蘇俊宏，葛錦蔓，徐均琪，吳慎將，陳 磊

引言

類金剛石（diamond－like carbon，DLC）薄膜是以sp3、sp2鍵結(jié)合為主體，并混合有少量sp1鍵的遠(yuǎn)程無序立體網(wǎng)狀非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)使得DLC薄膜具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)性能，如紅外波段透明、硬度高、摩擦系數(shù)小、化學(xué)性能穩(wěn)定、熱膨脹系數(shù)小等，從而使該薄膜在光學(xué)、電學(xué)、材料、機(jī)械、醫(yī)學(xué)、航空航天等領(lǐng)域引起了科研工作者的廣泛關(guān)注［1－4］。由于制備技術(shù)和方法不同，DLC膜可能完全由碳元素組成，也可能含有大量的氫，因此一般來說，可將DLC薄膜分為含氫碳膜和不含氫碳膜。根據(jù)薄膜中原子的鍵合方式（C－H、C－C、sp3、sp2等）及各種鍵比例不同，DLC膜又有不同的稱謂：非晶碳（amorphous carbon，a－C）膜，膜中sp2鍵含量較高；含氫非晶碳（hydrogenated amorphous carbon，a－C：H）膜；四面體非晶碳（tetrahedral amorphous carbon，ta－C）膜，sp3鍵含量超過70%，因此也稱非晶金剛石膜。

事實(shí)上，目前對DLC薄膜尚無明確的定義和統(tǒng)一的概念，但若以其宏觀性質(zhì)而論，國際上廣為接受的標(biāo)準(zhǔn)為硬度達(dá)到天然金剛石硬度20%的絕緣無定形碳膜就稱為DLC薄膜［5］。信息時(shí)代的到來，DLC薄膜的一些新的功能特性得到不斷開發(fā)，使其具有很大的研究價(jià)值和廣泛的應(yīng)用前景。本文就DLC薄膜的特性、制備技術(shù)以及其抗激光損傷能力等幾個(gè)方面的研究，進(jìn)行了綜述和展望。

1 DLC薄膜的特性及應(yīng)用

DLC薄膜的特殊結(jié)構(gòu)決定了這種薄膜材料具有優(yōu)良的特性和廣泛的應(yīng)用，主要表現(xiàn)在：

1）具有很高的硬度和優(yōu)異的抗磨損性能，因而非常適合作為硬質(zhì)工具涂層，沉積在軸承、刀具等表面，不僅可以延長工具的壽命，而且還可以提高功效［6］；

2）電阻率高（102Ω·cm～1014Ω·cm）、介電常數(shù)大、擊穿電壓高。利用這些特點(diǎn)，可將它制成理想的超高頻和微波波段的介質(zhì)材料［7］；

3）具有高摻雜性。由于其帶隙寬，有利于高集成化電子器件在高溫條件下使用，因此該薄膜有望成為半導(dǎo)體行業(yè)的首選材料之一［8］；

4）具有良好的高頻、高音速（18 300m／s）特性。用DLC涂層制作的高頻揚(yáng)聲器振動(dòng)膜頻帶寬，其頻率特性高達(dá)60KHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)覆蓋了人耳的聽力范圍（20Hz～20kHz）；

5）在紅外到紫外的波長范圍內(nèi)具有很高的透射率，可鍍在航天器或其他儀器的紅外窗口上，是極好的紅外增透保護(hù)膜。采用非平衡磁控濺射法（UBMS）在Si和Ge鍺基底上單面沉積的DLC薄膜，透射率分別達(dá)到了68.83%和63.05%（2 983cm－1），這一結(jié)果接近無吸收碳材料的理論值［9］；

6）具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，耐腐蝕（防酸、堿、鹽）性能好，不僅可作為光學(xué)元件的增透膜和保護(hù)膜，防止光學(xué)元件被飛砂擦傷或被酸、堿、鹽溶液腐蝕，還應(yīng)用于光盤保護(hù)膜、手表玻璃保護(hù)膜、眼鏡片（玻璃、樹脂）保護(hù)膜以及汽車擋風(fēng)玻璃保護(hù)膜等；

7）熱導(dǎo)率高，約為銅的6倍，熱膨脹系數(shù)小，具有優(yōu)良的抗熱沖擊性能，可用來制作大功率晶體管的散熱鍍層，減少傳統(tǒng)散熱器的面積；

8）具有良好的生物相容性，在醫(yī)學(xué)方面也有廣泛的應(yīng)用。涂鍍在人工關(guān)節(jié)上轉(zhuǎn)動(dòng)部位上的DLC薄膜不會(huì)因摩擦而產(chǎn)生磨損，更不會(huì)與肌肉發(fā)生反應(yīng)、可大幅度延長人工關(guān)節(jié)的使用壽命；

9）DLC薄膜在室溫下光致發(fā)光和電致發(fā)光率都很高，有可能在整個(gè)可見光范圍發(fā)光，因此可以用作性能極佳的發(fā)光材料之一；

10）DLC薄膜的其他應(yīng)用。通過調(diào)整工藝參數(shù)及膜層成分，人們已經(jīng)能夠制備出黑、青、灰等不同顏色的DLC薄膜，用于裝飾工業(yè)上。

2 DLC膜的制備技術(shù)

自20世紀(jì)70年代人們制備出DLC薄膜以來，目前已經(jīng)開發(fā)了許多種沉積方法，但大體上可以分為物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）兩大類。PVD方法是在真空下加熱或離化蒸發(fā)材料（石墨），使蒸發(fā)粒子沉積在基片表面形成薄膜的一種方法。按照加熱方式不同，熱蒸發(fā)有激光蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)、電子束加熱等方法。濺射沉積是用高能離子轟擊靶物質(zhì)（石墨），與靶表面原子發(fā)生彈性或非彈性碰撞，結(jié)果部分靶表面原子或原子團(tuán)濺射出來，沉積在基板上形成薄膜。CVD方法是在真空室內(nèi)通入碳的氫化物、鹵化物、氧化物，通過氣體放電，在一定條件下促使它們發(fā)生分解、聚合、氧化、還原等化學(xué)反應(yīng)過程，在基板上形成DLC薄膜的方法。

2.1 制備DLC薄膜的PVD技術(shù)

2.1.1 真空電弧離子鍍

電弧離子鍍是在真空條件下，采用某種等離子體電離技術(shù)，使鍍料原子部分電離成離子，同時(shí)產(chǎn)生許多高能量的中性原子。通常要在被鍍基體上加負(fù)偏壓，這樣在深度負(fù)偏壓的作用下，離子沉積于基體表面形成薄膜。電弧離子源有連續(xù)弧光放電的，也有脈沖放電的類型［10］。一種典型的電弧沉積系統(tǒng)原理如圖1所示。所采用的電源為低壓、大電流的供電模式。沉積時(shí)聚焦于石墨表面的陰極弧斑，尺寸為1μm～10μm，由此產(chǎn)生的電流密度高達(dá)106A／cm2～108A／cm2，因而可以從石墨靶表面產(chǎn)生大量的碳粒子，形成含有離子和電子的等離子體，等離子體在弧斑處垂直于石墨靶表面噴射出來。等離子體中含有一定數(shù)量的大顆粒，可能導(dǎo)致薄膜中石墨顆粒的存在。在弧光放電沉積中若采用磁過濾器，就可以消除大顆粒而得到單一荷電態(tài)的純碳離子束。還可以通過直流或射頻偏壓控制碳離子的能量、種類等沉積參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對薄膜性能的精密調(diào)整，成為過濾?。╢iltered cathodic vacuum arc，F(xiàn)CVA）沉積。雖然電弧產(chǎn)生的微粒總體上是亞微米級的，它們?nèi)耘f可以通過與管道的碰撞到達(dá)基片表面。有研究表明將過濾器彎管設(shè)計(jì)成“S”型可以有效解決這一問題［11］。近年發(fā)展的脈沖真空電弧沉積也具有很高的沉積速率，而且制備的薄膜表面光滑，硬度可以達(dá)到40GPa～80GPa［12］。

圖1 陰極真空電弧系統(tǒng)原理示意圖Fig.1 Schematic of cathodic vacuum arc

2.1.2 脈沖激光沉積

脈沖激光沉積（pulsed laser deposition，PLD）是將激光束通過聚焦透鏡或石英窗口投影到旋轉(zhuǎn)的石墨靶上，在高能量密度激光的作用下形成等離子體放電，從而在基體上形成DLC膜［13－14］。這種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是沉積材料的范圍廣，從高溫超導(dǎo)一直到硬質(zhì)涂層。但該技術(shù)也存在沉積過程能耗大，沉積面積小的缺點(diǎn)。所制備DLC薄膜的結(jié)構(gòu)和性能，除與基體溫度有關(guān)外，主要是由激光激發(fā)石墨靶產(chǎn)生等離子體的特性決定的，短波長的激光和較高的功率密度有利于DLC膜的沉積。等離子體中離子成份越多，離子能量越高時(shí)，膜中的sp3鍵含量就越高。R.Janmohamedhe等人研究表明，當(dāng)激光輻照能量密度為108W／cm2～1011W／cm2時(shí)，激光能量密度越大，薄膜的沉積速率越低［14］。

圖2 脈沖激光沉積原理示意圖Fig.2 Schematic of pulsed laser deposition

2.1.3 濺射制備法

濺射（sputtering）是常用制備DLC薄膜的方法，是以石墨為碳源，利用射頻震蕩或直流激發(fā)的惰性氣體離子轟擊石墨靶，濺射出來的碳原子（或離子）在基體表面形成DLC膜，當(dāng)通入氣體Ar、H2或碳?xì)浠旌蠚鈺r(shí)還可以制得含氫的DLC膜。濺射又可分為直流濺射、磁控濺射、射頻濺射、離子束濺射等。其中，磁控濺射依放電的激勵(lì)源不同，又分為直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻磁控濺射等。濺射的方法在不同工藝參數(shù)（氣壓和功率）下可制備出不同性質(zhì)的DLC薄膜，研究表明工作氣壓對DLC薄膜性質(zhì)的影響非常顯著，而濺射功率對其的影響較小。Setsuo Nakao等人對高能脈沖磁控濺射沉積DLC薄膜進(jìn)行了研究，表明氬氣的充量會(huì)影響薄膜的結(jié)構(gòu)成分變化［15］，當(dāng)壓強(qiáng)上升到0.3Pa時(shí)，薄膜的密度會(huì)提高，但是如果繼續(xù)增加壓強(qiáng)，薄膜的密度會(huì)下降［15］。

2.1.4 非平衡磁控濺射方法

非平衡磁控濺射（unbalanced magnetron sputtering，UBMS）是一種新型的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了普通磁控濺射（MS）和離子束輔助沉積（IBAD）各自的優(yōu)勢，易于實(shí)現(xiàn)離子鍍，已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用［16］。嚴(yán)格來講，UBMS也屬于一種濺射技術(shù)。采用非平衡磁控濺射法沉積DLC薄膜時(shí)，靶電流直接影響濺射功率，濺射功率影響到達(dá)基體表面粒子的能量，粒子的能量直接影響薄膜的結(jié)構(gòu)和性能。隨著靶電流的增大，有助于sp3雜化的形成，使得薄膜中的sp3含量增加，同時(shí)薄膜的沉積速率增大，但其表面粗糙度則會(huì)下降。同時(shí)，靶基距也是影響磁控濺射薄膜厚度均勻性的重要參數(shù)，在一定范圍內(nèi)，隨著靶基距的增大，膜厚分布均勻性有提高趨勢，并且利用這種方法制備的DLC薄膜的殘余應(yīng)力可以達(dá)到0.9GPa～2.2GPa之間。

2.1.5 其他沉積方法

2.2 制備DLC薄膜的CVD技術(shù)

2.2.1 射頻等離子體化學(xué)氣相沉積

采用射頻等離子體化學(xué)氣相沉積（RFPECVD）可以克服表面電荷累積效應(yīng)，提高沉積速率，是目前應(yīng)用最廣泛的實(shí)驗(yàn)室DLC薄膜制備方法。RF－PECVD分為電感式和電容式兩種，其中電容式應(yīng)用較多。RF－PECVD具有沉積溫度低、膜層質(zhì)量好、適于在介質(zhì)基片上沉積薄膜等優(yōu)點(diǎn)，是目前最常用的DLC薄膜制備方法之一［6］。圖3中給出了一種電容式RF－PECVD原理示意圖，其反應(yīng)室由兩塊電極組成，射頻功率通過電容耦合到較小的放置基片的電極上，另一電極（常常包含反應(yīng)室內(nèi)壁）則接地［20］。真空室充入碳?xì)錃怏w后，在RF的激勵(lì)下產(chǎn)生等離子體，等離子體中的碳離子沉積在基底上形成DLC膜［21］，這種方法制備的DLC薄膜的彈性模量是硬度的6～7倍［21］。

2.2.2 直流等離子體化學(xué)氣相沉積

圖3 RF－CVD原理示意圖Fig.3 Schematic of RF－CVD

該方法通過直流輝光放電分解碳?xì)錃怏w，從而激發(fā)形成等離子體，等離子體與基底表面發(fā)生相互作用，形成DLC薄膜。Whitmell等人［22］首次報(bào)道采用甲烷氣體輝光放電產(chǎn)生等離子體，在直流陰極板上沉積成膜。該技術(shù)在薄膜制備過程中，極板負(fù)偏壓易于控制，而且能夠大幅度調(diào)節(jié)。但在制備絕緣膜時(shí)，尤其當(dāng)DLC薄膜厚度增加、sp3鍵含量較大時(shí)，薄膜／基底導(dǎo)電性變差，就會(huì)在薄膜表面形成電荷累積，大大降低了沉積速率，不利于工業(yè)化的實(shí)現(xiàn)。

2.2.3 熱絲法

熱絲放電法是在直流放電法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，該方法通過熱絲發(fā)射電子來維持輝光放電，從而分解碳?xì)錃怏w形成等離子體，最終在基底表面形成DLC薄膜。改進(jìn)的熱絲法設(shè)備和工藝比較簡單，穩(wěn)定性好，比較適合DLC自支撐膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但由于易受燈絲污染和氣體活化溫度較低的原因，不適合高質(zhì)量DLC薄膜的制備［23］。

2.2.4 直接光化學(xué)氣相沉積法

與往年相比，今年下半年復(fù)合肥價(jià)格漲勢較為明顯。據(jù)了解，目前，45%硫基復(fù)合肥出廠報(bào)價(jià)在2400-2450元/噸；45%氯基復(fù)合肥出廠報(bào)價(jià)在2100-2250元/噸。雖然復(fù)合肥生產(chǎn)企業(yè)加大了營銷攻勢，但是經(jīng)銷商并未積極響應(yīng)，觀望態(tài)勢較重。

直接光化學(xué)氣相沉積法（direct photochemical vapor deposition，DPCVD）是上世紀(jì)80年代興起的光CVD工藝，本質(zhì)上是利用光子激發(fā)反應(yīng)氣體分解而沉積在基片上形成薄膜的過程［24］，因而成膜溫度低，在低溫成膜方面十分引人注目。杜開瑛等人以微波激勵(lì)Xe發(fā)射的真空紫外光為光源，乙炔為反應(yīng)氣體，在120℃進(jìn)行了碳膜的生長，獲得了理想的結(jié)果［25］，但由于氧的引入導(dǎo)致DLC膜形成的初期碳原子凝聚，進(jìn)而降低了DLC膜的成膜速率［25］。

2.2.5 電子回旋共振（ECR）沉積法

電子回旋波共振是近年剛剛發(fā)展起來的一種由射頻驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生高密度等離子體的方法［26－27］。該方法中射頻能量通過一個(gè)單匝電感線圈耦合到等離子體中的，同時(shí)通過橫向穩(wěn)恒磁場限制住等離子體，使等離子體中的射頻電磁波形成左旋和右旋兩種圓偏振波。該方法可以產(chǎn)生極高的等離子體密度，而且離子能帶分布很窄，獲得DLC薄膜的沉積速率高，是首次實(shí)現(xiàn)制備DLC薄膜工業(yè)化的高密度PECVD源。電子回旋共振化學(xué)氣相沉積（ECR－CVD）按激勵(lì)方式不同可分為微波電子回旋共振和電子回旋波共振（electron cyclotron wave resonance，ECWR）兩種方式。微波電子回旋共振是在輸入的微波頻率等于電子回旋頻率時(shí)，微波能量可以耦合給電子，獲得能量的電子與碳?xì)浠衔锱鲎搽婋x產(chǎn)生等離子體，然后沉積在基體表面形成DLC薄膜。該方法的特點(diǎn)是等離子體密度高，無需電極，但沉積的DLC膜的硬度會(huì)有所下降。

2.2.6 其他沉積方法

除以上各種真空成膜的方法之外，Gupta和Roy等人［28－29］還報(bào)道了采用乙酸和水作為電解液，在鍍有SnO2的玻璃表面用電化學(xué)的方法成功制備出DLC薄膜，并且得到DLC薄膜的帶隙和折射率分別為2.0eV～2.5eV和1.2～1.8。

事實(shí)上，已報(bào)道的DLC薄膜的沉積方法和技術(shù)還有很多。而且，劃分CVD與PVD沉積的幾種方法也不是完全孤立的。某些沉積技術(shù)，往往既可以采用CVD技術(shù)，又可以采用PVD技術(shù)進(jìn)行沉積。利用ECR技術(shù)產(chǎn)生Ar等離子體（而不是利用碳?xì)錃怏w產(chǎn)生等離子體），再以Ar＋濺射石墨靶，也已經(jīng)制備出理想的DLC薄膜。從成膜過程來看，這種技術(shù)更多類似于離子束輔助沉積或磁控濺射，因此，各種制備方法之間并不是絕對孤立的。而且，不同的研究者對于制備方法的劃分也并不統(tǒng)一。

3 抗強(qiáng)激光損傷特性研究及其進(jìn)展

DLC薄膜是一種良好的紅外增透保護(hù)材料，隨著其應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，應(yīng)用于窗口表面的這種材料經(jīng)常會(huì)面臨大功率、高能量激光的輻照，因此如何提高DLC膜激光損傷閾值成為一個(gè)迫切需要解決的問題。在損傷閾值的測試方法上，研究人員已經(jīng)搭建了一套薄膜激光損傷閾值測試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對不同薄膜樣品的損傷閾值檢測，如圖4所示。整個(gè)系統(tǒng)由激光器、激光能量衰減系統(tǒng)、2－D樣品移動(dòng)平臺、損傷判別系統(tǒng)及計(jì)算機(jī)后處理系統(tǒng)組成。其中薄膜的激光損傷判別系統(tǒng)也包含了圖像法、散射法、等離子體法以及聲學(xué)法等多種判別方法，以此提高損傷判別的精度。整個(gè)薄膜激光損傷測試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了薄膜抗激光損傷閾值的實(shí)時(shí)準(zhǔn)確測量［30］。

圖4 薄膜激光損傷閾值測試系統(tǒng)原理圖Fig.4 System of laser damage threshold measurement for films

DLC薄膜的激光損傷是一個(gè)復(fù)雜的過程，至今也沒有一個(gè)準(zhǔn)確的模型或者公式可以詮釋。首先，在不同的激光能量下，DLC薄膜出現(xiàn)不同的損傷形態(tài)（如圖5所示），薄膜的損傷過程大致可以歸納為：未損傷－輕度燒蝕－剝落－深度燒蝕、熔融［31］。薄膜的損傷特性與薄膜的缺陷、內(nèi)應(yīng)力以及薄膜與襯底的結(jié)合力密切相關(guān)。薄膜表面的疵病及缺陷，會(huì)造成薄膜的折射率和消光系數(shù)降低，嚴(yán)重影響薄膜本身的各項(xiàng)光學(xué)特性。同時(shí)，薄膜的破壞也首先出現(xiàn)在缺陷處，而造成薄膜剝落的原因主要是由于激光對薄膜的表面熱沖擊應(yīng)力過大。因此，減少薄膜缺陷和降低薄膜的本身應(yīng)力，以及提高薄膜的附著力是改善薄膜抗激光損傷能力的重點(diǎn)。

研究者發(fā)現(xiàn)，DLC薄膜的激光損傷閾值與膜－基表面的電場強(qiáng)度有關(guān)，圖6所示為不同薄膜樣品內(nèi)部電場強(qiáng)度的分布，圖7為DLC薄膜樣品的激光損傷閾值與場強(qiáng)的關(guān)系。由此可見，隨著膜－基界面電場強(qiáng)度的增大，DLC膜的激光損傷閾值會(huì)變低［30］。這是因?yàn)椋∧け砻婕す鈭鰪?qiáng)增大后，激光與DLC薄膜相互作用，產(chǎn)生的等離子體加劇，薄膜對激光能量的吸收并產(chǎn)生熱積累，激光場強(qiáng)作用下，sp3雜化向sp2雜化轉(zhuǎn)變，致使DLC薄膜發(fā)生石墨化，從而影響了DLC薄膜的激光損傷閾值。因此，當(dāng)DLC膜用于減反膜時(shí)，在膜系設(shè)計(jì)過程中就要考慮采用合理的場強(qiáng)分布設(shè)計(jì)，降低薄膜－空氣界面的電場強(qiáng)度，可有效地改善薄膜的激光損傷特性。

圖5 不同激光能量下DLC薄膜的損傷形貌圖Fig.5 Damage morphology of DLC films under different laser energies

圖6 不同DLC薄膜內(nèi)部電場強(qiáng)度分布Fig.6 Electric field intensity distribution of different DLC films

利用強(qiáng)激光對DLC薄膜進(jìn)行激光預(yù)輻照，可以大大提高DLC的激光損傷閾值。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)輻照激光能量密度為其損傷閾值（LIDT）的20%、40%、60%時(shí)，強(qiáng)激光輻照對薄膜的透過率沒有影響，但當(dāng)能量密度增加到損傷閾值（LIDT）的60%以上時(shí)，DLC薄膜的表面粗糙度明顯下降，從而可極大地提高薄膜的抗激光損傷能力［32］。因此，對于DLC膜而言，采用適當(dāng)?shù)募す廨椪仗幚恚瞧浼す鈸p傷閾值提高的有效途徑。

另外，通過對DLC薄膜施加偏置電場，發(fā)現(xiàn)其對薄膜的抗激光損傷能力也有一定的影響。實(shí)驗(yàn)表明，未施加偏置電場時(shí)，薄膜被燒蝕損傷或崩裂，損傷區(qū)域的薄膜幾乎完全脫落。施加偏置電場后，薄膜未完全脫落，損傷區(qū)域內(nèi)有大量的絲狀薄膜殘片存在，損傷的面積減小，如圖8所示。研究者們認(rèn)為激光在DLC薄膜中激勵(lì)產(chǎn)生的光生電子在電場的作用下產(chǎn)生快速漂移，間接降低了激光輻照區(qū)域內(nèi)的局部能量密度，減緩了薄膜的石墨化，從而提高了DLC薄膜的抗激光損傷能力，使得DLC膜的激光損傷閾值從1.6J／cm2提高到2.4J／cm2［33］。

總之，不斷提高DLC薄膜的激光損傷能力，仍然是目前需要迫切解決的主要問題。由于碳材料在高溫下易于氧化，因此其激光損傷閾值較介質(zhì)膜相比仍存在較大差異。然而，優(yōu)化膜系的電場強(qiáng)度設(shè)計(jì)、采用合理的制備工藝，進(jìn)行激光輻照后處理，施加外界電場干預(yù)，為我們改善DLC薄膜的激光損傷能力提供了一定的思路。

圖7 DLC薄膜激光損傷閾值與膜－基界面最大場強(qiáng)的關(guān)系Fig.7 Laser－induced damage threshold versus maximum electric field intensity at film－air interface

圖8 相同激光能量下，薄膜加偏置電場前后的激光損傷形貌對比圖Fig.8 Comparison of damage morphologies of films with and without external electric fields

4 結(jié)語

DLC薄膜作為性能優(yōu)良的紅外光學(xué)材料，不僅可以用作超硬減反射膜，而且可以用作各種鍍膜元件高性能保護(hù)膜，它增強(qiáng)了鍍膜元件的抗環(huán)境干擾能力，因此大大拓寬了鍍膜元件的應(yīng)用范圍，如果能夠解決其抗強(qiáng)激光損傷的問題，便可制作出能滿足各種紅外光學(xué)儀器對不同環(huán)境要求的光學(xué)薄膜。而對DLC薄膜損傷特性的研究也給人們帶來了新的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

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