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電機(jī)控制器IGBT用風(fēng)冷散熱器設(shè)計(jì)

2015-08-19 09:13江超唐志國(guó)李薈卿郝嘉欣
汽車(chē)工程學(xué)報(bào) 2015年3期
關(guān)鍵詞:散熱器

江超+唐志國(guó)+李薈卿+郝嘉欣

摘 要:電機(jī)控制器絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)散熱性能越發(fā)成為影響電機(jī)乃至電動(dòng)汽車(chē)安全性、可靠性及動(dòng)力性的重要因素。提出一種新型純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器IGBT用風(fēng)冷散熱器結(jié)構(gòu)方案,對(duì)IGBT熱源及所設(shè)計(jì)的新型風(fēng)冷散熱器建立了黑匣子仿真模型,通過(guò)理論估算得出在額定工況下IGBT結(jié)點(diǎn)溫度,進(jìn)而利用流體仿真軟件對(duì)IGBT芯片結(jié)溫和散熱器的溫度場(chǎng)、流場(chǎng)進(jìn)行可視化熱仿真分析。同時(shí)對(duì)IGBT芯片結(jié)溫進(jìn)行試驗(yàn)測(cè)定,并與熱仿真結(jié)果以及理論估算結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,驗(yàn)證了該新型風(fēng)冷散熱器能滿(mǎn)足IGBT正常工作的熱設(shè)計(jì)要求。

關(guān)鍵詞:電機(jī)控制器;絕緣柵雙極型晶體管;散熱器;結(jié)溫;熱仿真

中圖分類(lèi)號(hào):TN305.94文獻(xiàn)標(biāo)文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文獻(xiàn)標(biāo)DOI:10.3969/j.issn.2095-1469.2015.03.04

在電動(dòng)汽車(chē)中,電機(jī)控制器IGBT散熱器的功用就是保證電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在任何負(fù)荷條件和工作環(huán)境中均能在最合適的溫度狀態(tài)下正??煽糠€(wěn)定地工作,是影響電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及整個(gè)電動(dòng)汽車(chē)安全性、可靠性和動(dòng)力性能的重要因素[1]。近年來(lái),IGBT工作中產(chǎn)生的熱功耗不斷增大[2-3],為保證電機(jī)控制器中IGBT能夠正常工作,通常IGBT能夠允許最大結(jié)溫不超過(guò)125 ℃,散熱器基板溫度應(yīng)控制在85 ℃以下[4]。所以,散熱器散熱性能的優(yōu)劣已成為電機(jī)控制器設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題[5-8]。

電機(jī)控制器內(nèi)的熱環(huán)境是非常復(fù)雜的,除了需要依靠基于經(jīng)驗(yàn)的理論估計(jì)和試驗(yàn)研究外,也需要借助成熟的計(jì)算流體力學(xué)(Computational Fluid Dynamics,CFD)技術(shù)來(lái)完善對(duì)電機(jī)控制器熱特性的準(zhǔn)確評(píng)估與分析。將CFD仿真、理論計(jì)算融入整個(gè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,合理優(yōu)化改善其內(nèi)部熱環(huán)境,從而提高其可靠性,得到合理的熱管理方案,縮短產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)時(shí)間[9]。

鑒于IGBT本身結(jié)構(gòu)與材料的復(fù)雜性,目前大多數(shù)文獻(xiàn)[10-11]均忽略IGBT的高溫結(jié)點(diǎn),將其假設(shè)為均勻分布的平板熱源進(jìn)行熱仿真分析。文獻(xiàn)[10]用與IGBT尺寸相同的均勻發(fā)熱塊代替熱源,得到一組散熱器熱阻數(shù)據(jù)庫(kù)。文獻(xiàn)[11]也將IGBT都假設(shè)為均勻分布的熱源,IGBT的熱損耗全部假設(shè)均勻分布在基板上,最終通過(guò)計(jì)算水冷散熱器表面溫升估計(jì)出功率器件的溫升。

基于目前常規(guī)風(fēng)冷散熱器不能滿(mǎn)足純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器IGBT散熱需求,本文提出一種新型風(fēng)冷散熱器結(jié)構(gòu)方案。根據(jù)IGBT的芯片實(shí)際功耗情況,通過(guò)計(jì)算每個(gè)熱源結(jié)點(diǎn)的熱功耗,對(duì)IGBT結(jié)溫進(jìn)行理論估算,并利用流體熱仿真軟件對(duì)IGBT多點(diǎn)熱源及散熱器進(jìn)行建模仿真,獲得IGBT高溫結(jié)點(diǎn)和所設(shè)計(jì)的新型風(fēng)冷散熱器的溫度分布和流場(chǎng)分布,同時(shí)進(jìn)行試驗(yàn)測(cè)定,對(duì)比驗(yàn)證該新型風(fēng)冷散熱器的散熱性能。

1 新型風(fēng)冷散熱器結(jié)構(gòu)

本文提出的電機(jī)控制器新型風(fēng)冷散熱器結(jié)構(gòu)如圖1所示,外圍尺寸為230 mm×240 mm×100 mm,基板厚度為14 mm,翅片厚度為3 mm,高度為86 mm,每個(gè)翅片兩面都對(duì)稱(chēng)分布有50個(gè)小翅片,厚度為0.5 mm,高度為1.5 mm。圖2為去除百葉窗后的仿真三維模型。

該散熱器通過(guò)密集布置小翅片增大其同外界的對(duì)流換熱面積,從而達(dá)到改善散熱器散熱效果的目的。其對(duì)流換熱面積可達(dá)2.67 m2,相同尺寸的無(wú)小翅片傳統(tǒng)散熱器換熱面積約為1.01 m2,所以該散熱器可大大減小同外界環(huán)境之間的傳熱熱阻。

2 傳熱模型建立及其簡(jiǎn)化

本文中電機(jī)控制器IGBT熱源由3個(gè)IGBT模塊構(gòu)成,一個(gè)完整的IGBT模塊包括4個(gè)IGBT和4個(gè)續(xù)流二極管,但實(shí)際工作過(guò)程中,大部分功率損失是產(chǎn)生在IGBT上的,而續(xù)流二極管承受較低的負(fù)載,所以此處可將續(xù)流二極管的功率損耗忽略,所有熱量均視為IGBT產(chǎn)生。根據(jù)廠(chǎng)家給定的相關(guān)參數(shù),采取線(xiàn)性近似方法,計(jì)算每個(gè)IGBT熱源在額定工況下的熱功耗為54.2 W。傳熱過(guò)程中,熱量由IGBT模塊產(chǎn)出,經(jīng)過(guò)封裝層到達(dá)散熱基板,最終傳遞至散熱翅片與外界進(jìn)行對(duì)流換熱,具體傳熱模型如圖3所示。IGBT模塊的上側(cè)被導(dǎo)熱性能差的硅凝膠[導(dǎo)熱系數(shù)為0.15 W/(m·℃)]封裝保護(hù),可認(rèn)為IGBT芯片的熱量主要通過(guò)下部的封裝材料與基板傳遞到散熱器。由于封裝層內(nèi)有多種材料及其焊層(包括導(dǎo)熱硅脂層),各層的厚度數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確,導(dǎo)致封裝層導(dǎo)熱系數(shù)的理論計(jì)算困難。為了便于進(jìn)行CFD模擬分析,本文將IGBT模塊到散熱器基板之間的封裝層簡(jiǎn)化為某一材料的實(shí)體塊,其熱物性未知,即可認(rèn)為是黑匣子模型。

3 理論計(jì)算分析

IGBT芯片工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式經(jīng)過(guò)基板傳至散熱器,然后通過(guò)強(qiáng)迫風(fēng)冷的方式與外界環(huán)境進(jìn)行熱交換。所以整個(gè)熱傳導(dǎo)的過(guò)程中,熱阻可分為三個(gè)部分:IGBT結(jié)殼熱阻,即從IGBT晶體到散熱器基板的熱阻Rjc(本文已簡(jiǎn)化為黑匣子);散熱器內(nèi)固體傳熱熱阻Rch;以及散熱器與外界環(huán)境之間的傳熱熱阻Rha [12];R、Rjc、Rch、Rha 的單位均為℃/W。

即整個(gè)傳熱過(guò)程總熱阻為

。

其中

。

式中,d為黑匣子厚度,m;K為其導(dǎo)熱系數(shù),取 K=26 W/(m·℃);A為黑匣子部分的傳熱橫截面面積。即

,

。

式中,l為散熱器高度,m;Ks為散熱器材料導(dǎo)熱系數(shù),此處為209 W/(m·℃);L為翅片長(zhǎng)度,m;b為翅片厚度,m;n為翅片個(gè)數(shù)。即:

,

。

式中,h為基板厚度,m;A為散熱器有效散熱面積,m2;Pv為IGBT額定工況下發(fā)熱功率,W;C1為散熱器安裝狀態(tài)系數(shù),因是水平安裝,故取C1=0.4; C2為強(qiáng)迫風(fēng)冷散熱條件下,散熱器相對(duì)熱阻系數(shù),根據(jù)選用的風(fēng)機(jī)流量取C2=0.4;C3為空氣換熱系數(shù),由于空氣流場(chǎng)紊流為主,故取C3=0.1。即

綜上各式:

0.112 4 。

根據(jù)IGBT結(jié)溫Tj計(jì)算方法,可將整個(gè)散熱系統(tǒng)簡(jiǎn)化并等效為如圖4所示的計(jì)算電路模型[13-14]。

其中,Pv為額定工況下IGBT總的散熱功率; Ta為整個(gè)系統(tǒng)所處環(huán)境溫度(20 ℃);Th為散熱器平均溫度,℃;Tc為基板溫度,℃。

則在額定工況下:

Tj=20 ℃+650.4×0.112 4+10 ℃=103.15 。

該溫度值小于IGBT所允許最大結(jié)溫為125℃,從理論分析上認(rèn)為該散熱器完全滿(mǎn)足IGBT散熱要求,從而進(jìn)一步對(duì)其進(jìn)行CFD仿真以及試驗(yàn)驗(yàn)證。

4 數(shù)值模擬

4.1 CFD數(shù)學(xué)模型

CFD流體傳熱仿真基于物理守恒定律,包括質(zhì)量守恒定律、動(dòng)量守恒定律以及能量守恒定律等[15-17],對(duì)應(yīng)的數(shù)學(xué)模型方程如下所述。

4.1.1 基本方程

即N-S方程:

。

。

式中,為流體密度,kg/m3;p為動(dòng)壓強(qiáng),Pa;t為時(shí)間,s;u、v和w為流體在X、Y、Z方向上的速度分量;、以及表示的是單位質(zhì)量流體在X、Y、Z方向上受到的粘滯力。

4.1.2 連續(xù)方程

。

4.1.3 能量方程

。

式中,U為流體流速,m/s;z為位置基于某一基準(zhǔn)面的高度,m;為單位重力流體流過(guò)前后截面過(guò)程的機(jī)械能損失,J;dQ為單位體積流量,m3/s;g為重力加速度,m/s2。

4.2 網(wǎng)格劃分

根據(jù)建立的電機(jī)控制器IGBT散熱器三維幾何模型,對(duì)模型進(jìn)行多級(jí)網(wǎng)格劃分,由于散熱器翅片數(shù)量較多,為避免劃分網(wǎng)格后網(wǎng)格數(shù)量過(guò)大,增加計(jì)算成本,同時(shí)為盡可能保證計(jì)算精度,可對(duì)模型劃分非連續(xù)網(wǎng)格,翅片集中、流動(dòng)參數(shù)變化較大處網(wǎng)格相對(duì)別處較密[18],保證每個(gè)小翅片厚度方向上有兩到三個(gè)網(wǎng)格。非連續(xù)網(wǎng)格在交界面處采用多級(jí)網(wǎng)格劃分,邊界處網(wǎng)格呈現(xiàn)由密到疏的過(guò)程,可很好地捕捉變量梯度。劃分的網(wǎng)格總數(shù)約為110萬(wàn)個(gè),劃分結(jié)果及局部網(wǎng)格放大圖如圖5和圖6所示。

5 關(guān)鍵參數(shù)的確定

5.1 黑匣子層導(dǎo)熱系數(shù)確定

在熱仿真過(guò)程中,可通過(guò)對(duì)黑匣子層的導(dǎo)熱系數(shù)進(jìn)行一定范圍內(nèi)的逼近試算法穩(wěn)態(tài)模擬分析,同時(shí)通過(guò)試驗(yàn)測(cè)得圖7中溫度測(cè)量點(diǎn)在相同工況下的最終穩(wěn)定溫度,將仿真結(jié)果與試驗(yàn)測(cè)定結(jié)果進(jìn)行差值對(duì)比,尋找合適的黑匣子導(dǎo)熱系數(shù)。

本文所進(jìn)行的溫升試驗(yàn)研究風(fēng)冷散熱器在電機(jī)控制器箱體內(nèi)的位置如圖8所示。試驗(yàn)臺(tái)由計(jì)算機(jī)、電源與控制系統(tǒng)、傳感器與信號(hào)調(diào)理模塊、數(shù)據(jù)采集硬件和軟件、數(shù)值運(yùn)算處理軟件、圖形顯示與操作軟件等組成。在電機(jī)控制器IGBT不同工作狀態(tài)下,通過(guò)IGBT本身的NTC熱敏電阻測(cè)試IGBT模塊熱源附近的溫度,記錄其工作之后直至溫度達(dá)到穩(wěn)定過(guò)程中各時(shí)刻溫度的變化情況。

IGBT廠(chǎng)家提供的芯片內(nèi)部溫度測(cè)量點(diǎn)共6個(gè),在試驗(yàn)過(guò)程中取其溫度最高值,溫度最高的測(cè)量點(diǎn)如圖7所示,與IGBT中間位置芯片y方向上相距13 mm,z方向上相距3 mm。由于試驗(yàn)測(cè)量點(diǎn)與實(shí)際IGBT芯片結(jié)點(diǎn)有一定距離,IGBT廠(chǎng)商提供的試驗(yàn)數(shù)據(jù)資料稱(chēng)所測(cè)數(shù)值低于實(shí)際結(jié)溫10 ℃左右,即測(cè)量值再加上10 ℃,可認(rèn)為是測(cè)點(diǎn)最近的芯片結(jié)溫。試驗(yàn)中選用了117CFM、70CFM兩種不同流量的軸流風(fēng)機(jī),測(cè)點(diǎn)溫度讀數(shù)見(jiàn)表1。

在散熱器熱仿真中,改變黑匣子層的導(dǎo)熱系數(shù),獲得的測(cè)點(diǎn)芯片結(jié)溫隨黑匣子導(dǎo)熱系數(shù)的變化趨勢(shì)如圖9所示。

對(duì)比仿真結(jié)果和試驗(yàn)測(cè)量結(jié)果,經(jīng)過(guò)數(shù)次試算得出,當(dāng)導(dǎo)熱系數(shù)為26 W/(m·℃)的時(shí)候,仿真獲得的對(duì)應(yīng)IGBT芯片穩(wěn)定溫度是:當(dāng)風(fēng)機(jī)流量為117CFM時(shí)為103.6 ℃,70CFM時(shí)為105.8 ℃,由于測(cè)試點(diǎn)溫度讀數(shù)需加上10 ℃才可認(rèn)為是芯片結(jié)溫,故表1中測(cè)點(diǎn)溫度讀數(shù)分別加上10 ℃,即104.8 ℃和107.5 ℃,與試驗(yàn)測(cè)量值的誤差分別為1.2 ℃和1.7 ℃。據(jù)此,該款I(lǐng)GBT封裝層導(dǎo)熱系數(shù)可取26 W/(m·℃)。

5.2 風(fēng)機(jī)流量對(duì)散熱效果影響分析

在對(duì)所設(shè)計(jì)的新型散熱器進(jìn)行熱特性仿真之前,需要對(duì)設(shè)計(jì)的風(fēng)機(jī)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化分析。本文選用兩個(gè)相同型號(hào)的風(fēng)機(jī)并聯(lián),通過(guò)選擇不同空氣流量,進(jìn)行參數(shù)化CFD仿真計(jì)算,觀(guān)察在不同流量下IGBT測(cè)點(diǎn)芯片的最高溫度,如圖10所示。

由圖10可知,隨著風(fēng)機(jī)流量的增大,IGBT最高溫度呈下降趨勢(shì),在流量超過(guò)0.035 m3/s時(shí),熱源溫度可基本降到110 ℃之下,根據(jù)電機(jī)控制器IGBT正常工作要求,并參照風(fēng)機(jī)設(shè)計(jì)選型,最終選定軸流風(fēng)機(jī)流量為L(zhǎng)=81CFM=0.038 23 m3/s。

6 仿真結(jié)果分析

6.1 邊界條件的設(shè)定

散熱器采用強(qiáng)制風(fēng)冷,環(huán)境空氣溫度設(shè)為20℃,散熱器模型材質(zhì)為鋁合金,導(dǎo)熱系數(shù)取209 W/(m·℃),密度為2 710 kg/m3;每個(gè)IGBT熱源在額定工況下的熱功耗為54.2 W;黑匣子導(dǎo)熱系數(shù)為26 W/(m·℃);風(fēng)機(jī)流量取0.038 23 m3/s。

6.2 穩(wěn)態(tài)結(jié)果分析

電機(jī)控制器IGBT在額定散熱功率下工作的時(shí)候,通過(guò)仿真得到各項(xiàng)穩(wěn)態(tài)結(jié)果,如圖11~14所示。

由圖11可知,在額定散熱功率下,IGBT熱源的最高溫度為110.520 ℃,低于所允許125 ℃的最大結(jié)溫,滿(mǎn)足其正常工作的溫度條件要求。

圖12和圖13分別為散熱器內(nèi)水平截面速度流場(chǎng)以及散熱器基板表面溫度分布狀況,可以看出其流場(chǎng)分布較均勻,基板表面最高溫度為68.661 ℃,能夠滿(mǎn)足基板最高溫度不超過(guò)85 ℃的要求。熱源相對(duì)集中區(qū)域同其它區(qū)域最大溫差為35 ℃左右。同時(shí)截取位于散熱器中間位置單個(gè)翅片的溫度分布(圖14),散熱器翅片上最高溫度為58.260 ℃,最大溫差為21 ℃左右。

6.3 瞬態(tài)結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果對(duì)比分析

為獲得IGBT芯片熱源與散熱器的溫度隨時(shí)間的變化情況,本文對(duì)散熱器進(jìn)行了額定工況下的瞬態(tài)仿真,按時(shí)間步長(zhǎng)1 s獲得的300 s內(nèi)IGBT測(cè)點(diǎn)芯片溫度隨著時(shí)間的變化趨勢(shì)如圖15所示。

在額定工況下,熱源IGBT在開(kāi)始工作后200 s內(nèi),其測(cè)點(diǎn)芯片溫度呈線(xiàn)性上升趨勢(shì),到200 s左右溫度逐漸趨于穩(wěn)定,最終達(dá)到110.520 ℃,同時(shí)可以看到前300 s內(nèi)其溫升是相對(duì)平穩(wěn)的。

試驗(yàn)測(cè)量獲得的不同時(shí)刻IGBT測(cè)量點(diǎn)溫度如圖14中的試驗(yàn)結(jié)果曲線(xiàn)所示??梢钥闯觯煌瑫r(shí)刻溫度變化曲線(xiàn)與仿真所呈現(xiàn)的趨勢(shì)基本一致,IGBT芯片測(cè)點(diǎn)溫度在200 s之后逐漸趨于穩(wěn)定,穩(wěn)定的溫度值為96.5 ℃,再加上由于測(cè)點(diǎn)與對(duì)應(yīng)芯片的距離而導(dǎo)致的溫度差為10 ℃,即可認(rèn)為試驗(yàn)獲得IGBT對(duì)應(yīng)芯片結(jié)溫為106.5 ℃,與仿真結(jié)果相差3.8%。

7 結(jié)論

本文提出一種新型純電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)控制器IGBT用風(fēng)冷散熱器結(jié)構(gòu)方案,對(duì)IGBT熱源及所設(shè)計(jì)的新型風(fēng)冷散熱器建立了黑匣子模型,通過(guò)仿真與試驗(yàn)結(jié)果的對(duì)比驗(yàn)證,獲得了該款I(lǐng)GBT封裝層的熱參數(shù),由此展開(kāi)了該新型風(fēng)冷散熱器進(jìn)行CFD熱仿真,得到較為可靠的流體場(chǎng)及溫度場(chǎng),同時(shí)對(duì)仿真結(jié)果分別進(jìn)行理論計(jì)算以及試驗(yàn)驗(yàn)證,可得到以下結(jié)論。

(1)所設(shè)計(jì)新型風(fēng)冷散熱器可以保證熱源結(jié)溫在125 ℃以下,散熱器基板溫度也在要求的85 ℃以下,說(shuō)明該款散熱器滿(mǎn)足IGBT正常工作要求。

(2)在額定工況下,仿真所得到的IGBT熱源最高溫度高于理論計(jì)算結(jié)果7 ℃,高出實(shí)際試驗(yàn)結(jié)果4 ℃,誤差分別為6.8%和3.8%,均在可接受范圍內(nèi)。

(3)從該新型風(fēng)冷散熱器工作狀況來(lái)看, IGBT散熱效果仍然有較大的提升空間。為了進(jìn)一步提高其工作穩(wěn)定性,可在后期的工作中對(duì)其進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì),如嘗試改變基板厚度、翅片厚度、間隙以及個(gè)數(shù)等,結(jié)合產(chǎn)品尺寸成本、技術(shù)指標(biāo)等方面的因素,優(yōu)化該款散熱器的結(jié)構(gòu)方案。

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