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工藝架構雙雙逆襲?AMD下代顯卡搶先看!

2016-03-29 16:47張一山
微型計算機 2016年4期
關鍵詞:代工晶體管三星

張一山

自2011年末公布GCN架構后直到現(xiàn)在,AM D都沒有徹底革命性架構的新顯卡問世。包括當前旗艦R9 Fury X在內,所有的顯示核心都是在第一代GCN架構上修修補補、增加一些新特性得來。而且芯片工藝依1日是多年不變的28nm……近5年之后,AIxAD終于放出下代“Polaris”(北極星)GPU架構將大幅革新的消息。而且這一次,隨著半導體新工藝的攻克,新核心將使用先進的14nm工藝。

雙重利好究竟能為新GPU帶來什么優(yōu)勢?

能否幫助AMD完成性能上相對競品的逆襲,奪回高端市場份額?

距離新卡發(fā)布還有一段時間,但各種消息已經勾起了玩家們對北極星的極大興趣。所以讓我們這就來搶先打探一番,通過現(xiàn)有信息預估一下新核心的特性和性能。

AMD上一次宣布如此重要的產品還是2011年底,當時GCN架構橫空出世,一掃AMD此前VLIW架構硬件利用率較低的陰霾,使AMD在GPU架構和產品性能上擁有了將當時稱雄的英偉達Fermi架構產品挑于馬下的實力。從2012年起,GCN架構不斷地通過調整規(guī)格、推陳出新,為AMD贏得了市場認可和玩家的青睞。但不得不說的是,自那時起至今,AMD都在吃GCN的老本。最近幾代GPU產品在架構方面都沒有革命性改進,只是在原來架構的基礎上不斷地優(yōu)化,通過增添功能、縮放規(guī)模獲得產品迭代。有些人說這是迫于工藝原地踏步的無奈,但NVIDIA卻能在工藝沒升級的情況下,通過架構改進獲得能耗比的大幅提升,讓AMD相當被動。

其實AMD并不缺乏創(chuàng)新,比如最后一代GCN架構就率先用上了跨時代的HBM顯存。作為GCN架構最后的巔峰,去年發(fā)布的R9 FuryX已經在芯片面積上達到600平方毫米水平,這是AMD自推崇小核心甜點策略以來,很久沒有嘗試過的大核心產品了。雖說有HBM顯存的增益,但是GCN架構與生俱來的能耗比較低、架構效率不高等問題依舊無法得到徹底改善,甚至都沒法完美發(fā)揮出HBM的高帶寬優(yōu)勢。在R9 Fury X核心面積已經和GTXTITAN X相差無幾的情況下,性能卻明顯落后對手,無法幫助AMD重新奪回高端市場的玩家認可度。很顯然,架構換代的需求已經刻不容緩。好在AMD終于在加州舉辦了圖形技術峰會,公布了全新的代號為“Polaris”的GPU產品。宣稱要為用戶帶來一場極其值得期待的史詩級架構革命,希望重拾用戶信心。

很顯然,AMD敢稱史詩級架構革命,那么新顯卡的GPU架構勢必不再是基于老舊GCN的修補版,即使不是推倒重來的全新設計,也絕對是大刀闊斧式的全新改版。那么該架構是否能幫AMD重新獲得競爭優(yōu)勢?讓我們這就來看看它都具備哪些特殊設計。

工藝終于提升

了解半導體的玩家應該非常明白,無論是CPU還是GPU或是其他芯片,更優(yōu)秀的工藝都是性能提高的重要條件。當一個芯片能借助新工藝容納更多的晶體管時,就能實現(xiàn)更多的功能和更強大的性能。無論架構設計得再合理,缺少優(yōu)秀工藝都難以發(fā)揮芯片應有性能。反之,優(yōu)秀的工藝卻能在很多時候彌補芯片設計上的不足。但無可奈何的是,顯示芯片廠商一直以來都采用代工制造模式,工藝水平取決于代工廠TSMC的發(fā)展情況,而TSMC近幾年來工藝發(fā)展并不順利,近5年都只能提供成熟的28nm產品。導致AMD和NVIDIA的產品換代非常被動。顯然,在五年后的今天,28nm工藝已經不能滿足GPU發(fā)展的需求了,尤其是DirectX,12等技術的出現(xiàn),推動了整個圖形業(yè)界的技術再次躍進,GPU也需要全新工藝來滿足新架構產品的設計和制造,以帶來跨越式的性能和功能改善。因此,無論是AMD還是NVIDIA,都準備在全新一代GPU上采用新工藝。但不同的是,NVIDIA應該還會繼續(xù)和老伙伴TSMC合作,使用TSMC最新的高性能16nm工藝生產下一代“帕斯卡”架構核心。而AMD則很可能將代工訂單轉投到GlobaIFoundries和三星。GlobaIFoundries(本文簡稱GF)大家應該很熟悉,就是從AM D剝離出去的半導體制造廠,是AMD CPU的指定代工廠。三星的加入顯得比較意外,實際上沒有三星提供的14nm技術支持,GF想給AMD代工GPU都難。

這一次AMD之所以沒有再選擇和TSMC繼續(xù)合作,據稱是因不滿TSMC近年來越來越糟糕的代工服務能力。熟悉行業(yè)的玩家應該知道,AM D在GPU工藝升級方面一直比NVIDIA激進。依靠比NVIDIA快半步的工藝優(yōu)勢,賦予芯片更好的特性,常常能在競爭中給NVIDIA帶來不少麻煩。但TSMC經常在新工藝啟用的過程中給AMD帶來麻煩,良率、價格、芯片質量一直是讓AMD不滿的問題。只是苦于沒有別家代工廠有實力或愿意幫助AMD代工高性能GPU,只能勉強維持。但這樣的局面在GF獲得三星14nmLPP工藝授權后,迅速被打破。那么三星授權給GF的14nm LPP工藝究竟有什么特點,能從TSMC手中搶過代工大單?

14nm FinFET優(yōu)勢何在?

其實在代工的選擇上,AMD-直是很謹慎的,TSMC合作了多年,逼不得已AMD并不想換代工r但很顯然,在經歷了28nm的各種坑之后,TSMC向16nm過渡的情況也并不好,量產時間的推遲讓TSMC先后丟掉了高通、博通等大單。雖說TSMC后續(xù)補救還算及時,在16nmFinFET(FF)之后,迅速推出了加強版的16nm FFP和針對低功耗的FFC工藝。但爭分奪秒的競爭最需要的就是時間上搶先,三星14nm工藝先于TSMC的16nm工藝量產,能為AMD爭取到更早的流片和試產時間,可能是AMD放棄TSMC的一個重要原因。再加上在20nm時代,TSMC優(yōu)先蘋果訂單,讓AMD和NVIDIA不得不憋屈地使用28nm至今,也確實讓AMD感到了威脅。所以將生產轉回自家的GF可謂水到渠成。至于為何要同時交予三星,很可能是因為GF雖得到技術授權,但是產能估計難以滿足AMD需求,需要借助三星保證芯片數(shù)量和質量吧。endprint

FinFET,相信大家不再陌生了,其全稱是Fin Field-EffectTransistor,鰭式場效應晶體管。這個名詞的首次出現(xiàn)還是在英特爾強推22nm工藝的時代,F(xiàn)inFET實際上就是當時英特爾大力宣傳的“3D晶體管”。FinFET的目的是為了對抗越來越薄、越來越小的晶體管所擁有的不良物理特性(最重要的就是漏電),并用于根本性改善20nm甚至更高級別制程下晶體管的性能。舉例來說,在FinFET出現(xiàn)之前,AMD曾采用過多重電壓島、后偏置、高級時鐘門控電路等多重技術,但都沒有很好地解決漏電問題,導致芯片能耗比不佳,始終在競爭中受制于對手。從技術角度來看,F(xiàn)inFET將原本扁平、薄而不可靠的漏極和源極之間的連接“豎立”起來,在另一個維度上變相增加了厚度(或者面積),使得晶體管在繼續(xù)縮小后還能夠有比較好的性能表現(xiàn)。在使用了FinFET后,原本比較令人煩惱的漏電電流得到了有效控制,同時還帶來了很多優(yōu)秀特性,比如使用更低電壓即可驅動、晶體管可承受電流上限也更高等。

而三星授權給GF用于制造Polaris核心的工藝,是繼初代-14nmLow Power Early(LPE)之后的改進版14nm Low Power Plus(LPP)工藝。LPE已經為我們帶來過Exynos7420等名滿天下的產品,而LPP還將在LPE基礎上進一步提升能耗比,減少15%以上漏電率,更利于制造高性能大體積芯片。

AMD在全新的Polaris核心上采用FinFET,有助于降低芯片發(fā)熱、提高工作頻率、降低驅動電流,最終實現(xiàn)提高性能功耗比的目的。根據AMD的介紹,14nm FinFET相比28nm平面工藝,能在晶體管數(shù)量翻倍的情況下,還進一步縮小芯片面積。借此獲得優(yōu)秀得多的能耗表現(xiàn)和翻倍的性能。通過測試當前已經用14nm工藝流片成功的PolarisGPU,AMD宣稱Polaris架構相比之前的Fiji等核心在能耗比上提升了2倍,也遠遠超過了當前NVIDIA的Maxwell架構。為此,AMD還特地公布了一段演示視頻,視頻中AM D使用了相同的軟硬件平臺,在相同設置下對比了某款Polaris架構GPU和GTX 950的功耗表現(xiàn)。在游戲畫面都一樣流暢的前提下,其中GTX 950的平臺功耗為150W,而Polaris GPU的平臺功耗僅為85W,只有前者的56%,整體表現(xiàn)相當令人滿意。

舊瓶裝新酒的GCN 4.0

我們說過,工藝只是重要的基礎,架構是芯片性能的關鍵。Polaris核心顯然不僅有三星的14nm LPP工藝撐腰,更重要的是AMD賦予了它一個全新的高效率架構。AMD在介紹Polaris架構時,提到了第四代GCN架構,也就是俗稱的GCN 4.0。別看命名還是GCN,但和之前修修補補的初代GCN差別甚大。首先GCN 4.0架構下,跟執(zhí)行效率關系緊密的GPU中指令調度器已經被重新設計。當然,跟指令調度器相關的周邊模塊也是重新設計或進行了大幅改進,以保證計算任務的調度更加高效和智能。不僅有更快的指令處理速度,還能根據負載和任務類型,自動劃分指令,將復雜指令和重復性簡單指令分別分派,盡可能讓計算核心更多時候能處于高效率利用狀態(tài),提高整體計算性能。另外,跟計算性能關系最緊密的幾何處理器、流處理器核心、二級緩存等也是重新設計的,以進一步解決初代GCN流處理器集群使用效率不佳的問題。避免出現(xiàn)同一集群中,某些流處理器一直滿載,而部分單元卻無事可做的尷尬。與之匹配的外圍顯示引擎、顯存控制器等也全部都經過了重新設計,能夠達到更高的計算性能匹配,提供更小的核心和顯存數(shù)據存取延遲,讓整體性能和性能功耗比大幅度提高。至于顯存搭配,并非全為HBM(后文會詳細講解)。在功能方面,此前只有Intel一家在視頻編碼、解碼上獨大,而GCN 4.0決定不再讓其獨美。除GPU計算核心,AMD還重新設計了多媒體協(xié)處理核心,全面加入了對H.265的支持,增加了原生的H.265 main10解碼能力和H.265@60fps的編碼能力。并加強了4K及其以上超高清分辨率硬件編、解碼能力。借此,玩家們可以不再依靠高性能處理器,只需用GPU硬件輔助就能完成超高分辨率下的H.265影視流暢播放了。另外,GCN 4.0增加了原語丟棄加速器(Primitive Discard Accelerator)、硬件調度器、指令預取、高效著色器、顯存壓縮等功能,能夠進一步配合DirectX 12 API、驅動等底層軟件,提供更高的圖形渲染效率。

多媒體輸出功能方面,Polaris架構正式開始支持HDM I 2.Oa和DisplayPort 1.3兩種最先進的視頻接口標準。HDMI 2.Oa的最主要特性在于帶寬提升至18Gbps、支持3840×2160分辨率和50fps、60fps刷新率。音頻方面能夠提供最多32個聲道和1536kHz采樣率,支持多個用戶同時傳輸音頻、視頻流,還提供了對HDR傳輸格式的支持。而DP 1.3的規(guī)范則將帶寬提升至32.4Gbps,擁有四條通道,實際傳輸速度高達25.92Gbps,最高能夠支持5,120×2880分辨率,也同樣支持多顯示器。

HBM2、GDR5X:一個都不會不少

顯存將是本次產品更新的一個亮點。AMD已經在Rg Fury X上啟用了HBM顯存,其優(yōu)勢我們就不再贅述,其缺點則是被不少玩家詬病的最大4GB容量問題。別擔心,與Pola ris架構搭配的新一代HBM2顯存已經將最大容量從此前的單顆1GB提高到了單顆最大8GB。此前4顆HBM總計4GB,HBM2代4顆最大可到32GB。另外,HBM引以為傲的位寬優(yōu)勢繼續(xù)得到加強,HBM2單顆粒位寬可以達到2048bit,相比HBM的1024bit再次翻倍。當然,受制于高昂的成本,估計只有Polaris架構的旗艦產品能用上HBM2顯存,且會有-16G B標配和32GB高配之分。面向中端的Polaris產品則會搭配基于GDDR5改進的GDDR5X顯存。GDDR5X相比GDDR5,預取數(shù)再次翻倍,從之前的8提升到了16,這樣一來帶寬又能在GDDR5的基礎上繼續(xù)提升??紤]到GDDR5轉換至GDDR5X生產比較容易,成本控制應該也很容易讓廠商接受,因此未來很長一段時間里,中端顯卡將以搭配GDDR5X顯存為主。

Polaris10、Polaris11:具體產品有哪些?

在了解了Polaris架構的一些特性后,大家最關心的應該是產品型號了。根據AMD Radeon事業(yè)部Raja Koudri的消息,Polaris家族目前有兩款核心,分別被稱為Polaris11和Polaris10,兩個一大一小,但目前并不知道確切的對應型號。只是說新顯卡流片比較順利,應該會在今年中發(fā)布,很可能在6月的臺北電腦展上展示。

在CPU市場的持續(xù)失利,讓AMD長期受困于虧損、裁員、拆分、重組等各種負面影響,甚至影響到了以往表現(xiàn)還不錯的圖形部門。以至于長達5年時間里,AMD都沒有革新GCN架構,而是依靠GCN設計的先進性,先后力戰(zhàn)了NVIDIA的Fermi、Kepler、Maxwell等多代架構。在M axwell將GPU的性能功耗比推至28nm下的極限水平后,AMD更是大量丟失圖形顯卡市場份額。還好,充滿激情的AMD還沒有倒下,這次不僅公布了新顯卡的消息,還公布了闊別已久的CPU架構換代計劃。再加上有三星技術支持的GF終于在工藝上趕上了競爭對手的步伐,讓AMD有了更大的逆襲資本。下半年好戲一定不會少,AMD很可能在CPU和GPU兩個重要的市場上發(fā)布重量級產品,重新收拾舊山河,玩家們敬請期待。endprint

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