)樣品則有所提高。結(jié)合圖5，這是因?yàn)闃悠窂?qiáng)度隨電壓變化呈先上升后下降的趨勢(shì)，且不同質(zhì)荷比的離子信號(hào)強(qiáng)度增加與偏置電壓有關(guān)。

圖6 DC=0、2.5、5.5 V時(shí)，混合樣品的質(zhì)譜圖Fig.6 MS spectra of Arginine, AAA, GFL, and GGFL mixture at three different DC potentials(0, 2.5 and 5.5 V)

3 結(jié)論

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)在矩形離子阱X2電極上施加正的直流偏置電壓，產(chǎn)生一定的直流電場(chǎng)分布，使得離子阱中的離子分布偏向離子探測(cè)器的一方，這樣當(dāng)離子被共振逐出時(shí)，將有大部分離子從安置有離子探測(cè)器一方電極的小孔中逐出離子阱并被檢測(cè)到。此方法可以明顯提高單檢測(cè)器離子阱質(zhì)譜的檢測(cè)效率，對(duì)質(zhì)譜分辨率基本無(wú)影響,并且同一偏置電壓對(duì)不同質(zhì)荷比的離子都可實(shí)現(xiàn)信號(hào)強(qiáng)度的提高。

由于本研究所用的離子引出槽較窄(僅0.8 mm)，這可能會(huì)影響離子信號(hào)強(qiáng)度的進(jìn)一步增加，所以，需要進(jìn)一步研究不同條件下直流偏置電壓對(duì)信號(hào)強(qiáng)度的影響，如設(shè)計(jì)加工具有不同尺寸離子引出槽時(shí)的離子信號(hào)與直流偏置電壓大小的關(guān)系，離子阱工作電壓、離子阱電極結(jié)構(gòu)、不同β值等對(duì)離子檢測(cè)靈敏度的影響等，以最大限度地提高離子收集與檢測(cè)效率。

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Application of a DC Offset in a Rectilinear Ion Trap to Improve Sensitivity

DANG Qian-kun1, YANG Kai2, WANG Qiang2, TENG En-jiang2,WANG Guan-jun1, DING Chuan-fan1

(1.LaserChemistryInstitute,DepartmentofChemistry,FudanUniversity,Shanghai200433,China;2.ChinaNationalEnvironmentalMonitoringCenter,Beijing100012,China)

Linear ion trap (LIT) comprised of four electrodes has been widely used in recent years. Because of the symmetry of the electrodes, the electric field in the LIT is symmetrical in the axial direction. As a result, about 50% of the trapped ions are ejected from one of a pair of electrodes in the process of mass analysis, which can be detected for one detector. In this study, a DC offset was applied to the electrode on the opposite side of the detector, which shifted the positive ions towards the electrode on the side of the detector. This helped the trapped ions to eject unidirectionally. And over 50% of the trapped ions could be detected. Four ions of different mass-to-charge ratios were investigated in this experiment. The results show that the positive DC voltage in a certain range increases the ion intensity. The increments of the ions are 20%，38%，31%，44%， respectively. This method is simple in principle, convenient in experimental technique.

ion trap mass spectrometer; linear ion trap; DC offset; sensitivity

2014-01-02；

2014-02-20

國(guó)家“十二五”重大儀器專項(xiàng)“基于質(zhì)譜技術(shù)的全組分痕量重金屬分析儀器開(kāi)發(fā)和應(yīng)用示范”(2011YQ0601003)資助

黨乾坤(1991～)，男(漢族)，安徽蕪湖人，碩士研究生，從事質(zhì)譜儀器研究。E-mail：qdang12@fudan.edu.cn

丁傳凡(1962～)，男(漢族)，安徽人，教授，從事分析化學(xué)、物理化學(xué)研究。E-mail: cfding@fudan.edu.cn

O 657.63

A

1004-2997(2014)03-0210-06

10.7538/zpxb.2014.35.03.0210